JP6006838B2 - ソフトエラーアップセット不感性を有するメモリ要素 - Google Patents
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Description
めのデータを格納する、ストレージ回路(ラッチ式回路)としての役割を果たし得る。したがって、トランジスタP0−P5およびN0−N5は、時として、メモリセル18のストレージ部分を形成すると称され得る。ストレージ部分は、中間ノードX0−X3上にデータ(真および補形態で)を格納し得る。したがって、中間ノードX0−X3は、内部ストレージノードと称され得る。これらのノードのいずれも、図1の出力19として使用され得る。例えば、ノードX3は、図1の出力19に接続され得る。
ンジスタP2が、部分的に、オンであるため、第3のインバータ型回路を通して、クローバ電流を流動させ得る。
得る。アドレストランジスタPAは、ノードX1に接続されている第1のソース−ドレイン端子と、データラインに接続される第2のソース−ドレイン端子と、信号ADDBによって制御されるゲート端子とを有し得る。アドレストランジスタNA’は、ノードX3に接続されている第1のソース−ドレイン端子と、データラインに接続される第2のソース−ドレイン端子と、信号ADDによって制御されるゲート端子とを有し得る。アドレストランジスタPA’は、ノードX3に接続されている第1のソース−ドレイン端子と、データラインに接続される第2のソース−ドレイン端子と、信号ADDBによって制御されるゲート端子とを有し得る。
さらになる実施形態を、以下に項目として示す。
(項目1)
読み取りおよび書き込みモードで動作可能なメモリ要素であって、
双安定要素を形成するために相互接続されている少なくとも第1および第2のトランジスタ対であって、少なくとも第1および第2のデータストレージノードを有し、各データストレージノードは、前記第1および第2のトランジスタ対のうちのそれぞれの1つにおける第1のトランジスタと第2のトランジスタとの間に結合されている、少なくとも第1および第2のトランジスタ対と、
前記第1および第2のトランジスタ対のうちの所与の1つにおける前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタと直列に接続されている所与のトランジスタと、
アクセス回路と
を備え、
前記アクセス回路は、前記書き込みモード中に前記メモリ要素にデータを書き込むようにイネーブルにされ、前記アクセス回路は、前記読み取りモード中にディスエーブルにされる、メモリ要素。
(項目2)
前記アクセス回路は、並列に接続されているn−チャネルトランジスタとp−チャネルトランジスタとを備えている、項目1に記載のメモリ要素。
(項目3)
前記アクセス回路は、p−チャネルトランジスタを備えている、項目1に記載のメモリ要素。
(項目4)
前記アクセス回路は、n−チャネルトランジスタを備えている、項目1に記載のメモリ要素。
(項目5)
読み取り回路をさらに備え、前記読み取り回路は、前記読み取りモード中に前記メモリ要素からデータを読み取るようにイネーブルにされ、前記読み取り回路は、前記書き込みモード中にディスエーブルにされる、項目1に記載のメモリ要素。
(項目6)
前記読み取り回路は、直列に接続されている第1および第2のトランジスタを備え、前記第1のトランジスタは、前記第1および第2のデータストレージノードのうちの所与の1つに接続されているゲートを有している、項目5に記載のメモリ要素。
(項目7)
前記読み取り回路は、並列に接続されているn−チャネルトランジスタとp−チャネルトランジスタとを備えている、項目5に記載のメモリ要素。
(項目8)
前記読み取り回路は、n−チャネルトランジスタを備えている、項目5に記載のメモリ要素。
(項目9)
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間に結合されている第3のデータストレージノードとを有する第3のトランジスタ対と、
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間に結合されている第4のデータストレージノードとを有する第4のトランジスタ対と
をさらに備えている、項目5に記載のメモリ要素。
(項目10)
読み取りおよび書き込みモードで動作可能なメモリ要素であって、
少なくとも第1および第2のデータストレージノードを有する双安定要素と、
データラインと、
前記データラインと前記第1のデータストレージノードとの間に結合されている第1のアクセス回路と、
前記データラインと前記第2のデータストレージノードとの間に結合されている第2のアクセス回路であって、前記第1および第2のアクセス回路は、前記書き込みモード中にオンにされ、前記第1および第2のアクセス回路は、前記読み取りモード中にオフにされる、第2のアクセス回路と、
前記第1および第2のアクセス回路から独立している読み取り回路であって、前記書き込みモード中にオフにされ、前記読み取りモード中にオンにされる、読み取り回路と
を備えている、メモリ要素。
(項目11)
前記第1および第2のアクセス回路は、各々、並列に接続されているn−チャネルトランジスタとp−チャネルトランジスタとを備えている、項目10に記載のメモリ要素。
(項目12)
前記読み取り回路は、直列に接続されている第1および第2のトランジスタを備えている、項目11に記載のメモリ要素。
(項目13)
前記読み取り回路の前記第1のトランジスタは、前記第1および第2のデータストレージノードのうちの所与の1つに接続されているゲートを有している、項目12に記載のメモリ要素。
(項目14)
前記読み取り回路は、直列に接続されている第1および第2のトランジスタを備えている、項目10に記載のメモリ要素。
(項目15)
前記読み取り回路の前記第1のトランジスタは、前記第1および第2のデータストレージノードのうちの所与の1つに接続されているゲートを有している、項目14に記載のメモリ要素。
(項目16)
前記双安定要素は、第3および第4のデータストレージノードをさらに備えている、項目10に記載のメモリ要素。
(項目17)
前記読み取り回路は、直列に接続されている第1および第2のトランジスタを備え、前記読み取り回路の前記第1のトランジスタは、前記第3および第4のデータストレージノードのうちの所与の1つに接続されているゲートを有している、項目16に記載のメモリ要素。
(項目18)
読み取りおよび書き込みモードで動作可能なメモリ要素であって、
データラインと、
少なくとも第1および第2のデータストレージノードを有する双安定要素であって、前記双安定要素は、少なくとも1つのトランジスタを含み、前記トランジスタは、前記書き込みモード中に前記双安定要素を選択的に減衰させるように制御される、双安定要素と、
前記データラインと前記第1のデータストレージノードとの間のアクセス回路であって、前記書き込みモード中にオンにされ、前記読み取りモード中にオフにされる、アクセス回路と
を備えている、メモリ要素。
(項目19)
第1および第2の電源供給端子をさらに備え、前記トランジスタは、前記第1の電源供給端子と前記第1および第2のデータストレージノードのうちの所与の1つとの間に結合され、前記書き込みモード中に前記トランジスタはオフにされ、前記第1および第2のデータストレージノードのうちの前記所与の1つを前記第1の電源供給端子から分断することによって、前記双安定要素を減衰させる、項目18に記載のメモリ要素。
(項目20)
前記データラインと前記第2のデータストレージノードとの間に結合されている回路をさらに備え、前記回路は、前記書き込みモード中にオフにされ、前記回路は、前記読み取りモード中にオフにされる、項目18に記載のメモリ要素。
Claims (18)
- 読み取りモードおよび書き込みモードで動作可能なメモリ要素であって、
双安定要素を形成するために相互接続されている少なくとも第1、第2、第3のトランジスタ対であって、前記双安定要素は、少なくとも第1、第2、第3のデータストレージノードを有し、各データストレージノードは、前記第1、第2、第3のトランジスタ対のうちのそれぞれの1つにおける第1のトランジスタと第2のトランジスタとの間に結合されており、前記第1のトランジスタ対のうちの前記第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ対のうちの前記第2のトランジスタとは、異なるデータストレージノードに結合されているそれぞれの制御端子を有する、少なくとも第1、第2、第3のトランジスタ対と、
前記第1および第2のトランジスタ対のうちの所与の1つにおける前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタと直列に接続されている所与のトランジスタであって、前記所与のトランジスタは、第1の制御信号によって制御される、所与のトランジスタと、
アドレス回路であって、前記アドレス回路は、前記書き込みモード中に前記メモリ要素にデータを書き込むようにイネーブルにされ、前記アドレス回路は、前記読み取りモード中にディスエーブルにされ、前記アドレス回路は、前記第1の制御信号によって制御される、アドレス回路と、
読み取り回路であって、前記読み取り回路は、前記読み取りモード中にイネーブルされ、前記メモリ要素からデータを読み取り、前記読み取り回路は、前記書き込みモード中にディスエーブルにされる、読み取り回路と
を備えている、メモリ要素。 - 前記アドレス回路は、並列に接続されているn−チャネルトランジスタとp−チャネルトランジスタとを備えている、請求項1に記載のメモリ要素。
- 前記アドレス回路は、p−チャネルトランジスタを備えている、請求項1に記載のメモリ要素。
- 前記アドレス回路は、n−チャネルトランジスタを備えている、請求項1に記載のメモリ要素。
- 前記読み取り回路は、直列に接続されている第1および第2のトランジスタを備え、前記第1のトランジスタは、前記第1および第2のデータストレージノードのうちの所与の1つに接続されているゲートを有している、請求項1に記載のメモリ要素。
- 前記読み取り回路は、並列に接続されているn−チャネルトランジスタとp−チャネルトランジスタとを備えている、請求項1に記載のメモリ要素。
- 前記読み取り回路は、n−チャネルトランジスタを備えている、請求項1に記載のメモリ要素。
- 第1のトランジスタと第2のトランジスタと第4のデータストレージノードとを有する第4のトランジスタ対をさらに備え、前記第4のデータストレージノードは、前記第4のトランジスタ対の前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間に結合されている、請求項1に記載のメモリ要素。
- 読み取りモードおよび書き込みモードで動作可能なメモリ要素であって、
少なくとも第1、第2、第3のデータストレージノードを有する双安定要素と、
データラインと、
前記データラインと前記第1のデータストレージノードとの間に結合されている第1のアドレス回路と、
前記データラインと前記第2のデータストレージノードとの間に結合されている第2のアドレス回路であって、前記第1および第2のアドレス回路は、前記書き込みモード中にオンにされ、前記第1および第2のアドレス回路は、前記読み取りモード中にオフにされる、第2のアドレス回路と、
前記第1および第2のアドレス回路から分離している読み取り回路であって、前記書き込みモード中にオフにされ、前記読み取りモード中にオンにされる、読み取り回路と
を備えている、メモリ要素。 - 前記第1および第2のアドレス回路は、各々、並列に接続されているn−チャネルトランジスタとp−チャネルトランジスタとを備えている、請求項9に記載のメモリ要素。
- 前記読み取り回路は、直列に接続されている第1および第2のトランジスタを備えている、請求項10に記載のメモリ要素。
- 前記読み取り回路の前記第1のトランジスタは、前記第1および第2のデータストレージノードのうちの所与の1つに接続されているゲートを有している、請求項11に記載のメモリ要素。
- 前記読み取り回路は、直列に接続されている第1および第2のトランジスタを備えている、請求項9に記載のメモリ要素。
- 前記読み取り回路の前記第1のトランジスタは、前記第1および第2のデータストレージノードのうちの所与の1つに接続されているゲートを有している、請求項13に記載のメモリ要素。
- 前記双安定要素は、第4のデータストレージノードをさらに備えている、請求項9に記載のメモリ要素。
- 前記読み取り回路は、直列に接続されている第1および第2のトランジスタを備え、前記読み取り回路の前記第1のトランジスタは、前記第3および第4のデータストレージノードのうちの所与の1つに接続されているゲートを有している、請求項15に記載のメモリ要素。
- 読み取りモードおよび書き込みモードで動作可能なメモリ要素であって、
データラインと、
少なくとも第1、第2、第3のデータストレージノードを有する双安定要素であって、前記双安定要素は、少なくとも1つのトランジスタを含み、前記少なくとも1つのトランジスタは、前記書き込みモード中に前記双安定要素の前記第1のデータストレージノードおよび前記第3のデータストレージノードを選択的に減衰させるように第1の制御信号によって制御される、双安定要素と、
前記データラインと前記第1のデータストレージノードとの間に結合されたアドレス回路であって、前記アドレス回路は、前記第1の制御信号によって制御され、前記アドレス回路は、前記書き込みモード中にオンにされ、前記アドレス回路は、前記読み取りモード中にオフにされる、アドレス回路と、
第1および第2の電源供給端子と
を備え、
前記トランジスタは、前記第1の電源供給端子と前記第1および第2のデータストレージノードのうちの所与の1つとの間に結合され、前記書き込みモード中に前記トランジスタはオフにされ、前記第1および第2のデータストレージノードのうちの前記所与の1つを前記第1の電源供給端子から分断することによって、前記双安定要素を減衰させる、メモリ要素。 - 前記データラインと前記第2のデータストレージノードとの間に結合されている読み取り回路をさらに備え、前記読み取り回路は、前記書き込みモード中にオフにされ、前記読み取り回路は、前記読み取りモード中にオンにされる、請求項17に記載のメモリ要素。
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