JP6003564B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
第1実施形態による半導体装置及びその製造方法について図1乃至図6を用いて説明する。
第2実施形態による半導体装置及びその製造方法について図7乃至図9を用いて説明する。図1乃至図6に示す第1実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
CuO2+ 2HCOOH →Cu(HCOO)2 + H2 + O2
次いで、このように形成した蟻酸銅膜26に紫外線を照射して蟻酸銅を分解し、蟻酸銅膜26をアモルファス状態のCu膜18に置換する。蟻酸銅膜26に照射する紫外線としては、10nm〜400nmの種々の波長域を選択することができ、一例としては、エキシマランプを用いた波長172nmの真空紫外光(VUV:Vacuum Ultra Violet)を適用することができる。処理温度は室温〜150℃程度、照射時間は5分〜15分程度とすることできる。蟻酸銅からアモルファスCuへの置換反応は、以下の反応式にしたがって生じる。
また、切削加工により上面に露出したCu膜20に紫外線が照射されることにより、Cu膜20上面の有機物が分解除去され、正常な面が得られる。
第3実施形態による半導体装置及びその製造方法について図10乃至図12を用いて説明する。図1乃至図9に示す第1及び第2実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
第4実施形態による半導体装置及びその製造方法について図13を用いて説明する。図1乃至図12に示す第1乃至第3実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記半導体基板上に形成され、少なくとも上面の周縁部が微結晶又はアモルファスの金属材料よりなる突起状電極と
を有することを特徴とする半導体装置。
前記突起状電極は、第1の金属膜と、前記第1の金属膜の側面部に形成された前記金属材料よりなる第2の金属膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記突起状電極は、前記上面の前記周縁部が前記上面の中央部よりも突出している
ことを特徴とする半導体装置。
前記突起状電極は、前記上面の中央部が前記第1の基板の表面に対して傾斜している
ことを特徴とする半導体装置。
前記突起状電極は、錐台形状を有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記突起状電極は、前記上面の中央部に形成され、前記金属材料とは異なる他の金属材料よりなる第3の金属膜を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記他の金属材料は、Ni,Sn又はAuである
ことを特徴とする半導体装置。
前記金属材料は、Cu又はAuである
ことを特徴とする半導体装置。
前記第1の突起状電極は、第1の金属膜と、前記第1の金属膜の側面部に形成され、前記第1の金属膜よりも結晶粒径の小さい第2の金属膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記基板上に、前記配線に接続して形成され、少なくとも上面の周縁部が微結晶又はアモルファスの金属材料よりなる突起状電極と
を有することを特徴とする回路基板。
前記開口部の底面及び側面に、微結晶又はアモルファスの金属材料よりなる第1の金属膜を形成する工程と、
前記第1の金属膜が形成された前記開口部内に、第2の金属膜を形成する工程と、
前記マスク膜上の前記第1の金属膜を除去し、前記開口部内に形成され、前記第1の金属膜及び前記第2の金属膜よりなる突起状電極を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第2の金属膜を形成する工程では、前記マスク膜の表面の高さよりも低くなるように前記第2の金属膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第1の金属膜を除去する工程では、前記第1の金属膜の表面の高さと前記第2の金属膜の表面の高さが等しくなるように、前記第1の金属膜を除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記第1のCu膜の側面部及び上面部に、酸化銅膜を形成する工程と、
前記酸化銅膜が形成された前記第1のCu膜を蟻酸に暴露し、前記酸化膜を蟻酸銅膜に置換する工程と、
前記蟻酸銅膜に紫外線を照射して分解し、前記蟻酸銅膜をアモルファス状態の第2のCu膜に置換する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記酸化銅膜を形成する工程よりも後に、前記第1のCu膜の上面部を露出する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記開口部の底面及び側面に、微結晶又はアモルファスの金属材料よりなる第1の金属膜を形成する工程と、
前記第1の金属膜が形成された前記開口部内に、第2の金属膜を形成する工程と、
前記マスク膜上の前記第1の金属膜を除去し、前記開口部内に形成され、前記第1の金属膜及び前記第2の金属膜よりなる突起状電極を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
前記第1のCu膜の側面部及び上面部に、酸化銅膜を形成する工程と、
前記酸化銅膜が形成された前記第1のCu膜を蟻酸に暴露し、前記酸化膜を蟻酸銅膜に置換する工程と、
前記蟻酸銅膜に紫外線を照射して分解し、前記蟻酸銅膜をアモルファス状態の第2のCu膜に置換する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
前記第1の基板と前記第2の基板との間に圧力を加えながら熱処理を行い、前記第1の突起状電極と前記第2の突起状電極とを密着させる工程と、
前記金属膜を再結晶化し、再結晶化された前記金属膜によって前記第1の突起状電極と前記第2の突起状電極とを接合する工程と
を有することを特徴とする基板の接合方法。
前記第1の突起状電極は、前記上面の前記周縁部が前記上面の中央部よりも突出している
ことを特徴とする基板の接合方法。
前記金属膜を再結晶化する工程は、第1の温度で加熱する第1の加熱工程と、前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱する第2の加熱工程とを有する
ことを特徴とする基板の接合方法。
前記第1の突起状電極と前記第2の突起状電極との間に加える圧力を50MPa〜100MPa、温度を100℃〜200℃として、前記第1の突起状電極と前記第2の突起状電極とを接合する
ことを特徴とする基板の接合方法。
12…基板
14…シード層
16…フォトレジスト膜
18,20,34…Cu膜
22…酸化銅膜
24…バイト
26…蟻酸銅膜
30…突出部
32,42…突起状電極
36…金属膜
40…インターポーザ
44,52…パッド電極
50…回路基板
Claims (9)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、上面の周縁部が微結晶又はアモルファスの金属材料よりなる突起状電極とを有し、
前記突起状電極は、第1の金属膜と、前記第1の金属膜の側面部に形成された前記金属材料よりなる第2の金属膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記突起状電極は、前記上面の前記周縁部が前記上面の中央部よりも突出している
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記突起状電極は、前記上面の中央部が前記第1の基板の表面に対して傾斜している
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記突起状電極は、前記上面の中央部に形成され、前記金属材料とは異なる他の金属材料よりなる第3の金属膜を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 配線が形成された基板と、
前記基板上に、前記配線に接続して形成され、上面の周縁部が微結晶又はアモルファスの金属材料よりなる突起状電極とを有し、
前記突起状電極は、第1の金属膜と、前記第1の金属膜の側面部に形成された前記金属材料よりなる第2の金属膜とを有する
ことを特徴とする回路基板。 - 第1の突起状電極が形成された第1の基板と、第2の突起状電極が形成された第2の基板とを有し、前記第1の基板と前記第2の基板とが前記第1の突起状電極及び前記第2の突起状電極を介して電気的に接続された半導体装置であって、
前記第1の突起状電極は、第1の金属膜と、前記第1の金属膜の側面部に形成され、前記第1の金属膜よりも結晶粒径の小さい第2の金属膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に、開口部が形成されたマスク膜を形成する工程と、
前記開口部の底面及び側面に、微結晶又はアモルファスの金属材料よりなる第1の金属膜を形成する工程と、
前記第1の金属膜が形成された前記開口部内に、第2の金属膜を形成する工程と、
前記マスク膜上の前記第1の金属膜を除去し、前記開口部内に形成され、前記第1の金属膜及び前記第2の金属膜よりなる突起状電極を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上の第1の領域に、第1のCu膜を形成する工程と、
前記第1のCu膜の側面部及び上面部に、酸化銅膜を形成する工程と、
前記酸化銅膜が形成された前記第1のCu膜を蟻酸に暴露し、前記酸化膜を蟻酸銅膜に置換する工程と、 前記蟻酸銅膜に紫外線を照射して分解し、前記蟻酸銅膜をアモルファス状態の第2のCu膜に置換する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上面の周縁部のみが微結晶又はアモルファスよりなる金属膜により形成された第1の突起状電極を有する第1の基板と、第2の突起状電極を有する第2の基板とを、前記第1の突起状電極と前記第2の突起状電極とが向き合うように配置する工程と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に圧力を加えながら熱処理を行い、前記第1の突起状電極と前記第2の突起状電極とを密着させる工程と、
前記金属膜を再結晶化し、再結晶化された前記金属膜によって前記第1の突起状電極と前記第2の突起状電極とを接合する工程と
を有することを特徴とする基板の接合方法。
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