JP5987485B2 - ヒューズ - Google Patents

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本発明は、過電流の印加により発熱し、溶融することにより電流経路を遮断するヒューズに関する。
一般的なヒューズは、第1の導電部と、第2の導電部と、可融金属部と、を備えて構成されている(例えば、特許文献1〜4参照。)。第1の導電部と第2の導電部とは、互いの端部が離間して対向するように配置される。可融金属部は、第1の導電部と第2の導電部との端部間を導通させるように構成され、過電流の印加により発熱して溶融し、または、ヒータにより加熱されて溶融し、電流経路を遮断する。
このようなヒューズでは、可融金属部が溶融して、近隣の濡れ性が高い領域、例えば導電部などの電極に引き寄せられる。そして、その状態で再凝固することにより金属塊となって固着する。しかしながら、溶融した可融金属部の一部は、濡れ性が高い領域に引き寄せられずに独立して動く金属粒となることがある。その場合、金属粒によって想定されていない不要な導通などが招かれる危険性がある。
そこで、溶融した可融金属部を所望の領域に引き寄せるように構成したヒューズが提供されている。(例えば、特許文献5参照。)。図7は、特許文献5を参考にしたヒューズの構成例を示す側面断面図である。
図7(A)には、ヒューズ101の電流経路接続時の状態を示している。ヒューズ101は、底面側基板部102Aと、天面側基板部102Bと、可融金属部104と、を備えている。底面側基板部102Aと天面側基板部102Bとは間隙を介して対向配置されている。天面側基板部102Bに対面する底面側基板部102Aの天面には、導電部である配線電極103A,103Bが形成されている。可融金属部104は、配線電極103A,103Bに接合されている。
このヒューズ101では、配線電極103A,103Bの間で可融金属部104に接触するように、底面側基板部102Aの天面に誘導電極105Aが形成されている。また、配線電極103A,103Bおよび誘導電極105Aに対向し、可融金属部104から離間するように、天面側基板部102Bの底面に誘導電極105B〜105Dが形成されている。
図7(B)には、ヒューズ101の電流経路遮断時の状態を示している。配線電極103A,103Bの間に過電流が流れたり、図示しないヒータにより加熱されたりすることで、可融金属部104が溶融する。溶融した可融金属部104は、表面張力により球状化しようとし、濡れ性の高い配線電極103A,103Bおよび誘導電極105Aに引き寄せられる。その際、溶融した可融金属部104は、配線電極103A,103Bおよび誘導電極105Aに対向する誘導電極105B〜105Dに接触し、その状態で凝固して金属塊110が形成される。これにより、ヒューズ101の電流経路が遮断されることになる。
特開2007−165086号公報 特開2010−244817号公報 特開2007−27135号公報 特許第2790433号公報 特開2004−265617号公報
従来構成のヒューズ101は、底面側基板部102Aが天面側基板部102Bよりも下側に位置する姿勢で実装される場合、溶融した可融金属部104が高い確率で誘導電極105A〜105Dに金属塊110として接合される。しかしながら、底面側基板部102Aが天面側基板部102Bよりも上側に位置する姿勢で実装されている場合、溶融した可融金属部104が、配線電極103A,103Bおよび誘導電極105Aに接合されていない領域付近で重力によって垂れ落ち、下側の天面側基板部102Bに滴下して金属粒が形成される恐れがある。
そのため、従来構成のヒューズ101では、実装される際の姿勢によっては、溶融した可融金属部104が所望の位置に誘導および固着されずに金属粒が形成され、想定していない不要な導通が生じる可能性があった。
そこで、本発明の目的は、実装される際の姿勢によらず、溶融した可融金属部をより確実に所望の位置に誘導することができる構成のヒューズを実現することにある。
本発明に係るヒューズは、絶縁性の基板部と、2つの配線部と、可融金属部と、金属誘導部と、を備えている。2つの配線部は、基板部の主面に互いに離間して形成されている。可融金属部は、2つの配線部の間に架け渡されている。金属誘導部は、可融金属部に近接対向して配置されていて、溶融した可融金属部が濡れ広がるように構成されている。また、可融金属部は、対向部と、連結部と、を備えている。対向部は、金属誘導部に近接対向する。連結部は、2つの配線部の間を対向部を介して連結していて、対向部から基板部の主面に対して非平行な方向に延設されている。
この構成では、基板部の主面が上向きに配置された状態で可融金属部が溶融すると、溶融した可融金属部が連結部に沿って上側から下側(基板部側)に流れ落ちる。また、基板部の主面が下向きに配置された状態で可融金属部が溶融しても、溶融した可融金属部が連結部に沿って上側(基板部側)から下側に流れ落ちる。したがって、溶融した可融金属部が、連結部に沿って配線部や金属誘導部の近傍に誘導され、可融金属部の一部が連結部から滴下して金属粒が形成される可能性を抑制することができる。
上述のヒューズにおいて、金属誘導部を基板部の主面に備え、可融金属部を基板部側に曲がるように構成してもよい。また、上述のヒューズにおいて、基板部に対向して配置されている絶縁性の対向基板部を備え、金属誘導部を対向基板部における基板部との対向面に備え、可融金属部を対向基板部側に曲がるように構成してもよい。
上述のヒューズにおいて、可融金属部は金属誘導部に接すると好適である。この構成では、溶融した可融金属部の一部が確実に金属誘導部に固着して金属塊を形成するので、滴下する可能性のある可融金属部の量が減り、金属粒が形成される可能性を低減できる。
上述のヒューズにおいて、可融金属部の対向部は連結部から狭窄するように構成されていてもよい。この構成では、可融金属部が狭窄する対向部から溶融を開始する可能性が高くなる。即ち、過電流が流れた場合に溶融した可融金属部の球状化(まるまり)がこの対向部から始まり、熱伝導により連結部に溶融が広がる。すると、対向部から溶融した可融金属部が核となって、連結部から溶融した可融金属部が集まり、対向部に近接対向する金属誘導部に、可融金属部が確実に集まって固着する。したがって、溶融した可融金属部が低下することなく、安定したヒューズ性能を得やすくなる。
上述のヒューズにおいて、前記金属誘導部を加熱する加熱部が設けられていると好適である。この構成では、任意のタイミングで可融金属部を溶融させることが可能になる。
この発明によれば、可融金属部に近接対向する金属誘導部を設け、可融金属部に対向部と連結部とを設けることにより、溶融した可融金属部を、ヒューズの配置姿勢によらずに配線部や金属誘導部に誘導することができる。したがって、可融金属部の一部が連結部から滴下して金属粒が形成される可能性を抑制することができる。
第1の実施形態に係るヒューズの経路接続時の断面図である。 第1の実施形態に係るヒューズの経路遮断時の断面図である。 第1の実施形態に係るヒューズの製造過程を示す側面断面図である。 第2の実施形態に係るヒューズの断面図である。 第3の実施形態に係るヒューズの断面図である。 第4の実施形態に係るヒューズの断面図である。 従来構成に係るヒューズの側面断面図である。
≪第1の実施形態≫
以下、本発明の第1の実施形態に係るヒューズについて説明する。以下に説明する図では、導電性の部材はハッチング表記を採用し、絶縁性の部材はドット表記を採用している。また、図1(A)における図面上側を天面側、図面下側を底面側と呼称して、説明を進める。
図1(A)は、第1の実施形態に係るヒューズの、電流経路が接続されている状態を示す側面断面図である。図1(B)は、図1(A)中に破線B−B’で示す面を天面側からみた平面断面図である。図1(C)は、図1(A)中に破線C−C’で示す面を底面側からみた平面断面図である。
本実施形態に係るヒューズ1は、プリント基板10と、蓋基板11と、配線電極12A,12Bと、誘導電極13A,13Bと、接続部14A,14Bと、可融金属部15と、を備えている。
プリント基板10は、本実施形態における基板部であり、ガラス布基材エポキシ樹脂からなり、長方形状の天面および底面を有し、天面と底面との間の厚みが薄い平板状の部材である。蓋基板11は、本実施形態における対向基板部であり、ガラス布基材エポキシ樹脂からなり、長方形状の天面、および、外形が長方形で有底開口が形成された底面を有する蓋状の部材である。プリント基板10の天面と蓋基板11の底面とは、互いに接合され、これにより、プリント基板10と蓋基板11とは内部空間を有する筐体を構成している。
なお、プリント基板10および蓋基板11の材質としては、絶縁性を有するものであれば、ガラス布基材エポキシ樹脂の他の材質を採用してもよい。例えば、セラミック基板、ガラス基板、その他の樹脂基板などを採用することができる。
配線電極12A,12Bは、プリント基板10の天面に離間して形成されている矩形の銅電極であり、それぞれ、プリント基板10を貫通して形成されたビア電極を介して、プリント基板10の底面に矩形の銅電極として形成された外部接続電極と接続されている。
誘導電極13Aは、プリント基板10の天面に設けられた矩形の銅電極からなり、配線電極12A,12Bの間を等分して配線電極12A寄りの領域に設けられている。誘導電極13Bは、蓋基板11の開口内底面に設けられた矩形の銅電極からなり、配線電極12Aに対向する領域と配線電極12Bに対向する領域との間を等分して配線電極12B寄りの領域に設けられている。誘導電極13A,13Bは、それぞれ本実施形態における金属誘導部を構成している。
接続部14Aは、製造工程におけるリフロー時に溶融する低融点金属(例えば、固相融点が215℃のSn-3.5Ag-0.5Cu合金。)から構成されていて、配線電極12Aに接合されている。接続部14Bは、製造工程におけるリフロー時に溶融する低融点金属(例えば、固相融点が215℃のSn-3.5Ag-0.5Cu合金。)から構成されていて、配線電極12Bに接合されている。接続部14Aと配線電極12A、および、接続部14Bと配線電極12Bは、それぞれ本実施形態における配線部を構成している。
可融金属部15は、実装工程におけるリフロー時に溶融せずに、より高温で溶融する低融点金属(例えば、固相融点が245℃のSn-10Sb合金)から構成されていて、接続部14A,14Bの間に架け渡されている。この可融金属部15は、端子部16A,16Bと、対向部17A,17Bと、連結部18A,18B,18Cと、を備えて構成されている。
端子部16A,16Bは、プリント基板10と略平行な構成であり、可融金属部15の両端に位置し、それぞれ接続部14A,14Bに接合されている。
対向部17Aは、プリント基板10と略平行な構成であり、誘導電極13Aに対向する領域で誘導電極13Aに接触していて、平面視して狭窄する形状となっている。対向部17Bは、プリント基板10と略平行な構成であり、誘導電極13Bに対向する領域で誘導電極13Bに接触していて、平面視して狭窄する形状となっている。
連結部18Aは、端子部16Aと対向部17Aとの間を連結する構成であり、プリント基板10と非平行に延設されている。具体的には、プリント基板10からの高さが、端子部16Aとの連結位置で高く、対向部17Aとの連結位置で低い、傾斜する構成となっている。連結部18Bは、対向部17Aと対向部17Bとの間を連結する構成であり、プリント基板10と非平行に延設されている。具体的には、プリント基板10からの高さが、対向部17Aとの連結位置で低く、対向部17Bとの連結位置で高い、傾斜する構成となっている。連結部18Cは、端子部16Bと対向部17Bとの間を連結する構成であり、プリント基板10と非平行に延設されている。具体的には、プリント基板10からの高さが、対向部17Bとの連結位置で高く、端子部16Bとの連結位置で低い、傾斜する構成となっている。
なお、本実施形態においては、プリント基板10の法線方向における可融金属部15の外寸(対向部17Aと対向部17Bとの外側面間隔)は、プリント基板10と蓋基板11との内部空間の寸法よりも若干程度大きくなるように設定されている。このため、対向部17Aと誘導電極13Aとが、また、対向部17Bと誘導電極13Bとが、それぞれ可融金属部15のバネ性によって圧接している。そして、蓋基板11には、内部空間を外部空間と連通させる貫通孔11Aが設けられている。このため、製造時の加熱によって内部空間の気体が膨張しても圧力が貫通孔11Aから抜け、気圧によって蓋基板11が変形して誘導電極13A,13Bが対向部17A,17Bから離間することを防ぐことができる。
なお、対向部17A,17Bと誘導電極13A,13Bとは、電流経路接続時には、必ずしも接していなくてもよい。少なくとも可融金属部15の溶融に伴う体積膨張などにより、対向部17A,17Bが誘導電極13A,13Bに接触するように近接配置されていればよい。
このような構成のヒューズ1は、例えば、素子などが実装された回路基板等に半田実装され、配線電極12A,12Bが、ビア電極および外部接続電極を介して、回路基板上の配線パターンと接続される。そして、配線電極12Aと配線電極12Bとが可融金属部15を介して導通することにより、電流経路が構成されている。また、ヒューズ1は、配線電極12A,12B間に一定以上の過電流が流れることで可融金属部15が溶融して、電流経路が遮断される。
具体的には、配線電極12A,12B間に一定以上の過電流が流れると、狭隘に構成された対向部17A,17Bにおいて大きな発熱が生じ、可融金属部15の固相融点を超える温度になって対向部17A,17Bから可融金属部15の溶融が開始する。そして、対向部17A,17Bからの伝熱により、連結部18A〜18Cおよび端子部16A,16Bも溶融する。すると、表面張力によって連結部18A〜18Cから溶融した可融金属部15が、対向部17A,17Bで溶融した可融金属部15を核として集まり、対向部17A,17Bに近接対向する金属誘導部13A,13Bに付着して球状化する(まるまる)。これにより、電流経路が遮断される。
電流経路遮断時に、ヒューズ1がプリント基板10を下側に向けた配置姿勢であれば、連結部18A,18Bや対向部17Bの一部が溶融した低融点金属は、連結部18A,18Bに沿って流れ落ち、誘導電極13Aの近傍まで誘導されて凝固する。また、連結部18Cや対向部17Bの一部が溶融した低融点金属は、連結部18Cに沿って流れ落ち、接続部14Bの近傍まで誘導されて凝固する。そして、対向部17Bの溶融した低融点金属の一部のみが、誘導電極13Bの近傍に留まって凝固する。図2(A)は、この場合の電流経路遮断後の状態を示す側面断面図である。図2(A)に示すように、誘導電極13Aや配線電極12Bの近傍に形成される金属塊は、連結部18A〜18Cや対向部17Bから誘導される低融点金属によって、配線電極12Aや誘導電極13Bの近傍に形成される金属塊よりも大きなものになる。
このように、本実施形態のヒューズ1では、連結部18A〜18Cをプリント基板10の主面と非平行に延設することにより、プリント基板10を下側に向けた配置姿勢で電流経路が遮断される際に、連結部18A〜18Cの溶融した低融点金属が、所定の位置まで確実に誘導される。また、対向部17A,17Bを狭隘な形状に構成したことで、可融金属部15の溶融が確実に対向部17A,17Bから始まり、可融金属部15の溶融した低融点金属が、確実に金属誘導部13A,13Bに付着して凝固する。したがって、プリント基板10の天面にそのまま滴下して金属粒を形成することが殆ど無くなる。
また、電流経路遮断時に、ヒューズ1が蓋基板11を下側に向けた配置姿勢であれば、図1(A)に示す連結部18B,18Cや対向部17Aの一部が溶融した低融点金属は、連結部18B,18Cに沿って流れ落ち、誘導電極13Bの近傍まで誘導されて凝固する。また、連結部18Aや対向部17Aの一部が溶融した低融点金属は、連結部18Aに沿って流れ落ち、接続部14Bの近傍まで誘導されて凝固する。そして、対向部17Aの溶融した低融点金属の一部のみが、誘導電極13Aの近傍に留まって凝固する。図2(B)は、この場合の電流経路遮断後の状態を示す側面断面図である。図2(B)に示すように、誘導電極13Bや配線電極12Aの近傍に形成される金属塊は、連結部18A〜18Cや対向部17Aから誘導される低融点金属によって、配線電極12Bや誘導電極13Aの近傍に形成される金属塊よりも大きなものになる。
このように、本実施形態のヒューズ1では、連結部18A〜18Cをプリント基板10の主面と非平行に延設することにより、蓋基板11を下側に向けた配置姿勢で電流経路が遮断される際に、連結部18A〜18Cの溶融した低融点金属が、所定の位置まで確実に誘導される。また、対向部17A,17Bを狭隘な形状に構成したことで、可融金属部15の溶融が確実に対向部17A,17Bから始まり、可融金属部15の溶融した低融点金属が、確実に金属誘導部13A,13Bに付着して凝固する。したがって、蓋基板11の開口内底面にそのまま滴下して金属粒を形成することが殆ど無くなる。
なお、ここで示したヒューズ1を構成する各部の形状もあくまで一例であり、具体的な形状は上記以外であってもよい。例えば、ここでは配線電極12A,12Bや誘導電極13A,13Bに対向する位置には、なんら電極を設けていないが、溶融した可融金属部15が配線電極12A,12Bや誘導電極13A,13Bの近傍から滴下して金属粒が形成されることを防ぐために、図7に示した従来構成のように、対向する電極を設けるようにしてもよい。また、対向部17A,17Bは、プリント基板10の主面と平行でなくてもよく、少なくとも一部が誘導電極13A,13Bに接するように湾曲、または屈曲する形状であってもよい。
次に、ヒューズ1の製造方法の一例について説明する。図3は、ヒューズ1の製造工程を段階的に示す側面断面図である。
ヒューズ1の製造工程では、まず、図3(A)に示す工程で、プリント基板10が用意され、プリント基板10の主面に所定の電極パターンが形成される。これにより配線電極12A,12B、および、誘導電極13Aが形成される。
次に、図3(B)に示す工程で、配線電極12A,12Bの上面に、メタルマスクなどを用いて半田ペーストが塗布され、接続部14A,14Bが形成される。なお、半田ペーストではなく、熱硬化性のある導電ペーストを用いてもよい。
また、図3(C)に示す工程で、予め所定の形状に成形した可融金属部15が用意され、接続部14A,14Bに可融金属部15の端子部16A,16Bが接するように配置され、プリント基板10がリフロー炉などを用いて加熱される。これにより、可融金属部15の端子部16A,16Bが接続部14A,14Bを介して配線電極12A,12Bに接合される。この時の加熱温度は、可融金属部15は溶融しないが接続部14A,14Bが溶融するような温度(215℃と245℃との中間温度)にするとよい。なお、この工程の後に、70℃で10分間程度の基板洗浄が実施され、半田ペーストに含まれていたフラックスが除去される。
次に、図3(D)に示すように、予め所定の形状に成形され、誘導電極13Bが形成された蓋基板11が用意される。そして、プリント基板10に接着用の熱硬化性樹脂ペーストが塗布される。次に、蓋基板11が熱硬化性樹脂ペーストに貼り付けられる。そして、プリント基板10および蓋基板11が、ベーク炉などを用いて180℃で60分間程度加熱されることにより、熱硬化性樹脂ペーストが硬化する。これにより、蓋基板11がプリント基板10に接合される。
次に、蓋基板11に対してレーザー光を照射して、貫通孔11Aが形成される。
このような工程を経て、ヒューズ1は製造される。なお、ここで示した製造方法はあくまで一例であり、具体的な製造方法は上記以外であってもよい。例えば、誘導電極13A,13Bと可融金属部15とは圧接させるのではなく、何らかの方法で接合するように構成してもよい。
≪第2の実施形態≫
以下、本発明の第2の実施形態に係るヒューズについて説明する。
図4(A)は、第2の実施形態に係るヒューズの、電流経路遮断時を示す側面断面図である。図4(B)は、図4(A)中に破線B−B’で示す面を天面側からみた平面断面図である。
本実施形態に係るヒューズ21は、前述したヒューズ1と相違する部材として可融金属部25と誘導電極23Aとを備えている。誘導電極23Aは、前述した誘導電極13Aに替えて設けられていて、蓋基板11の開口内底面に設けられた矩形の銅電極からなり、配線電極12Aに対向する領域と配線電極12Bに対向する領域との間を等分して配線電極12A寄りの領域に設けられている。
可融金属部25は、端子部26A,26Bと、対向部27A,27Bと、連結部28A,28B,28Cと、を備えて構成されている。
端子部26A,26Bは、プリント基板10と略平行な構成であり、可融金属部25の両端に位置し、それぞれ接続部14A,14Bに接合されている。
対向部27Aと連結部28Bと対向部27Bとは、プリント基板10と略平行な構成であり、平面視して狭窄する形状となっている。連結部28Bは、対向部27Aと対向部27Bとを連結する構成である。また、対向部27A,27Bは、誘導電極23Aと誘導電極13Bとに対向する領域に設けられていて、誘導電極23Aと誘導電極13Bとに接触している。
連結部28Aは、端子部26Aと対向部27Aとの間を連結する構成であり、プリント基板10と非平行に延設されている。具体的には、プリント基板10からの高さが、端子部26Aとの連結位置で低く、対向部27Aとの連結位置で高い、傾斜する構成となっている。連結部28Cは、端子部26Bと対向部27Bとの間を連結する構成であり、プリント基板10と非平行に延設されている。具体的には、プリント基板10からの高さが、対向部27Bとの連結位置で高く、端子部26Bとの連結位置で低い、傾斜する構成となっている。
このような構成のヒューズ21においても、配線電極12Aと配線電極12Bとが可融金属部25を介して導通することにより、電流経路が構成されていて、配線電極12A,12B間に一定以上の過電流が流れることで可融金属部25が溶融して、電流経路が遮断される。
電流経路遮断時に、ヒューズ21がプリント基板10を下側に向けた配置姿勢であれば、連結部28A,28Cや対向部27A,27Bの一部が溶融した低融点金属は、連結部28A,28Cに沿って流れ落ち、接続部14A,14Bの近傍まで誘導されて凝固する。そして、連結部28Bと対向部27A,27Bの一部とが溶融した低融点金属は、誘導電極23A,13Bの近傍に留まって凝固する。
また電流経路遮断時に、ヒューズ21が蓋基板11を下側に向けた配置姿勢であれば、連結部28A,28Cや端子部26A,26Bの一部が溶融した低融点金属は、連結部28A,28Cに沿って流れ落ち、対向部27A,27Bの近傍まで誘導されて凝固する。また、連結部28Bが溶融した低融点金属は、対向部27A,27Bの近傍に引き寄せられて凝固する。そして、端子部26A,26Bの一部が溶融した低融点金属は、接続部14A,14Bの近傍に留まって凝固する。
したがって、本実施形態のヒューズ21でも、連結部28A,28Cをプリント基板10の主面と非平行に延設することにより、プリント基板10や蓋基板11を下側に向けた配置姿勢で電流経路が遮断される際に、連結部28A,28Cの溶融した低融点金属が、所定の位置まで確実に誘導される。また、対向部27A,27Bを狭隘な形状に構成したことで、可融金属部25の溶融が確実に対向部27A,27Bから始まり、可融金属部25の溶融した低融点金属が、確実に金属誘導部23A,13Bに付着して凝固する。これにより、プリント基板10の天面や蓋基板11の開口内底面にそのまま滴下して金属粒を形成することが殆ど無くなる。
≪第3の実施形態≫
以下、本発明の第3の実施形態に係るヒューズについて説明する。
図5(A)は、第3の実施形態に係るヒューズの、電流経路遮断時を示す側面断面図である。図5(B)は、図5(A)中に破線B−B’で示す面を天面側からみた平面断面図である。
本実施形態に係るヒューズ31は、前述したヒューズ1と相違する部材として可融金属部35と誘導電極33Bとを備えている。誘導電極33Bは、前述した誘導電極13Bに替えて設けられていて、プリント基板10の天面に設けられた矩形の銅電極からなり、配線電極12Aと配線電極12Bとの間を等分して配線電極12B寄りの領域に設けられている。
可融金属部35は、端子部36A,36Bと、対向部37A,37Bと、連結部38A〜38Cと、を備えて構成されている。
端子部36A,36Bは、プリント基板10と略平行な構成であり、可融金属部35の両端に位置し、それぞれ接続部14A,14Bに接合されている。
対向部37Aと連結部38Bと対向部37Bとは、プリント基板10と略平行な構成であり、平面視して狭窄する形状となっている。連結部38Bは、対向部37Aと対向部37Bとを連結する構成である。また、対向部37A,37Bは、誘導電極13Aと誘導電極33Bとに対向する領域に設けられていて、誘導電極13Aと誘導電極33Bとに接触している。
連結部38Aは、端子部36Aと対向部37Aとの間を連結する構成であり、プリント基板10と非平行に延設されている。具体的には、プリント基板10からの高さが、端子部36Aとの連結位置で高く、対向部37Aとの連結位置で低い、傾斜する構成となっている。連結部38Bは、端子部36Bと対向部37Bとの間を連結する構成であり、プリント基板10と非平行に延設されている。具体的には、プリント基板10からの高さが、対向部37Bとの連結位置で低く、端子部36Bとの連結位置で高い、傾斜する構成となっている。
このような構成のヒューズ31においても、配線電極12Aと配線電極12Bとが可融金属部35を介して導通することにより、電流経路が構成されていて、配線電極12A,12B間に一定以上の過電流が流れることで可融金属部35が溶融して、電流経路が遮断される。
電流経路遮断時に、ヒューズ31がプリント基板10を下側に向けた配置姿勢であれば、連結部38A,38Cや端子部36A,36Bの一部が溶融した低融点金属は、連結部38A,38Cに沿って流れ落ち、対向部37A,37Bの近傍まで誘導されて凝固する。また、連結部38Bが溶融した低融点金属は、対向部37A,37Bの近傍に引き寄せられて凝固する。そして、端子部36A,36Bの一部が溶融した低融点金属は、接続部14A,14Bの近傍に留まって凝固する。
また電流経路遮断時に、ヒューズ31が蓋基板11を下側に向けた配置姿勢であれば、連結部38A,38Cや対向部37A,37Bの一部が溶融した低融点金属は、連結部38A,38Cに沿って流れ落ち、接続部14A,14Bの近傍まで誘導されて凝固する。そして、連結部38Bと対向部37A,37Bの一部とが溶融した低融点金属は、誘導電極13A,33Bの近傍に留まって凝固する。
したがって、本実施形態のヒューズ31でも、連結部38A,38Cをプリント基板10の主面と非平行に延設することにより、プリント基板10や蓋基板11を下側に向けた配置姿勢で電流経路が遮断される際に、連結部38A,38Cの溶融した低融点金属が、所定の位置まで確実に誘導される。また、対向部37A,37Bを狭隘な形状に構成したことで、可融金属部35の溶融が確実に対向部37A,37Bから始まり、可融金属部15の溶融した低融点金属が、確実に金属誘導部13A,33Bに付着して凝固する。これにより、プリント基板10の天面や蓋基板11の開口内底面にそのまま滴下して金属粒を形成することが殆ど無くなる。
≪第4の実施形態≫
以下、本発明の第4の実施形態に係るヒューズについて説明する。
図6(A)は、第4の実施形態に係るヒューズの、電流経路遮断時を示す側面断面図である。図6(B)は、図6(A)中に破線B−B’で示す面を天面側からみた平面断面図である。
本実施形態に係るヒューズ41は、前述したヒューズ1と相違する部材として誘導電極43Aと、樹脂膜43Bと、ヒータ電極43Cと、配線電極42A,42Bと、を備えている。誘導電極43Aと、樹脂膜43Bと、ヒータ電極43Cとはこの順に積層されていて、前述した誘導電極13Bに替えて設けられている。樹脂膜43Bは、誘導電極43Aとヒータ電極43Cとの間を絶縁するために設けられている。ヒータ電極43Cは、本実施形態における加熱部であり、可融金属部15を加熱するために設けられている。配線電極42A,42Bは、ヒータ電極43Cを通電させる外部基板の制御回路に接続されている。
このヒューズ41は、任意のタイミングで外部基板から配線電極42A,42Bに通電を行うことで、ヒータ電極43Cを発熱させ、可融金属部15を加熱して溶融させることができる。したがって、ヒューズ41の電流経路の遮断タイミングを制御することができる。
なお、ヒューズの具体的構成は、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。
1,21,31,41…ヒューズ
10…プリント基板
11…蓋基板
11A…貫通孔
12A,12B,42A,42B…配線電極
13A,13B,23A,33B,43A…誘導電極
14A,14B…接続部
15,25,35…可融金属部
16A,16B,26A,26B,36A,36B…端子部
17A,17B,27A,27B,37A,37B…対向部
18A〜18C,28A〜28C,38A〜38C…連結部
43B…樹脂膜
43C…ヒータ電極

Claims (4)

  1. 絶縁性の基板部と、
    前記基板部の主面に互いに離間して配置されている第1配線部及び第2配線部と、
    前記基板部に対向して配置されている絶縁性の対向基板部と、
    前記対向基板部における前記基板部との対向面に配置されている金属誘導部と、
    前記第1配線部に接続する第1端子部と、前記第2配線部に接続する第2端子部と、前記金属誘導部に接続する対向部と、前記第1端子部及び前記第2端子部の少なくともいずれか一方と前記対向部との間を連結し前記基板部の主面に対して非平行に前記対向部から延設されている連結部と、を有する可融金属部と、を備える、
    ヒューズ。
  2. 前記金属誘導部を、前記基板部の主面に備え
    前記可融金属部を、前記基板部側に曲がるように構成した請求項1に記載のヒューズ。
  3. 前記対向部は狭窄するように構成されている、請求項1又は2に記載のヒューズ。
  4. 前記金属誘導部を加熱する加熱部を備える、請求項1〜のいずれかに記載のヒューズ。
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