JP5981352B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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対策2:基板を貫通するグランドヴィアを狭間隔に形成することによって、基板面方向の共振モードを抑制する。
Claims (3)
- 半導体からなる基板の主表面上に配線を形成する第1工程と、
前記基板の前記配線が形成されている主表面に第1接着層を介して第1支持基板を貼り付ける第2工程と、
前記基板を裏面側より薄層化する第3工程と、
薄層化された前記基板の裏面より前記基板をダイシングして複数のチップに分割する第4工程と、
前記第1支持基板の上に前記第1接着層を介して貼り付けられた状態で分割された複数のチップの裏面を第2接着層を介して1つの第2支持基板に貼り付ける第5工程と、
前記第1接着層を前記複数のチップより分離することで前記第1支持基板を離型する第6工程と、
前記第6工程の後で、前記チップの検査を行う第7工程と、
前記第7工程の後で、前記第2接着層および前記第2支持基板を前記チップ毎に分割する第8工程と
を少なくとも備え、
前記第2接着層および前記第2支持基板は、導電性を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1工程では、前記基板の主表面に前記配線に加えて素子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1接着層は、レーザ照射により剥離可能とされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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- 2013-01-04 JP JP2013000164A patent/JP5981352B2/ja active Active
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US9657157B2 (en) | 2012-05-15 | 2017-05-23 | Bridgestone Corporation | Halogenated diene rubber for tires |
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