JPH03286553A - ダイシング方法 - Google Patents
ダイシング方法Info
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- JPH03286553A JPH03286553A JP2087466A JP8746690A JPH03286553A JP H03286553 A JPH03286553 A JP H03286553A JP 2087466 A JP2087466 A JP 2087466A JP 8746690 A JP8746690 A JP 8746690A JP H03286553 A JPH03286553 A JP H03286553A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
- B28D7/04—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups for supporting or holding work or conveying or discharging work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はウェハプロセス終了後の、パターンを形成した
ウェハを一つ一つのパターン毎に切断し半導体素子とし
て分割するダイシング工程において粘着剤層が有機溶剤
により溶解するテープを使用し、ダイシング後に粘着剤
層を溶解させ各々のチップを剥離するダイシング方法に
関するものである。
ウェハを一つ一つのパターン毎に切断し半導体素子とし
て分割するダイシング工程において粘着剤層が有機溶剤
により溶解するテープを使用し、ダイシング後に粘着剤
層を溶解させ各々のチップを剥離するダイシング方法に
関するものである。
（従来の技術）
従来、回路パターンの形成された半導体ウェハを素子小
片に切断分離するダイシング加工の方法として次の方法
がある。すなわち、半導体ウェハを予め平滑なベークラ
イト板、あるいは硝子板等の板状物に加熱により溶融す
るワックスを用いて接着固定する。次いで、この半導体
ウェハを回転丸刃により素子形状に沿って完全切断する
。ダイシング後、板状物とウェハを固定しているワック
スを加熱処理により溶解させることで除去し切断分離さ
れた素子小片を板状物から剥離する方法である。
片に切断分離するダイシング加工の方法として次の方法
がある。すなわち、半導体ウェハを予め平滑なベークラ
イト板、あるいは硝子板等の板状物に加熱により溶融す
るワックスを用いて接着固定する。次いで、この半導体
ウェハを回転丸刃により素子形状に沿って完全切断する
。ダイシング後、板状物とウェハを固定しているワック
スを加熱処理により溶解させることで除去し切断分離さ
れた素子小片を板状物から剥離する方法である。
（発明が解決しようとする課題）
上記方式では、板状物とウェハの表面とが同じように水
平であることが必要でありこのため板状物へのワックス
塗布及びウェハの固定に熟練を要しており、特に板状物
とウェハの間に気泡を巻き込むと、ダイシング時チップ
の飛散を生起するなど、板状物とウェハの固定状態によ
り生産性に大きく影響を与えるなどの不具合を生じてい
た。また半導体ウェハを貼着するためにワックスを加熱
溶融しなければならず手間のかかることが難点であった
。
平であることが必要でありこのため板状物へのワックス
塗布及びウェハの固定に熟練を要しており、特に板状物
とウェハの間に気泡を巻き込むと、ダイシング時チップ
の飛散を生起するなど、板状物とウェハの固定状態によ
り生産性に大きく影響を与えるなどの不具合を生じてい
た。また半導体ウェハを貼着するためにワックスを加熱
溶融しなければならず手間のかかることが難点であった
。
これらの問題点を解決するためテープカット方法が提案
されているが、これらの方法はいずれもダイシング後の
チップをテープから直にピックアップするダイレクトピ
ックアップ方式に対応するためのものであり、紫外線等
の照射により粘着力の低下するグイシングテーブを使用
してもピックアップ時のニードルによる衝撃がチップに
対して及ぼされることとなる。このため僅かな衝撃によ
っても破損してしまうような脆い半導体素子に適用した
場合、生産性の低下あるいは半導体素子自体の特性不良
を引き起こすといった問題が生じている。
されているが、これらの方法はいずれもダイシング後の
チップをテープから直にピックアップするダイレクトピ
ックアップ方式に対応するためのものであり、紫外線等
の照射により粘着力の低下するグイシングテーブを使用
してもピックアップ時のニードルによる衝撃がチップに
対して及ぼされることとなる。このため僅かな衝撃によ
っても破損してしまうような脆い半導体素子に適用した
場合、生産性の低下あるいは半導体素子自体の特性不良
を引き起こすといった問題が生じている。
またダイレクトピックアップ方式に適用できない一部の
セラミックスダイシングに対しては未だワックス固定に
よるダイシング方法をとらざるをえない。
セラミックスダイシングに対しては未だワックス固定に
よるダイシング方法をとらざるをえない。
本発明は、上記の問題点を解決したダイシング方法を提
供することを目的とする。
供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、このような従来のダイシング方法の欠点
を克服するため種々検討を重ねた結果、未架橋状態にて
もダイシング時切断分離された素子小片の飛散及び位置
ずれを生じない程度の凝集力を有する粘着剤を耐薬品性
の有るフィルム状支持体上に塗工して成るグイシングテ
ーブを使用することで加熱溶融ワックス塗工の手間がな
く、常温にて被ダイシング物を固定することが出来、な
おかつダイシング後の半導体素子剥離の際には粘着剤の
溶解性を利用しうることを見いだし、この知見に基づき
本発明のダイシング方法を完成するに至った。
を克服するため種々検討を重ねた結果、未架橋状態にて
もダイシング時切断分離された素子小片の飛散及び位置
ずれを生じない程度の凝集力を有する粘着剤を耐薬品性
の有るフィルム状支持体上に塗工して成るグイシングテ
ーブを使用することで加熱溶融ワックス塗工の手間がな
く、常温にて被ダイシング物を固定することが出来、な
おかつダイシング後の半導体素子剥離の際には粘着剤の
溶解性を利用しうることを見いだし、この知見に基づき
本発明のダイシング方法を完成するに至った。
すなわち本発明は、耐薬品性を有するフィルム状支持体
上に、有機溶剤可溶性粘着剤層を塗布してなるウェハダ
イシング用粘着テープを用い、被ダイシング物を上記テ
ープ表面に貼着してグイシングしたのち、上記テープの
粘着剤層を有機溶剤にて完全溶解させ被ダイシング物を
テープから剥離することを特徴とするダイシング方法に
関するものである。
上に、有機溶剤可溶性粘着剤層を塗布してなるウェハダ
イシング用粘着テープを用い、被ダイシング物を上記テ
ープ表面に貼着してグイシングしたのち、上記テープの
粘着剤層を有機溶剤にて完全溶解させ被ダイシング物を
テープから剥離することを特徴とするダイシング方法に
関するものである。
この発明に用いられる粘着剤は、アクリル系の粘着剤が
好適であり、例えばアクリル酸またはメタクリル酸のエ
ステルを主な構成単位とする単独重合体または、アクリ
ル酸またはメタアクリル酸あるいはそのエステルあるい
はその酸アミド等及びそのほかの共重合性コモノマーと
の共重合体またはこれらの重合体の混合物である。その
モノマー及びコモノマーとして例えばアクリル酸もしく
はメタアクリル酸のアルキルエステル、例えば、メチル
エステル、エチルエステル、ブチルエステル、２−エチ
ルヘキシルエステル、オクチルエステル、グリシジルニ
スエル、ヒドロキシメチルエステル、２−ヒドロキシエ
チルエステル、ヒドロキシプロピルエステル、及びアク
リル酸もしくはメタアクリル酸のアミド及びＮ−置換ア
ミド例えばＮ−ヒドロキシメチルアクリル酸アミドもし
くはメタアクリル酸アミドなどがあげられる。このよう
な構成成分から合成されるアクリル系粘着剤の粘着力と
しては、半導体ウェハの切断時に素子小片が飛散しない
程度の粘着力を有していればよく、粘着剤を厚さ５０μ
ｍのポリエステルフィルム上に乾燥状態で２０μｍの厚
さに塗工した粘着テープにおけるＪＩＳ Ｚ−０２３７
−１９８０による粘着力測定にて、２５ｍｍ幅あたり１
００ｇ以上であることが好ましい。
好適であり、例えばアクリル酸またはメタクリル酸のエ
ステルを主な構成単位とする単独重合体または、アクリ
ル酸またはメタアクリル酸あるいはそのエステルあるい
はその酸アミド等及びそのほかの共重合性コモノマーと
の共重合体またはこれらの重合体の混合物である。その
モノマー及びコモノマーとして例えばアクリル酸もしく
はメタアクリル酸のアルキルエステル、例えば、メチル
エステル、エチルエステル、ブチルエステル、２−エチ
ルヘキシルエステル、オクチルエステル、グリシジルニ
スエル、ヒドロキシメチルエステル、２−ヒドロキシエ
チルエステル、ヒドロキシプロピルエステル、及びアク
リル酸もしくはメタアクリル酸のアミド及びＮ−置換ア
ミド例えばＮ−ヒドロキシメチルアクリル酸アミドもし
くはメタアクリル酸アミドなどがあげられる。このよう
な構成成分から合成されるアクリル系粘着剤の粘着力と
しては、半導体ウェハの切断時に素子小片が飛散しない
程度の粘着力を有していればよく、粘着剤を厚さ５０μ
ｍのポリエステルフィルム上に乾燥状態で２０μｍの厚
さに塗工した粘着テープにおけるＪＩＳ Ｚ−０２３７
−１９８０による粘着力測定にて、２５ｍｍ幅あたり１
００ｇ以上であることが好ましい。
次に本発明に用いられる粘着剤は、有機溶剤にて完全溶
解することが必要であり未架橋状態にて使用される。こ
こで未架橋状態とは、ＪＩＳ Ｃ−３００５−１９８０
に基づく粘着剤層のゲル分率測定において、ゲル秋分が
測定されないことをいう。
解することが必要であり未架橋状態にて使用される。こ
こで未架橋状態とは、ＪＩＳ Ｃ−３００５−１９８０
に基づく粘着剤層のゲル分率測定において、ゲル秋分が
測定されないことをいう。
一方、凝集力の低い粘着剤を使用した場合、半導体ウェ
ハのダイシング時に粘着テープ上の半導体素子が位置ず
れを生じ、回路パターンに沿ってダイシング出来なくな
る。さらに凝集力の低いものでは最悪半導体素子の飛散
を引き起こす場合もある。従って粘着剤の凝集力として
は、粘着剤をポリエステルフィルム上に乾燥状態で２０
μｍの厚さに塗工した粘着テープにおけるＪＩＳ Ｚ−
０２３７−１９８０に基づ＜４０℃雰囲気中での保持力
測定にて、１時間後のずれ距離が１．０ｍｍ以下、好ま
しくは０．５ｍｍ以下であることが望ましい。
ハのダイシング時に粘着テープ上の半導体素子が位置ず
れを生じ、回路パターンに沿ってダイシング出来なくな
る。さらに凝集力の低いものでは最悪半導体素子の飛散
を引き起こす場合もある。従って粘着剤の凝集力として
は、粘着剤をポリエステルフィルム上に乾燥状態で２０
μｍの厚さに塗工した粘着テープにおけるＪＩＳ Ｚ−
０２３７−１９８０に基づ＜４０℃雰囲気中での保持力
測定にて、１時間後のずれ距離が１．０ｍｍ以下、好ま
しくは０．５ｍｍ以下であることが望ましい。
本発明の粘着剤を溶解させる有機溶剤は、常温または加
温状態にて使用される。このような有機溶剤としては特
に制限はないが例えば、トリクロルエチレン、１．１．
１−トリクロルエタン、アセトン、イソプロピルアルコ
ール、エチルアルコール、トルエン、酢酸エチル等に代
表されるちのである。
温状態にて使用される。このような有機溶剤としては特
に制限はないが例えば、トリクロルエチレン、１．１．
１−トリクロルエタン、アセトン、イソプロピルアルコ
ール、エチルアルコール、トルエン、酢酸エチル等に代
表されるちのである。
本発明に使用される耐薬品性を有するフィルム状支持体
としては有機溶剤に侵されないポリマーであればよく、
その他については特に制限されない。このようなフィル
ム状支持体として使用し得るポリマーの例としては、低
密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエ
チレン、直鎖状低密度ポリエチレン、エチレン−プロピ
レン共重合体、ポリ−４−メチルペンテン−１、アイオ
ノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体
あるいはこれらの混合物、弗化ビニルー二チレン共重合
体、弗化ビニリデン−エチレン共重合体、ＦＥＰ、ＰＦ
Ａ、等の弗素系ポリマー、ポリエチレンテレフタレート
、等のエンジニアリングプラスチック等があげられる。
としては有機溶剤に侵されないポリマーであればよく、
その他については特に制限されない。このようなフィル
ム状支持体として使用し得るポリマーの例としては、低
密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエ
チレン、直鎖状低密度ポリエチレン、エチレン−プロピ
レン共重合体、ポリ−４−メチルペンテン−１、アイオ
ノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体
あるいはこれらの混合物、弗化ビニルー二チレン共重合
体、弗化ビニリデン−エチレン共重合体、ＦＥＰ、ＰＦ
Ａ、等の弗素系ポリマー、ポリエチレンテレフタレート
、等のエンジニアリングプラスチック等があげられる。
この支持体の形状はシートまたはフィルム状が一般的で
あり、その厚さは特に制限はないが通常１０〜２００Ｌ
１．ｍ程度とするのがよい。
あり、その厚さは特に制限はないが通常１０〜２００Ｌ
１．ｍ程度とするのがよい。
このシートまたはフィルム状支持体上に設けられる粘着
剤層の厚さは、特に制限はないが通常２〜５０ＩＬｍが
適当である。
剤層の厚さは、特に制限はないが通常２〜５０ＩＬｍが
適当である。
この発明においてウェハダイシング用粘着テープに固定
した半導体ウェハを各半導体素子にダイシングしたのち
、この半導体素子の貼着したダイシング用テープを前記
の有機溶剤中に浸漬して、粘着剤層を完全に溶解させ、
半導体素子を粘着テープより剥離脱落させる。有機溶剤
中の浸漬は、通常２０〜９０℃、好ましくは５０〜８０
℃で行い、時間は制限はないが、３０秒以上浸漬すれば
十分である。
した半導体ウェハを各半導体素子にダイシングしたのち
、この半導体素子の貼着したダイシング用テープを前記
の有機溶剤中に浸漬して、粘着剤層を完全に溶解させ、
半導体素子を粘着テープより剥離脱落させる。有機溶剤
中の浸漬は、通常２０〜９０℃、好ましくは５０〜８０
℃で行い、時間は制限はないが、３０秒以上浸漬すれば
十分である。
（実施例）
次に本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１
第１図において１は表面に半導体素子を形成された半導
体ウェハ、２は耐薬品性を有するフィルム状支持体（２
ａ）上に有機溶剤にて溶解する粘着剤（２ｂ）を塗工し
て成るダイシング用粘着テープで、粘着剤層２ｂの面に
半導体ウェハ１を貼着させている。ダイシング用粘着テ
ープとしてフィルム状支持体が直鎖状低密度ポリエチレ
ン樹脂（ｉｏｏμｍ）、粘着剤が２−エチルへキシルア
クリレートとｎ−ブチルアクリレートの共重合体（１０
μｍ）からなり、ＪＩＳ Ｚ−０２３７−１９８０に基
づき測定した粘着力が２５ｍｍ幅あたり３５０ｇである
テープを用い、これに直径５インチの半導体ウェハを貼
着した。
体ウェハ、２は耐薬品性を有するフィルム状支持体（２
ａ）上に有機溶剤にて溶解する粘着剤（２ｂ）を塗工し
て成るダイシング用粘着テープで、粘着剤層２ｂの面に
半導体ウェハ１を貼着させている。ダイシング用粘着テ
ープとしてフィルム状支持体が直鎖状低密度ポリエチレ
ン樹脂（ｉｏｏμｍ）、粘着剤が２−エチルへキシルア
クリレートとｎ−ブチルアクリレートの共重合体（１０
μｍ）からなり、ＪＩＳ Ｚ−０２３７−１９８０に基
づき測定した粘着力が２５ｍｍ幅あたり３５０ｇである
テープを用い、これに直径５インチの半導体ウェハを貼
着した。
次に第２図に示すように半導体ウェハ１上の素子形状に
沿ってダイシング・ソーを使用してフルカットダイシン
グを行い、３Ｘ３ｍｍ角の半導体素子３を得る。
沿ってダイシング・ソーを使用してフルカットダイシン
グを行い、３Ｘ３ｍｍ角の半導体素子３を得る。
この後半導体素子３の貼着したダイシング用テープ２を
７０℃の１．１．１−トリクロルエタン中に１分間浸漬
して粘着剤層を完全に溶解させた。粘着剤の溶解にとも
ない半導体素子３は、ダイシング用粘着テープ２より剥
離脱落する。なお、剥離した半導体素子を取り出し自然
乾燥後表面を観察したところ粘着剤の付着残りは全く認
められなかった。
７０℃の１．１．１−トリクロルエタン中に１分間浸漬
して粘着剤層を完全に溶解させた。粘着剤の溶解にとも
ない半導体素子３は、ダイシング用粘着テープ２より剥
離脱落する。なお、剥離した半導体素子を取り出し自然
乾燥後表面を観察したところ粘着剤の付着残りは全く認
められなかった。
（発明の効果）
以上のように本発明のグイシング方法によれば、加熱溶
融ワックスを塗工することなく常温にて被ダイシング物
を貼着することが出来、ダイシング用粘着テープの粘着
剤を溶解することでダイシング後チップに全く衝撃を与
えず切断分離された半導体素子小片を剥離することがで
き、ダイシング、半導体素子の剥離が素子を損傷するこ
となく効率的に行えるというすぐれた効果を奏する。
融ワックスを塗工することなく常温にて被ダイシング物
を貼着することが出来、ダイシング用粘着テープの粘着
剤を溶解することでダイシング後チップに全く衝撃を与
えず切断分離された半導体素子小片を剥離することがで
き、ダイシング、半導体素子の剥離が素子を損傷するこ
となく効率的に行えるというすぐれた効果を奏する。
第１図はこの発明におけるウェハの貼着状態を示す断面
図、第２図は半導体ウェハのフルカットダイシング後の
状態を示す断面図である。 ・・・・・・半導体ウェハ ・・・・・・ダイシング用粘着テープ ａ・・・フィルム状支持体 ｂ・・・粘着剤層 ・・・・・・半導体素子小片 第 図 ダイシング用粘着テープ 第 図
図、第２図は半導体ウェハのフルカットダイシング後の
状態を示す断面図である。 ・・・・・・半導体ウェハ ・・・・・・ダイシング用粘着テープ ａ・・・フィルム状支持体 ｂ・・・粘着剤層 ・・・・・・半導体素子小片 第 図 ダイシング用粘着テープ 第 図
Claims (1)
- 耐薬品性を有するフィルム状支持体上に、有機溶剤可
溶性粘着剤層を塗布してなるウェハダイシング用粘着テ
ープを用い、被ダイシング物を上記テープ表面に貼着し
てダイシングしたのち、上記テープの粘着剤層を有機溶
剤にて完全溶解させ被ダイシング物をテープから剥離す
ることを特徴とするダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087466A JPH03286553A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | ダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087466A JPH03286553A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | ダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286553A true JPH03286553A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13915675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087466A Pending JPH03286553A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | ダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286553A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5284792A (en) * | 1992-06-09 | 1994-02-08 | International Business Machines Corporation | Full-wafer processing of laser diodes with cleaved facets |
| US5494549A (en) * | 1992-01-08 | 1996-02-27 | Rohm Co., Ltd. | Dicing method |
| JP2002544669A (ja) * | 1999-05-07 | 2002-12-24 | ギーゼッケ ウント デフリエント ゲーエムベーハー | スマートカードに組み込むための薄化チップ取扱方法 |
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| WO2022038926A1 (ja) * | 2020-08-18 | 2022-02-24 | 日東電工株式会社 | 接合体の分離方法 |
Citations (1)
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| JPS61187247A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP2087466A patent/JPH03286553A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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