JP2005085827A - 粘接着テープ - Google Patents
粘接着テープ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005085827A JP2005085827A JP2003313289A JP2003313289A JP2005085827A JP 2005085827 A JP2005085827 A JP 2005085827A JP 2003313289 A JP2003313289 A JP 2003313289A JP 2003313289 A JP2003313289 A JP 2003313289A JP 2005085827 A JP2005085827 A JP 2005085827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- tape
- primer layer
- adhesive tape
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 37
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 22
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 22
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 34
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 33
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 abstract 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)C=C1 OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IVZMCRURFJCDCS-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCCCCCCO Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCCCCCCO IVZMCRURFJCDCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;isocyanic acid Chemical group N=C=O.CCOC(N)=O RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体ウェハ用ダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、粘接着剤層と基材フィルムの間でウェハの貼合される部位以外にプライマー層が設けられた粘接着テープ。
【選択図】 なし
Description
ダイシング工程は、半導体ウェハをあらかじめ粘接着テープに貼り付けて固定した後、チップ形状に沿ってダイシングを行う。その後のマウント工程は、粘接着剤層と基材フィルム層が剥離可能に構成され、粘接着剤付きのチップを基材フィルムから剥離(ピックアップ)させ、チップに付着した接着固定用の粘接着剤で基盤等に固定する。
また、マウント工程においては、チップ−チップ間およびチップ−基盤間において十分な接着力が要求され、各種の粘接着テープが提案されている(例えば、特許文献1〜2参照)。
リングフレーム部分の粘接着剤を変更するには、リングフレーム部分とその他の部分を予め打ち抜き成形した後に位置を決めて正確にテープをラミネートする必要がある。
一方、プライマー処理では、基材フィルムの材質に併せて適切なプライマー材料を選択することになるが、一般的にポリオレフィン系フィルムでは基材フィルムとプライマー間の接着力を維持することが難しく、リングフレームからの剥離時にプライマー層と基材フィルム間で剥離が生じてリングフレームに糊残りを生じやすい。
(1)半導体装置を製造するにあたり、ウェハを固定し、ダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用される、基材フィルムの少なくとも片面に粘接着剤層を設け粘接着剤層側にセパレータを設けてなる半導体ウェハ用ダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、粘接着剤層と基材フィルム間にプライマー層が存在しない領域面と存在する領域面を設け、ピックアップ時にプライマー層の存在しない領域面では粘接着剤層がチップ側に移り、テープ剥離時にプライマー層の存在する領域面では粘接着剤層が基材フィルム側に残るようにしたことを特徴とする粘接着テープ、
(2)前記プライマー層が、ウェハの貼合される部位以外に設けられていることを特徴とする(1)記載の粘接着テープ、
(3)前記プライマー層の厚さが、5μm以下で且つ着色されていることを特徴とする(1)又は(2)記載の粘接着テープ、及び、
(4)前記プライマー層は、主成分が塩素化ポリプロピレンよりなり、その25℃における貯蔵弾性率が1×105Pa以上であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項記載の粘接着テープ、
を提供するものである。
なお、ここで貯蔵弾性率は、レオメトリクス社製の動的粘弾性試験装置(ARES)により直径8mmのパラレルプレートに厚さ3mmの試料を挟み周波数1Hzにて測定した値である。
また、プライマー層が着色されている場合は、粘着テープの適用の際に位置決めがさらに容易になる。
本発明の粘接着テープに用いられる粘接着剤は、特に制限されるものではないが、ダイシング−ダイボンド用テープに一般的に使用される粘接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。粘接着剤は放射線(特に、UV)硬化性であればダイシング時のチッピングが小さく有利である。
粘接着剤層は基材フィルムの両面に設けてもよく、その厚さは適宜設定してよいが、5〜50μm程度が好ましい。
また、基材フィルムはこれらの群から選ばれる2種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
基材フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく適宜に選択してよいが、50〜200μmが好ましい。
プライマー層の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、硬化剤等を適宜配合してプライマーを調製するのが好ましい。
特に基材フィルムとして、ポリプロピレン、ポリエチレンを用いた場合には、基材フィルムとの接着性の点でプライマーとして塩素化ポリプロピレン樹脂を主成分とするものが好適である。
プライマー処理された基材フィルムをもつ粘接着テープの貯蔵時のブロッキングを防ぐためには、塩素化ポリプロピレンを主成分とした樹脂を使用してプライマー層の25℃における貯蔵弾性率は、1×105Pa以上、更には5×105Pa以上が好ましく、高くても1×106Pa程度までである。貯蔵弾性率が低すぎると貯蔵時のブロッキングが生じやすく不向きであり、あまり高すぎると粘接着剤層との接着性が得られにくい。
なお、この弾性率は、レオメトリクス社製の動的粘弾性試験装置(ARES)により直径8mmのパラレルプレートに厚さ3mmの試料を挟み周波数1Hzにて測定した値である。
プライマー層の厚さは5μm以下が好ましく、3μm以下がさらに好ましい。厚すぎると、貯蔵時にブロッキングを生じやすい上に加熱乾燥収縮による外観不良も生じやすいため、2μm以下程度が好適である。
なお、本発明の粘接着テープには、粘接着剤層側にポリエチレンテレフタレート(PET)系、ポリエチレン系、その他剥離処理フィルム等周知のセパレータを設ける。
実施例1
下記の成分を混合してプライマーを調製した。このプライマーの加熱乾燥後の30℃での貯蔵弾性率は7×105Paであった。
塩素化ポリプロピレン樹脂(塩素量20質量%)・・・・100質量部、
アクリル酸−アクリル酸メチル−アクリル酸2エチルへキシルの共重合体
・・・・・20質量部、
光重合性エポキシアクリレート系オリゴマー(二重結合を2個有する化合物)
・・・・・・3質量部、
ポリイソシアネート系硬化剤[日本ポリウレタン製、商品名 コロネートL]
・・・・・・1質量部
基材フィルムとして厚さ100μm、幅300mmのポリプロピレン樹脂フィルムの中央で、直径210mmの中心円を除く残りの部分に、上記プライマーをグラビアコーターで塗工し、熱風乾燥炉で乾燥し、乾燥後の厚さ3μmのプライマー層を有する基材フィルム部Bを得た。
アクリル酸メチルとメタクリル酸グリシジルとの共重合体(固形分含有率35質量%)
・・・100質量部(固形分質量)、
ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂(数平均分子量=500)
・・・600質量部、
光重合性エポキシアクリレート系オリゴマー(二重結合を2個有する化合物)
・・・100質量部、
光重合開始剤(2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン)
・・・・・5質量部
この粘接着剤層部Aと基材フィルム部Bを張り合わせて粘接着テープを製造した。
次いで80W/cmの高圧水銀灯を用いて、40mW/cm2で紫外線を12秒間基材フィルム側より照射した後、5mm角にチップをダイシングした後ピックアップダイボンダーによりチップをピックアップ後、使用済みの粘接着テープをリングフレームより引き剥がした。目視により検査したところリングフレームに糊残りの無いことが確認できた。
実施例1に記載したプライマーを塗布した基材フィルム部Bの替わりに、プライマー層のない実施例1と同様のポリプロピレン樹脂フィルム(100μm厚、幅300mm)を用い、それ以外は実施例1と同様にして粘接着テープを製造した。
得られた粘接着テープを実施例1と同様に使用して、使用後リングフレームからの剥離性を同様に検査したところ、基材フィルムから粘接着剤が剥離してリングフレームへ付着していた。
実施例1におけるプライマー組成成分の塩素化ポリプロピレンの配合量100質量部を90質量部に、アクリル酸−アクリル酸メチル−アクリル酸2エチルへキシルの共重合体の配合量20質量部を100質量部に変えて、貯蔵弾性率5×104Paのプライマーを作成した。実施例1と同様のポリプロピレン樹脂フィルム(100μm厚、幅300mm)の全面にプライマーを塗工し、乾燥後のプライマー層厚を10μmとした以外は実施例1と同様にして粘接着テープを製造した。ところが、プライマー層を塗工したロール巻フィルムがブロッキングしてしまいテープ製造ができなかった。
Claims (4)
- 半導体装置を製造するにあたり、ウェハを固定し、ダイシングし、さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用される、基材フィルムの少なくとも片面に粘接着剤層を設け粘接着剤層側にセパレータを設けてなる半導体ウェハ用ダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、粘接着剤層と基材フィルム間にプライマー層が存在しない領域面と存在する領域面を設け、ピックアップ時にプライマー層の存在しない領域面では粘接着剤層がチップ側に移り、テープ剥離時にプライマー層の存在する領域面では粘接着剤層が基材フィルム側に残るようにしたことを特徴とする粘接着テープ。
- 前記プライマー層が、ウェハの貼合される部位以外に設けられていることを特徴とする請求項1記載の粘接着テープ。
- 前記プライマー層の厚さが5μm以下で且つ着色されていることを特徴とする請求項1又は2記載の粘接着テープ。
- 前記プライマー層は、主成分が塩素化ポリプロピレンよりなり、その25℃における貯蔵弾性率が1×105Pa以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の粘接着テープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003313289A JP4267986B2 (ja) | 2003-09-04 | 2003-09-04 | 粘接着テープ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003313289A JP4267986B2 (ja) | 2003-09-04 | 2003-09-04 | 粘接着テープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005085827A true JP2005085827A (ja) | 2005-03-31 |
JP4267986B2 JP4267986B2 (ja) | 2009-05-27 |
Family
ID=34414251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003313289A Expired - Lifetime JP4267986B2 (ja) | 2003-09-04 | 2003-09-04 | 粘接着テープ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4267986B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012670A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
JP2007109808A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ |
WO2011083835A1 (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | 大日本印刷株式会社 | 粘接着シートおよびそれを用いた接着方法 |
JP4904432B1 (ja) * | 2011-03-01 | 2012-03-28 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
JP2014015580A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Sekisui Chem Co Ltd | 粘着テープ |
-
2003
- 2003-09-04 JP JP2003313289A patent/JP4267986B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012670A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
JP2007109808A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ |
WO2011083835A1 (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | 大日本印刷株式会社 | 粘接着シートおよびそれを用いた接着方法 |
US9512335B2 (en) | 2010-01-08 | 2016-12-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Adhesive sheet and bonding method using the same |
JP4904432B1 (ja) * | 2011-03-01 | 2012-03-28 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
CN102653661A (zh) * | 2011-03-01 | 2012-09-05 | 古河电气工业株式会社 | 晶片加工用胶带 |
JP2014015580A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Sekisui Chem Co Ltd | 粘着テープ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4267986B2 (ja) | 2009-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI385759B (zh) | 切割用晶片接合薄膜、固定碎片工件的方法以及半導體裝置 | |
US7351645B2 (en) | Pressure sensitive adhesive sheet for use in semiconductor working and method for producing semiconductor chip | |
JP5901422B2 (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法およびこれに用いる半導体加工用ダイシングテープ | |
KR100885099B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 및 그 제조방법 | |
JP2005203749A (ja) | ウェハ加工用テープおよびその製造方法 | |
JP4283596B2 (ja) | チップ状ワークの固定方法 | |
JP4762671B2 (ja) | ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法 | |
KR101215105B1 (ko) | 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI392005B (zh) | 切晶、黏晶片 | |
TWI361211B (ja) | ||
JP2001203255A (ja) | 半導体ウエハ保持保護用粘着シート | |
JP5414953B1 (ja) | ダイシングシートおよびデバイスチップの製造方法 | |
JP2008192917A (ja) | ダイシングテープおよび半導体装置の製造方法 | |
KR102306372B1 (ko) | 박리 라이너 부착 마스크 일체형 표면 보호 테이프 | |
KR101311647B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 및 그것을 이용한 반도체 가공 방법 | |
JP2012084759A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2014154796A (ja) | 半導体加工用粘着テープ | |
JP6800213B2 (ja) | マスク一体型表面保護テープ | |
JP2007081060A (ja) | ウエハ加工用粘接着テープ | |
JP2004256793A (ja) | ウエハ貼着用粘着テープ | |
JP2004331743A (ja) | 粘着シートおよびその使用方法 | |
JP4550680B2 (ja) | 半導体ウエハ固定用粘着テープ | |
JPS62153377A (ja) | ウェハダイシング用粘着シート | |
JP5583080B2 (ja) | ウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体加工方法 | |
JP5534690B2 (ja) | ダイシングテープ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080624 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080822 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081114 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090206 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090219 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4267986 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |