JP5974921B2 - 増幅器及び無線通信装置 - Google Patents
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Description
102 増幅回路部(ローパワーモード用)
111、121、122、123 マッチングネットワーク(整合回路)
HPM1P、HPM1N トランジスタ(ハイパワーモード入力側)
HPM2P、HPM2N トランジスタ(ハイパワーモード出力側)
LPM1P、LPM1N トランジスタ(ローパワーモード入力側)
LPM2P、LPM2N トランジスタ(ローパワーモード出力側)
C2P、C2N、CSP、CSN キャパシタ
SWCP、SWCN、SWL、SWH スイッチ
CXCA、CXCB クロスカップルキャパシタ
Claims (7)
- 複数の増幅回路部を有する増幅器であって、
前記増幅器の最大出力電力を有する信号を出力する第1の増幅回路部と、
前記増幅器の入出力間に前記第1の増幅回路部と並列に設けられ、前記第1の増幅回路部よりも低い出力電力において前記第1の増幅回路部よりも増幅効率が高い第2の増幅回路部とを有し、
前記第1の増幅回路部と前記第2の増幅回路部はそれぞれ、一方の増幅回路部が信号の電力増幅を行う動作状態にあるときには他方の増幅回路部が信号の電力増幅を行わない非動作状態になり、
前記第1の増幅回路部は、
前記第1の増幅回路部の第1出力端にドレインが接続される第1のトランジスタと、
前記第1の増幅回路部の第2出力端にドレインが接続される第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのうちの一方のトランジスタのドレインと他方のトランジスタのゲートとの間に設けられたクロスカップルキャパシタとを有し、
前記第2の増幅回路部は、
第1のキャパシタと、
前記第2の増幅回路部の出力端に前記第1のキャパシタを介してドレインが接続される第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのドレインに接続される第1のインダクタと、
前記第1の増幅回路部が前記動作状態にあるときに導通状態となり前記第2の増幅回路部が前記動作状態にあるときに非導通状態となる第1のスイッチと、第2のキャパシタとが、前記第3のトランジスタのドレインとグランドとの間に直列に接続された直列回路とを有することを特徴とする増幅器。 - 前記増幅器で増幅する信号は差動信号であり、
前記第2の増幅回路部が有する回路要素のうちの前記差動信号の一方の信号に係る第1の回路要素と、前記第2の増幅回路部が有する回路要素のうちの前記差動信号の他方の信号に係る第2の回路要素とが、前記第1の増幅回路部に対して対称に配置されていることを特徴とする請求項1記載の増幅器。 - 前記第1の増幅回路部に対して対称に配置された前記第1の回路要素と前記第2の回路要素は互いに同一の回路特性を有することを特徴とする請求項2記載の増幅器。
- 前記第1の増幅回路部は、
前記第1の増幅回路部の入力端にゲートが接続される第4のトランジスタと、
前記第2の増幅回路部が前記動作状態にあるときに前記第4のトランジスタのドレイン電圧の供給を遮断する第2のスイッチとを有し、
前記第2の増幅回路部は、
前記第2の増幅回路部の入力端にゲートが接続される第5のトランジスタと、
前記第1の増幅回路部が前記動作状態にあるときに前記第5のトランジスタのドレイン電圧の供給を遮断する第3のスイッチとを有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の増幅器。 - 前記第1の増幅回路部と前記第2の増幅回路部のいずれを前記動作状態とするかを示す制御信号を受け、前記制御信号に基づいて前記スイッチの各々を制御する制御回路を有することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の増幅器。
- 送信データを含むデジタル信号を前記デジタル信号の周波数よりも高周波のアナログ信号に変換する信号処理回路と、
前記信号処理回路により変換された前記アナログ信号を増幅して出力する増幅器とを有し、
前記増幅器は、
前記増幅器の最大出力電力を有する信号を出力する第1の増幅回路部と、
前記増幅器の入出力間に前記第1の増幅回路部と並列に設けられ、前記第1の増幅回路部よりも低い出力電力において前記第1の増幅回路部よりも増幅効率が高い第2の増幅回路部とを有し、
前記第1の増幅回路部と前記第2の増幅回路部はそれぞれ、一方の増幅回路部が信号の電力増幅を行う動作状態にあるときには他方の増幅回路部が信号の電力増幅を行わない非動作状態になり、
前記第1の増幅回路部は、
前記第1の増幅回路部の第1出力端にドレインが接続される第1のトランジスタと、
前記第1の増幅回路部の第2出力端にドレインが接続される第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのうちの一方のトランジスタのドレインと他方のトランジスタのゲートとの間に設けられたクロスカップルキャパシタとを有し、
前記第2の増幅回路部は、
第1のキャパシタと、
前記第2の増幅回路部の出力端に前記第1のキャパシタを介してドレインが接続される第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタのドレインに接続される第1のインダクタと、
前記第1の増幅回路部が前記動作状態にあるときに導通状態となり前記第2の増幅回路部が前記動作状態にあるときに非導通状態となる第1のスイッチと、第2のキャパシタとが、前記第3のトランジスタのドレインとグランドとの間に直列に接続された直列回路とを有することを特徴とする無線通信装置。 - 前記信号処理回路は、前記第1の増幅回路部と前記第2の増幅回路部のいずれを前記動作状態とするかを示す制御信号を、前記増幅器に出力し、
前記増幅器は、前記制御信号に基づいて前記第1のスイッチを制御する制御回路を有することを特徴とする請求項6記載の無線通信装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013025680A JP5974921B2 (ja) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | 増幅器及び無線通信装置 |
US14/170,302 US9148091B2 (en) | 2013-02-13 | 2014-01-31 | Amplifier and wireless communication device |
CN201410049063.6A CN103986424B (zh) | 2013-02-13 | 2014-02-12 | 放大器和无线通信设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013025680A JP5974921B2 (ja) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | 増幅器及び無線通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014155171A JP2014155171A (ja) | 2014-08-25 |
JP5974921B2 true JP5974921B2 (ja) | 2016-08-23 |
Family
ID=51278272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013025680A Active JP5974921B2 (ja) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | 増幅器及び無線通信装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9148091B2 (ja) |
JP (1) | JP5974921B2 (ja) |
CN (1) | CN103986424B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9350310B2 (en) * | 2013-05-24 | 2016-05-24 | Qualcomm Incorporated | Receiver front end for carrier aggregation |
EP2882099A1 (en) | 2013-12-03 | 2015-06-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multiple-state, switch-mode power amplifier systems and methods of their operation |
EP2882100B1 (en) * | 2013-12-03 | 2019-10-23 | NXP USA, Inc. | Multiple-state, switch-mode power amplifier systems and methods of their operation |
US9871488B2 (en) * | 2015-01-28 | 2018-01-16 | Qualcomm Incorporated | Dual-mode power amplifier |
CN107404297A (zh) * | 2016-05-19 | 2017-11-28 | 深圳市南方硅谷微电子有限公司 | 功率放大电路 |
US10911040B2 (en) * | 2019-04-25 | 2021-02-02 | Analog Devices International Unlimited Company | High power radio frequency switches with low leakage current and low insertion loss |
WO2022034824A1 (ja) * | 2020-08-12 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路及び通信装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5541554A (en) * | 1995-03-06 | 1996-07-30 | Motorola, Inc. | Multi-mode power amplifier |
JPH09261109A (ja) | 1996-03-18 | 1997-10-03 | Casio Comput Co Ltd | 無線受信回路 |
JPH11163704A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Sharp Corp | 高周波スイッチ回路 |
US6625430B2 (en) * | 1998-12-15 | 2003-09-23 | Ericsson Inc. | Method and apparatus for attaining higher amplifier efficiencies at lower power levels |
JP2002271152A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅器及びこの電力増幅器を搭載した携帯電話機 |
JP3809777B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 電力増幅器 |
JP3947373B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2007-07-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 高周波電力増幅器 |
US6894561B2 (en) * | 2002-09-20 | 2005-05-17 | Triquint Semiconductor, Inc. | Efficient power control of a power amplifier by periphery switching |
US7355479B2 (en) * | 2003-03-28 | 2008-04-08 | Nxp B.V. | Neutralization of feedback capacitance in amplifiers |
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US20070080750A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | High efficiency amplifiers having multiple amplification paths |
DE102005050622A1 (de) * | 2005-10-21 | 2007-05-03 | Infineon Technologies Ag | Sendeendstufe mit einstellbarer Ausgangsleistung und Verfahren zum Verstärken eines Signals in einer Sendeendstufe |
US7728661B2 (en) | 2008-05-05 | 2010-06-01 | Javelin Semiconductor, Inc. | Controlling power with an output network |
CN201438689U (zh) * | 2009-04-30 | 2010-04-14 | 惠州市正源微电子有限公司 | 射频功率放大器高低功率合成电路 |
US7944296B1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Company | Low power mode amplification with a transformer output matching and a virtual ground |
JP5505286B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2014-05-28 | 富士通株式会社 | 差動増幅回路 |
US8823449B2 (en) * | 2012-04-05 | 2014-09-02 | St-Ericsson Sa | Extremely high frequency dual-mode class AB power amplifier |
US8774741B2 (en) * | 2012-04-18 | 2014-07-08 | Black Sand Technologies, Inc. | Reconfigurable power amplifier for improved low-power efficiency |
US8742842B2 (en) * | 2012-08-21 | 2014-06-03 | Nokia Siemens Networks Oy | High efficiency power amplifier architecture for off-peak traffic hours |
-
2013
- 2013-02-13 JP JP2013025680A patent/JP5974921B2/ja active Active
-
2014
- 2014-01-31 US US14/170,302 patent/US9148091B2/en active Active
- 2014-02-12 CN CN201410049063.6A patent/CN103986424B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103986424B (zh) | 2017-03-01 |
JP2014155171A (ja) | 2014-08-25 |
CN103986424A (zh) | 2014-08-13 |
US9148091B2 (en) | 2015-09-29 |
US20140227988A1 (en) | 2014-08-14 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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