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Die
Erfindung betrifft eine Sendeendstufe mit einer einstellbaren Ausgangsleistung
sowie ein Verfahren zum Verstärken
eines Signals in einer Sendeendstufe.
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In
modernen mobilen Kommunikationssystemen ist eine besonders lange
so genannte "Stand-by"-Zeit wünschenswert.
Mit dieser Angabe wird die Zeit bezeichnet, in der ein mobiles Kommunikationsgerät in einem
aktiven Zustand oder empfangsbereiten verweilen kann, ohne dass
die für
den Betrieb erforderliche Batterie wieder aufgeladen werden muss.
Demgegenüber
steht die Gesprächszeit oder "Talk"-Zeit, welche die
Zeitdauer für
ein kontinuierliches Senden bzw. Empfangen des mobilen Kommunikationsgeräts angibt.
Das Kundenbedürfnis nach
wachsender "Stand-by"- und "Talk"-Zeit erfordert neben
neuartigen Batterien mit einer hohen Kapazität auch eine möglichst
effiziente Reduktion der Leistungsaufnahme des mobilen Kommunikationsgeräts in den
verschiedenen Betriebsarten.
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Eine
Möglichkeit
besteht darin, die Sendeleistung des mobilen Kommunikationsgeräts zu verringern,
da sich damit auch die Leistungsverbrauch der im besonderen Maße zum gesamten
Verbrauch beitragenden Verstärker
reduziert. Eine Reduktion der Sendeleistung bietet sich vor allem
dann an, wenn sich das mobile Kommunikationsgerät in der Nähe einer Basisstation befindet,
sodass nur geringe Ausgangsleistungen für einen ausreichenden Empfang
der Signale erforderlich sind. Dadurch kann die Stromaufnahme und
damit der Leistungsverbrauch abgesenkt werden. Dabei kann wie beispielsweise
in dem Mobilfunk standard UMTS vorgesehen, die Basisstation das mobile
Kommunikationsgerät
anweisen, seine Sendeleistung zu erhöhen oder zu reduzieren.
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Bei
modernen Mobilfunkstandards wie WCDMA/UMTS, WLAN oder IS95 werden
die zu übertragenden
Daten zudem sowohl in der Amplitude als auch in der Phase des Signals
moduliert. Dadurch ergibt sich eine über die Zeit unterschiedliche
Eingangsamplitude in einem Leistungsverstärker des mobilen Kommunikationsgeräts. Die
mittlere Ausgangsleistung des mobilen Kommunikationsgerätes wird
wiederum durch eine Regelung des Leistungsverstärkers eingestellt.
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Die 6 zeigt eine solche Wahrscheinlichkeitsdichtefunktion
für einen
derartigen Mobilfunkstandard. Es ist deutlich zu erkennen, dass
die Wahrscheinlichkeit für
die Ausgangsleistung eines typischen Hochfrequenzsignals ca. 10
dBm beträgt. Dennoch
gibt es eine relativ große
Wahrscheinlichkeit für
sehr hohe Ausgangsleistungen von +20 dBm bis zu +30 dBm. Dadurch
ergibt sich für
die Verstärker
im Sendepfad die Forderung, über
den gesamten Bereich der Ausgangsleistung und besonders auch bei
diesen hohen Leistungen ein ausreichend lineares Übertragungsverhalten
aufzuweisen. Andernfalls kommt es bei der Übertragung von Signalen mit
hohen Ausgangsleistungen zur Verzerrungen in der Amplitude und der
Phase des Signals. Dadurch werden Übertragungsfehler verursacht
und die Datenfehlerrate steigt stark an.
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Um
zu gewährleisten,
dass das mobile Kommunikationsgerät auch im Fall einer sehr weit
entfernten Basisstation eine ausreichende Sendeleistung gewährleistet,
werden die Endstufe des Sendepfades und die darin befindlichen Hochfrequenz-Leistungsverstärker auf
einen möglichen
Maximalfall ausge legt. Jedoch können
die Leistungsverstärker
in der Endstufe nicht für
jede beliebige Eingangsleistung die gleiche Effizient aufweisen. 5 zeigt einen typischen
Verlauf der Ausgangsleistung in Abhängigkeit der Eingangsleistung
im Vergleich zu dem Verlauf einer gesamten Effizienz des Leistungsverstärkers über die
Eingangsleistung (PAE, Power Added Efficiency). Dabei ergibt sich
die Effizienz aus dem Quotienten der Differenz der Ausgangs und
Eingangsleistung zu dem gesamten Leistungsverbrauch des Verstärkers.
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Es
ist aus den beiden Kennlinien zu erkennen, dass für geringe
Eingangsleistung die Effizienz des Leistungsverstärkers nicht
linear, sondern deutlich stärker
abnimmt und im Bereich einer Eingangsleistung von –20 dBm
fast verschwindet. Dies liegt daran, dass bei kleinen Eingangspegeln
die Effizienz hauptsächlich
vom Ruhestrom bestimmt wird, der durch die Leistungsverstärker in
der Sendeendstufe fließt.
Diese können
nur in einem bestimmten Bereich abgeregelt werden, da anderenfalls
die Verstärker keine
lineare Kennlinie und damit keine proportionale Verstärkung mehr
aufweisen.
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Zur
Lösung
dieses Problems gibt es verschiedene Ansätze, unter anderem in J. Staudinger "Applying Switched
Gain Stage Concepts to Improve Efficiency and Linearity for Mobile
CDMA Power Amplification",
Microwave Journal, September 2000, bei dem unter Umgehung der Endstufe
durch eine Bypass-Leitung ein mehrstufiger Verstärker schon nach einer Treiberstufe
an den Ausgang der Sendeendstufe gekoppelt wird.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, eine Sendeendstufe anzugeben, die auch bei
kleinen Eingangsleistungen mit einer erhöhten Effizienz und niedrigem Stromverbrauch
arbeitet. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren
zum Verstärken eines Signals
in einer Sendeendstufe anzugeben, welches Strom sparend und mit
einer hohen Effizienz realisierbar ist.
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Diese
Aufgaben werden mit den Gegenständen
der unabhängigen
Patentansprüche
1, 11 und 16 gelöst.
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Nach
dem erfindungsgemäßen Prinzip
ist eine Sendeendstufe mit einem Signaleingang und einer ersten
steuerbaren Verstärkungseinrichtung
vorgesehen, welche eingangsseitig mit dem Signaleingang gekoppelt
ist. Eine zweite Verstärkungseinrichtung
ist ebenso an den Signaleingang angeschlossen. Weiterhin umfasst
die Sendeendstufe ein erstes Anpassnetzwerk, welches eingangsseitig
an einen Ausgang der ersten Verstärkungseinrichtung gekoppelt
ist. Ein zweites Anpassnetzwerk ist eingangsseitig an einen Ausgang
der zweiten Verstärkungseinrichtung
und ausgangsseitig an einen Knoten zwischen der ersten Verstärkungseinrichtung
und dem ersten Anpassnetzwerk angeschlossen. Das zweite Anpassnetzwerk
weist wenigstens ein Anpasselement sowie ein Mittel zum wahlweisen
Unterdrücken des
wenigstens einen Anpasselements auf. Alternativ ist das Mittel zur
wahlweisen Deaktivierung des wenigstens einen Anpassnetzwerks oder
zu einer Änderung
der Impedanzeigenschaft des Anpasselementes ausgeführt.
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Damit
lässt sich
in der ersten Sendeendstufe in einer ersten Betriebsart nur mit
der zweiten Verstärkerstufe
das zweite Anpassnetzwerk zwischen die zweite Verstärkerstufe
und das erste Anpassnetzwerk schalten. Somit werden abhängig von
der Betriebsart der Sendeendstufe die Ausgänge der ersten und der zweiten
Verstärkerstufe
entweder direkt an das erste Anpassnetzwerk oder der Ausgang der zweiten
Verstärkerstufe über das
zweite Anpassnetzwerk an das erste Anpassnetzwerk angeschlossen. Dies
ermöglicht
eine Impedanzanpassung des Aus gangs der zweiten Verstärkerstufe
in einem Betrieb der Sendeendstufe nur mit der zweiten Verstärkerstufe.
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Da
bei kleinen Ausgangsleistungen die Effizienz der Sendeendstufe vor
allem durch den Ruhestrom der durch die einzelnen Verstärkerstufen
fließenden
Strom dominiert wird, ist bei dem erfindungsgemäßen Prinzip somit vorgesehen,
jeweils abhängig
von der gewählten
Betriebsart eine möglichst sehr
gut angepasste Lastimpedanz an den Ausgang der jeweils verwendeten
Verstärkerstufe
vorzusehen. Dadurch kann der Ruhestrom der verwendeten Verstärkerstufe
verringert und gleichzeitig eine geeignete Anpassung und damit eine
gute Effizienz erreicht werden. Zudem wird die Linearität der Ausgangsstufe
für die
jeweilige Betriebsart weiter verbessert.
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In
einer Ausgestaltung der Erfindung besitzen demnach die erste steuerbare
Verstärkungseinrichtung
eine große
maximale Ausgangsleistung und die zweite Verstärkungseinrichtung eine geringere maximale
Ausgangsleistung. Damit ist bei einem gleichzeitigen Betrieb der
ersten und der zweiten Verstärkerstufe
die Sendeendstufe für
hohe Gesamtausgangsleistungen und bei einem Betrieb mit lediglich der
zweiten Verstärkerstufe
für kleine
Gesamtausgangsleistungen ausgelegt.
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Natürlich kann
auch die erste steuerbare Verstärkungseinrichtung
für eine
kleine maximale Ausgangsleistung und zweite Verstärkungseinrichtung
für eine
große
maximale Ausgangsleistung ausgelegt sein. In einer weiteren Ausführungsform
weist die erste Verstärkungseinrichtung
einen großen
Verstärkungsfaktor
und die zweite Verstärkungseinrichtung
einen demgegenüber
geringen Verstärkungsfaktor
auf.
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Entsprechend
ist in einer Ausgestaltung der Erfindung das erste Anpassnetzwerk
für eine
Anpassung an niedrige Lastimpedanzen ausgeführt. Das zweite Anpassnetzwerk
dient zur Transformation der niedrigen Lastimpedanz auf eine hohe
Lastimpedanz.
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In
einer anderen Ausgestaltungsform der Erfindung weist die Sendeendstufe
einen Stelleingang auf, der an die erste steuerbare Verstärkungseinrichtung
angeschlossen ist. Dem Stelleingang ist ein Einstellsignal für eine Deaktivierung
der ersten steuerbaren Verstärkerstufe
zuführbar.
Eine derartige Deaktivierung kann beispielsweise über eine Änderung
des Signals zur Arbeitspunkteinstellung erfolgen. Damit lässt sich
die Sendeendstufe in wenigstens zwei Betriebsarten mit einer unterschiedlichen Sendeverstärkung betreiben.
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In
einer Weiterbildung der Erfindung umfasst das Mittel zum wahlweisen Überbrücken des
zweiten Anpassnetzwerks einen Schalter, der in einem parallel zu
dem zweiten Anpassnetzwerk angeordneten Signalpfad geschaltet ist.
In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung weist das Mittel einen
Transistor auf, der zwischen einen Bezugspotenzialanschluss und
dem zweiten Anpassnetzwerk angeordnet ist. An seinem Steueranschluss
ist ein Schaltsignal zum Überbrücken des
zweiten Anpassnetzwerks zuführbar.
In einer anderen Weiterbildung der Erfindung enthält das zweite
Anpassnetzwerk ein induktives Element sowie ein parallel dazu geschaltetes
kapazitives Element. Ein Knoten zwischen dem induktiven Element
und dem kapazitiven Element ist mit dem Ausgang der zweiten Verstärkungseinrichtung gekoppelt.
Durch das zweite Anpassnetzwerk erfolgt eine Transformation einer
niedrigen Lastimpedanz des ersten Anpassnetzwerks auf eine hohe
Eingangsimpedanz.
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In
einer anderen Ausgestaltungsform der Erfindung sind die erste steuerbare
Verstärkungseinrichtung,
die zweite Verstärkungseinrichtung
sowie das zweite Anpassnetzwerk in einem Halbleiterkörper als
integrierte Schaltung ausgeführt.
Das erste Anpassnetzwerk ist mit einer Kontaktstelle auf der Oberfläche des
Halbleiterkörpers
gekoppelt. Diese Kopplung kann durch einen Bonddraht ausgeführt sein,
der gleichzeitig einen Teil eines Anpasselements des ersten Anpassnetzwerks
bildet.
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Im
Gegensatz zu den bisherigen Ansätzen ist
bei der Erfindung vorgesehen, dass die zweite Verstärkungseinrichtung
während
eines Betriebs immer aktiv ist. Damit werden für eine wesentliche Änderung
der Verstärkungseinstellung
bzw. ein Betreiben der Sendeendstufe mit kleinen Ausgangsleistungen
keine zusätzlichen
Verstärkertransistoren
und somit keine zusätzliche
Fläche
auf einem Substrat benötigt.
Die Realisierung der zweiten Verstärkerstufe innerhalb des Halbleiterkörpers als
integrierter Schaltkreis ermöglicht
eine weitere Verwendung einer bereits existierenden äußeren Beschaltung.
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Bei
dem Verfahren zum Verstärken
eines Signals in einer Sendeendstufe wird demnach ein Signal bereitgestellt
sowie anschließend
eine Verstärkungseinstellung
ausgewählt.
In Abhängigkeit
der ausgewählten
Verstärkungseinrichtung
wird eine Impedanzanpassung vorgenommen. Das bereitgestellte Signal
wird dann mit der ausgewählten
Verstärkung
verstärkt.
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Bei
einer Änderung
der Verstärkungseinstellung
erfolgt auch eine Änderung
der Impedanzanpassung durch Überbrückung von
einem die Impedanzanpassung erzeugenden Element. Durch diese Überbrückung bzw.
zusätzliche
Transformation der Impedanz in Abhängigkeit der Verstärkungseinstellung
lässt sich
der Stromverbrauch einer Sendeendstufe reduzieren und die Signaleigenschaften
während
des Verstärkungsvorgangs
verbessern.
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Beispielsweise
kann eine Impedanzanpassung erfolgen, indem eine niedrige Einlassimpedanz auf
eine hohe Lastimpedanz transformiert wird, wenn die Verstärkungseinstellung
auf einen Wert niedriger als ein vorbestimmter Grenzwert ausgewählt wird. Entsprechend
wird eine hohe Impedanz auf eine niedrige Impedanz transformiert,
wenn die Verstärkungseinstellung
auf einen Wert größer als
der vorbestimmte Grenzwert eingestellt wird.
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Im
Folgenden wird die Erfindung unter Zuhilfenahme der Zeichnungen
anhand verschiedener Ausführungsbeispiele
im Detail erläutert.
Es zeigen:
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1A ein
erstes Blockschaltbild einer Ausführungsform der Erfindung,
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1B ein
zweites Blockschaltbild einer Ausführungsform der Erfindung,
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2 ein
erstes Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Sendeendstufe,
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3 ein
zweites Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Sendeendstufe,
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4 eine
Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Sendeendstufe
in einem Halbleiterkörper,
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5 eine
Leistungskennlinie zur Verdeutlichung des Effizienzverlaufs über die
Eingangsleistung,
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6 ein
Diagramm mit einer Wahrscheinlichkeitsdichte über die Ausgangsleistung.
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1A zeigt
ein Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Sendeendstufe zur Verdeutlichung des
zugrundeliegenden Prinzips. Die Sendeendstufe umfasst eine erste
Verstärkerstufe
PA1 sowie eine zweite Verstärkerstufe
PA2. In diesem in keiner Weise einschränkenden Beispiel ist die erste
Verstärkerstufe
PA1 dabei für
einen Betrieb mit einer hohen Ausgangsleistung ausgelegt. Die zweite
Verstärkerstufe
PA2 dient zur Bereitstellung von kleinen Ausgangsleistungen. Eingangsseitig
ist die erste Verstärkerstufe
PA1 über
einen Kondensator 21 mit einem Hochfrequenzsignaleingang 10 verbunden.
In gleicher Weise ist die zweite Verstärkerstufe PA2 eingangsseitig über einen
Kondensator 22 an den Frequenzsignaleingang 10 angeschlossen.
Mit einem Ausgang 41 ist die erste Verstärkerstufe
PA1 an ein erstes Anpassnetzwerk 31 angeschlossen. Das
erste Anpassnetzwerk 31 dient zur Transformation einer Ausgangsimpedanz
am Ausgangsanschluss 11 auf eine möglichst niedrige Eingangsimpedanz
im Bereich von wenigen Ohm. Dadurch kann im Fall hoher Ausgangsleistungen
der erfindungsgemäßen Sendeendstufe
die erste Verstärkerstufe
PA1 in einem für sie
geeigneten Bereich ihrer Kennlinie betrieben werden.
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An
den Ausgangsanschluss 42 der zweiten Verstärkerstufe
PA2 ist ein weiteres Anpassnetzwerk 30 angeschlossen. Dieses
ist mit seinem Ausgang mit einem Knoten 32 verbunden, welcher
zwischen dem Ausgang 41 der ersten Verstärkerstufe
PA1 und dem Eingang des ersten Anpassnetzwerks 31 angeordnet
ist. Zudem ist ein so genannter Überbrückungspfad
parallel zu den Anpasselementen 30 des Anpassnetzwerks 3 vorgesehen.
Dieser Überbrückungspfad
umfasst einen Schalter 33, der über ein Steuersignal am Steuereingang 90 einstellbar
ist. Der Steuereingang 90 ist ebenfalls mit einem Regeleingang 43 der
Verstärkerstufe
PA1 verbunden.
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Für einen
Betrieb der erfindungsgemäßen Sendeendstufe
mit hohen Ausgangsleistungen wird die erste Verstärkerstufe
PA1 sowie die zweite Verstärkerstufe
PA2 aktiviert. In dieser Betriebsart ist es zweckmäßig, wenn
eine Impedanz am Ausgangsanschluss 11 durch das erste Anpassnetzwerk
auf eine möglichst
niedrige Eingangsimpedanz transformiert wird. Die Ausgänge 41 bzw. 42 der
Verstärkerstufen PA1,
PA2 "sehen" in diesem Fall somit
eine niedrige Eingangsimpedanz im Bereich von wenigen Ohm.
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Bei
kleinen Ausgangsleistungen hingegen wird die erste Verstärkerstufe
PA1 in der erfindungsgemäßen Sendeendstufe
durch ein entsprechendes Steuersignal am Steuereingang 43 deaktiviert.
Die Sendeendstufe wird für
niedrige Ausgangsleistungen somit einzig mit der zweiten Verstärkerstufe
PA2 betrieben. Um dabei möglichst
effizient zu arbeiten, ist es erforderlich, dass für den Ausgang 42 der
zweiten Sendeendstufe eine geeignete Anpassung vorgenommen wird.
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Dies
ergibt sich aus der schematischen Darstellung der Gesamteffizienz
gemäß 5.
Dabei erkennt man, dass im Bereich hoher Eingangsleistungen eine
Veränderung
der Effizienz, beispielsweise aufgrund fehlerhafter Anpassung, lediglich
gering ist. Daraus folgt, dass auch die zweite Sendeendstufe mit
möglichst
hohen Eingangsleistungen bei gleichzeitig guter Impedanzanpassung
zu betreiben ist. Die durch das Anpassnetzwerk 31 erzeugte
Eingangsimpedanz von wenigen Ohm ist jedoch für die Verstärkerstufe PA2 zu niedrig, um
bei kleinen Ausgangsleistungen effizient arbeiten zu können. Demzufolge würde es bei
dieser Last zu einem ineffizienten Betrieb der Sendeendstufe kommen,
der eine deutlich nicht lineare Kennlinie aufweist.
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Um
dies zu verhindern, ist ein zusätzliches zweites
Anpassnetzwerk vorgesehen. Dieses dient zu einer Transformation
der Eingangsimpedanz des ersten Anpassnetzwerks 31 auf
eine höhere
Impedanz im Bereich von einigen zehn Ohm. Beispielsweise wird durch
das zweite Anpassnetzwerk eine Eingangsimpedanz im Bereich von 3
Ohm auf 40 Ohm zurück
transformiert. Für
einen Betrieb bei kleinen Ausgangsleistungen wird demnach der Schalter 33 im
parallel angeordneten Überbrückungspfad
geöffnet
und somit eine Rücktransformation
durch das zweite Anpassnetzwerk aktiviert. Gleichzeitig wird durch
das Stellsignal am Stelleingang 90 die erste Verstärkerstufe
PA1 abgeschaltet.
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Wenn
hingegen die erfindungsgemäße Sendeendstufe
mit einer hohen Ausgangsleistung betrieben wird, sind einerseits
erste und zweite Verstärkerstufe
PA1, PA2 aktiviert und der Schalter 33 geschlossen. Dadurch
erfolgt keine zusätzliche
Transformation in dem zweiten Anpassnetzwerk durch die Anpasselemente 30.
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1B zeigt
eine weitere Ausführung.
Wirkungs- bzw. funktionsgleiche Bauelemente tragen die gleichen
Bezugszeichen. In dieser Ausgestaltung ist der Ausgang der zweiten
Verstärkerstufe
PA2 direkt an den Knoten 32 und damit an das erste Anpassnetzwerk 31 angeschlossen.
Das zweite Anpassnetzwerk 3 ist zwischen den Ausgang der
ersten Verstärkerstufe
PA1 und den Eingang den Knoten 32 angeordnet. Es weist
ebenso ein Anpasselement 30 auf. Dieses dient in dieser
Ausgestaltung dazu, eine Anpassung der Eingangsimpedanz des ersten
Netzwerks auf den Ausgang der ersten Verstärkerstufe vorzunehmen. Das
Anpasselement 30 lässt
sich durch das Mittel 33a abschalten, so dass im abgeschalteten
Zustand keine Impedanzänderung
durch das Mittel vorgenommen wird. In einem ersten Betriebszustand
sind demzufolge beide Verstärkungseinrichtungen
PA1, Pa2 aktiviert. Zusätzlich
erfolgt durch das Anpasselement 30 des zweiten Anpassnetzwerks
eine Anpassung des ersten Anpassnetzwerks an den Ausgang der ersten
Verstärkerstufe PA1.
In der zweiten Betriebsart werden die erste Verstärkerstufe
PA1 und das Anpassglied 30 abgeschaltet. Ein Signal wird
nun mit der zweiten Verstärkerstufe
verstärkt,
wobei das Anpassnetzwerk 31 an den Ausgang der zweiten
Verstärkerstufe
angepasst ist.
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2 zeigt
eine konkrete Ausgestaltungsform der erfindungsgemäßen Sendeendstufe.
Wirkungs- bzw. funktionsgleiche Bauelemente tragen die gleichen
Bezugszeichen. Die erste Verstärkerstufe
PA1 ist in dieser Ausgestaltungsform mit einem Bipolartransistor
T1 ausgeführt.
Dieser ist für
eine Verstärkung
mit hohen Ausgangsleistungen ausgelegt. In entsprechender Weise
ist in der Verstärkerstufe PA2
ein weiterer Bipolartransistor T2 angeordnet. Die Emitterflächen der
beiden Transistoren T1, T2 der beiden Verstärkerstufen PA1, PA2 stehen
in einem wohl definierten Verhältnis
zueinander. Sie bestimmen unter anderem gemeinsam mit der Betriebsspannung
die Ausgangsleistung. Durch das Verhältnis wird das Verhältnis der
Verstärkung
der Verstärkerstufen
PA1, PA2 eingestellt. Im vorliegenden Fall ist die Emitterfläche des
Transistors T1 um den Faktor 5 größer als die Emitterfläche des
Transistors T2. Damit ist auch eine Verstärkung der Verstärkerstufe PA1
um diesen Faktor höher
als eine entsprechende Verstärkung
der Verstärkerstufe
PA2.
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Die
Steueranschlüsse
der beiden Transistoren T1, T2 sind über je einen Kondensator 21, 22 an den
Hochfrequenzanschluss 10 geführt. Zur Arbeitspunkteinstellung
bzw. Aktivierung oder Deaktivierung der Transistoren T1, T2 sind
die Steueranschlüsse zudem über je einen
Widerstand an einen Anschluss zur Zuführung eines Potenzials angeschlossen.
Die beiden Potenziale VB1 und VB2 dienen
zur Arbeitspunkteinstellung der Transistoren T1, T2.
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Der
Kollektoranschluss des Transistors T1 der ersten Verstärkerstufe
PA1 ist über
einen Bonddraht 80 und eine Spule 81 an einen
Versorgungspotenzialanschluss 82 angeschlossen. Dem Anschluss 82 wird
das Versorgungspotenzial VCC zur Versorgung der ersten Verstärkerstufe
PA1 und des ersten Transistors T1 zugeführt. Der Bonddraht 80 weist eine
Induktivität
auf. Ebenfalls mit dem Bonddraht 80 verbunden ist das erste
Anpassnetzwerk 31, das zwei in Reihe geschaltete Drosseln 310, 311 sowie einen
Koppelkondensator 314 umfasst. Der zweite Anschluss des
Koppelkondensators ist an den Hochfrequenzausgangsanschluss 11 angeschlossen.
Des Weiteren ist jede der Drosseln 310, 311 über einen Kondensator 313, 312 mit
dem Bezugspotenzial GND verbunden.
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Der
Kollektoranschluss des Transistors T2 bildet zudem auch den Knoten 42,
der mit dem zweiten Anpassnetzwerk 3 gekoppelt ist. Das
zweite Anpassnetzwerk umfasst in dieser Ausgestaltungsform eine
Spule L_lp sowie einen in Reihe geschalteten Kondensator C_lp. Ein
Knoten zwischen der Spule L_lp und dem Kondensator C_lp ist an den
Ausgang 42 bzw. den Emitteranschluss des Transistors T2
der zweiten Verstärkerstufe
PA2 angeschlossen. Der zweite Anschluss des Kondensators C_lp ist über einen
Widerstand an den Versorgungspotenzialanschluss 82 sowie
an den Kollektor eines Schalttransistors T3 angeschlos sen. Dem Emitter
des Schalttransistors T3 wird das Bezugspotenzial GND zugeführt. Der
Steueranschluss des Schalttransistors T3 ist über einen Schalter mit einer
Gleichspannungsquelle verbunden. Dieser Schalter wird von einem Steuersignal
am Regeleingang 90 angesteuert.
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In
einem Betrieb der Sendeendstufe für hohe Ausgangsleistungen sind
die erste Verstärkerstufe PA1
und die zweite Verstärkerstufe
PA2 aktiviert. Gleichzeitig ist der Schalter 91 geöffnet, wodurch
der Schalttransistor T3 abgeschaltet wird. Damit wird der zweite
Anschluss des Kondensators C_lp des Anpassnetzwerks 3 im
Wesentlichen auf das Versorgungspotenzial VCC gezogen, wodurch eine
Impedanztransformation des Anpassnetzwerks 3 vermieden
wird. Das bedeutet faktisch, dass das zweite Anpassnetzwerk überbrückt wird.
Durch das Abschalten des Schalttransistors T3 und die damit verbundene Reduzierung
einer Impedanztransformation durch die Anpasselemente L_lp und C_CP
wird ein hoher Spannungshub am Kollektoranschluss 42 des
Transistors T2 verhindert. Dieser Spannungshub könnte anderenfalls am Transistor
T2 zu einem Kollektor-Emitterdurchbruch führen, als auch zur Selbstaufregelung.
So würde
ein hoher Spannungshub über die
Kollektor-Basis Kapazität
des Transistors ein Wechselsignal an der Basis hervorrufen, das
dann zum Selbstaufsteuern des Transistors führt. Die Basis-Emitter-Diode wird
leitend und der Transistor "schaltet
ein".
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Bei
kleinen Ausgangsleistungen hingegen wird in der erfindungsgemäßen Sendeendstufe
das Biaspotenzial VB1 zur Einstellung des
Arbeitspunktes des Transistors T1 der ersten Verstärkerstufe
PA1 abgeschaltet. Dadurch wird die erste Verstärkerstufe PA1 deaktiviert.
Gleichzeitig wird der Schalter 91 geschlossen und somit
der Schalttransistor T3 in einen leitenden Zustand geschaltet. Dadurch
wird dem zweiten An schluss des Kondensators C_lp das Bezugspotenzial
GND zugeführt
und damit eine Impedanztransformation in dem zweiten Anpassnetzwerk hervorgerufen.
Die am Ausgang 42 der zweiten Verstärkerstufe PA2 anliegende Lastimpedanz
setzt sich nunmehr aus der Impedanz des ersten Anpassnetzwerks 31 sowie
des in Reihe geschalteten zweiten Anpassnetzwerks 3 zusammen.
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Das
in der dargestellten Ausführungsform implementierte
Anpassnetzwerk 3 ist vorliegend durch ein Tiefpassfilter
aus dem Kondensator C_lp und der Spule L_lp implementiert. Die Zuführung des Versorgungspotenzials
VCC kann sowohl wie dargestellt über
einen Widerstand als auch über
eine zusätzliche
Spule vorgesehen sein. Daneben ist es möglich, anstatt des verwendeten
Tiefpassfilters für das
zweite Anpassnetzwerk auch ein Hochpassfilter zu verwenden. Eine
derartige Ausführungsform
mit einem Hochpassfilter als zweites Anpassnetzwerk zeigt 3.
Wirkungs- bzw. funktionsgleiche Bauelemente tragen die gleichen
Bezugszeichen.
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In
dieser Ausgestaltung ist der Kollektoranschluss des Transistors
T2 der zweiten Verstärkerstufe
PA2 über
eine Spule 83 an den Versorgungspotenzialanschluss 82 angeschlossen.
Der Kollektoranschluss des Transistors T2 ist zudem über einen
Kondensator 84 mit dem Anpassnetzwerk und insbesondere
mit dem Kondensator C_lp und der Spule L_lp verbunden. In dieser
Ausgestaltungsform ist das Anpasselement des Anpassnetzwerks 3 als
Hochpassfilter ausgeführt.
Der Kondensator C_lp ist demnach zwischen dem Knoten 32 und
dem Kollektoranschluss des Transistors T2 angeordnet. Zwischen den
Kondensatoren 84 und dem Kondensator C_lp des Anpasselements
ist ein Knoten mit dem ersten Anschluss der Spule L_lp verbunden.
Ein zweiter Anschluss der Spule L_lp ist an den Kollektoranschluss des Schalttransistors
T3 sowie über
einen Widerstand an den Versorgungspotenzialanschluss 82 geführt.
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4 zeigt
eine Implementierung der erfindungsgemäßen Sendeendstufe in einem
Halbleiterkörper.
Der Halbleiterkörper 100 weist
auf seiner Oberfläche
eine Vielzahl von Kontaktstellen auf, von denen hier zwei exemplarisch
bezeichnet sind. In dem Halbleiterkörper sind die erste sowie die
zweite Verstärkerstufe
PA1, PA2 und das zweite Anpassnetzwerk 3 als integrierte
Schaltung ausgeführt.
Auf der Oberfläche
des Halbleiterkörpers 100 ist
eine erste Kontaktstelle 10 angeordnet, die den Hochfrequenzsignaleingang
bildet. Sie ist innerhalb des Halbleiterkörpers an die Schaltelemente
der ersten und zweiten Verstärkerstufe
PA1, PA2 geführt.
Der Ausgang 42 der ersten Verstärkerstufe PA1 ist vorliegend
ebenfalls durch eine Kontaktstelle auf der Oberfläche des
Halbleiterkörpers 100 gebildet.
Innerhalb des Halbleiterkörpers
ist die Kontaktstelle 41 an einen Ausgangsanschluss 41a sowie
an das zweite Anpassnetzwerk über
den Knoten 32 angeschlossen.
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Mit
der Kontaktstelle 41 ist ein Bonddraht 80 verbunden,
der an das erste Anpassnetzwerk 31 sowie den Versorgungspotenzialanschluss 82 angeschlossen
ist. Der Bonddraht 80 weist eine vorbestimmte Induktivität auf. Diese
steht mit der im Anpassnetzwerk 3 verwendeten Induktivität in einem vorbestimmten
Verhältnis,
sodass das zweite Anpassnetzwerk 3 für eine Rücktransformation einer niedrigen
Lastimpedanz auf eine hohe Lastimpedanz geeignet ist. Die in 4 dargestellte
Ausführung
besitzt den Vorteil, die weitere Beschaltung insbesondere an der
Kontaktstelle 41 ohne zusätzliche Veränderungen vornehmen zu können. Neben
den dargestellten Ausführungsformen
der Verstärkertransistoren
der einzelnen Verstärkerstufen
in Bipolartechnik ist es möglich,
diese auch mit Feld effekttransistoren auszuführen. Die Verstärker können mit
jedem Halbleitermaterial gebildet werden, zum Beispiel GaAs, SiGe,
Si oder auch InP. Ebenso ist es denkbar, die Verstärkerstufen
in komplementärer
Feldeffekttransistortechnologie (CMOS) zu implementieren.
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- PA1,
PA2
- Verstärkerstufen
- 10
- Hochfrequenzsignaleingang
- 11
- Hochfrequenzsignalausgang
- 21,
22
- Koppelkondensatoren
- 31
- erstes
Anpassnetzwerk
- 3
- zweites
Anpassnetzwerk
- 30
- Anpassglied
- 32
- Knoten
- 41,
42
- Signalausgang
- 43
- Regeleingang
- 90
- Steuereingang
- 91
- Schalter
- 80
- Bonddraht
- 81
- Spule
- 82
- Versorgungspotenzialeingang
- 310,
311
- Spule
- 312,
313
- Kondensator
- 314
- Kondensator
- C_lp
- Kondensator
- L_lp
- Spule
- T1,
T2
- Verstärkertransistoren
- GND
- Bezugspotenzial
- VB1, VB2
- Bias-Potenzial
- VCC
- Versorgungspotenzial
- 100
- Halbleiterkörper