JP5971860B2 - 樹脂封止モジュールの製造方法、樹脂封止モジュール - Google Patents

Description

本発明は、樹脂封止モジュールの絶縁性の向上に関する。

半導体素子が実装された半導体装置を、絶縁性樹脂を用いてモジュールケース内に封止した樹脂封止モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。樹脂封止モジュールは、強度を保つためにモジュールケースを金属によって形成することがある。

また、特許文献１に示した樹脂封止モジュールの他に、例えば、図６に示す樹脂封止モジュールも知られている。図６に示す樹脂封止モジュール１０は、金属製のモジュールケース１５と、モジュールケース１５に収容された半導体装置１４と、半導体装置１４をモジュールケース１５内に封止するための封止樹脂１７とから構成されている。半導体装置１４は、アルミ基板１１と、このアルミ基板１１に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に実装された半導体素子１３と、端子１９とを備えている。

従来、半導体装置１４をモジュールケース１５内に封止する場合、モジュールケース１５の内部に封止樹脂１７を入れる。そして、封止樹脂１７に半導体装置１４を挿入した後、封止樹脂１７を硬化させる方法によって行われていた。

特開２００４−１１１４３５号公報

近年、樹脂封止モジュールに関して、電波照射試験の規格が一層厳密になりつつある。こうした規格の厳格化に対応して、樹脂封止モジュールの絶縁性を一層向上させることが求められている。このため、図６に示すような樹脂封止モジュール１０においても、モジュールケース１５内に半導体装置１４を封止する際に、アルミ基板１１と、金属製のモジュールケース１５の内壁との間のクリアランスを一層厳密に管理する必要がある。
即ち、アルミ基板１１とモジュールケース１５の内壁とを接触させず、かつ、クリアランスを一定以上保つことによって、樹脂封止モジュールの絶縁性を向上させることが望まれている。
また、従来は、半導体装置をモジュールケース内に樹脂封止する際に、半導体装置を所定の位置に保持しつつ樹脂液を硬化させるなど、手間の掛かる工程が必要であるという課題があった。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体装置をモジュールケース内に封止した樹脂封止モジュールの絶縁性を向上させることが可能な、樹脂封止モジュールの製造方法、および樹脂封止モジュールを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は次のような樹脂封止モジュールの製造方法、および樹脂封止モジュールを提供した。
すなわち、本発明の樹脂封止モジュールの製造方法は、半導体素子が実装された基板を有する半導体装置と、該半導体装置を収容するモジュールケースと、該モジュールケース内に前記半導体装置を封止する封止樹脂層と、を備え、前記半導体装置は、前記基板を覆う本体と該本体から突出し前記モジュールケースの内面に当接する突起とからなる位置決め部を有し、前記封止樹脂層は、少なくとも前記本体と前記モジュールケースの内面との間にある樹脂封止モジュールの製造方法であって、内面に複数の凹部が形成された形成型に、前記位置決め部の形成用樹脂を注入してから前記基板を挿入し、前記形成用樹脂を硬化させて、前記位置決め部を形成するＡ工程と前記形成型から前記位置決め部を外すＢ工程と、前記モジュールケース内に封止樹脂および前記半導体装置を入れるＣ工程と、前記封止樹脂を硬化させ、封止樹脂層を形成するＤ工程と、を少なくとも備えたこと特徴とする。

前記形成型は軟質樹脂からなり、前記Ｂ工程では前記形成型を湾曲させて外すことを特徴とする。

また、本発明の樹脂封止モジュールは、半導体素子が実装された基板を有する半導体装置と、該半導体装置を収容するモジュールケースと、該モジュールケース内に前記半導体装置を封止する封止樹脂層と、を備えた樹脂封止モジュールであって、前記半導体装置は、前記基板を覆う本体と該本体から突出し前記モジュールケースの内面に当接する突起とからなる位置決め部を有し、前記封止樹脂層は、少なくとも前記本体と前記モジュールケースの内面との間にあることを特徴とする。

前記突起は、前記基板の一面に沿った方向、または前記一面に垂直な方向のうち少なくともいずれかに突出するように形成されていることを特徴とする。

前記位置決め部は、絶縁性樹脂からなることを特徴とする。

本発明の樹脂封止モジュールの製造方法によれば、モジュールケースに半導体装置を樹脂封止する工程において、位置決め部の突起とモジュールケースの内面が当接する位置まで半導体装置を挿入するだけで、半導体装置とモジュールケースとの間の絶縁性を保つために必要なクリアランスが確実に確保される。従って、半導体装置をモジュールケース内の所定の位置に保持しつつ樹脂液を硬化させるなど、手間の掛かる工程を経ることなく、絶縁性を高めた樹脂封止モジュールを得ることができる。

また、本発明の樹脂封止モジュールによれば、半導体装置には、絶縁性の位置決め部が形成されている。この位置決め部は、半導体装置の基板とモジュールケースとの間を、絶縁性が十分に確保できるクリアランス量だけ離間させる。よって、半導体装置とモジュールケースとの絶縁性を確実に確保できる。これにより、絶縁性を向上させた樹脂封止モジュールを提供することができる。

本発明の第一実施形態における樹脂封止モジュールを示す断面図である。 本発明の第一実施形態における樹脂封止モジュールを示す平面図である。 本発明の第二実施形態における樹脂封止モジュールを示す平面図である。 本発明の第三実施形態における樹脂封止モジュールを示す平面図である。 本発明の樹脂封止モジュールの製造方法を示す断面図である。 従来の樹脂封止モジュールの一例を示す断面図である。

以下、図面を参照して、本発明に係る樹脂封止モジュール、および樹脂封止モジュールの製造方法について説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

（樹脂封止モジュール：第一実施形態）
まず最初に、本発明の樹脂封止モジュールの製造方法によって得られる樹脂封止モジュールの構成を説明する。図１は、本発明の樹脂封止モジュールの一例を示す要部断面図である。また、図２は、基板の上側の封止樹脂層や基板に載置された各部を除いて、樹脂封止モジュールを上から見た時の平面図である。
樹脂封止モジュール２０は、金属製のモジュールケース２５と、モジュールケース２５に収容された半導体装置２４と、半導体装置２４をモジュールケース２５内に封止するための封止樹脂３７とから構成されている。

モジュールケース２５は、例えば、全体が金属によって一体成型され、内部に半導体装置２４を収容する。
半導体装置２４は、絶縁層２２が形成された基板２１と、絶縁層２２上に実装された半導体素子２３と、接続端子２９と、位置決め部３６とを備えている。

基板２１は、上から見た時に例えば四角形を成す平板状の部材である。基板２１の構成材料としては、金属基板、例えば、アルミニウム基板、銅基板、ステンレス基板などが挙げられる。

基板２１の一面２１ａ側に形成される絶縁層２２は、例えば、基板２１を構成する金属の酸化膜、あるいは樹脂膜などから構成されていればよい。
半導体素子２３は、例えば、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、あるいは集積回路などであればよい。
接続端子２９は、例えば、外部の電源装置などに電気的に接続されればよい。接続端子２９の一部は封止樹脂層３７から露出していればよい。

位置決め部３６は、基板２１を覆う本体３５と、この本体３５から突出しモジュールケース２５の内面２５ａに当接する複数の突起３４，３４…とから構成されている。これら本体３５および複数の突起３４，３４…は、硬質な絶縁性樹脂、例えば、エポキシ樹脂によって一体に構成されていればよい。

位置決め部３６の本体３５は、例えば、平板状の基板２１の厚み方向に沿った４つの側面２１ｂ、および底面２１ｃを覆っている。そして、突起３４，３４…のそれぞれは、基板２１の一面２１ａに沿った方向、または一面２１ａに垂直な方向にそれぞれ突出するように形成されている。具体的には、本体３５の４つの側面３５ａおよび底面３５ｂに形成されている。図２に示す実施形態によれば、突起３４は、本体３５のそれぞれの側面３５ａに２つずつ、また、底面３５ｂにも２つ形成されている。これら突起３４，３４…のそれぞれは、例えば、細長い直方体形状に形成されている。

これら突起３４，３４…のうち、底面３５ｂに形成される突起３４は、底面３５ｂの周縁の４辺のうち、互いに対向する２つの辺のいずれかを結ぶように形成されていればよい。
また、互いに対向する２組の辺の間をそれぞれ結んで、突起３４どうしが交差するように形成してもよい。

基板２１の４つの側面２１ｂ、および底面２１ｃは、突起３４の突出長さｐ１と本体３５の厚みｔ１によって、モジュールケース２５の内面２５ａに対して、それぞれ所定のクリアランスΔＧが保たれている。本実施形態では、クリアランスΔＧは、位置決め部３６の本体３５の厚みｔ１と、それぞれの突起３４の突出長さｐ１とを合計した長さに相当する。

クリアランスΔＧは、半導体装置２４を流れる電流量を勘案して、金属製の基板２１と金属製のモジュールケース２５との間が十分に絶縁されるように設定する。クリアランスΔＧは、本体３５の厚みｔ１や、突起３４の突出長さｐ１を変えることによって、任意の値にすることができる。

封止樹脂層３７は、少なくとも位置決め部３６の本体３５とモジュールケース２５の内面２５ａとの間に充填されている。更に、封止樹脂層３７は、半導体装置２４の上面側を覆っていることが好ましい。封止樹脂層３７は、絶縁性樹脂から構成され、例えば熱硬化性、紫外線硬化性などの特性を有していればよい。

以上のような構成の樹脂封止モジュール２０によれば、金属製の基板２１の４つの側面２１ｂおよび底面２１ｃは、絶縁性の位置決め部３６によって覆われる。この位置決め部３６は、金属製の基板２１と金属製のモジュールケース２５との間を、絶縁性が十分に確保できるクリアランスΔＧだけ離間させる。よって、金属製の基板２１と金属製のモジュールケース２５との間の絶縁性は十分に確保される。

また、収容ケース等に半導体装置を取り付ける場合、半導体装置をケース内で位置決めする位置決め部は、装置が取り付けられる側、即ちケースに備えられていることが一般的である。このため、金属で一体成型されるモジュールケース側に位置決め部を設けた場合、位置決め部は必然的に導電性の金属によって形成されることになる。しかし本発明では、半導体装置２４が位置決め部３６を備えることによって、位置決め部３６を樹脂等の絶縁材料から構成でき、半導体装置２４とモジュールケース２５との絶縁性を確保することが可能になる。よって、絶縁性を向上させた樹脂封止モジュールを提供することができる。

なお、本実施形態においては、全ての突起３４，３４…の先端が、モジュールケース２５の内面２５ａに接している。しかし、突起３４のいずれかの先端だけが内面２５ａに接するような構成であってもよく、限定されるものではない。

また、本実施形態においては、突起３４，３４…は、本体３５の４つの側面３５ａおよび底面３５ｂに、それぞれ２か所ずつ形成されているが、それぞれ１か所または３か所以上形成されていてもよい。また、突起３４，３４…の形成数は、それぞれの側面３５ａと底面３５ｂとで異なっていてもよい。また、突起３４，３４…は、本体３５の４つの側面３５ａおよび底面３５ｂに、全て形成される必要はなく、本体３５の任意の面に選択的に形成されていてもよい。

また、本実施形態においては、突起３４，３４…の突出長さｐ１は、全て同じに形成されているが、クリアランスΔＧが絶縁性を確保できる限りにおいて、モジュールケース２５の内面２５ａの形状に応じて、個々の突起３４，３４…の突出長さｐ１はそれぞれ任意の長さに形成されていてもよい。

以下、本発明の半導体装置における位置決め部の突起の形状例をいくつか列挙する。

（樹脂封止モジュール：第二実施形態）
本発明の樹脂封止モジュールの第二実施形態を図３に示す。図３は、基板の上側の封止樹脂層や基板に載置された各部を除いて、樹脂封止モジュールを上側から見た平面図である。なお、図１、２に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
この実施形態の樹脂封止モジュール４０は、半導体装置２４と、この半導体装置２４を収容するモジュールケース２５と、このモジュールケース２５内に半導体装置２４を封止する封止樹脂層３７と、を備えている。半導体装置２４は、位置決め部４６を有している。

位置決め部４６は、基板２１を覆う本体４５と、この本体４５から突出しモジュールケース２５の内面２５ａに当接する複数の突起４４，４４…とから構成されている。位置決め部４６の本体４５は、例えば、基板２１の厚み方向に沿った４つの側面２１ｂ、および底面２１ｃを覆っている。そして、突起４４，４４…のそれぞれは、基板２１の一面２１ａに沿った方向、または一面２１ａに垂直な方向に突出する半球状に形成されている。例えば、半球の中心が側面４５ａまたは底面４５ｂにあり半球の周面がモジュールケース２５の内面２５ａに向けて突出した形状となるように形成されている。

基板２１の４つの側面２１ｂ、および底面２１ｃは、突起４４の突出長さｐ１と本体４５の厚みｔ１によって、モジュールケース２５の内面２５ａに対して、それぞれ所定のクリアランスΔＧが保たれている。本実施形態では、このクリアランスΔＧは、位置決め部４６の本体４５の厚みｔ１と、半球状の突起４４の突出長さ（球の半径）ｐ１とを合計した長さに相当する。

また、本実施形態においては、突起４４，４４…の突出長さｐ１は、全て同じに形成されているが、クリアランスΔＧが絶縁性を確保できる限りにおいて、モジュールケース２５の内面２５ａの形状に応じて、個々の突起４４，４４…の突出長さｐ１はそれぞれ任意の長さに形成されていてもよい。

以上のような構成の樹脂封止モジュール４０によれば、金属製の基板２１の４つの側面２１ｂおよび底面２１ｃは、絶縁性の位置決め部４６によって覆われる。この位置決め部４６は、金属製の基板２１と金属製のモジュールケース２５との間を、絶縁性が十分に確保できるクリアランスΔＧだけ離間させる。よって、金属製の基板２１と金属製のモジュールケース２５との間の絶縁性は十分に確保される。よって、絶縁性を向上させた樹脂封止モジュールを提供することができる。

なお、本実施形態における突起４４，４４…は、半球状を成しているが、これ以外にも、例えば、中心がそれぞれ位置決め部の本体にあり、モジュールケースにむけて先端が突出するように形成された、楕円球状、三角錐状、四角錐状などに形成することもできる。

（樹脂封止モジュール：第三実施形態）
本発明の樹脂封止モジュールの第三実施形態を図４に示す。図４は、基板の上側の封止樹脂層や基板に載置された各部を除いて、樹脂封止モジュールを上側から見た平面図である。なお、図１、２に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
この実施形態の樹脂封止モジュール５０は、半導体装置２４と、この半導体装置２４を収容するモジュールケース２５と、このモジュールケース２５内に半導体装置２４を封止する封止樹脂層３７と、を備えている。半導体装置２４は、位置決め部５６を有している。

位置決め部５６は、半導体装置２４を構成する基板２１を覆う本体５５と、この本体５５から突出しモジュールケース２５の内面２５ａに当接する複数の突起５４，５４…とから構成されている。本体５５は、例えば、基板２１の厚み方向に沿った４つの側面２１ｂ、および底面２１ｃを覆っている。そして、突起５４，５４…のそれぞれは、基板２１の一面２１ａに沿った方向、または一面２１ａに垂直な方向に突出するように形成されている。

図４に示す実施形態によれば、突起５４は、本体５５のそれぞれの側面５５ａに２つずつ、また、底面５５ｂに２つ形成されている。これら突起５４，５４…は、例えば、断面が三角形であり、この三角形の１辺が側面５５ａまたは底面５５ｂに接した三角柱状となるように形成されている。

基板２１の４つの側面２１ｂ、および底面２１ｃは、突起５４の突出長さｐ１と本体５５の厚みｔ１によって、モジュールケース２５の内面２５ａに対して、それぞれ所定のクリアランスΔＧが保たれている。本実施形態では、このクリアランスΔＧは、位置決め部５６の本体５５の厚みｔ１と、断面三角形の突起５４の突出長さｐ１とを合計したものに相当する。

以上のような構成の樹脂封止モジュール５０によれば、金属製の基板２１の４つの側面２１ｂおよび底面２１ｃを、位置決め部５６によって覆うようにした。この位置決め部５６は、金属製の基板２１と金属製のモジュールケース２５との間を、絶縁性が十分に確保できるクリアランスΔＧだけ離間させる。よって、金属製の基板２１と金属製のモジュールケース２５との間の絶縁性は十分に確保される。よって、絶縁性を向上させた樹脂封止モジュールを提供することができる。

（樹脂封止モジュールの製造方法）
次に、本発明の樹脂封止モジュールの製造方法について説明する。なお、以下の実施形態では、図１，２に示した構成の樹脂封止モジュールの製造方法を例示する。図５は、本発明の樹脂封止モジュールの製造方法を段階的に示した断面図である。
まず、例えば、ポリプロピレンなど軟質樹脂からなる形成型３１を用意する（図５（ａ））。形成型３１は、基板２１の周囲に位置決め部３６を形成するための樹脂型である。基板２１の４つの側面２１ｂおよび底面２１ｃと、形成型３１の内面３１ａとのギャップは、位置決め部３６の本体３５の厚みｔ１に相当する（図１参照）。そして、形成型３１の内面３１ａには、位置決め部３６（図１参照）の突起５４，５４…の外形形状に対応した凹部３２が形成されている。

このような形成型３１の内面３１ａで囲まれた内側空間に、硬化前の樹脂液Ｐｒ１を流し込む。樹脂液Ｐｒ１は、位置決め部３６（図１参照）を構成する材料、例えば、絶縁性樹脂である。樹脂液Ｐｒ１の注入量は、この樹脂液Ｐｒ１に基板２１を挿入した際に、位置決め部５６の本体５５の厚みｔ１（図１参照）を確保しつつ、基板２１の４つの側面２１ｂおよび底面２１ｃを覆う程度であればよい。また、樹脂液Ｐｒ１が凹部３２の内部まで確実に浸入するように、形成型３１に超音波振動などを印加しつつ樹脂液Ｐｒ１を注入してもよい。

次に、樹脂液Ｐｒ１を注入した形成型３１に、半導体素子２３が実装された基板２１を、基板２１の一面２１ａが樹脂液Ｐｒ１の液面と略平行になるように挿入する（図５（ｂ））。この時、基板２１の４つの側面２１ｂおよび底面２１ｃと、形成型３１の内面３１ａとのギャップが、位置決め部３６（図１参照）の本体３５の厚みｔ１と同じになるように、形成型３１に対する基板２１の位置を調節する。そして、樹脂液Ｐｒ１を硬化させる（Ａ工程）。

樹脂液Ｐｒ１が熱硬化性樹脂の場合には、形成型３１に熱を加え、硬化温度以上になるように樹脂液Ｐｒ１を加熱して硬化させる。
なお、樹脂液Ｐｒ１として熱軟化性樹脂を用いることもできる。この場合、熱を加えて溶融させた樹脂液Ｐｒ１を形成型３１に流し込み、樹脂液Ｐｒ１に基板２１を挿入した後、樹脂液Ｐｒ１を冷却して硬化させればよい。
以上のＡ工程によって、基板２１の周囲に、樹脂液Ｐｒ１を硬化させた位置決め部３６が形成される。

次に、形成型３１から、得られた位置決め部３６を取り外す（図５（ｃ）：Ｂ工程）。形成型３１から位置決め部３６を取り外す際には、形成型３１の周囲を外方に向けて広げるように湾曲させる。そして、形成型３１を湾曲させたまま位置決め部３６を離型させる。このように、形成型３１を柔軟な樹脂から形成し、離型時に湾曲させることによって、凹部３２によって形成された突起３４が離型時に曲がったり、折れたりすることを防止できる。よって、微細な突起をもつ位置決め部３６を高精度に形成することもできる。
以上によって、基板２１の周囲に位置決め部３６を備えた半導体装置２４が得られる。

次に、モジュールケース２５の内面２５ａに硬化前の樹脂液Ｐｒ２を注入する（図５（ｄ））。この樹脂液Ｐｒ２は、封止樹脂層３７（図１参照）を構成する材料、例えば、絶縁性樹脂であればよい。樹脂液Ｐｒ２の注入量は、この樹脂液Ｐｒ２に半導体装置２４を挿入した際に、接続端子２９の一部を除いた半導体装置２４全体が樹脂液Ｐｒ２に覆われる程度であればよい。

次に、樹脂液Ｐｒ２を注入したモジュールケース２５に、半導体装置２４を挿入してから、基板２１の一面２１ａが樹脂液Ｐｒ２の液面と略平行になるようにする（図５（ｅ）：Ｃ工程）。この時、位置決め部３６の突起３４の先端がモジュールケース２５の内面２５ａに接する。そして、突起３４の先端がモジュールケース２５の内面２５ａに接した後は、それ以上、半導体装置２４がモジュールケース２５の内面２５ａに接近することがない。これによって、半導体装置２４の金属製の基板２１は、金属製のモジュールケース２５の内壁２５ａに対して、絶縁性を保つために必要なクリアランスΔＧを保った状態で位置決めされる。

次に、樹脂液Ｐｒ２を硬化させて、接続端子２９の一部を除いた半導体装置２４全体を覆う封止樹脂層３７を形成する（Ｄ工程）。樹脂液Ｐｒ２が熱硬化性樹脂の場合には、モジュールケース２５に熱を加え、硬化温度以上になるように樹脂液Ｐｒ２を加熱して硬化させる。
樹脂液Ｐｒ２が熱軟化性の場合、熱を加えて溶融させた樹脂液Ｐｒ２をモジュールケース２５に流し込み、樹脂液Ｐｒ２に半導体装置２４を挿入した後、樹脂液Ｐｒ２を冷却して硬化させればよい。

なお、上述したＣ工程では、モジュールケース２５に樹脂液Ｐｒ２を入れた後、この樹脂液Ｐｒ２に半導体装置２４を挿入している。しかしこれとは逆に、モジュールケース２５に半導体装置２４を載置した後、樹脂液Ｐｒ２を注入してもよい。この場合、位置決め部３６の本体３５とモジュールケース２５の内面２５ａとの間まで樹脂液Ｐｒ２を浸透させるために、モジュールケース２５に超音波振動などを印加しつつ樹脂液Ｐｒ２を注入してもよい。

また、Ａ工程において用いる、位置決め部３６を形成するための樹脂液Ｐｒ１と、Ｄ工程において用いる、封止樹脂層３７を形成するための樹脂液Ｐｒ２は、互いに同一の樹脂であっても、また互いに異なる樹脂であってもよく、限定されるものではない。

以上のような樹脂封止モジュールの製造方法によれば、モジュールケース２５内に、位置決め部３６を有する半導体装置２４を樹脂封止することによって、半導体装置２４とモジュールケース２５との絶縁性を確実に確保できる。位置決め部３６は、基板２１を覆う本体部３５に突起３４が形成されている。よって、樹脂液Ｐｒ２に対して、この突起３４とモジュールケース２５の内面２５ａが当接する位置まで半導体装置２４を挿入するだけで、金属製の基板２１と金属製のモジュールケース２５の内面２５ａとの間に、絶縁性を保つクリアランスΔＧが確実に確保される。従って、半導体装置をモジュールケース内の所定の位置に保持しつつ樹脂液を硬化させるなど、手間の掛かる工程を経ることなく、絶縁性が高められた樹脂封止モジュールを製造することができる。

２０，３０，４０，５０…樹脂封止モジュール、２１…基板、２５…モジュールケース、３４，４４，５４…突起、３５，４５，５５…本体、３６，４６，５６…位置決め部。

Claims (5)

1. 半導体素子が実装された基板を有する半導体装置と、該半導体装置を収容するモジュールケースと、該モジュールケース内に前記半導体装置を封止する封止樹脂層と、を備え、前記半導体装置は、前記基板を覆う本体と該本体から突出し前記モジュールケースの内面に当接する突起とからなる位置決め部を有し、前記封止樹脂層は、少なくとも前記本体と前記モジュールケースの内面との間にある樹脂封止モジュールの製造方法であって、
   内面に複数の凹部が形成された形成型に、前記位置決め部の形成用樹脂を注入してから前記基板を挿入し、前記形成用樹脂を硬化させて、前記位置決め部を形成するＡ工程と、
   前記形成型から前記位置決め部を外すＢ工程と、
   前記モジュールケース内に封止樹脂および前記半導体装置を入れるＣ工程と、
   前記封止樹脂を硬化させ、封止樹脂層を形成するＤ工程と、を少なくとも備えたこと特徴とする樹脂封止モジュールの製造方法。
2. 前記形成型は軟質樹脂からなり、前記Ｂ工程では前記形成型を湾曲させて外すことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止モジュールの製造方法。
3. 半導体素子が実装された基板を有する半導体装置と、該半導体装置を収容するモジュールケースと、該モジュールケース内に前記半導体装置を封止する封止樹脂層と、を備えた樹脂封止モジュールであって、
   前記半導体装置は、前記基板を覆う本体と該本体から突出し前記モジュールケースの内面に当接する突起とからなる位置決め部を有し、
   前記封止樹脂層は、少なくとも前記本体と前記モジュールケースの内面との間にあることを特徴とする樹脂封止モジュール。
4. 前記突起は、前記基板の一面に沿った方向、または前記一面に垂直な方向のうち少なくともいずれかに突出するように形成されていることを特徴とする請求項３記載の樹脂封止モジュール。
5. 前記位置決め部は、絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項３または４記載の樹脂封止モジュール。

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