CN111430249B - 一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电子加工的技术领域，更具体地，涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法：在第一刚性载板制作第一凹槽并在第一凹槽底部制作图案化突起，先将注塑材料平铺于第一凹槽中并升温融化，再将待封装芯片以倒装形式插入熔融态的注塑材料中，进行可控温度场式升温固化，得到塑封好的封装芯片；当需要实现特殊的封装结构、固化顺序，或者面对较厚的待封装芯片或粘度过高的注塑材料等情况或要求，可采用多次倒装方法，实现多材料、多次序的注塑固化。本发明结合可控温度场式升温及刚性载板的结构设计，可实现多层封装结构的可控固化成型，并调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，减少芯片漂移和翘曲。

Description

一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法

技术领域

本发明涉及电子加工的技术领域，更具体地，涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法。

背景技术

随着微电子封装技术的发展，芯片尺寸越来越小，晶体管数量越来越高，衍生出了大板级扇出型封装技术。大板级扇出型封装技术(Fan-Out Panel Level Packaging)是将芯片先用塑封材料进行封装，再通过金属再分布线层(RDL)等金属连接方式实现芯片I/O口的延伸。随着载板面积逐渐增大以及封装体厚度变薄，之前未知或影响不大的力影响到封装芯片的良率，这些力包括在塑封时注塑材料挤压芯片各表面的压力和注塑材料在固化时产生的收缩力，这些力分别会导致芯片的漂移和翘曲。而芯片的漂移会影响到芯片的电气性能，因为芯片发生漂移后其I/O也随之移位，再于原位置制作重布线层就会失效；芯片的翘曲会导致重布线层(RDL)结合强度下降、断裂等问题，对电荷载子迁移率产生不利影响。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，采用倒装式的注塑方式，或采用多材料、多次序的注塑固化方法封装芯片，结合可控温度场式升温及刚性载板的结构设计，调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，以减少芯片漂移和翘曲。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

提供一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，包括以下步骤：

S10.在第一刚性载板制作第一凹槽，将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层的第二刚性载板上；

S20.将注塑材料平铺于第一刚性载板的第一凹槽中，并升温至注塑材料的玻璃转变温度以上以融化注塑材料，在所述第一凹槽内形成水平液面；

S30.将安装有待封装芯片的第二刚性载板以待封装芯片朝下的方式向第一刚性载板移动使待封装芯片插入至熔融态注塑材料中，第二刚性载板盖合于第一刚性载板上方；

S40.保持第一刚性载板和第二刚性载板之间的压力并进行可控温度场式升温，使注塑材料逐层固化；

S50.待注塑材料完全固化后，拆除第一刚性载板、第二刚性载板及临时键合层，即得到塑封好的封装体。

本发明的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，将待封装芯片通过临时键合层固定，可有效抑制芯片在封装过程中发生漂移；采用可控温度场式升温固化，可调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，可抑制芯片的翘曲；用倒装式的注塑方式，先将注塑材料融化，再将待封装芯片放置于熔融态的注塑材料中进行固化，对表面的注塑材料的分子排布影响较小，能起到减少翘曲的作用。

优选地，步骤S10中，所述第一刚性载板的底部设有若干均匀分布的突起；所述第一刚性载板的底部可为平面、弧形凹面、弧形凸面或台阶状平面。

优选地，一部分所述突起设于待封装芯片的间隔处，一部分所述突起设于待封装芯片下方，一部分所述突起设于待封装芯片的电路连接点或凸点位置。

优选地，步骤S40中，所述可控温度场式升温用于实现塑封材料在非均匀温度分布下的逐次固化，所述非均匀温度分布包括：中心高温两侧低温、中间低温两侧高温、一侧高温另一侧低温、上部载板高温下部载板低温、下部载板高温上部载板低温、基于芯片分布的非均匀温度场分布。。

优选地，步骤S40中，可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板和/或第二刚性载板设置电热装置，通过控制第一刚性载板和/或第二刚性载板不同部位的热量输入调控温度场的分布。

优选地，所述电热装置为电阻丝、硅碳棒中的一种或两种的组合。

优选地，步骤S40中，可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板和/或第二刚性载板的旁侧放置热辐射源，在所述热辐射源背面放置反光镜，通过控制第一刚性载板和/或第二刚性载板不同部位的热量输入调控温度场的分布。

优选地，所述热辐射源为热灯、硅碳棒中的一种或两种的组合。

本发明还提供了另一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，包括以下步骤：

S10.在第三刚性载板制作具有封装体形状的第三凹槽，在第四刚性载板制作具有封装体形状的第四凹槽，所述第三凹槽的深度与第四凹槽的深度之和与封装体的高度相等；

S20.将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层的第五刚性载板上；

S30.将第三注塑材料平铺于第三刚性载板的第三凹槽中，并将第三刚性载板升温至第三注塑材料的玻璃转变温度以上，在所述第三凹槽内形成水平液面；

S40.将安装有待封装芯片的第五刚性载板以待封装芯片朝下的方式向第三刚性载板移动使待封装芯片插入至熔融态第三注塑材料中；

S50.保持第三刚性载板和第五刚性载板之间的压力并进行可控温度场式升温，使第三注塑材料逐层固化；

S60.待第三注塑材料完全固化后，撕除第五刚性载板及临时键合层，将第四注塑材料平铺于第四刚性载板的第四凹槽中，并将第四刚性载板升温至第四注塑材料的玻璃转变温度，在所述第四凹槽内形成水平液面；

S70.将第三刚性载板以待封装芯片朝下的方式向第四刚性载板移动，使待封装芯片插入至熔融态第四注塑材料中；

S80.保持第三刚性载板和第四刚性载板之间的压力并进行可控温度场式升温，使第四注塑材料逐层固化；

S90.待第四注塑材料完全固化后，拆除第三刚性载板、第五刚性载板，即得到塑封好的封装体。

本发明的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，适用于需要实现特殊的固化顺序、或者待封装芯片较厚或注塑材料粘度过高的场合，采用多材料、多次序的注塑固化方法，可调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，实现减少翘曲的目的。

本发明还提供了一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，包括以下步骤：

S10.在第六刚性载板制作具有封装体形状的第六凹槽，所述第六凹槽的深度与待封装芯片的高度相等；将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层的第七刚性载板上；

S20.将第五注塑材料平铺于所述第六凹槽中，并将第六刚性载板升温至第五注塑材料的玻璃转变温度以上，在所述第六凹槽内形成高度低于第六刚性载板上表面的水平液面；

S30.将安装有待封装芯片的第七刚性载板以待封装芯片朝下的方式向第六刚性载板移动使待封装芯片插入至熔融态第五注塑材料中；

S40.保持第六刚性载板和第七刚性载板之间的压力并进行可控温度场式升温，使第五注塑材料逐层固化；

S50.待第五注塑材料完全固化后，撕除第七刚性载板及临时键合层，向第六凹槽填充第六注塑材料直至注满第六凹槽；

S60.重新用第七刚性载板压紧封装体进行可控温度场式升温，使得第六注塑材料逐层固化；

S70.待第六注塑材料完全固化后，拆除第六刚性载板、第七刚性载板，即得到塑封好的封装体。

本发明的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，适用于需要实现特殊的固化顺序、或者待封装芯片较厚或注塑材料粘度过高的场合，采用多材料、多次序的注塑固化方法，可调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，实现减少翘曲的目的。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明将待封装芯片通过临时键合层固定，采用可控温度场式升温固化，可调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，从而抑制芯片的漂移与翘曲；

本发明将第一刚性载板底部第一凹槽设计为弧形凹面、弧形凸面或台阶状平面，以调控注塑层内的注塑材料流动与应力分布，利于减少翘曲；在第一凹槽底部设置突起，注塑后可直接暴露芯片的I/O口，可减少激光等方式开口的步骤；

本发明可根据芯片厚度或注塑材料粘度衍生出多材料、多次序的注塑固化方法，可以调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，实现减少翘曲的目的。

附图说明

图1为实施例一中的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法的示意图；

图2为实施例一中第一刚性载板的结构示意图；

图3为实施例二中的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法的示意图；

图4为实施例三中的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法的示意图；

图5为抑制芯片漂移与翘曲的封装方法应用的反光镜的结构示意图；

图6为抑制芯片漂移与翘曲的封装方法中温度场分布示意图；

图7为具有环状凹面及倾斜凹面的反光镜的结构示意图；

附图中：1-第一刚性载板；2-第一凹槽；3-第二刚性载板；4-临时键合层；5-通孔；6-热辐射源；7-反光镜；8-第三刚性载板；9-第四刚性载板；10-第五刚性载板；11-第六刚性载板；12-第七刚性载板；13-待封装芯片。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。

实施例一

如图1所示为本发明的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法的第一实施例，包括以下步骤：

S10.在第一刚性载板1制作第一凹槽2，将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层4的第二刚性载板3上；

S20.将注塑材料平铺于第一刚性载板1的第一凹槽2中，并升温至注塑材料的玻璃转变温度以上以融化注塑材料，在所述第一凹槽2内形成水平液面；

S30.将安装有待封装芯片的第二刚性载板3以待封装芯片朝下的方式向第一刚性载板1移动使待封装芯片插入至熔融态注塑材料中，第二刚性载板3盖合于第一刚性载板1上方；

S40.保持第一刚性载板1和第二刚性载板3之间的压力并进行可控温度场式升温，使注塑材料逐层固化；

S50.待注塑材料完全固化后，拆除第一刚性载板1、第二刚性载板3及临时键合层4，即得到塑封好的封装体。

本实施例采用的是倒装式的注塑方式，先将注塑材料融化，再将待封装芯片13放置于熔融态的注塑材料中进行固化，芯片的厚度较薄呈平面状，对表面的注塑材料的分子排布影响也较小，能起到减少翘曲的作用。

所述第一刚性载板1的底部设有若干均匀分布的突起：一部分突起的位置在待封装芯片13间隔处，用于防止注塑材料横向流动和固化过程中引起的芯片漂移；一部分突起的位置在芯片下方，用于顶住芯片，防止芯片在注塑和固化过程中的漂移；一部分突起的位置在芯片的电路连接点或凸点位置，用作后续的电路填充通道；所述第一刚性载板12的底部可为平面、弧形凹面、弧形凸面或台阶状平面，弧形凹面或弧形凸面可调控注塑层内的注塑材料流动与应力分布，有益于减少芯片翘曲。当待封装芯片13组的芯片具有不同形状、高度或非均匀分布时，第一刚性载板1底部可根据芯片特点分布设计成台阶状平面。第一刚性载板1的结构特征可如图2所示。

步骤S20中，所述水平液面高度平齐于第一刚性载板1的上表面；或在注塑材料粘度和表面张力可控范围内，水平液面高度高于第一刚性载板1的上表面。在水平液面略高于第一刚性载板1的上表面时，由于在注塑材料粘度和表面张力可控范围内，注塑材料不会溢出。

步骤S40中，可控温度场式升温用于实现塑封材料在非均匀温度分布下的逐次固化，具体温度分布包含但不限于：中心高温两侧低温、中间低温两侧高温、一侧高温另一侧低温、上部载板高温下部载板低温、下部载板高温上部载板低温、基于芯片分布的非均匀温度场分布等方式，如图6所示。

步骤S50中，为保护芯片，在拆除第一刚性载板1、第二刚性载板3及临时键合层4后，可在芯片裸露的表面涂覆保护层。但需要说明的是，保护层的设置是为了保护芯片而做出的优选，并不作为限制性规定。可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板1和/或第二刚性载板3内部嵌置或表面设置电热装置，通过控制第一刚性载板和/或第二刚性载板不同部位的热量输入调控温度场的分布。其中，电热装置可为电阻丝、硅碳棒中的一种或两种的组合，但电热装置列出的种类并不作为本发明限制性的规定。

另外，可控温度场式升温的实现方法还可为：在第一刚性载板1和/或第二刚性载板3的旁侧放置热辐射源6，在所述热辐射源6背面放置反光镜7，通过控制不同部位的热量输入调控温度场的分布。其中，热辐射源为热灯、硅碳棒中的一种或两种的组合，但热辐射源列出的种类并不作为本发明限制性的规定。具体地，本实施例可使用具有凹面反光镜7，以实现中心高温两侧低温、中间低温两侧高温、一侧高温另一侧低温、及更复杂的温度场分布，如图6所示；但需要说明的是，本实施例的反光镜不限于采用具有凹面的反光镜，还可采用具有环状凹面、倾斜凹面或者其他复杂形状的反光镜7，其中，具有环状凹面及倾斜凹面的反光镜7的结构如图7所示。

经过以上步骤，采用的是倒装式的注塑方式，先将注塑材料融化，再将待封装芯片13放置于熔融态的注塑材料中进行固化，对表面的注塑材料的分子排布影响较小，能起到减少翘曲和漂移的作用。

实施例二

如图3所示为本发明的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法的第二实施例，当需要实现特殊的固化顺序，或者待封装芯片13较厚或注塑材料粘度过高，以至于待封装芯片13无法完全插入熔融态注塑材料时，可以采用多次注塑封装的方法，包括以下步骤：

S10.在第三刚性载板8制作具有封装体形状的第三凹槽，在第四刚性载板9制作具有封装体形状的第四凹槽，所述第三凹槽的深度与第四凹槽的深度之和与封装体的高度相等；

S20.将待封装芯片13按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层4的第五刚性载板10上；

S30.将第三注塑材料平铺于第三刚性载板8的第三凹槽中，并将第三刚性载板8升温至第三注塑材料的玻璃转变温度以上，在所述第三凹槽内形成水平液面；液面高度近似平齐于第三刚性载板8的上表面，或者在第三注塑材料粘度和表面张力的可控范围内，使液面略高于第三刚性载板8的上表面，但不会溢出；

S40.将安装有待封装芯片13的第五刚性载板10以待封装芯片13朝下的方式向第三刚性载板8移动使待封装芯片13插入至熔融态第三注塑材料中；

S50.保持第三刚性载板8和第五刚性载板10之间的压力并进行可控温度场式升温，使第三注塑材料逐层固化；期间，可对第三刚性载板8或第五刚性载板10施加震动或超声波，促进注塑层应力弛豫与未固化注塑材料的流动；

S60.待第三注塑材料完全固化后，撕除第五刚性载板10及临时键合层4，将第四注塑材料平铺于第四刚性载板9的第四凹槽中，并将第四刚性载板9升温至第四注塑材料的玻璃转变温度，在所述第四凹槽内形成水平液面；液面高度近似平齐于第四刚性载板9的上表面，或者在第四注塑材料粘度和表面张力的可控范围内，使液面略高于第四刚性载板9的上表面，但不会溢出；

S70.将第三刚性载板8以待封装芯片13朝下的方式向第四刚性载板9移动，使待封装芯片13插入至熔融态第四注塑材料中；

S80.保持第三刚性载板8和第四刚性载板9之间的压力并进行可控温度场式升温，使第四注塑材料逐层固化；期间，可对第三刚性载板8或第四刚性载板9施加震动或超声波，促进注塑层应力弛豫与未固化注塑材料的流动；

S90.待第四注塑材料完全固化后，拆除第三刚性载板8、第五刚性载板10，即得到塑封好的封装体。

本实施例中第三注塑材料、第四注塑材料可为同种材料，也可为不同种材料。

经过以上步骤，利用芯片通过临时键合层4固定于刚性载板后倒装于注塑材料中进行可控温度场式升温固化，并根据芯片厚度或注塑材料粘度衍生出多材料、多次序的注塑固化方法，可以调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，实现减少翘曲的目的。

实施例三

如图4所示为本发明的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法的第三实施例，当需要实现特殊的固化顺序，或者芯片较厚或注塑材料粘度过高，以至于芯片无法完全插入熔融态注塑材料时，也可以采用多次注塑封装的方法；当所需最终封装体高度与芯片高度一致时，抑制芯片漂移与翘曲的封装方法包括以下步骤：

S10.在第六刚性载板11制作具有封装体形状的第六凹槽，所述第六凹槽的深度与待封装芯片13的高度相等；将待封装芯片13按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层4的第七刚性载板12上；

S20.将第五注塑材料平铺于所述第六凹槽中，并将第六刚性载板11升温至第五注塑材料的玻璃转变温度以上，在所述第六凹槽内形成高度低于第六刚性载板11上表面的水平液面；

S30.将安装有待封装芯片13的第七刚性载板12以待封装芯片13朝下的方式向第六刚性载板11移动使待封装芯片13插入至熔融态第五注塑材料中；

S40.保持第六刚性载板11和第七刚性载板12之间的压力并进行可控温度场式升温，使第五注塑材料逐层固化；期间，可对第六刚性载板11或第七刚性载板12施加震动或超声波，促进注塑层应力弛豫与未固化注塑材料的流动；

S50.待第五注塑材料完全固化后，撕除第七刚性载板12及临时键合层4，向第六凹槽填充第六注塑材料直至注满第六凹槽；

S60.重新用第七刚性载板12压紧封装体进行可控温度场式升温，使得第六注塑材料逐层固化；期间，可对第六刚性载板11或第七刚性载板12施加震动或超声波，促进注塑层应力弛豫与未固化注塑材料的流动；

S70.待第六注塑材料完全固化后，拆除第六刚性载板11、第七刚性载板12，即得到塑封好的封装体。

步骤S70中，为保护芯片，在拆除第六刚性载板11、第七刚性载板12及临时键合层4后，可在芯片裸露的表面涂覆保护层。但需要说明的是，保护层的设置是为了保护芯片而做出的优选，并不作为限制性规定。

本实施例中第五注塑材料、第六注塑材料可为同种材料，也可为不同种材料。

经过以上步骤，利用芯片通过临时键合层4固定于刚性载板后倒装于注塑材料中进行可控温度场式升温固化，并根据芯片厚度或注塑材料粘度衍生出多材料、多次序的注塑固化方法，可以调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，实现减少翘曲的目的。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10.在第一刚性载板(1)制作第一凹槽(2)，将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层(4)的第二刚性载板(3)上；

S20.将注塑材料平铺于第一刚性载板(1)的第一凹槽(2)中，并升温至注塑材料的玻璃转变温度以上以融化注塑材料，在所述第一凹槽(2)内形成水平液面；

S30.将安装有待封装芯片的第二刚性载板(3)以待封装芯片朝下的方式向第一刚性载板(1)移动使待封装芯片插入至熔融态注塑材料中，第二刚性载板(3)盖合于第一刚性载板(1)上方；

S40.保持第一刚性载板(1)和第二刚性载板(3)之间的压力并进行可控温度场式升温，使注塑材料逐层固化；

S50.待注塑材料完全固化后，拆除第一刚性载板(1)、第二刚性载板(3)及临时键合层(4)，即得到塑封好的封装体；

步骤S10中，所述第一刚性载板(1)的底部设有若干均匀分布的突起；

一部分所述突起设于待封装芯片的间隔处，一部分所述突起设于待封装芯片下方，一部分所述突起设于待封装芯片的电路连接点或凸点位置。

2.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述第一刚性载板(1)的底部可为平面、弧形凹面、弧形凸面或台阶状平面。

3.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S40中，所述可控温度场式升温用于实现塑封材料在非均匀温度分布下的逐次固化，所述非均匀温度分布包括：中心高温两侧低温、中间低温两侧高温、一侧高温另一侧低温、上部载板高温下部载板低温、下部载板高温上部载板低温、基于芯片分布的非均匀温度场分布。

4.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S40中，可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)设置电热装置，通过控制第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)不同部位的热量输入调控温度场的分布。

5.根据权利要求4所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述电热装置为电阻丝、硅碳棒中的一种或两种的组合。

6.根据权利要求1所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，步骤S40中，可控温度场式升温的实现方法为：在第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)的旁侧放置热辐射源(6)，在所述热辐射源(6)背面放置反光镜(7)，通过控制第一刚性载板(1)和/或第二刚性载板(3)不同部位的热量输入调控温度场的分布。

7.根据权利要求6所述的抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，所述热辐射源为热灯、硅碳棒中的一种或两种的组合。

8.一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10.在第三刚性载板(8)制作具有封装体形状的第三凹槽，在第四刚性载板(9)制作具有封装体形状的第四凹槽，所述第三凹槽的深度与第四凹槽的深度之和与封装体的高度相等；

S20.将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层(4)的第五刚性载板(10)上；

S30.将第三注塑材料平铺于第三刚性载板(8)的第三凹槽中，并将第三刚性载板(8)升温至第三注塑材料的玻璃转变温度以上，在所述第三凹槽内形成水平液面；

S40.将安装有待封装芯片的第五刚性载板(10)以待封装芯片朝下的方式向第三刚性载板(8)移动使待封装芯片插入至熔融态第三注塑材料中；

S50.保持第三刚性载板(8)和第五刚性载板(10)之间的压力并进行可控温度场式升温，使第三注塑材料逐层固化；

S60.待第三注塑材料完全固化后，撕除第五刚性载板(10)及临时键合层(4)，将第四注塑材料平铺于第四刚性载板(9)的第四凹槽中，并将第四刚性载板(9)升温至第四注塑材料的玻璃转变温度，在所述第四凹槽内形成水平液面；

S70.将第三刚性载板(8)以待封装芯片朝下的方式向第四刚性载板(9)移动，使待封装芯片插入至熔融态第四注塑材料中；

S80.保持第三刚性载板(8)和第四刚性载板(9)之间的压力并进行可控温度场式升温，使第四注塑材料逐层固化；

S90.待第四注塑材料完全固化后，拆除第三刚性载板(8)、第五刚性载板(10)，即得到塑封好的封装体。

9.一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10.在第六刚性载板(11)制作具有封装体形状的第六凹槽，所述第六凹槽的深度与待封装芯片的高度相等；将待封装芯片按照所需间隔和位置安装于覆盖有临时键合层(4)的第七刚性载板(12)上；

S20.将第五注塑材料平铺于所述第六凹槽中，并将第六刚性载板(11)升温至第五注塑材料的玻璃转变温度以上，在所述第六凹槽内形成高度低于第六刚性载板(11)上表面的水平液面；

S30.将安装有待封装芯片的第七刚性载板(12)以待封装芯片朝下的方式向第六刚性载板(11)移动使待封装芯片插入至熔融态第五注塑材料中；

S40.保持第六刚性载板(11)和第七刚性载板(12)之间的压力并进行可控温度场式升温，使第五注塑材料逐层固化；

S50.待第五注塑材料完全固化后，撕除第七刚性载板(12)及临时键合层(4)，向第六凹槽填充第六注塑材料直至注满第六凹槽；

S60.重新用第七刚性载板(12)压紧封装体进行可控温度场式升温，使得第六注塑材料逐层固化；

S70.待第六注塑材料完全固化后，拆除第六刚性载板(11)、第七刚性载板(12)，即得到塑封好的封装体。

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