JP5970081B2 - 光学用途及び他の用途のための、単結晶シリコン及び/または他の材料を用いて形成された構造体 - Google Patents
光学用途及び他の用途のための、単結晶シリコン及び/または他の材料を用いて形成された構造体 Download PDFInfo
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Description
‐米国特許仮出願第61/585,217号(出願日2012年1月10日、出願人V. Kosenko et al.、引用を以って本明細書の一部となす)
‐米国特許出願第13/362,898号(出願日2012年1月31日、引用を以って本明細書の一部となす)
‐米国特許出願第13/454,713号(出願日2012年4月24日、引用を以って本明細書の一部となす)。
1つ以上のトランスデューサに結合されることになる導波路を支持するための複数のチャネルを第2の層において画定するべく、半導体材料からなる第1の層の上にマスク(例えば810)を形成するステップと、
Claims (23)
- 単結晶シリコン領域を含む基板であって、
前記領域が、
前記単結晶シリコンの或る結晶面である第1の表面と、
前記単結晶シリコンの別の結晶面である第2の表面とを含み、
前記第1及び第2の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度であり、
前記第2の表面が、電磁波の経路上に配置された第1のリフレクタであり、
前記経路が、前記第1の表面に対して平行な第1の区間及び前記第1の表面を通過する第2の区間を有し、
前記第1及び第2の区間が、前記第1のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板が、前記第2の表面と対向して配された第3の表面をさらに含み、
前記第1及び第3の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度であり、
前記第3の表面が第2のリフレクタであり、前記経路が、前記第1の表面を通過する第3の区間を有し、前記第1及び第3の区間が前記第2のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板を含む構造体が、
前記経路の前記第2の区間と接続するように配置された、前記電磁波を前記経路へ送るための第1のトランスデューサと、
前記経路の前記第3の区間と接続するように配置された、前記経路から前記電磁波を受け取るための第2のトランスデューサとを更に含むことを特徴とする基板。 - 前記角度が135°であることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 前記第1の表面が、前記単結晶シリコンの{100}面であり、
前記第2の表面が、前記単結晶シリコンの{110}面であることを特徴とする請求項2に記載の基板。 - 前記基板が、前記第1の表面の少なくとも一部分を含む表面を有するメンブレンを含み、
前記経路が、前記メンブレンの変形の有無に依存し、前記第2のトランスデューサが、前記メンブレンの変形及び/または変位及び/または振動に応答して信号を発生させるために構成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板。 - 前記第1のトランスデューサが、前記基板に接合されていることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 前記電磁波が、10nm〜300μmの波長範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 基板を含む構造体であって、
前記基板が、単結晶シリコン領域を含む基板であって、
前記領域が、
前記単結晶シリコンの或る結晶面である第1の表面と、
前記単結晶シリコンの別の結晶面である第2の表面とを含み、
前記第1及び第2の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度であり、
前記第2の表面が、電磁波の経路上に配置された第1のリフレクタであり、
前記経路が、前記第1の表面に対して平行な第1の区間及び前記第1の表面を通過する第2の区間を有し、
前記第1及び第2の区間が、前記第1のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板が、前記第1の表面の少なくとも一部分を含む表面を有するメンブレンを含み、
前記構造体が、前記メンブレンの状態を感知するために前記メンブレンに結合されたデバイスをさらに含むことを特徴とする構造体。 - 前記メンブレンの状態が、所定のパラメータ群のうちの1以上のパラメータに依存し、
各パラメータが、前記メンブレンの少なくとも一部分に関連するパラメータであり、
前記パラメータ群が、温度、電気伝導率、電気抵抗、位置、振動、変形、変位、歪み、圧力、反射率、及び屈折率からなることを特徴とする請求項7に記載の構造体。 - 基板を含む構造体であって、
前記基板が、単結晶シリコン領域を含む基板であって、
前記領域が、
前記単結晶シリコンの或る結晶面である第1の表面と、
前記単結晶シリコンの別の結晶面である第2の表面とを含み、
前記第1及び第2の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度であり、
前記第2の表面が、電磁波の経路上に配置された第1のリフレクタであり、
前記経路が、前記第1の表面に対して平行な第1の区間及び前記第1の表面を通過する第2の区間を有し、
前記第1及び第2の区間が、前記第1のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板が、前記第1の表面の少なくとも一部分を含む表面を有するメンブレンを含み、
前記構造体が、前記メンブレンの状態を変更するために前記メンブレンに結合されたデバイスをさらに含むことを特徴とする構造体。 - 前記デバイスが、前記メンブレンの温度及び/または配置を変更するためのものであることを特徴とする請求項9に記載の構造体。
- 基板を含む構造体であって、
前記基板が、単結晶シリコン領域を含む基板であって、
前記領域が、
前記単結晶シリコンの或る結晶面である第1の表面と、
前記単結晶シリコンの別の結晶面である第2の表面とを含み、
前記第1及び第2の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度であり、
前記第2の表面が、電磁波の経路上に配置された第1のリフレクタであり、
前記経路が、前記第1の表面に対して平行な第1の区間及び前記第1の表面を通過する第2の区間を有し、
前記第1及び第2の区間が、前記第1のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板が、前記第1の表面の少なくとも一部分を含む表面を有するメンブレンを含み、
前記構造体が、前記メンブレンに結合された、前記第1の表面において前記メンブレンに接触している物質の温度及び前記基板におけるキャビティの容積のうちの少なくとも一方を変更するためのデバイスをさらに含み、かつ
前記キャビティの表面が、前記第1の表面の少なくとも一部分及び前記第2の表面の少なくとも一部分を含むことを特徴とする構造体。 - 基板を製造する方法であって、
単結晶シリコン領域を含む基板を得るステップであって、前記領域が、前記単結晶シリコンの或る結晶面である上面を含む、該ステップと、
前記上面において、前記領域の前記上面に平行な第1の表面を有するビアを形成するステップであって、前記ビアは第2の表面を有し、前記第1及び第2の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度である、該ステップとを含み、
前記第2の表面が、電磁波の経路上に配置された第1のリフレクタであり、
前記経路が、前記第1の表面に対して平行な第1の区間及び前記第1の表面を通過する第2の区間を有し、
前記第1及び第2の区間が、前記第1のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板が、前記第2の表面と対向して配された第3の表面をさらに含み、
前記第1及び第3の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度であり、
前記第3の表面が第2のリフレクタであり、前記経路が、前記第1の表面を通過する第3の区間を有し、前記第1及び第3の区間が前記第2のリフレクタにおいて交差しており、
前記方法が更に、
前記基板を含む構造体が、前記経路の前記第2の区間と接続するように、前記電磁波を前記経路へ送るための第1のトランスデューサを配置するステップと、
前記基板を含む構造体が、前記経路の前記第3の区間と接続するように、前記経路から前記電磁波を受け取るための第2のトランスデューサを配置するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記角度が135°であることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記第1の表面が、前記単結晶シリコンの{100}面であり、
前記第2の表面が、前記単結晶シリコンの{110}面であることを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記ビアがウェットエッチングにより形成されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記基板が、前記第1の表面の少なくとも一部分を含む表面を有するメンブレンを含み、
前記経路が、前記メンブレンの変形の有無に依存し、前記第2のトランスデューサが、前記メンブレンの変形及び/または変位及び/または振動に応答して信号を発生させるために構成されていることを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記第1のトランスデューサが、前記基板に接合されていることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記電磁波が、10nm〜300μmの波長範囲内にあることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 基板を製造する方法であって、
単結晶シリコン領域を含む基板を得るステップであって、前記領域が、前記単結晶シリコンの或る結晶面である上面を含む、該ステップと、
前記上面において、前記領域の前記上面に平行な第1の表面を有するビアを形成するステップであって、前記ビアは第2の表面を有し、前記第1及び第2の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度である、該ステップとを含み、
前記第2の表面が、電磁波の経路上に配置された第1のリフレクタであり、
前記経路が、前記第1の表面に対して平行な第1の区間及び前記第1の表面を通過する第2の区間を有し、
前記第1及び第2の区間が、前記第1のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板が、前記第1の表面の少なくとも一部分を含む表面を有するメンブレンを含み、
前記方法が更に、
前記メンブレンの状態を感知するためにデバイスを前記メンブレンに結合するステップを含むことを特徴とする方法。 - 前記メンブレンの状態が、所定のパラメータ群のうちの1以上のパラメータに依存し、
各パラメータが、前記メンブレンの少なくとも一部分に関連するパラメータであり、
前記パラメータ群が、温度、電気伝導率、電気抵抗、位置、振動、変形、変位、歪み、圧力、反射率、及び屈折率からなることを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 基板を製造する方法であって、
単結晶シリコン領域を含む基板を得るステップであって、前記領域が、前記単結晶シリコンの或る結晶面である上面を含む、該ステップと、
前記上面において、前記領域の前記上面に平行な第1の表面を有するビアを形成するステップであって、前記ビアは第2の表面を有し、前記第1及び第2の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度である、該ステップとを含み、
前記第2の表面が、電磁波の経路上に配置された第1のリフレクタであり、
前記経路が、前記第1の表面に対して平行な第1の区間及び前記第1の表面を通過する第2の区間を有し、
前記第1及び第2の区間が、前記第1のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板が、前記第1の表面の少なくとも一部分を含む表面を有するメンブレンを含み、
前記方法が更に、
前記メンブレンの状態を変更するためのデバイスを前記メンブレンに結合するステップを含むことを特徴とする方法。 - 前記デバイスが、前記メンブレンの温度及び/または配置を変更するためのものであることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 基板を製造する方法であって、
単結晶シリコン領域を含む基板を得るステップであって、前記領域が、前記単結晶シリコンの或る結晶面である上面を含む、該ステップと、
前記上面において、前記領域の前記上面に平行な第1の表面を有するビアを形成するステップであって、前記ビアは第2の表面を有し、前記第1及び第2の表面が、互いに対して135°または125.3°の角度をなして交差しており、前記角度が、前記単結晶シリコンが存在する部分において測定される角度である、該ステップとを含み、
前記第2の表面が、電磁波の経路上に配置された第1のリフレクタであり、
前記経路が、前記第1の表面に対して平行な第1の区間及び前記第1の表面を通過する第2の区間を有し、
前記第1及び第2の区間が、前記第1のリフレクタにおいて交差しており、
前記基板が、前記第1の表面の少なくとも一部分を含む表面を有するメンブレンを含み、
前記方法が更に、
前記第1の表面において前記メンブレンに接触している物質の温度及び前記基板におけるキャビティの容積のうちの少なくとも一方を変更するためのデバイスを前記メンブレンに結合するステップを含み、かつ
前記キャビティの表面が、前記第1の表面の少なくとも一部分及び前記第2の表面の少なくとも一部分を含むことを特徴とする方法。
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