JP5957185B2 - 光電変換素子および太陽電池 - Google Patents
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Description
Cu(In,Ga)Se2光電変換素子ではn型半導体層としてCdSが用いられており、CBMの値はほぼ等しいが、Ga濃度の増大に伴い、n型半導体層のCBMの値よりもp型半導体層(光吸収層)のCBMの値が小さくなり、フェルミ準位の位置が最適化された際の開放電圧の最大値を下げてしまう。これは主に、光照射量が少ない時の開放電圧値に顕著である。加えて、n型半導体層のCdS中のCdは人体に悪影響を及ぼす恐れがあることから代替材料が望まれている。
また、他の実施形態の太陽電池は、前記実施形態の光電変換素子を用いてなる。
(光電変換素子)
図1の本実施形態に係る光電変換素子は、ソーダライムガラス1と、ソーダライムガラス1上に形成された下部電極2と、下部電極2上に形成されたp型光吸収層3と、p型光吸収層3上に形成されたn型半導体層4と、n型半導体層4上に形成された半絶縁層5と、半絶縁層5上に形成された透明電極6と、透明電極6上に形成された上部電極7と反射防止膜8と、を備える薄膜型光電変換素子である。実施形態において、図1の構成の光電変換素子を例に説明するが、下部電極2と上部電極7間にp型光吸収層3と、p型光吸収層3上にn型半導体層4が形成されていれば、他の構成については、特に限定するものではない。
これら望ましい元素は、CBMの位置が高い、すなわち、エネルギーが小さければ、Te、Ga、Sが比較的多い化合物が有利である。
そこで、実施形態では、Zn1−yMyO1−xSx、Zn1−y−zMgzMyO(MはB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素)又はキャリア濃度を制御したn型のGaPのいずれかが好ましい。
光電変換素子のn型半導体層4として、ZnO1−xSxやZn1−zMgzOが従来、CBMを調整することのできるn型半導体層として知られている。しかし、OやSの欠陥や、化学量論比のずれにより、キャリアが導入されるだけで、開放電圧を上げるという目的にかなう程度にフェルミ準位の制御をすることは困難である。また、欠陥を利用したキャリアドープには結晶性の低下の問題がある。そこで上記のZnO1−xSxやZn1−zMgzOのZnをB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる1種以上の元素(キャリア)で部分置換したことによりフェルミ準位を調節し開放電圧を上げた。
p型光吸収層3のCBMの位置Ecp(eV)、n型半導体層のCBMの位置Ecn(eV)は材料系によって異なり、pn接合を作製した際に整流性の出るもの、出ないものは、仕事関数、活性化ギャップの大きさから判断が可能となる。pn接合を作製する際は、図2に示すように光電変換素子として用いる場合、一般的にp、n層のバンドギャップの大きさは1eVを超えているためp、n層間の伝導帯下端の位置(CBM)の差ΔEc(=|Ecp−Ecn|)がバンドギャップの小さい層の半分以上であれば実施形態の効果を確認することが出来る(バンドギャップが1.0eVの際、ΔEcは0.5eV以内が望ましい)。望ましくは、ΔEcが0.3eV以内であり、究極的にはホモ接合のようにΔEc=0.0、現実的にはΔEcが0.1eV以内に収まることがより望ましい。
本実施形態では、まず、基板1上に下部電極2を形成する。下部電極2は、Mo等の導電性材料から構成される金属層である。下部電極2の形成方法としては、例えば、金属Moよりなるターゲットを用いたスパッタリング等の薄膜形成方法が挙げられる。
基板1上に下部電極2を形成した後、p型光吸収層3を下部電極2上に形成する。p型光吸収層3の形成方法としては、スパッタリング、蒸着法等の薄膜形成方法が挙げられる。
スパッタリングを用いる方法では、Arを含む雰囲気中、基板温度を10〜400℃とすることが好ましく、さらには250〜350℃で行うことがより好ましい。基板1の温度が低すぎる場合、形成されるp型光吸収層3の結晶性が悪くなり、逆にその温度が高すぎる場合、p型光吸収層3の結晶粒が大きくなりすぎ、光電変換素子の変換効率を下げる要因となりうる。p型光吸収層3を成膜後、結晶粒成長をコントロールするためにアニールを行うのも良い。
n型半導体層4をスパッタリングで形成する場合、基板温度は10〜300℃とすることが好ましく、200〜250℃で行うことがより好ましい。基板温度が低すぎると形成されるn型半導体層4の結晶性が悪くなり、逆にその温度が高すぎると目的とする結晶構造の材料が得られないため、目的のn型半導体層4を形成することが難しくなる。
n型半導体層4を形成した後、n型半導体層4上にリーク電流を抑えるための半絶縁層5を形成し、半絶縁層5上に透明電極6を形成し、透明電極6上に上部電極7を形成する。上部電極7上には反射防止膜8を形成することが好ましい。なお、半絶縁層5はn型半導体層4の抵抗値が大きい場合は省略することも可能である。
縦25mm×横15mm×厚さ1mmのソーダライムガラスよりなる基板上にMo単体から構成されるターゲットを用いAr気流中スパッタリングによりMoよりなる下部電極を形成する。下部電極の膜厚は600nmとする。ソーダライムガラス上のMo下部電極上にCu:In:Te=1:3:5のターゲットを用いAr気流中でスパッタリングを行いp型光吸収層を形成する。膜厚は1.5μmとする。続いてZn:Al:O:Sがモル比で99:1:30:70のターゲットを用いスパッタリングによりn型半導体層を形成する。膜厚は50nmとする。半絶縁層にはi−ZnOやZn:O:Sがモル比で100:30:70のターゲットを用いスパッタリングを行いn型半導体層を形成する。膜厚は200nmとする。n型半導体層の抵抗が高い場合はこの半絶縁層を省いてもかまわない。次に、通常の成膜方法により、Alよりなる膜厚1μmの上部電極、SiNよりなる膜厚100nmの反射防止膜層を形成する。これにより実施形態の光電変換素子を得ることができる。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Al:O:Sがモル比で98:2:30:70を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Bの光電変換素子を得る。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Al:O:Sがモル比で99:1:20:80を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Cの光電変換素子を得る。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Al:O:Sがモル比で98:2:20:80を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Dの光電変換素子を得る。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Mg:Al:Oがモル比で69:30:1:100を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Eの光電変換素子を得る。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Mg:Al:Oがモル比で68:30:2:100を用いること以外は実施例1−と同様の方法で実施例1Fの光電変換素子を得る。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Mg:Al:Oがモル比で67:28:5:100を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Gの光電変換素子を得る。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Al:O:Sがモル比で95:5:20:80を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で実施例1Hの光電変換素子を得る。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:Mg:Oがモル比で70:30:100を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で比較例1Aの光電変換素子を得る。
n型半導体層としてCdSで構成される層を形成する以外は実施例1と同様の方法で比較例1Bの光電変換素子を得る。なお、CdSで構成される層は化学溶液成長法により形成される。また、膜厚は100nmとする。
n型半導体層のスパッタにおいてターゲットとしてZn:O:Sがモル比で100:30:70を用いること以外は実施例1Aと同様の方法で比較例1Cの光電変換素子を得る。
縦25mm×横15mm×厚さ1mmのソーダライムガラスよりなる基板上にMo単体から構成されるターゲット用いAr気流中スパッタリングによりMoよりなる下部電極を形成する。下部電極の膜厚は500nm〜1μm600nmとする。ソーダライムガラス上のMo下部電極上にCu:In:Te=1:3:5のターゲットを用いAr気流中でスパッタリングを行いp型光吸収層を形成する。膜厚は2μmとする。続いてSをキャリアとし、その濃度を4.0×1015cm−3としたn型GaPをMBEにて成膜を行い、n型半導体層を形成する。膜厚は50nmとする。半絶縁層にはi−ZnOやZn:O:S=100:30:70のターゲットを用いスパッタリングを行いn型半導体層を形成する。膜厚は200nmとする。n型半導体層の抵抗が高い場合はこの半絶縁層を省いてもかまわない。次に、通常の成膜方法により、Alよりなる膜厚1μmの上部電極、SiNよりなる膜厚100nmの反射防止膜層を形成する。これにより実施形態の光電変換素子を得ることができる。
p型光吸収層にCuGaSe2を選び、n型半導体層のSの濃度を8.0×10−15としたこと以外は実施例2Aと同様の方法で実施例2Bの光電変換素子を得る。
p型光吸収層にCuGaSe2を選び、n型半導体層のキャリアをSeとし、その濃度を5.0×10−15としたこと以外は実施例2Aと同様の方法で実施例2Cの光電変換素子を得る。
p型光吸収層にCuGaSe2を選び、キャリアをドープしていないGaP層を実施例2Aのn型半導体層の換わりに用いたこと以外は実施例2Aと同様の方法で比較例2Aの光電変換素子を得る。
p型GaP層を実施例2Aのn型半導体層の換わりに用いたこと以外は実施例2Aと同様の方法で比較例2Aの光電変換素子を得る。
実施例2A〜C、比較例2A,Bの各光電変換素子について、p型光吸収層、n型半導体層の組成と開放電圧(V)を前記実施例1A〜1Hと同様の方法により測定した。その結果を表2に示す。
n型半導体層のZn1−yAlyO1−xSxのx、yを表3の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Aの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn:Al:O:Sよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。
得られたx量,y量の異なる光電変換素子について、開放電圧(V)を前記実施例1A〜1Hと同様の方法により測定した。その結果を表3に示す。
n型半導体層のZn1−yAlyO1−xSxのx、yを表4の値とし、p型光吸収層にCu:In:Teがモル比で0.8:1:2であるターゲットを用いたたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Bの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn、Al、O、Sよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。
得られたy量の異なる光電変換素子について、開放電圧(V)を前記実施例1A〜1Hと同様の方法により測定した。その結果を表4に示す。
n型半導体層のZn1−yInyO1−xSxのx、yを表5の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Cの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn、In、O、Sよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。
得られたy量の異なる光電変換素子について、開放電圧(V)を前記実施例1A〜1Jと同様の方法により測定した。その結果を表5に示す。
n型半導体層のZn0.7-yMg0.3AlyO(M=Al)のyを表6の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Dの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn、Mg、Al、Oよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。
得られたy量の異なる光電変換素子について、開放電圧(V)を前記実施例1A〜1Jと同様の方法により測定した。その結果を表6に示す。
n型半導体層のZn0.7-yMg0.3InyO(M=In)のyを表6の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3Eの光電変換素子を得る。n型半導体層は、組成が異なるZn、Mg、In、Oよりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。
得られたy量の異なる光電変換素子について、開放電圧(V)を前記実施例1A〜1Hと同様の方法により測定した。その結果を表6に示す。
p型光吸収層とn型半導体層を表7の値としたことは実施例1Aと同様の方法で実施例3E−H、比較例3F−Hの光電変換素子を得るp型半導体層およびn型半導体層は、組成が異なる表7の構成元素よりなるターゲットを用いてスパッタリングによりの組成が異なる適宜変更することにより形成した。
得られた光電変換素子について、開放電圧(V)を前記実施例1A〜1Hと同様の方法により測定した。その結果を表7に示す。
元素比の多少の変化はn型半導体層のZnOS系にも適応される。Zn1−yMyO1−xSxの場合は、(Zn+M)/(O+S)は0.9以上1.1以下であることが単相が得られるやすいという理由により好ましい。
本発明の光電変換素子を太陽電池に用いることにより、開放電圧が高く、効率の高い太陽電池を得ることができる。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[項1] Cuと、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のIIIb族元素と、O,S,Se及びTeからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のVIb族元素を含むp型光吸収層と、前記p型光吸収層上に形成されるZn 1−y M y O 1−x S x 、またはZn 1−y−z Mg z M y O(MはB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素)、または、キャリア濃度を制御したGaPで表されるいずれかのn型半導体層と、を備え、前記Zn 1−y M y O 1−x S x 及びZn 1−y−z Mg z M y Oにおいて、x、y、zは0.55≦x≦1.0、0.001≦y≦0.05及び0.002≦y+z≦1.0の関係を満たすことを特徴とする光電変換素子。
[項2] 前記GaPは、S、Se、Teからなる群から選ばれる1種以上のキャリア元素がドープされていることを特徴とする項1に記載の光電変換素子。
[項3] 前記GaPのキャリア濃度は、1014cm−3以上、1021cm−3以下であることを特徴とする項1又は2に記載の光電変換素子。
[項4] 項1乃至項3いずれか1項記載の光電変換素子を用いてなることを特徴とする太陽電池。
Claims (2)
- Cuと、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のIIIb族元素と、O,S,Se及びTeからなる群から選ばれる少なくとも1種以上のVIb族元素を含むp型光吸収層と、前記p型光吸収層上に形成されるZn1−yMyO1−xSx、またはZn1−y−zMgzMyO(MはB、Al、In及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素)で表されるn型半導体層と、を備え、
前記n型半導体層がZn1−yMyO1−xSxである場合、前記Zn1−yMyO1−xSxにおいて、x、yは0.7≦x≦0.8、及び、0.01≦y≦0.05の関係を満たし、前記p型光吸収層が、Cuと、Gaと、Seとを少なくともを含み、かつ、前記p型光吸収層の伝導帯下端が3.8eV以上4.3eV以下である、又は、
前記n型半導体層がZn1−y−zMgzMyOである場合、Zn1−y−zMgzMyOにおいて、y、zは0.31≦y+z≦0.33、0.01≦y≦0.05、及び、0.28≦z≦0.3の関係を満たし、前記p型光吸収層が、Cuと、Gaと、Seとを少なくとも含み、かつ、前記p型光吸収層の伝導帯下端が3.8eV以上4.3eV以下である光電変換素子。 - 請求項1記載の光電変換素子を用いてなる太陽電池。
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