JP5950647B2 - 基準電圧回路 - Google Patents
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Description
メモリ部に記憶されたデジタルデータを変更する事により、D/Aコンバータの出力(アナログ電圧)を調整し、基準電圧を調整する。メモリ部はEEPROMなどの不揮発性メモリにより構成されており、メモリ部に記憶されたデジタルデータを書き換えることにより、任意の基準電圧に何度でも変更することができる。また、10ビット以上のメモリセルを用いることで、基準電圧を高精度に制御することができる。(例えば、特許文献1参照)。
従って、D/Aコンバータを使用せず、回路規模が小さく高精度に基準電圧を制御できる。
まず、基準電圧回路の構成について説明する。図1は、本発明の基準電圧回路を示す図である。
メモリセル1、2、3は、メモリセルの書き込み深さを可変することにより、各々のメモリのセル電流Ionの電流値の範囲が異なるように調整する。例えば、メモリセル1のセル電流Ionを10〜90uAとした場合、メモリセル2のセル電流値Ionは、1〜9uAに調整し、メモリセル3のセル電流値Ionは、0.1〜0.9uAに調整する。
例えば、メモリセル1、2、3のセル電流値Ionを加算したい時、ノード201、ノード202、ノード203に“H”を入力するように制御する。
VSS 接地端子
VREF 出力端子
1〜3 メモリセル
51〜53 カレントミラー回路
101〜103 定電圧回路
Claims (3)
- メモリセルと、前記メモリセルのゲート電圧を調整する定電圧回路と、前記メモリセルのセル電流を折り返すためのカレントミラー回路とを有する複数の回路と、
前記折り返された複数のカレントミラー電流を加算し、該加算された電流を電圧に変換するIV変換素子と、を有し、
前記メモリセルと前記カレントミラー回路の間には前記メモリセルの選択スイッチを備え、
前記メモリセルの書き込み深さを可変することにより、前記メモリセルの各々のセル電流の電流値の範囲が異なるように調整することを特徴とする基準電圧回路。 - 前記定電圧回路の電圧値を可変して、前記メモリセルのゲート電圧を調整することにより、前記メモリセルの各々のセル電流の電流値の範囲が異なるように調整することを特徴とする請求項1記載の基準電圧回路。
- 前記複数の回路において、前記カレントミラー回路のミラー比を調整して前記カレントミラー回路の各々の出力電流の電流値の範囲が異なるように調整することを特徴とする請求項1または2記載の基準電圧回路。
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