JP5930845B2 - 発光制御装置及びその制御方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係る発光制御装置を備えるデジタルカメラの概略構成を示すブロック図である。デジタルカメラは、電池100と、メインキャパシタ102と、発光ダイオード104(以下「LED104」と記す)と、LEDストロボ制御ユニット120とを備える。LEDストロボ制御ユニット120は、昇圧部106と、電流制御部108とを有する。電流制御部108は、本実施形態では、複数の電流制御回路として、第1の電流制御回路110と第2の電流制御回路112とを有する。
図2は、第1の電流制御回路110の回路構成を示すブロック図である。第1の電流制御回路110は、比較器202と、負荷回路204と、切替制御スイッチ206と、積分回路212と、GNo換算回路214と、リファレンス生成回路216と、負荷制御回路218と、駆動回路220とを有する。
図3は、第2の電流制御回路112の回路構成を示すブロック図である。第2の電流制御回路112は、比較器302と、負荷回路304と、切替制御回路306と、積分回路312と、GNo換算回路314と、リファレンス生成回路316と、駆動回路320とを有する。
図4は、本実施形態に係る発光制御装置の制御フローを示すフローチャートである。操作部160への操作を介して撮影指示が行われると、メインキャパシタ102の充電が完了した後に、デジタルカメラの発光撮影処理(以下、「ストロボ撮影処理」とも記す)が開始される。先ず、電流制御部108は、CPU140からの制御信号に従い、第2の電流制御回路112を選択する(ステップS101)。続いて、電流制御部108は、CPU140からの発光信号に従い、予め設定されているプリ発光時間とプリ発光電流で、LED104のプリ発光を行う(ステップS102)。
一般的なプリ発光と本発光の2回発光方式による本発光量の演算方法について、以下に説明する。CPU140は、被写体からの反射光を受光して生成した画像信号を処理して得られたデータから測光値を算出する。外光(定常光)輝度値と適正輝度値との差は、下記[式1]から求めることができる。
ΔEv=Log2((YFL−YDL)/(Yref−YDL))・・・ [式1]
但し、
ΔEv:外光輝度値と適正輝度値の差をプリ発光の輝度値と比較した値
YDL:CPU140が演算し、測光した外光輝度値
YFL:CPU140が演算し、測光したプリ発光時の輝度値
Yref:基準となる適正輝度値
ΔEv=Log2(((YFL−YDL)×AvDG)/(Yref×Ka×Kb−YDL×AvTvDG)) ・・・ [式2]
但し、
AvDG=2(ΔAv+ΔDG)
AvTvDG=2(ΔAv+ΔTv+ΔDG)
ΔAv=EFPreAv−EFHAv
ΔTv=EFPreTv−EFHTv
ΔDG=−(EFPreDG−EFHDG)
Ka:露出補正係数
Kb:感度補正係数
EFPreAv:プリ発光測光用のAv値
EFHAv:本発光測光用のAv値
EFPreTv:プリ発光測光用のTv値
EFHTv:本発光測光用のTv値
EFPreDG:プリ発光用のDeltaGain
EFHDG:本発光用のDeltaGain
ILED_H×T2=−ΔEv×ILED_P×T1 ・・・ [式3]
但し、
ILED_H:本発光電流値
T2:本発光時間
ILED_P:プリ発光電流値
T1:プリ発光時間
但し、
Lm:光束(単位:lm)
α:任意の定数
ILED:電流(単位:A)
また、単位立体角あたりの光束を光度と呼び、下記[式5]が成立する。
Cd=Lm/ω ・・・ [式5]
但し、
Cd:光度(単位:lm/sr (sr:ステラジアン))
ω:立体角(単位:sr)
Cd=α×ILED/ω ・・・ [式6]
GNo=0.3×(4πC×ΣCd×Sx)1/2 ・・・ [式7]
但し、
GNo:ガイドナンバー
C:定数(0.0045)
ΣCd:光度の時間積分
Sx:ISO感度
[式5]及び[式7]より下記[式8]が得られる。
GNo=0.3×(4πC×ΣLm/(ω×Sx))1/2 ・・・ [式8]
また、[式6]及び[式7]より下記[式9]が得られる。
GNo=0.3×(4πC×ΣILED×α/(ω×Sx))1/2 ・・・[式9]
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて詳述してきたが、本発明はこれら特定の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明に含まれる。例えば、上記実施形態では、電流制御部108は、第1の電流制御回路110と第2の電流制御回路112とを備えるとした。しかし、これに限定されず、LED104の発光量の大きさを優先する電流制御回路と発光量の精度を優先する電流制御回路とを少なくとも1つずつ備えていればよく、より多くの複数の電流制御回路を備えた構成としてもよい。
104 LED
108 電流制御部
110 第一の電流制御部
112 第二の電流制御部
120 LEDストロボ制御ユニット
140 CPU
202,302 比較器
204,304 負荷回路
206,306 切替制御スイッチ
212,312 積分回路
214,314 GNo換算回路
216,316 リファレンス生成回路
218 負荷制御回路
220,320 駆動回路
Claims (6)
- 発光ダイオードによる発光を制御する発光制御装置であって、
前記発光ダイオードに流す電流を制御する複数の電流制御回路と、
前記発光ダイオードを発光させる際に必要とされる発光量の大きさと発光量の精度に応じて、前記複数の電流制御回路の中から1つの電流制御回路を選択し、該選択された電流制御回路を用いて前記発光ダイオードに電流を流す制御手段と、を有することを特徴とする発光制御装置。 - 前記複数の電流制御回路は、
前記発光ダイオードの発光量の大きさを優先するために前記発光ダイオードに流す電流の大きさを優先させる第1の電流制御回路と、
前記発光ダイオードの発光量の精度を優先するために前記発光ダイオードに流す電流の精度を優先させる第2の電流制御回路と、を有し、
前記制御手段は、前記発光ダイオードの発光量に対する閾値を設定し、前記発光ダイオードを発光させる際に必要な発光量が前記閾値よりも大きい場合には、前記第1の電流制御回路を選択し、前記発光ダイオードを発光させる際に必要な発光量が前記閾値よりも大きくない場合には、前記第2の電流制御回路を選択することを特徴とする請求項1記載の発光制御装置。 - 前記第1の電流制御回路は、前記発光ダイオードに流す電流が流れるMOS−FETを有し、
前記第2の電流制御回路は、前記発光ダイオードに流す電流が流れる固定単体抵抗を有し、
前記MOS−FETの直流抵抗値は前記固定単体抵抗の直流抵抗値よりも小さいことを特徴とする請求項2記載の発光制御装置。 - 前記制御手段は、前記発光ダイオードによる本発光を行うために必要な発光量を検出するためのプリ発光を行う際には前記第2の電流制御回路を選択し、前記発光ダイオードによる本発光を行う際には前記第1の電流制御回路を選択することを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載の発光制御装置。
- 前記制御手段は、前記発光ダイオードに流れる電流と前記発光ダイオードに流れる時間の積分により前記発光ダイオードを発光させるために必要な発光量を決定することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光制御装置。
- 発光ダイオードによる発光を制御する発光制御装置の制御方法であって、
前記発光制御装置の制御手段が、前記発光ダイオードを発光させる際に必要とされる発光量の大きさと発光量の精度に応じて、前記発光ダイオードに流す電流を制御する複数の電流制御回路の中から1つの電流制御回路を選択し、該選択された電流制御回路を用いて前記発光ダイオードに電流を流すステップを有することを特徴とする発光制御装置の制御方法。
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