JP4088402B2 - カメラ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ストロボ装置を備えたカメラに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、カメラには、ズームレンズやストロボ装置等を駆動させるために内蔵された電池の残存電力を測定するバッテリチェック回路が備えられている。
【０００３】
図５は、従来のカメラのバッテリチェック回路を示す図である。
【０００４】
図５に示すバッテリチェック回路３００には、カメラのシーケンスを制御するＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）３１０の出力ポートＰＯにゲートＧが接続されたＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１が備えられている。このＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１のソースＳには、図示しない電池の＋端子側からの電圧ＶBATが印加される。
【０００５】
また、バッテリチェック回路３００には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１のゲートＧとソースＳとの間に抵抗３１２が備えられているとともに、そのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１のドレインＤと電池の−端子側であるグラウンドＧＮＤとの間に抵抗３１３が備えられている。この抵抗３１３は、バッテリチェック用に必要な電流を得るために、十分に小さな抵抗値を有する。
【０００６】
さらに、バッテリチェック回路３００には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１のドレインＤとグラウンドＧＮＤとの間に直列接続された抵抗３１４，３１５が備えられている。これら抵抗３１４，３１５の接続点は、ＭＰＵ３１０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに接続されている。
【０００７】
このように構成されたバッテリチェック回路３００では、バッテリチェックにあたり、ＭＰＵ３１０の出力ポートＰＯから‘Ｌ’レベルの信号が出力される。すると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１がオン状態となり、これにより電池の＋端子側→ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１→抵抗３１３→グラウンドＧＮＤの経路で電流が流れる。すると、電池からは、この電流とその電池の内部インピーダンスとにより定まる電圧降下分だけ低下した電圧ＶBATが出力される。出力された電圧ＶBATは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１を経由して、直列接続された抵抗３１４，３１５の抵抗値に応じて分圧される。分圧された電圧（アナログ電圧）は、抵抗３１４，３１５の接続点に接続されたＭＰＵ３１０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力される。ＭＰＵ３１０は、そのアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力されたアナログ電圧をＡ／Ｄ変換してそのアナログ電圧に応じたディジタル値を得、そのディジタル値に基づいて電池の残存電力を測定することによりバッテリチェックを行なう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したバッテリチェック回路３００では、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１をオン状態にして、バッテリチェック用の負荷として備えられた比較的小さな抵抗値を有する抵抗３１３に電流を流すことによりバッテリチェックが行なわれる。このため、サイズの大きなＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１や、ワッテージの大きな抵抗３１３を用いる必要があり、これに伴い回路基板面積も大きく、従ってコストがアップするという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑み、コストの低減化が図られたカメラを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明のカメラは、電池からの電力を昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、
上記ストロボ装置が、上記昇圧用トランスの一次巻線に直列に接続された、制御信号に応じた抵抗値を示すスイッチング素子を備えたものであって、
上記メインコンデンサへの電力の蓄積の際に所定のパルスを上記スイッチング素子に与えるとともに、上記電池の残存電力を測定するバッテリチェック用制御信号として上記スイッチング素子が所定の抵抗値を示す制御信号をそのスイッチング素子に与える制御手段と、
上記制御手段により上記スイッチング素子にバッテリチェック用の制御信号が送られている状態において上記電池の電圧を判定することによりその電池の残存電力を測定するバッテリチェック手段とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明のカメラは、ストロボ撮影にあたってはスイッチング素子に所定のパルスを与えてメインコンデンサを充電し充電された電力を放電して閃光を発し、バッテリチェックにあたってはそのスイッチング素子に上記制御信号を与えてその制御信号により定まる、スイッチング素子の不飽和領域における抵抗値に応じた電流を電池に流してその電池の残存電力を測定するものであるため、従来のカメラのように、バッテリチェック専用の部品としてワッテージの大きな抵抗や、その抵抗に電流を流すためにサイズの大きなＭＯＳＦＥＴを備える必要はない。従って、部品点数が削減されるとともに回路基板面積も小さくて済み、コストの低減化が図られる。
【００１２】
ここで、上記スイッチング素子は制御信号の電圧値により抵抗値が制御されるものであって、
このカメラは、バッテリチェック用の制御信号の電圧値に相当する設定値が記憶されたメモリを備えたものであることが効果的である。
【００１３】
カメラに備えられたストロボ装置を構成する昇圧用トランスやスイッチング素子等の特性は、カメラ個々により異なる。そこで、カメラ個々の個体差に応じた設定値をメモリに記憶させておき、記憶された設定値に相当する電圧値を有する制御信号をスイッチング素子に与えてバッテリチェックを行なうと、カメラの個体差を吸収することができる。従って、電池の残存電力を高い精度で測定することができる。
【００１４】
また、上記スイッチング素子がＮチャネルＭＯＳＦＥＴであって、上記制御手段は、上記ＭＯＳＦＥＴのゲートに、上記バッテリチェック用の制御信号として、上記パルスの電圧よりも低い電圧信号を与えるものであることが好ましい。さらに、上記スイッチング素子がＰチャネルＭＯＳＦＥＴであって、上記制御手段は、上記ＭＯＳＦＥＴのゲートに、上記バッテリチェック用の制御信号として、上記パルスの電圧よりも高い電圧信号を与えるものであることも好ましい態様である。
【００１５】
このように、スイッチング素子がＮチャネルＭＯＳＦＥＴの場合はそのゲートに上記パルスの電圧よりも低い電圧信号を与え、またスイッチング素子がＰチャネルＭＯＳＦＥＴの場合はそのゲートに上記パルスの電圧よりも高い電圧信号を与えて電池の残存電力測定を行なうと、バッテリチェックにあたり電池の消費電力を小さく抑えることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態のカメラを前面斜め上から見た外観斜視図である。
【００１８】
図１に示すカメラ１０は、一般にアクティブタイプと呼ばれるオートフォーカス（ＡＦ）装置を内蔵した、ロール状の写真フイルム上に写真撮影を行なうカメラである。オートフォーカス装置には、カメラ１０の前面上部に配置されたＡＦ投光窓１２を有しそのＡＦ投光窓１２からカメラ１０の前方に向けて測距用の光を放つ投光部、およびカメラ１０前面の、上記ＡＦ投光窓１２から所定距離離れた位置に配置されたＡＦ受光窓１３を有し上記ＡＦ投光窓１２からカメラ１０の前方に放たれ被写体で反射して戻ってきた光をそのＡＦ受光窓１３から受け入れて受光することにより被写体までの距離を求める受光部が備えられている。
【００１９】
また、このカメラ１０の前面中央部には、光学ズームレンズ１１ａを内部に備えたズーム鏡胴１１が備えられている。
【００２０】
さらに、このカメラ１０には、そのカメラ１０の上面に配備された閃光部２００を有するストロボ装置が備えられている。閃光部２００は、撮影時に被写体に向けて閃光を発する。
【００２１】
また、このカメラ１０には、図示しないズームファインダユニットを構成するズームファインダ窓１４、および内蔵された露出調整用のＡＥセンサに光を導くためのＡＥ受光窓１５も備えられている。さらに、このカメラ１０の上面には、シャッタボタン１８が備えられている。
【００２２】
図２は、図１のカメラを背面斜め上から見た外観斜視図である。
【００２３】
このカメラ１０の背面には、撮影時に被写体に向けて閃光を発するか否かを設定するためのストロボオンオフスイッチ２１、ファインダ接眼窓２２、および光学ズームレンズ１１ａをテレ側（遠距離側）あるいはワイド側（近距離側）に動作させるズーム操作レバー２３が備えられている。
【００２４】
このように構成された本実施形態のカメラ１０には、上記光学ズームレンズ１１ａやストロボ装置等を駆動させるための電池が内蔵される。以下、この電池の残存電力を測定するバッテリチェックについて説明する。
【００２５】
図３は、図１に示すカメラの、バッテリチェック用の回路を含むストロボ装置回路を示す図である。
【００２６】
図３には、電池３０と、ＭＰＵ４０と、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）５０と、ストロボ装置回路６０とが示されている。
【００２７】
ＭＰＵ４０は、カメラ１０全体を制御する。
【００２８】
ＥＥＰＲＯＭ５０には、後述するバッテリチェック用の制御信号の値が記憶されている。
【００２９】
ストロボ装置回路６０には、一次巻線の一端が電池３０の＋端子側に接続された昇圧用トランス６１と、その一次巻線の他端と電池３０の−端子側との間に配置されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２およびツェナーダイオード６３と、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートとＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／Ａとの間に配置された抵抗６４と、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートと電池３０の−端子側との間に配置された抵抗６５とが備えられている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２は、後述する制御信号に応じた抵抗値を示す。このＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が本発明にいうスイッチング素子に相当する。
【００３０】
また、ストロボ装置回路６０には、アノードが昇圧用トランス６１の二次巻線の一端に接続されたダイオード６６と、そのダイオード６６のカソードと二次巻線の他端との間に配置されたメインコンデンサ６７とが備えられている。メインコンデンサ６７の両端は、図示しない閃光発光部に接続されている。
【００３１】
さらに、ストロボ装置回路６０には、昇圧用トランス６１の一次巻線とＭＰＵ４０の出力ポートＰＯとの間に直列接続された抵抗７１，７２が備えられている。これら抵抗７１，７２の接続点は、ＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに接続されている。
【００３２】
先ず、ストロボ撮影を行なう場合について説明する。この場合は、先ず、ＭＰＵ４０の出力ポートＰＯがハイインピーダンス状態（もしくは‘Ｈ’レベル状態）に設定される。これにより、電池３０から抵抗７１，７２を経由して電流が流れることが防止される。次いで、ＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／Ａから所定のパルスが出力される。出力された所定のパルスは抵抗６４を経由してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力され、これによりそのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がスイッチング動作し、電池３０からの電力が昇圧用トランス６１を介して昇圧され、さらにダイオード６６で整流されてメインコンデンサ６７が充電される。その後、シャッタ操作に同期して、図示しない手段でメインコンデンサ６７に充電された電力が放電され、閃光部２００（図１参照）から閃光が発せられる。
【００３３】
次に、電池３０の残存電力を測定するバッテリチェックについて説明する。この場合は、先ず、ＭＰＵ４０の出力ポートＰＯが‘Ｌ’レベル状態に設定される。これにより、電池３０からの、抵抗７１，７２の抵抗値に応じて分圧された電圧が、ＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに印加される。次いで、ＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／Ａから、その電池３０の残存電力を測定するバッテリチェック用としての、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が所定の抵抗値（オン抵抗値）を示す制御信号が出力される。この制御信号は、上記所定のパルスの電圧よりも低い直流レベルの電圧信号である。このように、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに上記所定のパルスの電圧よりも低い電圧信号を与えて電池３０の残存電力測定を行なうと、電池３０の、バッテリチェックにおける消費電力を小さく抑えることができる。また、昇圧用トランス６１やＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２等の特性は、カメラ個々により異なる。そこで、本実施形態では、ＥＥＰＲＯＭ５０に、カメラ個々の個体差に応じた設定値が記憶されており、この記憶された設定値をＭＰＵ４０で読み出して、その設定値に相当する電圧値を有する制御信号をディジタル／アナログポートＤ／Ａから出力することによりカメラの個体差を吸収することができる。従って、電池３０の残存電力を高い精度で測定することができる。
【００３４】
ＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／Ａから上記の電圧値を有する制御信号が出力されると、電池３０の＋端子側→昇圧用トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→電池３０の−端子側の経路で、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２の、その制御信号の電圧値に応じたオン抵抗値により定まる電流が流れる。すると、電池３０から、その電流と電池３０の内部インピーダンスとにより定まる電圧降下分だけ低下した電圧が出力される。出力された電圧は、直列接続された抵抗７１，７２の抵抗値に応じて分圧される。分圧された電圧は、それら抵抗７１，７２の接続点に接続されたＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力される。ＭＰＵ４０は、そのアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力された電圧をＡ／Ｄ変換してその電圧に応じたディジタル値を得、そのディジタル値に基づいて、電池３０の残存電力を測定することによりバッテリチェックを行なう。
【００３５】
尚、ＭＰＵ４０の、ディジタル／アナログポートＤ／ＡからＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に所定のパルスを与えるとともに上記制御信号を与える機能が、本発明にいう制御手段に相当する。また、直列接続された抵抗７１，７２およびＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄが、本発明にいうバッテリチェック手段に相当する。
【００３６】
本実施形態では、ストロボ撮影にあたってはＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／ＡからＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に所定のパルスを与えてメインコンデンサ６７を充電し充電された電力を放電して閃光を発し、バッテリチェックにあたってはそのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートにそのパルスの電圧よりも低い電圧信号を与えて、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２の抵抗値に応じた電流を電池３０に流してその電池３０の残存電力を測定するものであるため、従来のカメラのように、バッテリチェック専用の部品としてワッテージの大きな抵抗や、その抵抗に電流を流すためにサイズの大きなＭＯＳＦＥＴを備える必要はない。従って、部品点数が削減されるとともに回路基板面積も小さくて済み、コストの低減化が図られる。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに上記所定のパルスの電圧よりも低い電圧信号を与えて電池３０の残存電力を測定するものであるため、バッテリチェックにあたり電池３０の消費電力を小さく抑えることができる。
【００３７】
尚、本実施形態では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに所定のパルスの電圧よりも低い電圧信号を与えて電池３０の残存電力を測定する例で説明したが、このＮチャネルＭＯＳＦＥＴに代えてＰチャネルＭＯＳＦＥＴを備え、このＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに、バッテリチェック用の制御信号として、上記所定のパルスの電圧よりも高い電圧信号を与えて電池３０の残存電力測定を行ない、電池３０の、バッテリチェックにおける消費電力を小さく抑えてもよい。
【００３８】
図４は、図３に示すストロボ装置回路とは異なるストロボ装置回路を示す図である。
【００３９】
尚、図３に示すストロボ装置回路の構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付し、異なる点について説明する。
【００４０】
図４には、電池３０と、ＭＰＵ８０と、ＥＥＰＲＯＭ５０と、ストロボ装置回路１００とが示されている。
【００４１】
ＭＰＵ８０には、前述したＭＰＵ４０に備えられたディジタル／アナログポートＤ／Ａの機能に代わる第１，第２の出力ポートＰＯ１，ＰＯ２が備えられている。これらの出力ポートＰＯ１，ＰＯ２は、ストロボ装置回路１００を構成する抵抗９１，９２を経由してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに接続されている。尚、抵抗９２の抵抗値は、抵抗６５や抵抗９１の抵抗値と比べ、比較的大きく設定されている。前述した図３に示すストロボ装置回路６０は、１つのディジタル／アナログポートＤ／Ａにより所定のパルスとその所定のパルスの電圧よりも低い電圧信号をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に与える構成であるが、この図４に示すストロボ装置回路１００は、上記出力ポートＰＯ１により所定のパルスをＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に与え、また上記出力ポートＰＯ２により‘Ｈ’レベルの制御信号をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に与える構成である。以下、詳細に説明する。
【００４２】
ストロボ撮影にあたっては、ＭＰＵ８０の出力ポートＰＯおよび第２の出力ポートＰＯ２の双方がハイインピーダンス状態に設定される。この状態で、第１の出力ポートＰＯ１から所定のパルスが出力され、これによりＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がスイッチング動作して、ストロボ閃光光用の電荷がメインコンデンサ６７に蓄積される。その後、シャッタ操作に同期して閃光が発せられる。
【００４３】
一方、バッテリチェックを行なう場合は、ＭＰＵ８０の出力ポートＰＯが‘Ｌ’レベル状態に設定されるとともに第１の出力ポートＰＯ１がハイインピーダンス状態に設定される。この状態で、第２の出力ポートＰＯ２から‘Ｈ’レベルの制御信号が出力される。この‘Ｈ’レベルの制御信号は、抵抗９２，６５の抵抗値に応じて分圧されてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力される。ここで、抵抗９２の抵抗値は比較的大きいため、抵抗９２，６５の接続点における、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力される電圧のレベルは比較的小さい。従って、電池３０の＋端子側→昇圧用トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→電池３０の−端子側の経路で、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２の、その電圧値に応じたオン抵抗値により定まる電流が流れ、電池３０から、その電流と電池３０の内部インピーダンスとにより定まる電圧降下分だけ低下した電圧が出力される。以下、図３を参照して説明したと同様にして、抵抗７１，７２の抵抗値に応じて分圧された電圧がＭＰＵ８０のアナログ／ディジタルポートＡ／ＤでＡ／Ｄ変換されて電池３０の残存電力が測定される。このようにして、バッテリチェックを行なってもよい。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のカメラは、ストロボ撮影にあたってはスイッチング素子に所定のパルスを与えてメインコンデンサを充電し充電された電力を放電して閃光を発し、バッテリチェックにおいてはスイッチング素子にそのスイッチング素子が所定の抵抗値を示す制御信号を与えて電池の残存電力を測定するものであるため、従来のカメラのように、バッテリチェック専用の部品としてワッテージの大きな抵抗や、その抵抗に電流を流すためにサイズの大きなＭＯＳＦＥＴを備える必要はなく、部品点数が削減されるとともに回路基板面積も小さくて済み、コストの低減化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のカメラを前面斜め上から見た外観斜視図である。
【図２】図１のカメラを背面斜め上から見た外観斜視図である。
【図３】図１に示すカメラの、バッテリチェック用の回路を含むストロボ装置回路を示す図である。
【図４】図３に示すストロボ装置回路とは異なるストロボ装置回路を示す図である。
【図５】従来のカメラのバッテリチェック回路を示す図である。
【符号の説明】
１０ カメラ
１１ ズーム鏡胴
１１ａ 光学ズームレンズ
１２ ＡＦ投光窓
１３ ＡＦ受光窓
１４ ズームファインダ窓
１５ ＡＥ受光窓
１８ シャッタボタン
２１ ストロボオンオフスイッチ
２２ ファインダ接眼窓
２３ ズーム操作レバー
３０ 電池
４０，８０ ＭＰＵ
５０ ＥＥＰＲＯＭ
６０，１００ ストロボ装置回路
６１ 昇圧用トランス
６２ ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
６３ ツェナーダイオード
６４，６５，７１，７２，９１，９２ 抵抗
６６ ダイオード
６７ メインコンデンサ
２００ 閃光部
【発明の属する技術分野】
本発明は、ストロボ装置を備えたカメラに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、カメラには、ズームレンズやストロボ装置等を駆動させるために内蔵された電池の残存電力を測定するバッテリチェック回路が備えられている。
【０００３】
図５は、従来のカメラのバッテリチェック回路を示す図である。
【０００４】
図５に示すバッテリチェック回路３００には、カメラのシーケンスを制御するＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）３１０の出力ポートＰＯにゲートＧが接続されたＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１が備えられている。このＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１のソースＳには、図示しない電池の＋端子側からの電圧ＶBATが印加される。
【０００５】
また、バッテリチェック回路３００には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１のゲートＧとソースＳとの間に抵抗３１２が備えられているとともに、そのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１のドレインＤと電池の−端子側であるグラウンドＧＮＤとの間に抵抗３１３が備えられている。この抵抗３１３は、バッテリチェック用に必要な電流を得るために、十分に小さな抵抗値を有する。
【０００６】
さらに、バッテリチェック回路３００には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１のドレインＤとグラウンドＧＮＤとの間に直列接続された抵抗３１４，３１５が備えられている。これら抵抗３１４，３１５の接続点は、ＭＰＵ３１０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに接続されている。
【０００７】
このように構成されたバッテリチェック回路３００では、バッテリチェックにあたり、ＭＰＵ３１０の出力ポートＰＯから‘Ｌ’レベルの信号が出力される。すると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１がオン状態となり、これにより電池の＋端子側→ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１→抵抗３１３→グラウンドＧＮＤの経路で電流が流れる。すると、電池からは、この電流とその電池の内部インピーダンスとにより定まる電圧降下分だけ低下した電圧ＶBATが出力される。出力された電圧ＶBATは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１を経由して、直列接続された抵抗３１４，３１５の抵抗値に応じて分圧される。分圧された電圧（アナログ電圧）は、抵抗３１４，３１５の接続点に接続されたＭＰＵ３１０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力される。ＭＰＵ３１０は、そのアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力されたアナログ電圧をＡ／Ｄ変換してそのアナログ電圧に応じたディジタル値を得、そのディジタル値に基づいて電池の残存電力を測定することによりバッテリチェックを行なう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したバッテリチェック回路３００では、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１をオン状態にして、バッテリチェック用の負荷として備えられた比較的小さな抵抗値を有する抵抗３１３に電流を流すことによりバッテリチェックが行なわれる。このため、サイズの大きなＰチャネルＭＯＳＦＥＴ３１１や、ワッテージの大きな抵抗３１３を用いる必要があり、これに伴い回路基板面積も大きく、従ってコストがアップするという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑み、コストの低減化が図られたカメラを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明のカメラは、電池からの電力を昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあたりそのメインコンデンサに充電された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、
上記ストロボ装置が、上記昇圧用トランスの一次巻線に直列に接続された、制御信号に応じた抵抗値を示すスイッチング素子を備えたものであって、
上記メインコンデンサへの電力の蓄積の際に所定のパルスを上記スイッチング素子に与えるとともに、上記電池の残存電力を測定するバッテリチェック用制御信号として上記スイッチング素子が所定の抵抗値を示す制御信号をそのスイッチング素子に与える制御手段と、
上記制御手段により上記スイッチング素子にバッテリチェック用の制御信号が送られている状態において上記電池の電圧を判定することによりその電池の残存電力を測定するバッテリチェック手段とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明のカメラは、ストロボ撮影にあたってはスイッチング素子に所定のパルスを与えてメインコンデンサを充電し充電された電力を放電して閃光を発し、バッテリチェックにあたってはそのスイッチング素子に上記制御信号を与えてその制御信号により定まる、スイッチング素子の不飽和領域における抵抗値に応じた電流を電池に流してその電池の残存電力を測定するものであるため、従来のカメラのように、バッテリチェック専用の部品としてワッテージの大きな抵抗や、その抵抗に電流を流すためにサイズの大きなＭＯＳＦＥＴを備える必要はない。従って、部品点数が削減されるとともに回路基板面積も小さくて済み、コストの低減化が図られる。
【００１２】
ここで、上記スイッチング素子は制御信号の電圧値により抵抗値が制御されるものであって、
このカメラは、バッテリチェック用の制御信号の電圧値に相当する設定値が記憶されたメモリを備えたものであることが効果的である。
【００１３】
カメラに備えられたストロボ装置を構成する昇圧用トランスやスイッチング素子等の特性は、カメラ個々により異なる。そこで、カメラ個々の個体差に応じた設定値をメモリに記憶させておき、記憶された設定値に相当する電圧値を有する制御信号をスイッチング素子に与えてバッテリチェックを行なうと、カメラの個体差を吸収することができる。従って、電池の残存電力を高い精度で測定することができる。
【００１４】
また、上記スイッチング素子がＮチャネルＭＯＳＦＥＴであって、上記制御手段は、上記ＭＯＳＦＥＴのゲートに、上記バッテリチェック用の制御信号として、上記パルスの電圧よりも低い電圧信号を与えるものであることが好ましい。さらに、上記スイッチング素子がＰチャネルＭＯＳＦＥＴであって、上記制御手段は、上記ＭＯＳＦＥＴのゲートに、上記バッテリチェック用の制御信号として、上記パルスの電圧よりも高い電圧信号を与えるものであることも好ましい態様である。
【００１５】
このように、スイッチング素子がＮチャネルＭＯＳＦＥＴの場合はそのゲートに上記パルスの電圧よりも低い電圧信号を与え、またスイッチング素子がＰチャネルＭＯＳＦＥＴの場合はそのゲートに上記パルスの電圧よりも高い電圧信号を与えて電池の残存電力測定を行なうと、バッテリチェックにあたり電池の消費電力を小さく抑えることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態のカメラを前面斜め上から見た外観斜視図である。
【００１８】
図１に示すカメラ１０は、一般にアクティブタイプと呼ばれるオートフォーカス（ＡＦ）装置を内蔵した、ロール状の写真フイルム上に写真撮影を行なうカメラである。オートフォーカス装置には、カメラ１０の前面上部に配置されたＡＦ投光窓１２を有しそのＡＦ投光窓１２からカメラ１０の前方に向けて測距用の光を放つ投光部、およびカメラ１０前面の、上記ＡＦ投光窓１２から所定距離離れた位置に配置されたＡＦ受光窓１３を有し上記ＡＦ投光窓１２からカメラ１０の前方に放たれ被写体で反射して戻ってきた光をそのＡＦ受光窓１３から受け入れて受光することにより被写体までの距離を求める受光部が備えられている。
【００１９】
また、このカメラ１０の前面中央部には、光学ズームレンズ１１ａを内部に備えたズーム鏡胴１１が備えられている。
【００２０】
さらに、このカメラ１０には、そのカメラ１０の上面に配備された閃光部２００を有するストロボ装置が備えられている。閃光部２００は、撮影時に被写体に向けて閃光を発する。
【００２１】
また、このカメラ１０には、図示しないズームファインダユニットを構成するズームファインダ窓１４、および内蔵された露出調整用のＡＥセンサに光を導くためのＡＥ受光窓１５も備えられている。さらに、このカメラ１０の上面には、シャッタボタン１８が備えられている。
【００２２】
図２は、図１のカメラを背面斜め上から見た外観斜視図である。
【００２３】
このカメラ１０の背面には、撮影時に被写体に向けて閃光を発するか否かを設定するためのストロボオンオフスイッチ２１、ファインダ接眼窓２２、および光学ズームレンズ１１ａをテレ側（遠距離側）あるいはワイド側（近距離側）に動作させるズーム操作レバー２３が備えられている。
【００２４】
このように構成された本実施形態のカメラ１０には、上記光学ズームレンズ１１ａやストロボ装置等を駆動させるための電池が内蔵される。以下、この電池の残存電力を測定するバッテリチェックについて説明する。
【００２５】
図３は、図１に示すカメラの、バッテリチェック用の回路を含むストロボ装置回路を示す図である。
【００２６】
図３には、電池３０と、ＭＰＵ４０と、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）５０と、ストロボ装置回路６０とが示されている。
【００２７】
ＭＰＵ４０は、カメラ１０全体を制御する。
【００２８】
ＥＥＰＲＯＭ５０には、後述するバッテリチェック用の制御信号の値が記憶されている。
【００２９】
ストロボ装置回路６０には、一次巻線の一端が電池３０の＋端子側に接続された昇圧用トランス６１と、その一次巻線の他端と電池３０の−端子側との間に配置されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２およびツェナーダイオード６３と、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートとＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／Ａとの間に配置された抵抗６４と、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートと電池３０の−端子側との間に配置された抵抗６５とが備えられている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２は、後述する制御信号に応じた抵抗値を示す。このＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が本発明にいうスイッチング素子に相当する。
【００３０】
また、ストロボ装置回路６０には、アノードが昇圧用トランス６１の二次巻線の一端に接続されたダイオード６６と、そのダイオード６６のカソードと二次巻線の他端との間に配置されたメインコンデンサ６７とが備えられている。メインコンデンサ６７の両端は、図示しない閃光発光部に接続されている。
【００３１】
さらに、ストロボ装置回路６０には、昇圧用トランス６１の一次巻線とＭＰＵ４０の出力ポートＰＯとの間に直列接続された抵抗７１，７２が備えられている。これら抵抗７１，７２の接続点は、ＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに接続されている。
【００３２】
先ず、ストロボ撮影を行なう場合について説明する。この場合は、先ず、ＭＰＵ４０の出力ポートＰＯがハイインピーダンス状態（もしくは‘Ｈ’レベル状態）に設定される。これにより、電池３０から抵抗７１，７２を経由して電流が流れることが防止される。次いで、ＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／Ａから所定のパルスが出力される。出力された所定のパルスは抵抗６４を経由してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力され、これによりそのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がスイッチング動作し、電池３０からの電力が昇圧用トランス６１を介して昇圧され、さらにダイオード６６で整流されてメインコンデンサ６７が充電される。その後、シャッタ操作に同期して、図示しない手段でメインコンデンサ６７に充電された電力が放電され、閃光部２００（図１参照）から閃光が発せられる。
【００３３】
次に、電池３０の残存電力を測定するバッテリチェックについて説明する。この場合は、先ず、ＭＰＵ４０の出力ポートＰＯが‘Ｌ’レベル状態に設定される。これにより、電池３０からの、抵抗７１，７２の抵抗値に応じて分圧された電圧が、ＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに印加される。次いで、ＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／Ａから、その電池３０の残存電力を測定するバッテリチェック用としての、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２が所定の抵抗値（オン抵抗値）を示す制御信号が出力される。この制御信号は、上記所定のパルスの電圧よりも低い直流レベルの電圧信号である。このように、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに上記所定のパルスの電圧よりも低い電圧信号を与えて電池３０の残存電力測定を行なうと、電池３０の、バッテリチェックにおける消費電力を小さく抑えることができる。また、昇圧用トランス６１やＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２等の特性は、カメラ個々により異なる。そこで、本実施形態では、ＥＥＰＲＯＭ５０に、カメラ個々の個体差に応じた設定値が記憶されており、この記憶された設定値をＭＰＵ４０で読み出して、その設定値に相当する電圧値を有する制御信号をディジタル／アナログポートＤ／Ａから出力することによりカメラの個体差を吸収することができる。従って、電池３０の残存電力を高い精度で測定することができる。
【００３４】
ＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／Ａから上記の電圧値を有する制御信号が出力されると、電池３０の＋端子側→昇圧用トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→電池３０の−端子側の経路で、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２の、その制御信号の電圧値に応じたオン抵抗値により定まる電流が流れる。すると、電池３０から、その電流と電池３０の内部インピーダンスとにより定まる電圧降下分だけ低下した電圧が出力される。出力された電圧は、直列接続された抵抗７１，７２の抵抗値に応じて分圧される。分圧された電圧は、それら抵抗７１，７２の接続点に接続されたＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力される。ＭＰＵ４０は、そのアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄに入力された電圧をＡ／Ｄ変換してその電圧に応じたディジタル値を得、そのディジタル値に基づいて、電池３０の残存電力を測定することによりバッテリチェックを行なう。
【００３５】
尚、ＭＰＵ４０の、ディジタル／アナログポートＤ／ＡからＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に所定のパルスを与えるとともに上記制御信号を与える機能が、本発明にいう制御手段に相当する。また、直列接続された抵抗７１，７２およびＭＰＵ４０のアナログ／ディジタルポートＡ／Ｄが、本発明にいうバッテリチェック手段に相当する。
【００３６】
本実施形態では、ストロボ撮影にあたってはＭＰＵ４０のディジタル／アナログポートＤ／ＡからＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に所定のパルスを与えてメインコンデンサ６７を充電し充電された電力を放電して閃光を発し、バッテリチェックにあたってはそのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートにそのパルスの電圧よりも低い電圧信号を与えて、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２の抵抗値に応じた電流を電池３０に流してその電池３０の残存電力を測定するものであるため、従来のカメラのように、バッテリチェック専用の部品としてワッテージの大きな抵抗や、その抵抗に電流を流すためにサイズの大きなＭＯＳＦＥＴを備える必要はない。従って、部品点数が削減されるとともに回路基板面積も小さくて済み、コストの低減化が図られる。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに上記所定のパルスの電圧よりも低い電圧信号を与えて電池３０の残存電力を測定するものであるため、バッテリチェックにあたり電池３０の消費電力を小さく抑えることができる。
【００３７】
尚、本実施形態では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに所定のパルスの電圧よりも低い電圧信号を与えて電池３０の残存電力を測定する例で説明したが、このＮチャネルＭＯＳＦＥＴに代えてＰチャネルＭＯＳＦＥＴを備え、このＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲートに、バッテリチェック用の制御信号として、上記所定のパルスの電圧よりも高い電圧信号を与えて電池３０の残存電力測定を行ない、電池３０の、バッテリチェックにおける消費電力を小さく抑えてもよい。
【００３８】
図４は、図３に示すストロボ装置回路とは異なるストロボ装置回路を示す図である。
【００３９】
尚、図３に示すストロボ装置回路の構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付し、異なる点について説明する。
【００４０】
図４には、電池３０と、ＭＰＵ８０と、ＥＥＰＲＯＭ５０と、ストロボ装置回路１００とが示されている。
【００４１】
ＭＰＵ８０には、前述したＭＰＵ４０に備えられたディジタル／アナログポートＤ／Ａの機能に代わる第１，第２の出力ポートＰＯ１，ＰＯ２が備えられている。これらの出力ポートＰＯ１，ＰＯ２は、ストロボ装置回路１００を構成する抵抗９１，９２を経由してＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに接続されている。尚、抵抗９２の抵抗値は、抵抗６５や抵抗９１の抵抗値と比べ、比較的大きく設定されている。前述した図３に示すストロボ装置回路６０は、１つのディジタル／アナログポートＤ／Ａにより所定のパルスとその所定のパルスの電圧よりも低い電圧信号をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に与える構成であるが、この図４に示すストロボ装置回路１００は、上記出力ポートＰＯ１により所定のパルスをＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に与え、また上記出力ポートＰＯ２により‘Ｈ’レベルの制御信号をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２に与える構成である。以下、詳細に説明する。
【００４２】
ストロボ撮影にあたっては、ＭＰＵ８０の出力ポートＰＯおよび第２の出力ポートＰＯ２の双方がハイインピーダンス状態に設定される。この状態で、第１の出力ポートＰＯ１から所定のパルスが出力され、これによりＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２がスイッチング動作して、ストロボ閃光光用の電荷がメインコンデンサ６７に蓄積される。その後、シャッタ操作に同期して閃光が発せられる。
【００４３】
一方、バッテリチェックを行なう場合は、ＭＰＵ８０の出力ポートＰＯが‘Ｌ’レベル状態に設定されるとともに第１の出力ポートＰＯ１がハイインピーダンス状態に設定される。この状態で、第２の出力ポートＰＯ２から‘Ｈ’レベルの制御信号が出力される。この‘Ｈ’レベルの制御信号は、抵抗９２，６５の抵抗値に応じて分圧されてＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力される。ここで、抵抗９２の抵抗値は比較的大きいため、抵抗９２，６５の接続点における、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２のゲートに入力される電圧のレベルは比較的小さい。従って、電池３０の＋端子側→昇圧用トランス６１→ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２→電池３０の−端子側の経路で、そのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６２の、その電圧値に応じたオン抵抗値により定まる電流が流れ、電池３０から、その電流と電池３０の内部インピーダンスとにより定まる電圧降下分だけ低下した電圧が出力される。以下、図３を参照して説明したと同様にして、抵抗７１，７２の抵抗値に応じて分圧された電圧がＭＰＵ８０のアナログ／ディジタルポートＡ／ＤでＡ／Ｄ変換されて電池３０の残存電力が測定される。このようにして、バッテリチェックを行なってもよい。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のカメラは、ストロボ撮影にあたってはスイッチング素子に所定のパルスを与えてメインコンデンサを充電し充電された電力を放電して閃光を発し、バッテリチェックにおいてはスイッチング素子にそのスイッチング素子が所定の抵抗値を示す制御信号を与えて電池の残存電力を測定するものであるため、従来のカメラのように、バッテリチェック専用の部品としてワッテージの大きな抵抗や、その抵抗に電流を流すためにサイズの大きなＭＯＳＦＥＴを備える必要はなく、部品点数が削減されるとともに回路基板面積も小さくて済み、コストの低減化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のカメラを前面斜め上から見た外観斜視図である。
【図２】図１のカメラを背面斜め上から見た外観斜視図である。
【図３】図１に示すカメラの、バッテリチェック用の回路を含むストロボ装置回路を示す図である。
【図４】図３に示すストロボ装置回路とは異なるストロボ装置回路を示す図である。
【図５】従来のカメラのバッテリチェック回路を示す図である。
【符号の説明】
１０ カメラ
１１ ズーム鏡胴
１１ａ 光学ズームレンズ
１２ ＡＦ投光窓
１３ ＡＦ受光窓
１４ ズームファインダ窓
１５ ＡＥ受光窓
１８ シャッタボタン
２１ ストロボオンオフスイッチ
２２ ファインダ接眼窓
２３ ズーム操作レバー
３０ 電池
４０，８０ ＭＰＵ
５０ ＥＥＰＲＯＭ
６０，１００ ストロボ装置回路
６１ 昇圧用トランス
６２ ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
６３ ツェナーダイオード
６４，６５，７１，７２，９１，９２ 抵抗
６６ ダイオード
６７ メインコンデンサ
２００ 閃光部
Claims (4)
- 電池からの電力を昇圧用トランスを介して昇圧し整流してメインコンデンサを充電し、撮影にあたり該メインコンデンサに充電された電力を放電して閃光を発するストロボ装置を備えたカメラにおいて、
前記ストロボ装置が、前記昇圧用トランスの一次巻線に直列に接続された、制御信号に応じた抵抗値を示すスイッチング素子を備えたものであって、
前記メインコンデンサへの電力の蓄積の際に所定のパルスを前記スイッチング素子に与えるとともに、前記電池の残存電力を測定するバッテリチェック用制御信号として前記スイッチング素子が所定の抵抗値を示す制御信号を該スイッチング素子に与える制御手段と、
前記制御手段により前記スイッチング素子にバッテリチェック用の制御信号が送られている状態において前記電池の電圧を判定することにより該電池の残存電力を測定するバッテリチェック手段とを備えたことを特徴とするカメラ。 - 前記スイッチング素子は制御信号の電圧値により抵抗値が制御されるものであって、
このカメラは、バッテリチェック用の制御信号の電圧値に相当する設定値が記憶されたメモリを備えたことを特徴とする請求項１記載のカメラ。 - 前記スイッチング素子がＮチャネルＭＯＳＦＥＴであって、
前記制御手段は、前記ＭＯＳＦＥＴのゲートに、前記バッテリチェック用の制御信号として、前記パルスの電圧よりも低い電圧信号を与えるものであることを特徴とする請求項１記載のカメラ。 - 前記スイッチング素子がＰチャネルＭＯＳＦＥＴであって、
前記制御手段は、前記ＭＯＳＦＥＴのゲートに、前記バッテリチェック用の制御信号として、前記パルスの電圧よりも高い電圧信号を与えるものであることを特徴とする請求項１記載のカメラ。
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