JP5926752B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5926752B2 JP5926752B2 JP2014030238A JP2014030238A JP5926752B2 JP 5926752 B2 JP5926752 B2 JP 5926752B2 JP 2014030238 A JP2014030238 A JP 2014030238A JP 2014030238 A JP2014030238 A JP 2014030238A JP 5926752 B2 JP5926752 B2 JP 5926752B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer material
- photosensitive film
- film
- pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 191
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 136
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 77
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 61
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 40
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 14
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims description 14
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 9
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 56
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 44
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 15
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 102100034042 Alcohol dehydrogenase 1C Human genes 0.000 description 4
- 102100034044 All-trans-retinol dehydrogenase [NAD(+)] ADH1B Human genes 0.000 description 4
- 101710193111 All-trans-retinol dehydrogenase [NAD(+)] ADH4 Proteins 0.000 description 4
- 101000796894 Coturnix japonica Alcohol dehydrogenase 1 Proteins 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000780463 Homo sapiens Alcohol dehydrogenase 1C Proteins 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 101100221835 Arabidopsis thaliana CPL2 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 101100221836 Arabidopsis thaliana CPL3 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100065702 Arabidopsis thaliana ETC3 gene Proteins 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100221837 Arabidopsis thaliana CPL4 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100536545 Arabidopsis thaliana TCL2 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000931525 Homo sapiens Forkhead box protein G1 Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001031356 Sphaenorhynchus lacteus Buforin-2 Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical group 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。
半導体装置（デバイス）の高集積化に伴い、半導体装置をより微細に加工するプロセス技術が要求されている。半導体装置を微細に加工する技術としては、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストパターンを形成し、レジストパターンをエッチングマスクとして被処理体をエッチングするパターン形成方法等が知られている。
しかしながら、近年、フォトリソグラフィ技術の露光装置の限界解像度以下にまで半導体装置を微細化することが要求されている。
フォトリソグラフィ技術の露光装置の限界解像度よりも更に微細なパターンを形成する技術として、ＳＷＴ（Side Wall Transfer）法等のパターニング技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
係るＳＷＴ法では、例えば、露光装置および当該露光装置にインライン接続された塗布現像装置を用いてリソグラフィ技術により有機膜をパターニングする。更に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置等の成膜装置を用いて前記パターニングされた有機膜の上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜等のスペーサ材をコンフォーマルに形成する。続いて、プラズマエッチング装置等の異方性エッチングが可能なエッチング装置を用いて、前記スペーサ材が有機膜のパターンの側壁部にのみ残るように前記スペーサ材の一部をエッチングする。その後、有機膜のパターンを除去して前記スペーサ材による所望の微細パターンを形成する。
しかしながら、特許文献１に記載されたようなＳＷＴ法によるパターニング技術では、使用する半導体製造装置の種類が多い。このため、所望の微細パターンを有する半導体装置を製造する製造プロセスが複雑になる。
そこで、本発明の一つの案では、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
一つの案では、基板上に表面が撥水性を有する下地膜を形成する下地膜形成工程と、下地膜上に表面が撥水性を有する感光膜を形成する感光膜形成工程と、感光膜を現像することにより下地膜を露出させて感光膜パターンを形成する感光膜パターン形成工程と、感光膜上及び露出した下地膜上に第１のスペーサ材を供給すると共に供給した第１のスペーサ材のうち感光膜パターンの側壁部に形成された第１のスペーサ材の固化を進行させる第１のスペーサ材形成工程と、第１のスペーサ材形成工程において供給した第１のスペーサ材のうち、固化が進行された第１のスペーサ材を除く、感光膜の上面及び下地膜の上面に形成された第１のスペーサ材の少なくとも一部を除去する第１のパターン形成工程とを含む、半導体装置の製造方法が提供される。
一態様によれば、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［第１実施形態］
まず、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１に、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例のフローチャートを示す。
まず、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１に、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例のフローチャートを示す。
第１実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図１に示すように、基板上に表面が撥水性を有する下地膜を形成する下地膜形成工程（Ｓ１）と、下地膜上に表面が撥水性を有する感光膜を形成する感光膜形成工程（Ｓ２）と、感光膜を現像することにより下地膜を露出させて感光膜パターンを形成する感光膜パターン形成工程（Ｓ３）と、感光膜上及び露出した下地膜上に第１のスペーサ材を供給する第１のスペーサ材形成工程（Ｓ４）と、感光膜の上面及び下地膜の上面に形成された第１のスペーサ材の少なくとも一部を除去する第１のパターン形成工程（Ｓ５）とを含む。
以下、各々の工程について、図２から図４を参照しながら詳細に説明する。図２から図４に、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の工程断面図を示す。
（下地膜形成工程Ｓ１）
まず、図２（ａ）に示すように、基板１０１上に下地膜１０２を形成する。
まず、図２（ａ）に示すように、基板１０１上に下地膜１０２を形成する。
下地膜１０２としては、例えばＳｉＡＲＣ（Silicon Containing Anti-Reflective Coating）、ＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflective Coating）、ＳＯＣ（Spin-on Carbon）、アモルファスカーボン等の反射防止膜を用いることができる。下地膜１０２の形成方法としては、容易に均一な膜を形成することができるため、スピン塗布を用いることが好ましい。
次に、図２（ｂ）に示すように、下地膜１０２の表面に撥水処理を行うことにより撥水層１０２ａを形成する。
撥水処理は、撥水性材料を下地膜１０２の表面に供給することにより実現される。撥水性材料としては、例えばフロオロアルキル基を含む界面活性剤又はシランカップリング剤を好適に用いることができる。撥水性材料の供給方法としては、例えば気相供給法、液相供給法等を用いることができる。
（感光膜形成工程Ｓ２）
次に、図２（ｃ）に示すように、撥水層１０２ａ上に感光膜１０４を形成する。
次に、図２（ｃ）に示すように、撥水層１０２ａ上に感光膜１０４を形成する。
感光膜１０４としては、撥水層１０２ａ及び後述する撥水層１０４ａとの間に相溶性を有しないものを用いることが好ましい。感光膜１０４の形成方法としては、容易に均一な膜を形成することができるため、感光剤をスピン塗布する方法を用いることが好ましい。
次に、図２（ｄ）に示すように、感光膜１０４の表面に撥水処理を行うことにより撥水層１０４ａを形成する。
撥水処理は、撥水性材料を感光膜１０４の表面に供給することにより実現される。撥水性材料としては、例えばフロオロアルキル基を含む界面活性剤又はシランカップリング剤を好適に用いることができる。撥水性材料の供給方法としては、気相供給法、液相供給法等を用いることができる。
なお、感光膜形成工程Ｓ２の前に、下地膜１０２が形成された基板１０１の表面を洗浄し、感光膜１０４の下地膜１０２への密着性を高めるためのベーク（塗布前ベーク）を行うことが好ましい。塗布前ベークの温度としては、例えば１００〜１５０℃であることが好ましい。
また、感光膜形成工程Ｓ２の後に、感光膜１０４中に残っている溶媒を揮発させ、同時に膜を緻密にするために、ベーク（露光前ベーク）を行うことが好ましい。露光前ベークの温度としては、例えば１００〜１５０℃であることが好ましい。
（感光膜パターン形成工程Ｓ３）
次に、図３（ａ）に示すように、感光膜１０４に対して露光処理及び現像処理を行うことにより、感光膜パターンを形成する。この際、下地膜１０２に形成された撥水層１０２ａの一部を露出させる。
次に、図３（ａ）に示すように、感光膜１０４に対して露光処理及び現像処理を行うことにより、感光膜パターンを形成する。この際、下地膜１０２に形成された撥水層１０２ａの一部を露出させる。
露光処理は、例えば所定のパターンを有する露光マスクを用いて感光膜１０４を露光することにより露光マスクのパターンを感光膜１０４に転写する処理である。露光の光源としては、紫外線光源を好適に用いることができ、例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ等を用いることができる。また、露光処理の後にはベーク（露光後ベーク）を行うことが好ましい。露光後ベークの温度としては、例えば１００〜１５０℃であることが好ましい。
現像処理は、例えば現像液を露光処理された感光膜１０４上に供給し、露光処理で転写されたパターンを形成する処理である。また、現像処理の後には、例えば純水等を用いてリンス処理を行うことが好ましい。
（第１のスペーサ材形成工程Ｓ４）
次に、図３（ｂ）に示すように、パターン形成された感光膜１０４及び露出した下地膜１０２上に第１のスペーサ材１０５を供給する。
次に、図３（ｂ）に示すように、パターン形成された感光膜１０４及び露出した下地膜１０２上に第１のスペーサ材１０５を供給する。
第１のスペーサ材１０５の材料としては、例えばキレート系、アシレート系、アルコキシド系の有機化合物が所定の金属と結合した、有機金属化合物又は所定の金属を含むシランカップリング剤等を好適に用いることができる。所定の金属としては、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）等を用いることができる。
第１のスペーサ材１０５の形成方法としては、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な方法が好ましく、例えば気相成膜法、あるいはスピン塗布のような液相成膜法等を用いることができる。これにより、高い精度でパターンを形成することができる。
次に、図３（ｃ）に示すように、第１のスペーサ材１０５が供給された基板１０１を乾燥させる。このとき、撥水層１０２ａを有する下地膜１０２の上面に形成された第１のスペーサ材１０５ｂは、下地膜１０２とほとんど反応することはなく、固化が進行しない。また、撥水層１０４ａを有する感光膜１０４の上面に形成された第１のスペーサ材１０５ｃは、感光膜１０４とほとんど反応することはなく、固化が進行しない。一方、撥水層１０２ａ及び撥水層１０４ａを有しない感光膜１０４の側壁部に形成された第１のスペーサ材１０５ａは、感光膜１０４と反応して固化が進行する。
基板１０１を乾燥させる方法としては、特に限定されないが、感光膜１０４の側壁部に形成された第１のスペーサ材１０５ａの固化を促進し、安定化させることができることから、加熱処理を行う加熱処理工程を有することが好ましい。加熱処理の温度としては、感光膜１０４の耐熱温度以下であればよく、例えば１００℃から１５０℃であることが好ましい。
（第１のパターン形成工程Ｓ５）
次に、図３（ｄ）に示すように、基板１０１を有機溶剤で洗浄する。これにより、第１のスペーサ材１０５のうち、固化が進行していない部分は除去され、固化されている部分は除去されることなく残存する。すなわち、撥水層１０２ａの上面に形成された第１のスペーサ材１０５ｂ及び撥水層１０４ａの上面に形成された第１のスペーサ材１０５ｃは除去される。一方、感光膜１０４の側壁部に形成された第１のスペーサ材１０５ａはほとんど除去されることなく残存する。この結果、感光膜１０４の側壁部の両側に形成された第１のスペーサ材１０５ａによって、第１のパターンが形成される。
このため、第１のパターンのピッチを感光膜パターンのピッチよりも小さくすることができる。結果として、第１のパターンをエッチングマスクとして下地膜１０２をエッチングすることにより、露光装置の限界解像度以下のピッチを有する反射防止膜のパターンを形成することができる。
次に、図３（ｄ）に示すように、基板１０１を有機溶剤で洗浄する。これにより、第１のスペーサ材１０５のうち、固化が進行していない部分は除去され、固化されている部分は除去されることなく残存する。すなわち、撥水層１０２ａの上面に形成された第１のスペーサ材１０５ｂ及び撥水層１０４ａの上面に形成された第１のスペーサ材１０５ｃは除去される。一方、感光膜１０４の側壁部に形成された第１のスペーサ材１０５ａはほとんど除去されることなく残存する。この結果、感光膜１０４の側壁部の両側に形成された第１のスペーサ材１０５ａによって、第１のパターンが形成される。
このため、第１のパターンのピッチを感光膜パターンのピッチよりも小さくすることができる。結果として、第１のパターンをエッチングマスクとして下地膜１０２をエッチングすることにより、露光装置の限界解像度以下のピッチを有する反射防止膜のパターンを形成することができる。
（感光膜の除去工程）
次に、図４（ａ）に示すように、感光膜１０４をドライエッチング法又はウェットエッチング法によりエッチングする。これにより、感光膜１０４を選択的にエッチングし除去する。なお、感光膜１０４の除去は、第１のパターン形成工程Ｓ５における第１のスペーサ材１０５ｂ及び第１のスペーサ材１０５ｃの除去と同時に行っても良い。感光膜１０４の除去を第１のスペーサ材１０５ｂ及び第１のスペーサ材１０５ｃの除去と同時に行う方法としては、例えばフッ酸水溶液でスピンオン処理する方法等が挙げられる。
次に、図４（ａ）に示すように、感光膜１０４をドライエッチング法又はウェットエッチング法によりエッチングする。これにより、感光膜１０４を選択的にエッチングし除去する。なお、感光膜１０４の除去は、第１のパターン形成工程Ｓ５における第１のスペーサ材１０５ｂ及び第１のスペーサ材１０５ｃの除去と同時に行っても良い。感光膜１０４の除去を第１のスペーサ材１０５ｂ及び第１のスペーサ材１０５ｃの除去と同時に行う方法としては、例えばフッ酸水溶液でスピンオン処理する方法等が挙げられる。
（下地膜のエッチング工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、第１のパターンに形成された第１のスペーサ材１０５ａをエッチングマスクとして用いることにより、下地膜１０２をエッチングする。これにより、下地膜１０２が第１のパターンに形成される。エッチング方法としては、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）等のドライエッチングを用いることができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、第１のパターンに形成された第１のスペーサ材１０５ａをエッチングマスクとして用いることにより、下地膜１０２をエッチングする。これにより、下地膜１０２が第１のパターンに形成される。エッチング方法としては、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）等のドライエッチングを用いることができる。
（第１のスペーサ材の除去工程）
次に、第１のスペーサ材１０５ａを除去する。除去方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
次に、第１のスペーサ材１０５ａを除去する。除去方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
（基板のパターニング工程）
次に、第１のパターンに形成された下地膜１０２をエッチングマスクとして用いることにより、基板１０１をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
次に、第１のパターンに形成された下地膜１０２をエッチングマスクとして用いることにより、基板１０１をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
以上の工程により、所望の微細パターンを有する半導体装置を製造することができる。
上述の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法では、大気系処理により下地膜形成工程Ｓ１から第１のパターン形成工程Ｓ５までの工程を行うことができる。すなわち、エッチバック等の真空中で行われる真空系処理（真空プロセス）を用いることなく、側壁部（サイドウォール）を形成することができる。結果として、上述の第１実施形態では、真空プロセスと大気中で行われるプロセスとを交互に繰り返し行うことなく、ＳＷＴ法による微細パターンを有する半導体装置の製造を容易に行うことができる。
また、真空プロセスと大気中で行われるプロセスとを交互に繰り返し行うことがないため、基板１０１を装置間で移動させる回数を低減することができる。このため、所望の微細パターンを有する半導体装置を製造するために要する時間及びコストを低減することができ、生産性の向上を図ることができる。
以上に説明したように、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる。
次に、第１実施形態の半導体装置の製造方法に好適に用いることができる半導体製造装置の一例としての塗布現像装置について、図５から図７を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、現像処理ユニットの一例としての第１のブロックＢ１、反射防止膜形成ユニットの一例としての第２のブロックＢ２、感光膜形成ユニットの一例としての第３のブロックＢ３、スペーサ材形成ユニット及び洗浄ユニットが同一ユニットの場合の一例としての第４のブロックＢ４、撥水処理ユニットの一例としての撥水処理モジュールＡＤＨ２、ＡＤＨ３、加熱処理ユニットの一例としての加熱処理モジュール、搬送機構の一例としての基板を搬出入する搬送アームＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェースアームＦを用いて説明する。
図５、図６及び図７に、各々、塗布現像装置の概略構成の一例の平面図、斜視図及び側面図を示す。
第１実施形態に係る塗布現像装置は、図５及び図６に示すように、キャリアブロックＳＴ１、処理ブロックＳＴ２及びインターフェースブロックＳＴ３を有する。また、塗布現像装置のインターフェースブロックＳＴ３側に、露光装置ＳＴ４が設けられている。処理ブロックＳＴ２は、キャリアブロックＳＴ１に隣接するように設けられている。インターフェースブロックＳＴ３は、処理ブロックＳＴ２のキャリアブロックＳＴ１側と反対側に、処理ブロックＳＴ２と隣接するように設けられている。露光装置ＳＴ４は、インターフェースブロックＳＴ３の処理ブロックＳＴ２側と反対側に、インターフェースブロックＳＴ３に隣接するように設けられている。
また、第１実施形態に係る塗布現像装置は、制御部ＣＵによってその動作が制御される。
キャリアブロックＳＴ１は、キャリア２０、載置台２１及び受け渡し手段Ｃを有する。キャリア２０は、載置台２１上に載置されている。受け渡し手段Ｃは、キャリア２０から基板１０１の一例としてのウエハＷを取り出し、処理ブロックＳＴ２に受け渡す（搬入する）。また、受け渡し手段Ｃは、処理ブロックＳＴ２において処理された処理済みのウエハＷを受け取り、キャリア２０に戻す（搬出する）。
処理ブロックＳＴ２は、図５及び図６に示すように、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、棚ユニットＵ３、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有する。第１のブロックＢ１では現像処理が行われる。第２のブロックＢ２では下地膜１０２の一例としての反射防止膜が形成される。第３のブロックＢ３では感光剤が塗布されて感光膜１０４が形成される。第４のブロックＢ４ではスペーサ材が供給される。また、第４のブロックＢ４ではスペーサ材上に洗浄液が供給される。
棚ユニットＵ１は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ１は、図７に示すように、例えば受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３及びＢＦ３を有する。また、棚ユニットＵ１は、例えば撥水処理モジュールＡＤＨ２、ＡＤＨ３を有する。また、図５に示すように、棚ユニットＵ１の近傍には、昇降自在な受け渡しアームＤが設けられている。棚ユニットＵ１の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームＤによりウエハＷが搬送される。
棚ユニットＵ２は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ２は、図７に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６及びＣＰＬ１２を有する。
なお、図７において、ＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
棚ユニットＵ３は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ３は、ウエハＷの加熱処理及び冷却処理を行う加熱・冷却処理モジュールを有する。
第１のブロックＢ１は、図５及び図７に示すように、現像モジュール２２、棚ユニットＵ３に設けられた加熱・冷却処理モジュール、搬送アームＡ１及びシャトルアームＥを有する。現像モジュール２２は、１つの第１のブロックＢ１内に、上下二段に積層されている。加熱・冷却処理モジュールは、現像モジュール２２において行われる処理の前処理（例えば露光後ベーク）及び後処理を行うためのものである。搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウエハＷを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウエハＷを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するためのものである。
第２のブロックＢ２、第３のブロックＢ３及び第４のブロックＢ４は、各々塗布モジュール、棚ユニットＵ３に設けられた加熱・冷却処理モジュール及び搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４を有する。塗布モジュールは、回転するウエハＷに薬液を供給する等して、スピン塗布するためのものである。加熱・冷却処理モジュールは、塗布モジュールにおいて行われる液処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウエハＷの受け渡しを行う。
第２のブロックＢ２から第４のブロックＢ４の各ブロックが有する塗布モジュールは、供給される薬液が異なることを除き同様の構成を有する。すなわち、第２のブロックＢ２の塗布モジュールで供給される薬液は反射防止膜用の薬液であり、第３のブロックＢ３の塗布モジュールで供給される薬液は感光剤であり、第４のブロックＢ４の塗布モジュールで供給される薬液はスペーサ材及び有機溶剤である。
インターフェースブロックＳＴ３は、図５に示すように、インターフェースアームＦを有する。インターフェースアームＦは、処理ブロックＳＴ２の棚ユニットＵ２の近傍に設けられている。棚ユニットＵ２の各処理モジュール同士の間及び露光装置ＳＴ４との間で、インターフェースアームＦによりウエハＷが搬送される。
次に、塗布現像装置の動作の一例について説明する。なお、以下の動作は、制御部ＣＵによって制御される。
まず、キャリアブロックＳＴ１からのウエハＷは、棚ユニットＵ１の一つの受け渡しモジュール、例えば第２のブロックＢ２に対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に、受け渡し手段Ｃにより、順次搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウエハＷは、第２のブロックＢ２の搬送アームＡ２に受け渡され、搬送アームＡ２を介して第２のブロックＢ２の塗布モジュールや処理モジュールに搬送され、各モジュールで処理が行われる。これにより、ウエハＷに反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ２を介し、棚ユニットＵ１の撥水処理モジュールＡＤＨ２に搬送され、反射防止膜の表面に撥水処理が行われる（下地膜形成工程Ｓ１）。
表面が撥水性を有する反射防止膜が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ２、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３を介し、第３のブロックＢ３の搬送アームＡ３に受け渡される。そして、ウエハＷは、搬送アームＡ３を介して第３のブロックＢ３の塗布モジュールや処理モジュールに搬送され、各モジュールで処理が行われる。これにより、反射防止膜上に感光膜１０４が形成される。感光膜１０４が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ３を介し、棚ユニットＵ１の撥水処理モジュールＡＤＨ３に搬送され、感光膜１０４の表面に撥水処理が行われる（感光膜形成工程Ｓ２）。
表面が撥水性を有する感光膜１０４が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ３、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１を介し、第１のブロックＢ１のシャトルアームＥに受け渡される。そして、ウエハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に直接搬送された後、インターフェースブロックＳＴ３のインターフェースアームＦに受け渡される。インターフェースアームＦに受け渡されたウエハＷは、露光装置ＳＴ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。
所定の露光処理が行われたウエハＷは、インターフェースアームＦを介し、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置され、処理ブロックＳＴ２に戻される。処理ブロックＳＴ２に戻されたウエハＷは、第１のブロックＢ１の現像モジュール２２において現像処理が行われる（感光膜パターン形成工程Ｓ３）。
現像処理が行われたウエハＷは、搬送アームＡ１、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しＣＰＬ４を介し、第４のブロックＢ４の搬送アームＡ４に受け渡される。そして、ウエハＷは、搬送アームＡ４を介して第４のブロックＢ４の塗布モジュールや処理モジュールに搬送され、各モジュールで処理が行われる。これにより、感光膜１０４上及び露出した反射防止膜上に第１のスペーサ材１０５が形成される（第１のスペーサ材形成工程Ｓ４）。
第１のスペーサ材１０５が形成されたウエハＷは、搬送アームＡ４を介し、棚ユニットＵ２の各処理モジュールに搬送され、有機溶剤が供給されて洗浄される（第１のパターン形成工程Ｓ５）。
有機溶剤が供給されたウエハＷは、搬送アームＡ４、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４、受け渡し手段Ｃを介し、キャリア２０に戻される。
キャリア２０に戻されたウエハＷは、図示しない搬送手段により、塗布現像装置から外部に搬送され、例えばＲＩＥ装置等のエッチング装置により、第１のスペーサ材１０５ａをエッチングマスクとして反射防止膜が所望のパターンにエッチング処理される。
次に、反射防止膜が所望のパターンにエッチング処理されたウエハＷは、図示しない搬送手段により、エッチング装置から第１のスペーサ材除去装置に搬送され、第１のスペーサ材１０５ａが除去される。
最後に、第１のスペーサ材１０５ａが除去されたウエハＷは、図示しない搬送手段により、エッチング装置に搬送され、所望のパターンに形成された反射防止膜をエッチングマスクとして、所望のパターンにエッチング処理される。
以上に説明したように、第１実施形態に係る半導体製造装置によれば、下地膜形成工程Ｓ１から第１のパターン形成工程Ｓ５までの工程を同一の塗布現像装置で行うことができ、プロセスの簡素化を図ることができる。このため、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる。
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について、図８及び図９を参照しながら説明する。図８及び図９に、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の工程断面図を示す。
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について、図８及び図９を参照しながら説明する。図８及び図９に、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の工程断面図を示す。
第２実施形態では、下地膜形成工程Ｓ１において、撥水性材料を含有した下地膜形成用の塗布液をスピン塗布することにより、下地膜１０２の形成と同時に下地膜１０２の表面に撥水層１０２ａを形成する点で、第１実施形態と相違する。
また、第２実施形態では、感光膜形成工程Ｓ２において、撥水性材料を含有した下地膜用の塗布液をスピン塗布することにより、感光膜１０４の形成と同時に感光膜１０４の表面に撥水層１０４ａを形成する点で、第１実施形態と相違する。
なお、上記相違点以外は、第１実施形態と同様であるため、以下の説明では、相違点を中心に説明する。
（下地膜形成工程Ｓ１）
第２実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、図８（ａ）に示すように、基板１０１上に撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布して下地膜１０２の表面に撥水層１０２ａを形成する。
第２実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、図８（ａ）に示すように、基板１０１上に撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布して下地膜１０２の表面に撥水層１０２ａを形成する。
下地膜１０２としては、例えばＳｉＡＲＣ、ＢＡＲＣ、ＳＯＣ、アモルファスカーボン等の反射防止膜を用いることができる。中でも、撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布したときに下地膜１０２の表面に撥水性材料が析出しやすいことから、ＢＡＲＣを用いることが好ましい。
撥水性材料としては、例えばフロオロアルキル基を含む界面活性剤又はシランカップリング剤を好適に用いることができる。
（感光膜形成工程Ｓ２）
次に、図８（ｂ）に示すように、下地膜１０２上に撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布して感光膜１０４の表面に撥水層１０４ａを形成する。
次に、図８（ｂ）に示すように、下地膜１０２上に撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布して感光膜１０４の表面に撥水層１０４ａを形成する。
撥水性材料としては、例えばフロオロアルキル基を含む界面活性剤又はシランカップリング剤を好適に用いることができる。
（感光膜パターン形成工程Ｓ３〜基板のパターニング工程）
次に、第１実施形態と同様の方法により、基板のパターニングまでを行う。
次に、第１実施形態と同様の方法により、基板のパターニングまでを行う。
すなわち、図８（ｃ）に示すように、感光膜１０４に対して露光処理及び現像処理を行うことにより、感光膜パターンを形成する（感光膜パターン形成工程Ｓ３）。
次に、図８（ｄ）に示すように、感光膜１０４上及び露出した下地膜１０２上に第１のスペーサ材１０５を供給する。次に、図９（ａ）に示すように第１のスペーサ材１０５が供給された基板１０１を乾燥させる（第１のスペーサ材形成工程Ｓ４）。次に、図９（ｂ）に示すように、基板１０１を有機溶剤で洗浄する（第１のパターン形成工程Ｓ５）。次に、図９（ｃ）に示すように、感光膜１０４をドライエッチング法又はウェットエッチング法によりエッチングする（感光膜の除去工程）。次に、図９（ｄ）に示すように、第１のスペーサ材１０５ａをエッチングマスクとして用いることにより、下地膜１０２をエッチングする。次に、第１のスペーサ材１０５ａを除去した後、第１のパターンに形成された下地膜１０２をエッチングマスクとして、基板１０１をエッチングする。
以上の工程により、所望の微細パターンを有する半導体装置を製造することができる。
以上に説明したように、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる。
特に、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法では、撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布して下地膜１０２を形成することにより、下地膜１０２の表面に撥水性を付与する（撥水層１０２ａを形成する）。このため、下地膜１０２を形成した後に、下地膜１０２の表面に撥水性材料を供給することにより、撥水層１０２ａを形成する必要がない。
また、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法では、撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布して感光膜１０４を形成することにより、感光膜１０４の表面に撥水性を付与する（撥水層１０４ａを形成する）。このため、感光膜１０４を形成した後に、感光膜１０４の表面に撥水性材料を供給することにより、撥水層１０４ａを形成する必要がない。
したがって、半導体装置の製造方法における工程数をより少なくすることができる。結果として、製造コストを低減することができる。
また、前述した第１実施形態に係る塗布現像装置は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法にも好適に用いることができ、下地膜形成工程Ｓ１から第１のパターン形成工程Ｓ５までの工程を同一の塗布現像装置で行うことができ、プロセスの簡素化を図ることができる。このため、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる。
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について、図１０から図１３を参照しながら説明する。図１０から図１３に、第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の工程断面図を示す。
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について、図１０から図１３を参照しながら説明する。図１０から図１３に、第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の工程断面図を示す。
第３実施形態では、第１のパターン形成工程Ｓ５の後に、第２のスペーサ材１０６を基板１０１上に供給する第２のスペーサ材形成工程と、感光膜１０４の上面及び下地膜１０２の上面に形成された第２のスペーサ材１０６の少なくとも一部を除去することにより第２のスペーサ材１０６による第２のパターンを形成する第２のパターン形成工程とを含む点で、第１実施形態と相違する。
なお、上記相違点以外は、第１実施形態と同様であるため、以下の説明では、相違点を中心に説明する。
（下地膜形成工程Ｓ１〜第１のパターン形成工程Ｓ５）
第３実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、第１実施形態と同様の方法により、第１のパターンを形成する。
第３実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、第１実施形態と同様の方法により、第１のパターンを形成する。
すなわち、まず、図１０（ａ）に示すように、基板１０１上に下地膜１０２を形成した後、図１０（ｂ）に示すように、下地膜１０２の表面に撥水処理を行うことにより撥水層１０２ａを形成する（下地膜形成工程Ｓ１）。次に、図１０（ｃ）に示すように、撥水層１０２ａ上に感光膜１０４を形成した後、図１０（ｄ）に示すように、感光膜１０４の表面に撥水処理を行うことにより撥水層１０４ａを形成する（感光膜形成工程Ｓ２）。
次に、図１１（ａ）に示すように、感光膜１０４に対して露光処理及び現像処理を行うことにより、感光膜パターンを形成する（感光膜パターン形成工程Ｓ３）。次に、図１１（ｂ）に示すように、感光膜１０４上及び露出した下地膜１０２上に第１のスペーサ材１０５を供給する。次に、図１１（ｃ）に示すように、第１のスペーサ材１０５が供給された基板１０１を乾燥させる（第１のスペーサ材形成工程Ｓ４）。次に、図１１（ｄ）に示すように、基板１０１を有機溶剤で洗浄する（第１のパターン形成工程Ｓ５）。
（第２のスペーサ材形成工程）
次に、図１２（ａ）に示すように、第２のスペーサ材１０６を基板１０１上に供給する。
次に、図１２（ａ）に示すように、第２のスペーサ材１０６を基板１０１上に供給する。
第２のスペーサ材１０６の材料としては、第１のスペーサ材１０５の材料とエッチングレートの異なる（エッチング耐性の高い）材料を用いればよく、例えば第１のスペーサ材１０５の材料と含有する金属の異なる有機金属化合物又はシランカップリング剤等を好適に用いることができる。これにより、後述する第２のパターン形成工程において、第１のスペーサ材１０５と第２のスペーサ材１０６との間のエッチングレートの差を用いて第１のスペーサ材１０５のみを効率よくエッチング除去することができる。
第２のスペーサ材１０６の形成方法としては、第１のスペーサ材１０５と同様の方法を用いることができる。次に、図１２（ｂ）に示すように、第２のスペーサ材１０６が供給された基板１０１を乾燥させる。このとき、撥水層１０２ａを有する下地膜１０２の上面に形成された第２のスペーサ材１０６ｂは、下地膜１０２とほとんど反応することはなく、固化が進行しない。また、撥水層１０４ａを有する感光膜１０４の上面に形成された第２のスペーサ材１０６ｃは、感光膜１０４とほとんど反応することはなく、固化が進行しない。一方、撥水層１０２ａ及び撥水層１０４ａを有しない第１のスペーサ材１０５ａの側壁部に形成された第２のスペーサ材１０６ａは、第１のスペーサ材１０５ａと反応して固化が進行する。
基板１０１を乾燥させる方法としては、特に限定されないが、第１のスペーサ材１０５ａの側壁部に形成された第２のスペーサ材１０６ａの固化を促進し、安定化させることができることから、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理の温度としては、感光膜１０４の耐熱温度以下であればよく、例えば１００℃から１５０℃であることが好ましい。
（第２のパターン形成工程）
次に、図１２（ｃ）に示すように、基板１０１を有機溶剤で洗浄する。これにより、第２のスペーサ材１０６のうち固化が進行していない部分は除去され、固化されている部分は除去されることなく残存する。すなわち、撥水層１０２ａの上面に形成された第２のスペーサ材１０６ｂ及び撥水層１０４ａの上面に形成された第２のスペーサ材１０６ｃは除去される。一方、第１のスペーサ材１０５ａの側壁部に形成された第２のスペーサ材１０６ａはほとんど除去されることなく残存する。そして、第１のスペーサ材１０５ａの側壁部に形成された第２のスペーサ材１０６ａによって、第２のパターンが形成される。
次に、図１２（ｃ）に示すように、基板１０１を有機溶剤で洗浄する。これにより、第２のスペーサ材１０６のうち固化が進行していない部分は除去され、固化されている部分は除去されることなく残存する。すなわち、撥水層１０２ａの上面に形成された第２のスペーサ材１０６ｂ及び撥水層１０４ａの上面に形成された第２のスペーサ材１０６ｃは除去される。一方、第１のスペーサ材１０５ａの側壁部に形成された第２のスペーサ材１０６ａはほとんど除去されることなく残存する。そして、第１のスペーサ材１０５ａの側壁部に形成された第２のスペーサ材１０６ａによって、第２のパターンが形成される。
（第１のスペーサ材除去工程）
次に、図１２（ｄ）に示すように、第１のスペーサ材１０５ａをドライエッチング法又はウェットエッチング法によりエッチングする。これにより、第１のスペーサ材１０５ａを選択的にエッチングし除去する。
次に、図１２（ｄ）に示すように、第１のスペーサ材１０５ａをドライエッチング法又はウェットエッチング法によりエッチングする。これにより、第１のスペーサ材１０５ａを選択的にエッチングし除去する。
なお、第１のスペーサ材１０５ａの除去は、第２のパターン形成工程における第２のスペーサ材１０６ｂ及び第２のスペーサ材１０６ｃの除去と同時に行っても良い。第１のスペーサ材１０５ａの除去を第２のスペーサ材１０６ｂ及び第２のスペーサ材１０６ｃの除去と同時に行う方法としては、例えばフッ酸水溶液でスピンオン処理する方法等が挙げられる。
このとき、下地膜１０２上には、感光膜１０４によって形成された感光膜パターンと、第２のスペーサ材１０６ａによって形成された第２のパターンとが形成される。
（下地膜のエッチング工程）
次に、図１３に示すように、感光膜パターンに形成された感光膜１０４及び第２のパターンに形成された第２のスペーサ材１０６ａをエッチングマスクとして用いることにより、下地膜１０２をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
次に、図１３に示すように、感光膜パターンに形成された感光膜１０４及び第２のパターンに形成された第２のスペーサ材１０６ａをエッチングマスクとして用いることにより、下地膜１０２をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
（感光膜及び第２のスペーサ材の除去工程）
次に、感光膜１０４及び第２のスペーサ材１０６ａを除去する。除去方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
次に、感光膜１０４及び第２のスペーサ材１０６ａを除去する。除去方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
（基板のパターニング工程）
次に、所望のパターンに形成された下地膜１０２をエッチングマスクとして用いることにより、基板１０１をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
次に、所望のパターンに形成された下地膜１０２をエッチングマスクとして用いることにより、基板１０１をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
以上の工程により、所望の微細パターンを有する半導体装置を製造することができる。
以上に説明したように、第３実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる。
特に、第３実施形態に係る半導体装置の製造方法では、感光膜パターンに形成された感光膜１０４と第２のパターンに形成された第２のスペーサ材１０６ａとによって、所望のパターンが形成される。このため、第２のパターンのピッチを、露光装置の限界解像度以下にすることができ、更に第１のパターンのピッチよりも小さくすることができる。
また、前述した第１実施形態に係る塗布現像装置は、第３実施形態に係る半導体装置の製造方法にも好適に用いることができ、下地膜形成工程から第２のパターン形成工程までの工程を同一の塗布現像装置で行うことができ、プロセスの簡素化を図ることができる。このため、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる。
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について、図１４から図１７を参照しながら説明する。図１４から図１７に、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の工程断面図を示す。
次に、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について、図１４から図１７を参照しながら説明する。図１４から図１７に、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の工程断面図を示す。
第４実施形態では、第１のパターン形成工程Ｓ５の後に、感光膜パターンを除去する感光膜パターン除去工程と、第２のスペーサ材１０６を基板１０１上に供給する第２のスペーサ材形成工程と、第１のスペーサ材１０５が露出するように第２のスペーサ材１０６をエッチングする第２のパターン形成工程とを含む点で、第１実施形態と相違する。
なお、上記相違点以外は、第１実施形態と同様であるため、以下の説明では、相違点を中心に説明する。
（下地膜形成工程Ｓ１〜第１のパターン形成工程Ｓ５）
第４実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、第１実施形態と同様の方法により、第１のパターンを形成する。
第４実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、第１実施形態と同様の方法により、第１のパターンを形成する。
すなわち、まず、図１４（ａ）に示すように、基板１０１上に下地膜１０２を形成した後、図１４（ｂ）に示すように、下地膜１０２の表面に撥水処理を行うことにより撥水層１０２ａを形成する（下地膜形成工程）。次に、図１４（ｃ）に示すように、撥水層１０２ａ上に感光膜１０４を形成した後、図１４（ｄ）に示すように、感光膜１０４の表面に撥水処理を行うことにより撥水層１０４ａを形成する（感光膜形成工程Ｓ２）。
次に、図１５（ａ）に示すように、感光膜１０４に対して露光処理及び現像処理を行うことにより、感光膜パターンを形成する（感光膜パターン形成工程Ｓ３）。次に、図１５（ｂ）に示すように、感光膜１０４上及び露出した下地膜１０２上に第１のスペーサ材１０５を供給する。次に、図１５（ｃ）に示すように、第１のスペーサ材１０５が供給された基板１０１を乾燥させる（第１のスペーサ材形成工程Ｓ４）。次に、図１５（ｄ）に示すように、基板１０１を有機溶剤で洗浄する（第１のパターン形成工程Ｓ５）。
（感光膜除去工程）
次に、図１６（ａ）に示すように、感光膜１０４を除去する。除去方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
次に、図１６（ａ）に示すように、感光膜１０４を除去する。除去方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
（第２のスペーサ材形成工程）
次に、図１６（ｂ）に示すように、第２のスペーサ材１０６を基板１０１上に供給する。
次に、図１６（ｂ）に示すように、第２のスペーサ材１０６を基板１０１上に供給する。
第２のスペーサ材１０６の材料としては、第１のスペーサ材１０５の材料とエッチングレートの異なる材料を用いればよく、例えば第１のスペーサ材１０５の材料と含有する金属の異なる有機金属化合物又はシランカップリング剤等を好適に用いることができる。これにより、後述する第２のパターン形成工程において、第１のスペーサ材１０５と第２のスペーサ材１０６との間のエッチングレートの差を用いて第１のスペーサ材１０５のみを効率よくエッチング除去することができる。
第２のスペーサ材１０６の形成方法としては、第１のスペーサ材１０５と同様の方法を用いることができる。
（第２のパターン形成工程）
次に、図１６（ｃ）に示すように、第１のスペーサ材１０５が露出するように第２のスペーサ材１０６をエッチバックすることにより第２のスペーサ材１０６による第２のパターンを形成する。エッチバック方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等の方法を用いることができる。
次に、図１６（ｃ）に示すように、第１のスペーサ材１０５が露出するように第２のスペーサ材１０６をエッチバックすることにより第２のスペーサ材１０６による第２のパターンを形成する。エッチバック方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等の方法を用いることができる。
（第１のスペーサ材除去工程）
次に、図１６（ｄ）に示すように、第１のパターンに形成された第１のスペーサ材１０５ａをドライエッチング法又はウェットエッチング法によりエッチングする。これにより、第１のスペーサ材１０５ａを選択的にエッチングし除去する。
次に、図１６（ｄ）に示すように、第１のパターンに形成された第１のスペーサ材１０５ａをドライエッチング法又はウェットエッチング法によりエッチングする。これにより、第１のスペーサ材１０５ａを選択的にエッチングし除去する。
このとき、下地膜１０２上には、第２のスペーサ材１０６によって、第２のパターンが形成される。
（下地膜のエッチング工程）
次に、図１７に示すように、第２のパターンに形成された第２のスペーサ材１０６をエッチングマスクとして用いることにより、下地膜１０２をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
次に、図１７に示すように、第２のパターンに形成された第２のスペーサ材１０６をエッチングマスクとして用いることにより、下地膜１０２をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
（第２のスペーサ材の除去工程）
次に、第２のスペーサ材１０６を除去する。除去方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
次に、第２のスペーサ材１０６を除去する。除去方法としては、例えばドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
（基板のパターニング工程）
次に、第２のパターンに形成された下地膜１０２をエッチングマスクとして用いることにより、基板１０１をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
次に、第２のパターンに形成された下地膜１０２をエッチングマスクとして用いることにより、基板１０１をエッチングする。エッチング方法としては、例えばＲＩＥ等のドライエッチングを用いることができる。
以上の工程により、所望の微細パターンを有する半導体装置を製造することができる。
以上に説明したように、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる。
特に、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第２のパターンに形成された第２のスペーサ材１０６は、パターニングされた各々の第１のスペーサ材１０５ａの側壁部の両側に形成される。このため、第２のパターンのピッチを、露光装置の限界解像度以下にすることができ、更に第１のパターンのピッチよりも小さくすることができる。
また、前述した第１実施形態に係る塗布現像装置は、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法にも好適に用いることができ、下地膜形成工程Ｓ１から第１のパターン形成工程Ｓ５までの工程を同一の塗布現像装置で行うことができ、プロセスの簡素化を図ることができる。このため、所望の微細パターンを有する半導体装置を容易に製造できる。
以上、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
１０１ 基板
１０２ 下地膜
１０４ 感光膜
１０５ 第１のスペーサ材
１０６ 第２のスペーサ材
Ｂ１ 第１のブロック（現像処理ユニットの一例）
Ｂ２ 第２のブロック（反射防止膜形成ユニットの一例）
Ｂ３ 第３のブロック（感光膜形成ユニットの一例）
Ｂ４ 第４のブロック（スペーサ材形成ユニット及び洗浄ユニットの一例）
ＡＤＨ２、ＡＤＨ３ 撥水処理モジュール（撥水処理ユニットの一例）
Ａ１〜Ａ４ 搬送アーム（搬送機構の一例）
Ｃ 受け渡し手段（搬送機構の一例）
Ｄ 受け渡しアーム（搬送機構の一例）
Ｅ シャトルアーム（搬送機構の一例）
Ｆ インターフェースアーム（搬送機構の一例）
ＣＵ 制御部
１０２ 下地膜
１０４ 感光膜
１０５ 第１のスペーサ材
１０６ 第２のスペーサ材
Ｂ１ 第１のブロック（現像処理ユニットの一例）
Ｂ２ 第２のブロック（反射防止膜形成ユニットの一例）
Ｂ３ 第３のブロック（感光膜形成ユニットの一例）
Ｂ４ 第４のブロック（スペーサ材形成ユニット及び洗浄ユニットの一例）
ＡＤＨ２、ＡＤＨ３ 撥水処理モジュール（撥水処理ユニットの一例）
Ａ１〜Ａ４ 搬送アーム（搬送機構の一例）
Ｃ 受け渡し手段（搬送機構の一例）
Ｄ 受け渡しアーム（搬送機構の一例）
Ｅ シャトルアーム（搬送機構の一例）
Ｆ インターフェースアーム（搬送機構の一例）
ＣＵ 制御部
Claims (11)
- 基板上に表面が撥水性を有する下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記下地膜上に表面が撥水性を有する感光膜を形成する感光膜形成工程と、
前記感光膜を現像することにより前記下地膜を露出させて感光膜パターンを形成する感光膜パターン形成工程と、
前記感光膜上及び露出した前記下地膜上に第１のスペーサ材を供給すると共に供給した前記第１のスペーサ材のうち前記感光膜パターンの側壁部に形成された前記第１のスペーサ材の固化を進行させる第１のスペーサ材形成工程と、
前記第１のスペーサ材形成工程において供給した第１のスペーサ材のうち、固化が進行された前記第１のスペーサ材を除く、前記感光膜の上面及び前記下地膜の上面に形成された前記第１のスペーサ材の少なくとも一部を除去する第１のパターン形成工程と
を含む、
半導体装置の製造方法。 - 前記下地膜は反射防止膜を含み、
前記下地膜形成工程は、前記反射防止膜を形成した後に撥水性材料を前記反射防止膜に供給する工程を含む、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記下地膜は反射防止膜を含み、
前記下地膜形成工程は、撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布して前記反射防止膜を形成する工程を含む、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記感光膜形成工程は、前記感光膜を形成した後に撥水性材料を前記感光膜に供給する工程を含む、
請求項1乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記感光膜形成工程は、撥水性材料を含有した塗布液をスピン塗布して前記感光膜を形成する工程を含む、
請求項1乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第１のスペーサ材形成工程は、前記第１のスペーサ材が供給された基板を加熱処理する加熱処理工程を含む、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第１のパターン形成工程の後に、
第２のスペーサ材を前記基板上に供給する第２のスペーサ材形成工程と、
前記感光膜の上面及び前記下地膜の上面に形成された前記第２のスペーサ材の少なくとも一部を除去する第２のパターン形成工程と
を含む、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第１のパターン形成工程の後に、
前記感光膜パターンを除去する感光膜パターン除去工程と、
第２のスペーサ材を前記基板上に供給する第２のスペーサ材形成工程と、
前記第１のスペーサ材が露出するように前記第２のスペーサ材をエッチバックする第２のパターン形成工程と
を含む、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第２のパターン形成工程の後に、
前記第１のスペーサ材を除去する第１のスペーサ材除去工程を含む、
請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットと、
基板に感光膜を形成する感光膜形成ユニットと、
基板に形成された前記反射防止膜又は前記感光膜に撥水処理を施す撥水処理ユニットと、
基板に現像液を供給して露光された感光膜を現像することで感光膜のパターンを形成する現像処理ユニットと、
基板に形成された感光膜のパターン上にスペーサ材を供給するスペーサ材形成ユニットと、
基板に供給された前記スペーサ材のうち、基板に形成された感光膜のパターンの側壁部に供給された前記スペーサ材の固化を促進する加熱処理ユニットと、
基板に洗浄液を供給する洗浄ユニットと、
前記反射防止膜形成ユニット、前記感光膜形成ユニット、前記撥水処理ユニット、前記現像処理ユニット、前記スペーサ材形成ユニット、前記加熱処理ユニット及び前記洗浄ユニットの間で基板を搬出入する搬送機構と、
前記スペーサ材形成ユニットから搬出された基板を前記加熱処理ユニットに搬送し、更に前記加熱処理ユニットから搬出された基板を前記洗浄ユニットに搬送し、前記洗浄ユニットにおいて前記スペーサ材形成ユニットで供給された前記スペーサ材のうち前記加熱処理ユニットで固化が進行された前記スペーサ材を除く、前記スペーサ材の少なくとも一部を除去するように、前記搬送機構、前記加熱処理ユニット及び前記洗浄ユニットを制御する制御部と
を備える、
半導体製造装置。 - 前記スペーサ材形成ユニットと前記洗浄ユニットとは同一ユニットである、
請求項１０に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014030238A JP5926752B2 (ja) | 2014-02-20 | 2014-02-20 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| TW104104156A TWI623966B (zh) | 2014-02-20 | 2015-02-06 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing device |
| US14/619,616 US9679770B2 (en) | 2014-02-20 | 2015-02-11 | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
| KR1020150023232A KR102344902B1 (ko) | 2014-02-20 | 2015-02-16 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014030238A JP5926752B2 (ja) | 2014-02-20 | 2014-02-20 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015156414A JP2015156414A (ja) | 2015-08-27 |
| JP5926752B2 true JP5926752B2 (ja) | 2016-05-25 |
Family
ID=53798713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014030238A Active JP5926752B2 (ja) | 2014-02-20 | 2014-02-20 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9679770B2 (ja) |
| JP (1) | JP5926752B2 (ja) |
| KR (1) | KR102344902B1 (ja) |
| TW (1) | TWI623966B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10483109B2 (en) * | 2016-04-12 | 2019-11-19 | Tokyo Electron Limited | Self-aligned spacer formation |
| JP6994828B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2022-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法 |
| KR102630085B1 (ko) * | 2018-05-30 | 2024-01-25 | 한양대학교 산학협력단 | 초미세 패턴 및 그 제조 방법 |
| WO2021166674A1 (ja) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
| KR102527983B1 (ko) * | 2020-11-04 | 2023-05-03 | 엠에이치디 주식회사 | 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5271972A (en) * | 1992-08-17 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity |
| US6040118A (en) * | 1998-10-30 | 2000-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Critical dimension equalization across the field by second blanket exposure at low dose over bleachable resist |
| US20060276043A1 (en) * | 2003-03-21 | 2006-12-07 | Johnson Mark A L | Method and systems for single- or multi-period edge definition lithography |
| JP4955977B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
| US8852851B2 (en) * | 2006-07-10 | 2014-10-07 | Micron Technology, Inc. | Pitch reduction technology using alternating spacer depositions during the formation of a semiconductor device and systems including same |
| JP5035560B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2012-09-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP2009088085A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体 |
| JP2011027890A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 定着装置及び画像形成装置 |
| JP5184460B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2013-04-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5192016B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| JP2013080169A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Tokyo Electron Ltd | フォトレジストパターン形成方法及びエッチングマスク形成方法 |
| US20150031207A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Applied Materials, Inc. | Forming multiple gate length transistor gates using sidewall spacers |
-
2014
- 2014-02-20 JP JP2014030238A patent/JP5926752B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-06 TW TW104104156A patent/TWI623966B/zh active
- 2015-02-11 US US14/619,616 patent/US9679770B2/en active Active
- 2015-02-16 KR KR1020150023232A patent/KR102344902B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201535474A (zh) | 2015-09-16 |
| TWI623966B (zh) | 2018-05-11 |
| US20150235850A1 (en) | 2015-08-20 |
| US9679770B2 (en) | 2017-06-13 |
| KR102344902B1 (ko) | 2021-12-28 |
| KR20150098583A (ko) | 2015-08-28 |
| JP2015156414A (ja) | 2015-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9791779B2 (en) | EUV resist etch durability improvement and pattern collapse mitigation | |
| JP5926752B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| US9431267B2 (en) | Semiconductor device processing tools and methods for patterning substrates | |
| WO2016084596A1 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
| JP2021511673A (ja) | パターニングにおける酸化スズマンドレル | |
| JP2017199909A (ja) | Ａｌｅおよび選択的蒸着を用いた基板のエッチング | |
| US20080241763A1 (en) | Method of forming a dual damascene structure utilizing a developable anti-reflective coating | |
| JP7502545B2 (ja) | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス | |
| JP2009218574A (ja) | パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| KR102405203B1 (ko) | 금속 산화물의 스핀온 퇴적 방법 | |
| JP2010080903A (ja) | パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| TWI397108B (zh) | 可顯影之抗反射塗層的雙重圖形化方法 | |
| JP2007073684A (ja) | パターン形成方法 | |
| US11500293B2 (en) | Patterning material film stack with hard mask layer configured to support selective deposition on patterned resist layer | |
| CN101107698A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| US7195716B2 (en) | Etching process and patterning process | |
| JP2004134720A (ja) | ドライリソグラフィ法およびこれを用いたゲートパターン形成方法 | |
| US20240053684A1 (en) | Cyclic Method for Reactive Development of Photoresists | |
| JP2001345293A5 (ja) | ||
| JP5806350B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW202422246A (zh) | 用於光阻之反應性顯影的循環式方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150630 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151104 |
|
| AA91 | Notification that invitation to amend document was cancelled |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971091 Effective date: 20151117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160128 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160405 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160422 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5926752 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |