JP5923229B2 - 電子波形によるエミッターの汚れ防止 - Google Patents

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Description

本出願は、Lawrence LevitおよびPeter Gefterによって2007年3月17日付で出願された、「Method and Apparatus for Control Contamination of Ion Emitters」と題された米国仮出願第60/918,512号に対して優先権を主張するものである。
米国連邦政府によって後援された調査に関する声明
該当なし。
マイクロフィッシュ付属書類の参照
該当なし。
本発明は、静電荷制御に使用されるAC電源によって駆動される電離器に関する。特に、本発明は、前記AC電源によって駆動される電離器が有用な中和を実行する間、前記電離器内のイオンエミッターの汚れの問題を対象としている。
AC電離器では、各エミッターが1つの期間に正電圧を受け、別の期間に負電圧を受ける。従って、各エミッターは、正イオンおよび負イオンの両方を発生させる。
正イオンおよび負イオンは共に、その電荷を中和するために、帯電した対象物に向かって方向づけられる。
イオンエミッターは、周囲の空気または気体媒体内に正イオンおよび負イオンの両方を発生させる。イオンを発生させるためには、少なくとも2つの電極(少なくともその1つがイオンエミッター)間にコロナ放電を生成するために印加されるAC電圧の振幅が、十分に大きくなければならない。
コロナ放電を成立させる最低電圧をコロナ開始電圧、またはコロナ閾値電圧と呼ぶ。コロナ放電の理論的なおよび実験的な研究(New York市のMcGraw Hill社、1929年刊、F.W.Peekの「Dielectric Phenomena in High Voltage Engineering」、およびChichester市のJohn Wiley & Sons社、1978年刊、J.M.MeekおよびJ.D.Craggsの「Electrical Breakdown of Gases」)によれば、この電圧は、主に、前記イオンエミッターの形状、印加電圧の極性、気体成分、および気圧に依存する。
導線またはフィラメント型イオンエミッターについて、通常、前記コロナ開始電圧は、正の電離電圧ついてはプラス5〜6kVの範囲であり、負の電離電圧についてはマイナス4.5〜5.5kVの範囲である。ポイント型エミッターについて、開始電圧の絶対値は、通常、1〜1.5kV低い。ここで述べたコロナ開始電圧は、清浄なエミッターに適用される。前記エミッターが清浄ではない場合、コロナ開始電圧は変化する。
当該技術分野では、周囲の空気または気体から運ばれてくる粒子が、前記エミッター上に堆積することが知られている。前記エミッターは、事実上、静電集塵器として機能している。エミッターの汚れは、開放空気中におけるコロナ放電の予期される結果である。汚れの付着は、前記エミッターの形状を変え、開始電圧を上昇させる。
一旦汚れると、リアルタイムのイオン生成が低下し、前記AC電離器の効率が著しく低下する。前記電離器の正常な動作を復帰させるには、この付着を取り除かなければならない。大きな施設には、数千のエミッターが存在する。汚れの除去は、好ましくない、大きな資源の使い方である。
従来の技術による汚れの除去法は、人手によるブラシを使った研磨および自動のブラシを使った研磨を含む。これらの機械を使用した清浄方法は、効果的ではあるが、さらなる機械部品または操作者の時間が必要である。場合によっては、研磨による清浄では、イオンエミッターによって堆積した汚れが清浄に保たなければならないその製品に移ってしまうことがある。
前記イオンエミッターの汚れの堆積速度を低減するための新たな方法が必要とされている。前記方法は、基礎物理学または電子工学から生まれ、前記電離器を稼動停止させずに機能することが理想である。
さらに、前記汚れ防止法は、ポイント、導線、フィラメント、またはループといった様々なエミッターの構成に適用されるべきである。
クリーンルームの環境内には、粒子、または粒子に転換可能な大きな分子が存在する。従来技術の電離器を前記クリーンルーム内で操作すると、前記エミッターから放射された電界によって粒子が前記エミッターの方向へ引き寄せられるので、前記粒子が前記エミッター上に堆積する。
本発明は、AC電離器内のエミッター上の汚れの付着を低減する。この新規の原理は、プログラムされた電源を通じて前記エミッター上に電圧波形を印加することにある。これらの電気的波形は、前記エミッターの先端に印加されると、粒子を前記エミッターの電極に誘引するのではなく、前記エミッターの電極から遠くに放逐する。
本発明は、前記エミッター上の汚れの付着を防止する完全に電子的な方法である。本発明は、機能するために空気流または機械的な構成要素を必要としない。しかし、この発明は、空気流または機械的な構成要素と組み合わせてもよい。
エミッターへの粒子の誘引には、主に、(1)クーロン引力および(2)誘電泳動引力の2つの作用がある。両方の引力作用は、基礎的な物理力に関連して理解することができる。
クーロン力は誘引性であることもあれば、反発性であることもある。粒子が正であり、前記エミッターが負であるとき、粒子に対するクーロン誘引が発生する。もしくは、粒子が負であり、前記エミッターが正である。発明の波形は、クーロン引力を最小限に抑え、クーロン反発力を最大化するように設計されている。
前記第2の力が誘電泳動引力である。この力は、非対称な電界が存在するときには必ず作用し、前記比対称な電界が途絶えると作用を終える。電離器のエミッターが先細の棒、導線のフィラメント、ループ、またはその他の形状であるに拘らず、前記エミッターの付近には非対称な電界が存在する。
誘電泳動力は、2つの固有の特性を有する。第1に、粒子に働く誘電泳動力は、空気、窒素、または不活性ガス内では、常に誘引性である。第2に、前記誘電泳動力は、中性粒子に対して作用する。
1若しくはそれ以上の高電圧電源を通じてエミッターに供給される本発明の電子波形は、
ピーク電圧が前記コロナ開始電圧を超えるイオン発生電圧にまで増幅されたイオン発生信号と、
正の粒子を反発するまで正の清浄電圧が増幅された正の清浄信号と、
負の粒子を反発するまで負の清浄電圧が増幅された負の清浄信号と、
対象物の方向へ正のイオンを放逐するまで正のイオン放逐電圧が増幅された正のイオン放逐信号と、
前記対象物の方向へ負のイオンを放逐するまで負のイオン放逐信号が増幅された負のイオン放逐信号と、
オフ期間と
の構成要素のうちの幾つか、または全ての組み合わせである。
図1は、電離器付近の対象物を放電するように設計された電離器のための電子回路および電離波形を示す。 図2は、均衡したイオンおよび中性粒子によって囲まれたコロナエミッターを示す。この状態は、電離波形が均衡イオン発生信号のみを含むときに存在する。 図3は、電離波形が均衡イオン発生信号と正の清浄信号との両方を含むときのコロナエミッターを示す。近傍の粒子が正の電荷を得、クーロン力によって反発する。 図4は、電離波形が均衡イオン発生信号と負の清浄信号との両方を含むときのコロナエミッターを示す。近傍の粒子が負の電荷を得、クーロン力によって反発する。 図5は、電離器の実施形態の電子回路および電離波形を示し、電離波形は清浄信号とイオン放逐信号との両方を含む。 図6は、電離器の実施形態の電子回路および電離波形を示し、電離波形は、清浄信号と、イオンが発生しない期間とを含む。 図7は、電離器の実施形態の電子回路および電離波形を示し、電離波形は、清浄信号と、イオン放逐信号と、イオンが発生しない期間とを含む。
本発明は、コロナエミッターを有する全ての電離器に適用され、特に電離バー向けに有用である。本発明は、コロナエミッター上の汚れ付着を防止する電子的方法である。
電子波形が前記高電圧電源を通じて電離器のコロナエミッターに印加される。前記波形は、2つの目的を達成するように設計されている。前記第1の目的は、イオンを発生させ、それらを帯電した対象物に供給することである。前記第2の目的は、前記コロナエミッター上の汚れの付着を低減することである。
図1は、コロナエミッターの汚れを低減した電離器の電子回路の第1の実施形態を図示する。図1に示すシステムは、前記電離器の6インチ以内にある帯電した対象物13に適している。
高周波信号発生器1が高電圧出力を生成する高周波電源3の入力に供給されるイオン発生信号2を生成する。前記高周波電源3が、前記イオン発生信号2を増幅してイオン発生電圧4を生成する。
同時に、低周波信号発生器5が高電圧出力を生成する低周波電源7の入力に供給される正の清浄信号6Aおよび負の清浄信号6Bを生成する。前記低周波電源7が、前記正の清浄信号6Aおよび負の清浄信号6Bを増幅して正の清浄電圧8Aおよび負の清浄電圧8Bを生成する。
サミングブロック(summing block)11で、前記イオン発生電圧4、前記正の清浄電圧8A,および負の清浄電圧8Bが結合して前記電離波形9を生成する。前記電離波形9は、前記エミッター10に接続される。基準電極12が接地基準を提供する。
図1は、2つの信号発生器および2つの電源を示すが、より多くの、またはより少ない信号発生器および電源を使用してもよい。
前記イオン発生信号2のみが印加され、帯電した対象物13が近くにない期間中、前記エミッター10の近傍に均衡イオンの安定した状態密度が生成される。何故なら、前記イオン発生信号2の周波数が、およそ1,000〜100,000ヘルツで、通常周波数が20,000ヘルツだからである。
20,000ヘルツでは、イオンは、前記エミッターの極性が反転する前に脱出するのに十分な時間を有しない。よって、前記生成されたイオンは、前記エミッター10付近の空間体積内を往復する。前記エミッター10に近づく粒子は、急速に中和され、クーロン引力またはクーロン反発力のどちらも受けない。
図2は、前記イオン発生信号が印加されたときのエミッター20付近の空間体積を描写している。前記イオン発生信号がゼロの平均電圧を有するので、前記エミッター付近のイオン21は均衡している。前記エミッター20または前記イオン21のどちらも正味電荷を有しないので、前記エミッター20近くの粒子22は中性である。よって、前記エミッター20の方向へ前記粒子22を誘引するクーロン力がない。誘電泳動力23のみが、前記粒子22を前記エミッター20に向かって移動させるように作用する。
図3を参照されたい。正の清浄信号が印加されると、この状態が変化する。エミッター30は、ここで、接地基準に対して正の電圧を得る。前記正に帯電したエミッター30は、イオン31の均衡を崩す。負イオンよりも多くの正イオンが存在する。粒子32は、イオン31の正の分布と平衡し、それ自体が正となる。前記正の粒子32は、ここで、クーロン反発力を受け、反発方向33に沿って前記正のエミッター30から遠ざかる。再捕捉を防止するには、0.1センチメートルの移動で十分である。この粒子32が前記エミッター30を汚す確率は、前記正の清浄信号の印加によって最小限に抑えられた。
図4を参照されたい。負の清浄信号が印加されると、粒子42は同様の理由で反発する。その極性のみが異なる。エミッター40は、ここで、接地基準に対して負の電圧を得る。前記負に帯電したエミッター40は、イオン41の均衡を崩す。正イオンよりも多くの負イオンが存在する。前記粒子42は、イオン41の負の分布と平衡し、それ自体が負となる。前記負の粒子42は、ここで、クーロン反発力を受け、反発方向43に沿って前記負のエミッターから遠ざかる。ここでも、前記粒子42が前記エミッター40を汚す可能性は最小限である。
正の清浄信号および負の清浄信号の両方を使用する理由は、電離器の全体の均衡を維持するためである。通常、清浄信号は、0.1〜200ヘルツの周波数を有する。前記イオン発生信号は、通常、正の清浄信号または負の清浄信号の後に単独で実行され、前記粒子の中和を達成する。
前記電離器が帯電した対象物からより遠くに配置されているとき、正のイオン放逐信号および負のイオン放逐信号を電離波形内に組み込んでもよい。この目的は、イオンを前記対象物の方向へ押しやることである。
図5は、コロナエミッターの汚れを低減した電離器の電子回路の別の実施形態を示す。この実施形態は、前記電離器から6インチよりも離れている帯電した対象物に適している。
図5において、高周波信号発生器51は、高電圧出力を生成する高周波電源53の入力に供給されるイオン発生信号52を生成する。前記高周波電源53は、前記イオン発生信号52を増幅してイオン発生電圧54を生成する。
同時に、低周波信号発生器55は、正の清浄信号56A、負の清浄信号56B、正のイオン放逐信号56C、および負のイオン放逐信号56Dを生成し、これらの信号は、高電圧出力を生成する低周波電源57の入力に供給される。前記低周波電源57は、前記正の清浄信号56A、前記負の清浄信号56B、前記正のイオン放逐信号56C、および前記負のイオン放逐信号56Dを増幅して、正の清浄電圧58A、負の清浄電圧58B、正のイオン放逐電圧58C、および負のイオン電圧58Dを生成する。
サミングブロック61内で、前記イオン発生電圧54、前記正の清浄電圧58A、前記負の清浄電圧58B、前記正のイオン放逐電圧58C、および前記負のイオン放逐電圧58Dが結合して、前記電離波形59を生成する。前記電離波形59は、基準電極62と関連して動作する前記エミッター60に接続されている。
前記正の清浄信号56Aは、クーロン反発力によって前記エミッターの近傍から粒子を移動させるように設計されている。前記正のイオン放逐信号56Cは、正のイオンを前記帯電した対象物63の方向へ移動させるように設計されている。前記正の清浄信号56Aおよび前記正のイオン放逐信号56Cは同じ極性を有するが、大きさおよび持続時間は異なってもよい。イオンは粒子よりも移動しやすいので、通常、前記正のイオン放逐信号56Cの振幅は、前記正の清浄信号56Aの振幅よりも小さい。但し、これは必要条件ではない。
図6は、前記エミッターがイオンを発生させない期間の導入を示す。前記非発生期間の導入は、前記電離器の性能にほとんど影響を与えない。しかし、幾つかの利点がある。第1に、消費電力を低減する。第2に、オゾンの発生を低減する。第3に、エミッターの腐食を低減する。第4に、動作周波数の低下が、前記粒子の発生をさらに低減する。
第5に、前記エミッターの方向へ向かう中性粒子の誘電泳動引力が低減され、前記エミッター上の異物の付着がさらに低減される。誘電泳動引力を表す方程式は下記の通りである。
Figure 0005923229
但し、
εは、粒子の周りの空気または気体の誘電率、
εは、粒子の誘電率、
Rは、粒子の半径、および
Eは、その電界強度の傾きである。
粒子は常に空気または気体よりも高い誘電率を有するので、前記方程式は、前記誘電泳動力Fが誘引性であることを示している。即ち、前記エミッターが帯電しているときは、粒子は必ず前記エミッターの方向へ移動する。前記電源を切ることによって前記誘電泳動引力が中断され、クーロン反発力によって前記粒子が前記エミッターから遠ざかる時間が提供される。
図6の実施形態について、高周波信号発生器71が、高電圧出力を生成する高周波電源73の入力に供給されるイオン発生信号72Aを生成する。前記高周波電源73は、前記イオン発生信号72Aを増幅してイオン発生電圧74を生成する。図示の通り、前記イオン発生信号72Aは連続的ではなく、オフ期間信号72Bを含む。前記オフ期間信号72Bの期間中、イオンは発生しない。
図6において、低周波信号発生器75が、高電圧出力を生成する低周波電源77の入力に供給される正の清浄信号76Aおよび負の清浄信号76Bを同時に生成する。前記低周波電源77は、前記正の清浄信号76Aおよび前記負の清浄信号76Bを増幅して、正の清浄電圧78Aおよび負の清浄電圧78Bを生成する。
サミングブロック81で、前記イオン発生電圧74、前記正の清浄電圧78A、および負の前記清浄電圧78Bが結合して電離波形79を生成する。前記電離波形79は、前記エミッター80に供給される。前記電離波形79は、オフ期間信号72Bに応答して電離が起こらない期間を含むことに注目されたい。
図7は、イオン発生信号92A内に含まれるオフ期間92Bを使用した別の実施形態を示す。図7において、高周波信号発生器91が、高電圧出力を生成する高周波電源93の入力に供給されるイオン発生信号92Aを生成する。前記高周波電源93は、前記イオン発生信号92Aを増幅してイオン発生電圧94を生成する。
同時に、低周波信号発生器95が、高電圧出力を生成する低周波電源97の入力に供給される正の清浄信号96A、負の清浄信号96B、正のイオン放逐信号96C、および負のイオン放逐信号96Dを生成する。前記低周波電源97は、前記正の清浄信号96A、前記負の清浄信号96B、前記正のイオン放逐信号96C、および前記負のイオン放逐信号96Dを増幅して、正の清浄電圧98A、負の清浄電圧98B、正のイオン放逐電圧98C、および負のイオン放逐電圧98Dを生成する。
サミングブロック101で、前記イオン発生電圧94、前記正の清浄電圧98A、前記負の清浄電圧98B、前記正のイオン放逐電圧98C、および前記負のイオン放逐電圧98Dが結合して電離波形99を生成する。前記電離波形99は、前記エミッター100に接続される。
前記正の清浄信号96Aは、クーロン反発力によって粒子を前記エミッターの近傍から移動させるように設計されている。前記正のイオン放逐信号96Cは、正イオンを前記帯電した対象物の方向に移動させるように設計されている。前記正の清浄信号96Aおよび前記正のイオン放逐信号96Cは、同一の極性を有するが、大きさおよび持続期間は異なってもよい。通常、イオンは粒子よりも移動しやすいので、前記正のイオン放逐信号96Cの振幅は、前記正の清浄信号96Aの振幅よりも小さい。但し、これは必要条件ではない。
前記負の清浄信号96Bおよび前記負のイオン放逐信号96Dは、前記正の清浄信号96Aおよび前記正のイオン放逐信号96Cと同様の機能を実行するが、負の極性を使用する。
前記イオン発生信号は、通常、正の放逐信号96Cまたは負のイオン放逐信号96Dの後に単独で実行される。
前記電離波形99は、イオンが発生しない期間を示す。
コストおよびスペースを考慮すると、信号発生器および電源の数を削減することが望ましい。これは、前記低周波信号を1つの低周波信号発生器によって結合し、前記結合した信号を1つの低周波電源に転送することで実現できる。同様に、高周波信号を1つの高周波信号発生器によって処理し、1つの高周波電源に転送することができる。
信号の持続期間、順番、および電圧の振幅は、前記電離器の付近の空中の異物の種類および濃度によって異なる。さらに、信号は方形波以外の形状を有してもよい。曲線、台形、三角形、または非対称形が適用可能である。このような変型は本発明の範囲内である。

Claims (30)

  1. 帯電した対象物上の静電荷を中和する装置であって、汚れの付着を阻止するコロナエミッターを組み込んだものであり、この装置は、
    1若しくはそれ以上の信号発生器であって、
    前記信号発生器は、少なくとも1つの双極イオン発生信号と、少なくとも1つの正の清浄信号と、少なくとも1つの負の清浄信号とを生成するものである、前記信号発生器と、
    1若しくはそれ以上の高電圧電源であって、
    前記信号発生器から信号を受信し、
    前記イオン発生信号をイオン発生電圧にまで増幅し、
    前記正の清浄信号を正の清浄電圧にまで増幅し、
    前記負の清浄信号を負の清浄電圧にまで増幅するものである
    前記高電圧電源と、
    前記イオン発生電圧、前記正の清浄電圧、および前記負の清浄電圧を結合して電離波形を生成するサミングブロックであって、
    前記電離波形が前記エミッター上の汚れの付着を最小限に抑えるものである、前記サミングブロックと、
    前記エミッターと前記サミングブロック間の電気接続と
    を有する装置。
  2. 請求項1に記載の装置おいて、前記電離波形は、
    単独の前記イオン発生電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧を有する期間と
    を有するように変化するものである、
    装置。
  3. 請求項1に記載の装置において、この装置は、さらに、AC電離バーを有するものであり、当該AC電離バーは中和すべき前記対象物から6インチよりも近くに位置するものである装置。
  4. 請求項1に記載の装置において、前記イオン発生信号は1000〜100000ヘルツの周波数を有し、前記イオン発生電圧は同数の正および負のイオンを生成するものである装置。
  5. 請求項1に記載の装置において、前記正の清浄信号または前記負の清浄信号は、0.1〜200ヘルツの周波数を有するものである装置。
  6. 請求項1に記載の装置おいて、前記電離波形は、
    第1の期間において単独の前記イオン発生電圧と、
    第2の期間において前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧と、
    第3の期間において単独の前記イオン発生電圧と、
    第4の期間において前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧と
    を有する周期的シーケンスである装置。
  7. 帯電した対象物上の静電荷を中和する装置であって、汚れの付着を阻止するコロナエミッターを組み込んだものであり、この装置は、
    1若しくはそれ以上の信号発生器であって、
    前記信号発生器は、少なくとも1つのイオン発生信号と、少なくとも1つも正の清浄信号と、少なくとも1つの負の清浄信号と、少なくとも1つの正のイオン放逐信号と、少なくとも1つの負のイオン放逐信号とを生成するものである、前記信号発生器と、
    1若しくはそれ以上の高電圧電源であって、
    前記信号発生器から信号を受信し、
    前記イオン発生信号をイオン発生電圧にまで増幅し、
    前記正の清浄信号を正の清浄電圧にまで増幅し、
    前記負の清浄信号を負の清浄電圧にまで増幅し、
    前記正のイオン放逐信号を正のイオン放逐電圧にまで増幅し、
    前記負のイオン放逐信号を負のイオン放逐電圧にまで増幅するものである
    前記高電圧電源と、
    前記イオン発生電圧、前記正の清浄電圧、前記負の清浄電圧、前記正のイオン放逐電圧、および前記負のイオン放逐電圧を結合して電離波形を生成するサミングブロックであって、
    前記電離波形が前記エミッター上の汚れの付着を最小限に抑えるものである、前記サミングブロックと、
    前記エミッターと前記サミングブロック間の電気接続と
    を有する装置。
  8. 請求項7に記載の装置おいて、前記電離波形は、
    単独の前記イオン発生電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記正のイオン放逐電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記負のイオン放逐電圧を有する期間と
    を有するように変化するものである、
    装置。
  9. 請求項7に記載の装置において、この装置は、さらに、AC電離バーを有するものであり、当該AC電離バーは中和すべき前記対象物から6インチよりも遠くに位置するものである装置。
  10. 請求項7に記載の装置において、前記イオン発生信号は1000〜100000ヘルツの周波数を有し、前記イオン発生電圧は同数の正および負のイオンを生成するものである装置。
  11. 請求項7に記載の装置において、前記正の清浄信号、前記負の清浄信号、前記正のイオン放逐信号、または前記負のイオン放逐信号は、0.1〜200ヘルツの周波数を有するものである装置。
  12. 請求項7に記載の装置において、前記電離波形は、
    第1の期間において単独の前記イオン発生電圧と、
    第2の期間において前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧と、
    第3の期間において前記イオン発生電圧と共に前記正のイオン放逐電圧と、
    第4の期間において単独の前記イオン発生電圧と、
    第5の期間において前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧と、
    第6の期間において前記イオン発生電圧と共に前記負のイオン放逐電圧と
    を有する周期的シーケンスに基づくものである装置。
  13. 帯電した対象物上の静電荷を中和する装置であって、汚れの付着を阻止するエミッターを組み込んだものであり、この装置は、
    1若しくはそれ以上の信号発生器であって、
    前記信号発生器は、少なくとも1つのイオン発生信号と、少なくとも1つの正の清浄信号と、少なくとも1つの負の清浄信号と、少なくとも1つの正のイオン放逐信号と、少なくとも1つの負のイオン放逐信号と、少なくとも1つのオフ信号とを生成するものである、前記信号発生器と、
    1若しくはそれ以上の高電圧電源であって、
    前記信号発生器から信号を受信し、
    前記イオン発生信号をイオン発生電圧にまで増幅し、
    前記正の清浄信号を正の清浄電圧にまで増幅し、
    前記負の清浄信号を負の清浄電圧にまで増幅し、
    前記正のイオン放逐信号を正のイオン放逐電圧にまで増幅し、
    前記負のイオン放逐信号を負のイオン放逐電圧にまで増幅し、
    前記オフ信号の期間中にゼロの出力電圧を生成するものである
    前記高電圧電源と、
    前記イオン発生電圧、前記正の清浄電圧、前記負の清浄電圧、前記正のイオン放逐電圧、前記負のイオン放逐電圧、および前記オフ信号の期間を結合して電離波形を生成するサミングブロックであって、
    前記電離波形が前記エミッター上の汚れの付着を最小限に抑えるものである、前記サミングブロックと、
    前記エミッターと前記サミングブロック間の電気接続と
    を有する装置。
  14. 請求項13に記載の装置おいて、前記電離波形は、
    単独の前記イオン発生電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記正のイオン放逐電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記負のイオン放逐電圧を有する期間と、
    前記ゼロの出力電圧を有する期間と
    を有するように変化するものである、
    装置。
  15. 請求項13に記載の装置において、この装置は、さらに、AC電離バーを有するものであり、当該AC電離バーは中和すべき前記対象物から6インチよりも近くに位置するものである装置。
  16. 請求項13に記載の装置において、前記イオン発生信号は、1000〜100000ヘルツの周波数を有し、前記イオン発生電圧は同数の正および負のイオンを生成するものである装置。
  17. 請求項13に記載の装置において、前記正の清浄信号、前記負の清浄信号、前記正のイオン放逐信号、前記負のイオン放逐信号、または前記オフ信号の期間は、0.1〜200ヘルツの周波数を有するものである装置。
  18. 請求項13に記載の装置において、前記電離波形は、
    第1の期間において単独の前記イオン発生電圧と、
    第2の期間において前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧と、
    第3の期間において前記イオン発生電圧と共に前記正のイオン放逐電圧と、
    第4の期間において前記ゼロの出力電圧と、
    第5の期間において単独の前記イオン発生電圧と、
    第6の期間において前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧と、
    第7の期間において前記イオン発生電圧と共に前記負のイオン放逐電圧と
    を有する周期的シーケンスに基づくものである装置。
  19. 静電荷を除去し、同時にコロナエミッター上の汚れの付着を最小限に抑えるためにイオンを発生させる方法であって、
    1若しくはそれ以上の信号発生器から信号を生成する工程であって、
    前記信号は、少なくとも1つのイオン発生信号と、少なくとも1つの正の清浄信号と、少なくとも1つの負の清浄信号とを含むものである、前記生成する工程と、
    前記信号を1若しくはそれ以上の高電圧電源に入力する工程であって、
    前記イオン発生信号はイオン発生電圧にまで増幅され、
    前記正の清浄信号は正の清浄電圧にまで増幅され、
    前記負の清浄信号は負の清浄電圧にまで増幅されるものである
    前記入力する工程と、
    前記イオン発生電圧、前記正の清浄電圧、および前記負の清浄電圧を結合して電離波形を生成する工程と、
    前記電離波形を前記エミッターに接続させる工程と
    を有する方法。
  20. 請求項19に記載の方法おいて、前記電離波形は、
    単独の前記イオン発生電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧を有する期間と
    を有するように変化するものである、
    方法。
  21. 請求項19に記載の方法において、前記イオン発生信号は1000〜100000ヘルツの周波数を有し、前記イオン発生電圧は同数の正および負のイオンを生成するものである方法。
  22. 請求項19に記載の方法において、前記正の清浄電圧または前記負の清浄電圧は、0.1〜200ヘルツの周波数を有するものである方法。
  23. 請求項19に記載の方法において、前記電離波形は、正のイオン放逐電圧または負のイオン放逐電圧をさらに有するものである方法。
  24. 請求項19に記載の方法において、前記電離波形は、前記エミッターに電圧を供給しないオフ期間をさらに有するものである方法。
  25. 静電荷を除去し同時にコロナエミッター上の汚れの付着を最小限に抑えるためにイオンを発生させる方法であって、
    1若しくはそれ以上の高電圧電源によって前記コロナエミッター上に電離波形を配置する工程であって、
    前記電離波形は、少なくとも1つのイオン発生電圧と、少なくとも1つの正の清浄電圧と、少なくとも1つの負の清浄電圧とを取り込み結合したものである、前記配置する工程と、
    単独の前記イオン発生電圧によってイオンが生成されたとき、前記コロナエミッターの近くの粒子を中和する工程と、
    前記正の清浄電圧または前記負の清浄電圧によって、粒子または異物を前記コロナエミッターから遠くへ追い払う工程と
    を有する方法。
  26. 請求項25に記載の方法おいて、前記電離波形は、
    単独の前記イオン発生電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧を有する期間と、
    前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧を有する期間と
    を有するように変化するものである、
    方法。
  27. 請求項25に記載の方法において、前記電離波形は、
    第1の期間において単独の前記イオン発生電圧と、
    第2の期間において前記イオン発生電圧と共に前記正の清浄電圧と、
    第3の期間において単独の前記イオン発生電圧と、
    第4の期間において前記イオン発生電圧と共に前記負の清浄電圧と
    を有する周期的シーケンスである方法。
  28. 請求項25に記載の方法おいて、前記電離波形は、正のイオン放逐電圧をさらに含むものであって、この正のイオン放逐電圧は、
    前記正の清浄電圧に続きまたは先行し、かつ、
    帯電した対象物の方向へ正のイオンを移動させるものである方法。
  29. 請求項25に記載の方法において、前記電離波形は、負のイオン放逐電圧をさらに含むものであって、この負のイオン放逐電圧は、
    前記負の清浄電圧に続きまたは先行し、かつ、
    帯電した対象物の方向へ負のイオンを移動させるものである方法。
  30. 請求項25に記載の方法において、前記電離波形は、前記エミッターに電圧を供給しない期間をさらに含むものであって、この期間は誘電泳動力が粒子を前記エミッターに誘引する時間の割合を最小限に抑えるものである方法。
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