JP5920802B2 - プラズマを用いた付着物質形成方法 - Google Patents
プラズマを用いた付着物質形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5920802B2 JP5920802B2 JP2010531939A JP2010531939A JP5920802B2 JP 5920802 B2 JP5920802 B2 JP 5920802B2 JP 2010531939 A JP2010531939 A JP 2010531939A JP 2010531939 A JP2010531939 A JP 2010531939A JP 5920802 B2 JP5920802 B2 JP 5920802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- precursor
- substance
- substrate
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 156
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 37
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 claims description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 threads Substances 0.000 claims description 3
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 22
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910014497 Ca10(PO4)6(OH)2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020163 SiOCl Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001296405 Tiso Species 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000000560 biocompatible material Substances 0.000 description 1
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004807 desolvation Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- 238000012377 drug delivery Methods 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052588 hydroxylapatite Inorganic materials 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 210000000936 intestine Anatomy 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;hydroxide;triphosphate Chemical compound [OH-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000037081 physical activity Effects 0.000 description 1
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N picric acid Chemical compound OC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/145—Radiation by charged particles, e.g. electron beams or ion irradiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
(2)また、本発明は、熱に弱い基材にもセラミックなどの粒子状物質、多孔質物質、又は膜状物質を形成することにある。
(3)また、本発明は、基材に高速に粒子状物質、多孔質物質、又は膜状物質を生成することにある。
(2)また、本発明は、熱に弱い基材にもセラミックなどの粒子状物質、多孔質物質、又は膜状物質を形成することができる。
(3)また、本発明は、基材に高速に粒子状物質、多孔質物質、又は膜状物質を生成することができる。
パターン形成する場合、同じ前駆物質で濃度や塗布量を急激にもしくは連続的に変えてもよい。前駆物質の濃度や塗布量を変えることで成膜時の厚さや機能を調整できる。異なる物質を塗布する場合、濃度や塗布量を連続的に変えてもよい。別の前駆物質を順次塗布してもよい。塗布する溶液は、前駆物質をただ溶解させるだけの溶媒を用いたもののほか、基材、前駆物質、プラズマおのおの化学的物理的活性を高める、もしくは減ずる作用を持つものを用いても良い。プラズマ処理前に、同じもしくは異なったパターンで複数回の塗布を実施してもよい。
前駆物質の塗布の前に、基材の表面を事前にプラズマ照射し、親水性、疎水性、前駆物質と基材の密着性や化学活性の向上あるいは低下させる処理、あるいはプラズマ照射により基材表面に前駆物質と親なる物質あるいは疎なる物質を発現させる処理を行っても良い。上記処理の際、プラズマ照射をパターン化する、あるいはマスキングによりプラズマ照射有り無しのエリアを作りパターン化することで、所望の場所にのみ表面処理を行えるようにしても良い。前駆物質の塗布と次の塗布、もしくはプラズマ処理の間に乾燥、脱溶媒、物質付与、物質脱離、物質変性、物理的加工の工程があってもよい。乾燥、脱溶媒は、自然乾燥、温度変化、光、電磁波、ガス流、イオン・粒子の照射等によるほか、アルコール等の液体を用いて塗布物質中の一部物質を脱離させるものである。物質付与、物質脱離は、気体処理、液体処理、イオン・粒子の照射等により、化学反応もしくは物理反応を用いて前駆物質もしくは前駆物質と基材物質に物質を付与、脱離させるものである。物質変性は、光、電磁波、電子線、イオン・粒子の照射もしくは温度変化等により、前駆物質もしくは前駆物質と基材物質を重合させるなど、変質させる。物理的加工は、研磨、切削、イオン・粒子照射、レーザー、光、電磁波、等を用いて前駆物質もしくは前駆物質と基材物質を物理的に加工処理する。これらの前処理を繰り返してもよい。
前駆物質の表面だけを処理し、内部は処理しなくてもよい。プラズマ処理後、再度塗布や前処理の工程、異なったプラズマ処理を繰り返してもよい。プラズマの種類によっては、前駆物質と、基材物質に対して別の効果を付与する事ができる。例えば、HFを用いて、前駆物質はフッ化し、基材は水素終端にする。
図1は、処理対象基材10の面状の表面に前駆物質12を一様に付着し(図1(A)参照)、前駆物質12にプラズマ18を照射して、前駆物質12を反応させて、前駆物質12が途中物質14に変化し(図1(B)参照)、基材10の表面に付着物質16である膜16aを形成する工程(図1(C)参照)を示している。前駆物質12と付着物質16の効果は、一例として、次のものがある。カルシウムを含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはCaO:酸化カルシウム(吸着用途など)、CaCO3:石膏(吸着用途など)などがあり、ナトリウムを含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはNa2O:酸化ナトリウム(触媒や吸着用途)などがあり、ホウ素を含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはB2O5:酸化ホウ素(潤滑性向上)、BN:窒化ホウ素(潤滑性向上)などがあり、ジルコニウムを含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはZrO2:ジルコニア(耐熱性セラミックスとしての機能発現)などがあり、ケイ素を含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはSiO2(ガラスとしての耐摩耗性や耐傷機能発現)などがあり、チタンを含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはTiO2:酸化チタン(光触媒としての機能発現)などがあり、アルミニウムを含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはAl2O3:酸化アルミ(アルミナとしての機能発現や触媒用途)、AlCl3:三塩化アルミ(強力な触媒作用を発現)などがあり、亜鉛を含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはZnO:酸化亜鉛(透明な導電材料としての機能発現(ディスプレイ材料など))などがあり、スズを含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはSnO:酸化錫(透明な導電材料としての機能発現)などがあり、銀を含む物質を前駆物質として用いた場合、付着物質にはAgO、AgO 2 、Ag 2 O 3 :酸化銀(抗菌や触媒用途)などがある。
図2は、図1と工程は類似しており、処理対象基材10の面状の表面に前駆物質12のパターンを付着し、前駆物質12にプラズマ18を照射して、前駆物質12の一部構成物質を取り除き、場合によっては、プラズマ中の付加物質20を前駆物質に付与して、基材表面に付着物質16を形成する工程を示している。図2では、前駆物質12のパターンが一定の幅で、さらに一種類しか記載していないが、複数の前駆物質12を、任意の幅で載せることができ、実際には、複雑なパターンを形成できる。例えば、インクジェットのプリンタ装置を使用することにより、複数種類の前駆物質12について、複雑なパターンを形成することができる。
図3は、多数の粒状の処理対象基材10の表面に前駆物質12を付着する。この前駆物質12が付着した粒状の基材10をプラズマ18の中に通す。これにより、前駆物質12の一部構成物質を取り除き、場合によっては、プラズマ中の付加物質20を前駆物質に付与して、基材10の表面に膜16aを形成する。なお、図3では、基材と前駆物質を区別しているが、基材が前駆物質であってもよい。
多数の糸状、又は織物状の処理対象基材の表面に前駆物質を付着する。なお、図3は粒子について説明してあるが、糸の断面の図としてもよい。又は、立体上の基材の表面に前駆物質を付着する。この前駆物質が付着した糸状、又は織物状、又は立体状の基材にプラズマを照射する。これにより、前駆物質の一部構成物質を取り除き、場合によっては、更に、プラズマ中の物質を前駆物質に付与して、基材表面に膜を形成する。
図4は、トーチ型のプラズマ生成装置30の一例を示している。プラズマ生成装置30は、プラズマを発生するプラズマ生成部32を備えている。プラズマ生成部32の周囲に配置されたコイルなどの誘導電極34により、プラズマ用ガスをプラズマ状態に形成する。誘導電極34には、電源36に接続されている。プラズマ生成部34は、冷却ガス38により冷却される。プラズマ生成部32には、配管50を介して、冷却ガス38、供給物質40、プラズマ用ガス42、又は、サポートガス44が導入される。供給物質40を付加物質20とすることもできる。プラズマ生成装置30の電極材は、一対の電極材、1本の電極材(地中に対してもしくは空間に対して)、誘導コイルなど電力を空間に発生できる電極材など、プラズマを発生できるものであれば、どのような電極材でもよい。電圧の波形は、種々の形状のパルス波形、バースト波、変調した高周波などが利用できる。
図5は、マイクロプラズマを生成するプラズマ生成装置30の一例を示している。プラズマ生成装置30は、プラズマ生成部32と、プラズマ生成部32に電力を付与する電極材46と、電極材46に電力を供給する電源36とを備えている。マイクロプラズマのプラズマ生成部32は、多層体の孔の部分48に形成される。多層体は、一例として、絶縁体52の両面に一対の電極材46が配置された3層の構造を有している。孔部48は3層を貫通している。孔部48にプラズマ用ガス42を供給する。電源36は、電力を発生する。マイクロプラズマを生成するプラズマ生成装置30は、例えば、多層体の孔部48の直径を300μm程度にし、絶縁体52の厚さを1mm程度にする。
図4又は図5など従来のプラズマ生成装置30を利用して、プラズマとなるガス、即ちプラズマ用ガス42をプラズマ生成部32に導入する前に、室温より冷却し、又は高温に加熱する。このようにプラズマ用ガス42の温度を制御することにより、プラズマ生成部32で生成されたプラズマ18は、室温以下、更に零下以下の温度となり、又は、室温より高温となる。このように、プラズマ18の温度を任意に制御することができる。この温度制御されたプラズマ18を使用することにより、揮発性の物質、又は高温度で変化する物質などからなる、種々の膜の生成が可能となる。
前駆物質から一部構成物質を取り除く処理の例は、Si−(O−CH3)4(前駆物質)+Oラジカル→SiO2(付着物質)+CO2+H2Oであり、取り除かれる構成物質は、CO2とH2Oである。このように、CはCO2(沸点:−76℃)、NはNO2(沸点:21℃)、SはSO2(沸点:−10℃)、OはO2(沸点:−183℃)などの化学形態に変化し、雰囲気中へと拡散除去される。
付加物質を供給する処理とは、例えば、Si−(O−CH3)4(前駆物質)+Clラジカル→SiOCl(付着物質)+HCl+HClO4であり、付加物質20は、Clラジカルである。
図8は、インクジェットヘッドなどの前駆物質噴出装置22を用いて基材10に前駆物質12のパターンを形成し、プラズマ18を照射して付着物質16のパターンを形成する方法を示している。図8(A)は、複数のノズル24から複数種類のA液、B液、C液、D液の前駆物質12を基材10の面に照射してパターンを形成している。前駆物質噴出装置22は、ノズル24を基材10の面上において、XY方向に移動すると共に上下(Z方向)に移動して、前駆物質12を噴出する。これにより、図8(B)のような、パターンが形成できる。パターンの前駆物質12は、A液、B液、C液、D液から形成される。図8(C)は、このパターンにプラズマ18を照射している図である。図8(D)は、基材10に形成された付着物質16のパターンを示している。付着物質16のパターンは、前駆物質12の種類とプラズマ18の条件などで種々の機能を持たせることができる。
図9は、基材10に複数の種類A液、B液の前駆物質12の濃度が異なるパターン(図9(A))を形成し、そのパターンにプラズマ18を照射して、物質の種類と異なった膜厚の付着物質16のパターン(図9(B))を形成する方法を示している。
図10は、基材10に複数の種類A液、B液の前駆物質12を塗布し、塗布回数を異ならせてパターン(図10(A))を形成し、そのパターンにプラズマ18を照射して、物質の種類と異なった膜厚の付着物質16のパターン(図10(B))を形成する方法を示している。
図11は、プラズマを利用した処理により集積回路を形成する方法を示している。図11(A)は、ビニールなど透明な材質あるいは紙、布などの基材10の上に前駆物質12の集積回路のパターンを示している。前駆物質12aは、透明電極になるZnOなどの前駆物質の配線部である。前駆物質12bは、抵抗になるZnOなどの細い前駆物質の抵抗部である。前駆物質12cは、N型半導体になる前駆物質とP型半導体になる前駆物質が接しているPN部を示している。前駆物質12dは、P型半導体になる前駆物質とN型半導体になる前駆物質とP型半導体になる前駆物質が接しているPNP部あるいはNPN部を示している。前駆物質12eは、平行な透明電極になるZnOなどの前駆物質の間に高誘電率になるチタン酸バリウムなどの前駆物質が接している高誘電率部を示している。
基材10の銅板に前駆物質12として1000ppmの硫酸チタンを10μm塗布し、蒸発乾固させた。これにより、10nm程度の硫酸チタンの膜が形成されていると考えられる。このように作成した試料に、ヘリウムガス20L/min、酸素0.6L/min、投入電力140Wにより生成する大気圧非平衡プラズマを3秒間照射した。プラズマ源における電子密度は、約1×1014cm−3、ガス温度は約80℃、電子温度は約9000℃、気圧は1気圧、酸素の大部分は、酸素ラジカルもしくはオゾンとして存在している。プラズマ照射を行った試料を、レーザーラマン顕微鏡を用いて表面の物質組成を評価したところ、図12のようなスペクトルを得た。約400nm、500nm強、600nm強にアナターゼ型のTiO2に特徴的なピークが観測されたことから、光触媒活性を有するアナターゼ型の酸化チタン薄膜が形成されたと確認できた。これにより、銅表面に酸化チタンからなる光触媒の薄膜が、焼結処理することなく生成できた。この際、取り除かれた一部構成物質は、Ti(SO4)2中のSである。なお、基材10として銅板を用いる代わりに紙を用いて同様の実験を行ったところ、上記と同様に、紙の表面には、アナターゼ型の酸化チタンの薄膜が形成された。
まず、試料として、基材10のケント紙に、前駆物質12として、シリコーンオイルのアルコール希釈液を塗布し、蒸発乾固させた後、プラズマ用ガス42としてヘリウムガスおよび酸素ガス(ヘリウムガスに対して3%配合)を用いて発生させたプラズマを3秒間照射したものを用意した。また、比較試料として、無処理のケント紙と、ケント紙に前記プラズマを3秒間照射したものを用意した。そして、これら3つの試料の表面に、それぞれ青色の染料を溶かした水滴を滴下した。その結果、図13(A)に示すように、ケント紙にシリコーンオイルのアルコール希釈液を塗布後、プラズマ照射した試料については撥水性が確認された。また、ケント紙にプラズマ照射した試料については、無処理のケント紙(図13(B)参照)と比べて親水性が向上したことが確認された(図13(C)参照)。
基材10の銅板に、前駆物質12としてテトラエトキシシラン(TEOS)の原液を塗布後、60秒間のプラズマ照射を5回繰り返した試料について、FTIRスペクトルを測定した。その結果、図14のaのようなスペクトルが得られた。酸化ケイ素に特徴的なピーク(図14のc参照)が観測されたことから、前駆物質12であるテトラエトキシシランから一部構成物質が取り除かれ、銅板の表面には、付着物質16である酸化ケイ素が形成されたことが確認された。
まず、試料として、基材10の紙の表面側だけに、前駆物質12としてチタンブトキシドのエタノール希釈液を塗布した後、20秒間のプラズマ照射を3回繰り返したものを用意した。そして、この試料の表面側および裏面側についてのFTIRスペクトルをそれぞれ測定した。
12・・・前駆物質
14・・・途中物質
16・・・付着物質
16a・・膜
18・・・プラズマ
20・・・付加物質
22・・・前駆物質噴出装置
24・・・ノズル
30・・・プラズマ生成装置
32・・・プラズマ生成部
34・・・誘導電極
36・・・電源
38・・・冷却ガス
40・・・供給物質
42・・・プラズマ用ガス
44・・・サポートガス
46・・・電極材
48・・・孔部
50・・・配管
52・・・絶縁体
Claims (4)
- シリコーンオイルを含む前駆物質であって、プラズマの照射を受けると構成物質の一部が取り除かれると共に大気圧プラズマ中または雰囲気ガス中の付加物質が付加された撥水性の付着物質となる前記前駆物質を、前記前駆物質が付着可能な物質からなる基材の表面のみに付着させるステップと、
プラズマを生成するためのプラズマ用ガスの温度を制御することにより、照射処理にかかわるパラメータが、前記構成物質の一部を取り除くと共に前記付加物質を付加することのできる温度に設定された酸素を含む大気圧プラズマを前記前駆物質に照射するステップと、
前記大気圧プラズマの照射により前記前駆物質の前記構成物質の一部を取り除くと共に、前記前駆物質に前記付加物質としての酸素を付加して、少なくとも酸化ケイ素を含み前記前駆物質に起因する撥水性を備えた前記撥水性の付着物質を前記基材表面に形成するステップとを備えた、
プラズマを用いた付着物質形成方法。 - 請求項1に記載のプラズマを用いた付着物質形成方法において、放射線を照射するステップを含む、プラズマを用いた付着物質形成方法。
- 請求項1または2に記載のプラズマを用いた付着物質形成方法において、前記基材は、粒子状、糸状、織物状、不織布状又は、立体状である、プラズマを用いた付着物質形成方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプラズマを用いた付着物質形成方法において、前記前駆物質を塗布、噴霧、転写、又は、印刷により前記基材に付着する、プラズマを用いた付着物質形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008258678 | 2008-10-03 | ||
JP2008258678 | 2008-10-03 | ||
PCT/JP2009/067341 WO2010038894A1 (ja) | 2008-10-03 | 2009-10-05 | プラズマを用いた処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010038894A1 JPWO2010038894A1 (ja) | 2012-03-01 |
JP5920802B2 true JP5920802B2 (ja) | 2016-05-18 |
Family
ID=42073646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010531939A Active JP5920802B2 (ja) | 2008-10-03 | 2009-10-05 | プラズマを用いた付着物質形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110236593A1 (ja) |
EP (1) | EP2351872B1 (ja) |
JP (1) | JP5920802B2 (ja) |
WO (1) | WO2010038894A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9659769B1 (en) | 2004-10-22 | 2017-05-23 | Novellus Systems, Inc. | Tensile dielectric films using UV curing |
US8889233B1 (en) | 2005-04-26 | 2014-11-18 | Novellus Systems, Inc. | Method for reducing stress in porous dielectric films |
US8980769B1 (en) | 2005-04-26 | 2015-03-17 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
US10037905B2 (en) | 2009-11-12 | 2018-07-31 | Novellus Systems, Inc. | UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing |
US9050623B1 (en) | 2008-09-12 | 2015-06-09 | Novellus Systems, Inc. | Progressive UV cure |
JP5510437B2 (ja) * | 2011-12-07 | 2014-06-04 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5946085B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2016-07-05 | 株式会社アルバック | 金属酸化物膜の硬質化方法及び硬質化装置 |
CN107001820A (zh) * | 2014-10-21 | 2017-08-01 | 奥雷尔科技有限公司 | 用于在基底上形成图案化的金属膜的组合物 |
US10369664B2 (en) * | 2016-09-23 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US9847221B1 (en) | 2016-09-29 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09262466A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 光触媒材料の製造方法 |
JP2003155571A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-05-30 | Konica Corp | 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法 |
JP2005026175A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Tokyo Institute Of Technology | 固体高分子型燃料電池用電極とその製造方法 |
JP2006096577A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Tokyo Institute Of Technology | 金属酸化物膜、金属酸化物膜の製造方法および成形品 |
JP2007522914A (ja) * | 2003-10-04 | 2007-08-16 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 薄膜の蒸着 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01199678A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 高純度SiO↓2薄膜の形成方法 |
US5773363A (en) * | 1994-11-08 | 1998-06-30 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of making electrical contact to a node |
US5661115A (en) * | 1994-11-08 | 1997-08-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds |
JP4093532B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2008-06-04 | 独立行政法人理化学研究所 | アモルファス状金属酸化物の薄膜材料の製造方法 |
US6849306B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-02-01 | Konica Corporation | Plasma treatment method at atmospheric pressure |
US7258899B1 (en) * | 2001-12-13 | 2007-08-21 | Amt Holdings, Inc. | Process for preparing metal coatings from liquid solutions utilizing cold plasma |
JP3997314B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2007-10-24 | 三洋電機株式会社 | 誘電体膜の形成方法 |
WO2004086486A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Riken | 誘電体絶縁薄膜の製造方法及び誘電体絶縁材料 |
JP4042737B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成システム |
JP2006162754A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびその製造方法 |
JP4825001B2 (ja) | 2005-12-26 | 2011-11-30 | 日建塗装工業株式会社 | スーパーエンプラ積層膜の溶射成膜法 |
DE102007014198B4 (de) * | 2007-03-24 | 2012-11-15 | Qimonda Ag | Integriertes Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines integrierten Bauteils |
-
2009
- 2009-10-05 EP EP09817921.1A patent/EP2351872B1/en active Active
- 2009-10-05 JP JP2010531939A patent/JP5920802B2/ja active Active
- 2009-10-05 WO PCT/JP2009/067341 patent/WO2010038894A1/ja active Application Filing
- 2009-10-05 US US13/122,385 patent/US20110236593A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09262466A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 光触媒材料の製造方法 |
JP2003155571A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-05-30 | Konica Corp | 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法 |
JP2005026175A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Tokyo Institute Of Technology | 固体高分子型燃料電池用電極とその製造方法 |
JP2007522914A (ja) * | 2003-10-04 | 2007-08-16 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 薄膜の蒸着 |
JP2006096577A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Tokyo Institute Of Technology | 金属酸化物膜、金属酸化物膜の製造方法および成形品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2010038894A1 (ja) | 2012-03-01 |
EP2351872A4 (en) | 2017-11-01 |
EP2351872A1 (en) | 2011-08-03 |
WO2010038894A1 (ja) | 2010-04-08 |
EP2351872B1 (en) | 2021-06-09 |
US20110236593A1 (en) | 2011-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5920802B2 (ja) | プラズマを用いた付着物質形成方法 | |
US20200335303A1 (en) | Modular print head assembly for plasma jet printing | |
Jaworek | Electrospray droplet sources for thin film deposition | |
Pappas | Status and potential of atmospheric plasma processing of materials | |
KR102540865B1 (ko) | 패터닝된 금속 박막을 기판 상에 형성하는 방법과 시스템 | |
EP2486163B1 (de) | Atmosphärendruckplasmaverfahren zur herstellung oberflächenmodifizierter partikel und von beschichtungen | |
JP4876918B2 (ja) | 透明導電膜 | |
EP2109876B1 (en) | Substrate plasma treatment using magnetic mask device | |
US20170259501A1 (en) | 3D Printed Electronics Using Directional Plasma Jet | |
WO2006114781A2 (en) | Deposition of materials | |
TW200847422A (en) | Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate | |
Fanelli et al. | Thin film deposition at atmospheric pressure using dielectric barrier discharges: Advances on three-dimensional porous substrates and functional coatings | |
US20060045988A1 (en) | Pretreatment process of a substrate in micro/nano imprinting technology | |
JP2017019279A (ja) | 撥水撥油性表面を有する構造体及びその製造方法 | |
JP2009106906A (ja) | 酸化チタン系光触媒薄膜の製造法 | |
JP2006236747A (ja) | 透明電極及び透明電極の製造方法 | |
Kim et al. | Tuning Hydrophobicity with Honeycomb Surface Structure and Hydrophilicity with CF 4 Plasma Etching for Aerosol‐Deposited Titania Films | |
GR20150100397A (el) | Διαταξη ατμοσφαιρικου πλασματος για ομοιομορφη επεξεργασια μεγαλων επιφανειων | |
WO2000018198A1 (fr) | Generateur de plasma a electrodes de substrat et procede de traitement de substances/materiaux | |
WO2022201853A1 (ja) | 積層体製造装置及び自己組織化単分子膜の形成方法 | |
KR20140036128A (ko) | 패터닝 방법 | |
KR20150008633A (ko) | 대기압 플라즈마를 이용한 고분자수지 코팅재의 표면개질방법 및 그 표면개질부재 | |
JP4590594B2 (ja) | エアロゾルデポジッション成膜装置 | |
KR101968814B1 (ko) | 플렉시블 전자 소자의 제조방법 및 그로부터 제조된 플렉시블 전자 소자 | |
WO2014170972A1 (ja) | 成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120417 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120611 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131218 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141119 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141127 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160405 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5920802 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |