JP5895524B2 - 配線板、電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 75
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 18
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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Description
図13は、上述の電子部品に生じる熱膨張、応力をシミュレーションした結果を示す説明図である。電子部品は、樹脂絶縁層550、650、750及び導体パターン534、558、658を備える配線層530と、該配線層530上に半田バンプ576を介して実装された半導体素子590とから成る。配線層530と半導体素子590との間、及び、半導体素子の側部にはアンダーフィル樹脂598が充填されている。半導体素子は封止樹脂594により封止されている。
このような電子部品を構成する配線層に関しては、熱が加わった場合、半導体素子の直下の領域R1はバンプを介して半導体素子に拘束されるため、通常はほぼ水平方向に膨張する(図13(A1)参照)。一方、半導体素子の直下以外の領域R2においては、半導体素子による拘束が相対的に弱く、且つアンダーフィル樹脂が膨張し、その際に発生する矢印Y方向の応力によってうねりやすくなる。
これにより、半導体素子の側面を含む仮想平面Kの近傍に熱応力が発生しやすくなる。その結果、仮想平面Kの近傍に位置する導体パターン558が断線したり、剥離しやすくなる。
こうした加熱状態から電子部品を常温に戻した場合にも、アンダーフィル樹脂の収縮に伴い、仮想平面Kの近傍に熱応力が発生しやすくなり、同様の課題が発生すると考えられる(図13(B1)(B2)参照)。
図7は、第1実施形態の電子部品10の断面図である。
電子部品10は、導体パターンと樹脂絶縁層とが積層されてなる配線板30と、配線板30上に実装されてなる半導体素子90とからなる。
配線板30は、第1面Fとその第1面とは反対側の第2面Sとを有し、第2面側導体パターン34と、第1樹脂絶縁層50と、第1樹脂絶縁層50上に形成されている第1導体パターン58と、第1樹脂絶縁層50及び第1導体パターン58上に形成されている第2樹脂絶縁層150と、第2樹脂絶縁層150上に形成されている第2導体パターン158とを有している。導体パターン34上には外部基板接続用の半田バンプ98が形成されている。
配線板30の厚みは100μm以下である。
第2導体パターン158上には半田バンプ76が形成されている。この半田バンプ76により半導体素子90が実装されている。半導体素子90と配線板30との間にはアンダーフィル94が充填されている。
半導体素子90はモールド樹脂96により封止されている。
(1)まず、厚さ約1.1mmのガラス板20が用意される(図1(A))。
ガラス板は、実装するシリコン製ICチップとの熱膨張係数差が小さくなるように、CTEが約3.3(ppm)以下で、且つ、後述する剥離工程において使用する308nmのレーザ光に対して透過率が9割以上であることが望ましい。
図8に示すように、導体部158Sの表面に、半田からなる層74を設けてもよい。この場合、銅と比較してヤング率が小さい材料(半田)からなる層を設けることで、上述したようなアンダーフィル材の膨張に伴う応力が導体部158Sによって緩和されやすくなる。
図9(A)は第1実施形態の第2改変例に係る電子部品の断面図であり、図12(A)は電子部品の第2絶縁層の平面図である。第1実施形態では、導体部158Sは、第2樹脂絶縁層150の外端まで設けられた。これに対して、第1実施形態の第2改変例では、導体部は外端まで延びず、半導体素子の周囲直下のみに設けられている。第1実施形態の第2改変例では、導体部面積を減少させ、各絶縁層上の導体パターンの面積差を小さくすることで、各絶縁層での収縮差を小さくすることができる。
図9(B)は第1実施形態の第3改変例に係る電子部品の断面図である。すなわち、導体部74Sは半田のみから成る。これにより、アンダーフィル材の膨張に伴う応力を一層緩和しやすくなると考えられる。
図11(B)は第1実施形態の第4改変例に係る電子部品の平面図である。第1実施形態では、導体部158Sが半導体素子の外周に環状に形成された。これに対して、第1実施形態の第4改変例では、複数の矩形状の導体部74Sが半導体素子の外周に沿って配置される。これによれば、各絶縁層上の導体パターンの面積差を小さくするとことで、各絶縁層での収縮差を小さくすることができる。
図10(A)は第2実施形態に係る電子部品の断面図である。第2実施形態では、導体部158Sの半導体素子の端部近傍にダミーバンプ76Dが設けられ、また、導体部158Sに接続するダミービア導体160D、60D、ダミーバンプ98Dが設けられ、該電子部品10が実装される基板300側のスルーホール導体306に対して熱が伝導するように構成されている。第2実施形態の電子部品は、放熱性に優れる。
図10(B)は第3実施形態に係る電子部品の断面図であり、図12(B)は配線板の平面図である。第3実施形態では、第2絶縁層上に更に第3絶縁層250が設けられ、第3絶縁層に設けられた第3ビア導体260、第3導体パターン258を介して半導体素子90との接続が取られる。第3実施形態では、第2絶縁層150と、第3絶縁層250との間に導体部75Sが設けられる。
配線板の内層に導体部75Sを設けた場合でも、導体部75Sの下方に設けられる導体パターンの断線を効果的に抑制することが可能となる。
30 配線板
50 第1層間樹脂絶縁層
58 第1配線パターン
60 第1ビア導体
76 半田バンプ
94 アンダーフィル
96 モールド樹脂
90 半導体素子
150 第2層間樹脂絶縁層
158 第2配線パターン
158S 導体部
Claims (6)
- 複数の層間樹脂絶縁層と、該層間樹脂絶縁層上に形成されている導体パターンと、最外層の層間樹脂絶縁層上の導体パターン上に形成されているバンプと、を備える配線板と、
前記バンプを介して前記配線板上に実装される半導体素子と、
前記半導体素子と前記配線板との間に充填されているアンダーフィル材と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を有する電子部品であって:
前記配線板は、前記半導体素子の周囲の少なくとも一部に導体部を有し、該導体部の少なくとも一部は前記半導体素子の直下に位置し、
前記導体部は、最外層の層間樹脂絶縁層上に設けられている。 - 請求項1の電子部品であって:
前記導体部は、厚み方向において、前記最外層の層間樹脂絶縁層と前記アンダーフィル材との間に設けられている。 - 請求項1の電子部品であって:
前記最外層の層間樹脂絶縁層上に設けられている導体パターンの表面と、前記導体部の表面とは、略同一平面上に位置する。 - 請求項1の電子部品であって:
前記導体部上には、半田からなる層が形成されている。 - 請求項1の電子部品であって:
前記導体部は半田のみから形成されている。 - 複数の層間樹脂絶縁層と、該層間樹脂絶縁層上に形成されている導体パターンと、最外層の層間樹脂絶縁層上の導体パターン上に形成されているバンプと、を備える配線板を準備することと、
前記バンプを介して前記配線板上に半導体素子を実装することと、
前記半導体素子を封止樹脂により封止することと、
を含む電子部品の製造方法であって:
前記配線板を形成する層間樹脂絶縁層上において、前記半導体素子の周囲の少なくとも一部に導体部を形成し、
該導体部の少なくとも一部を前記半導体素子の直下に設け、
前記導体部を、最外層の層間樹脂絶縁層上に設ける。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011288142A JP5895524B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 配線板、電子部品及び電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011288142A JP5895524B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 配線板、電子部品及び電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013138103A JP2013138103A (ja) | 2013-07-11 |
JP5895524B2 true JP5895524B2 (ja) | 2016-03-30 |
Family
ID=48913588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011288142A Active JP5895524B2 (ja) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 配線板、電子部品及び電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5895524B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3052899B2 (ja) * | 1997-07-04 | 2000-06-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
2011
- 2011-12-28 JP JP2011288142A patent/JP5895524B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013138103A (ja) | 2013-07-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141120 |
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A977 | Report on retrieval |
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