JP5891638B2 - 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法ならびに電子放出源 - Google Patents
多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法ならびに電子放出源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5891638B2 JP5891638B2 JP2011165748A JP2011165748A JP5891638B2 JP 5891638 B2 JP5891638 B2 JP 5891638B2 JP 2011165748 A JP2011165748 A JP 2011165748A JP 2011165748 A JP2011165748 A JP 2011165748A JP 5891638 B2 JP5891638 B2 JP 5891638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite
- group
- polycrystalline diamond
- diamond
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 146
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 146
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 123
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 96
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 96
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 36
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 26
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 17
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 17
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 54
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIIPNAJXERMYOG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylhydrazine Chemical compound CNN(C)C NIIPNAJXERMYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N tert-butylarsenic Chemical compound CC(C)(C)[As] QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- WWVNWQJKWKSDQM-UHFFFAOYSA-N triethylarsane Chemical compound CC[As](CC)CC WWVNWQJKWKSDQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYOWXFLVWSKPS-UHFFFAOYSA-N triethylbismuthane Chemical compound CC[Bi](CC)CC FPYOWXFLVWSKPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N triethylphosphine Chemical compound CCP(CC)CC RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOFCVMVBJXDFP-UHFFFAOYSA-N triethylstibane Chemical compound CC[Sb](CC)CC KKOFCVMVBJXDFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N trimethylarsine Chemical compound C[As](C)C HTDIUWINAKAPER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYDYYQHYLJDCDQ-UHFFFAOYSA-N trimethylbismuthane Chemical compound C[Bi](C)C AYDYYQHYLJDCDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
本実施の形態におけるV族元素添加ナノ多結晶ダイヤモンドは、該多結晶ダイヤモンド本体を構成する炭素中に原子レベルで分散するように添加されたV族元素を備える。
<比較例1>
粒径2μm以下の純黒鉛と赤リンとを混合し、該混合物を2000℃で焼成して炭素中にリンを固溶させた。黒鉛中のリン濃度は0.5%であった。この黒鉛を、合成温度2200℃、15GPaで直接多結晶ダイヤモンドに変換した。ところが、ダイヤモンド多結晶中には、不透明な部分と透明な部分とが存在し、これらの存在を肉眼でも明らかに視認することができた。該多結晶ダイヤモンドの結晶粒径は、各々100μm〜500μmの大きさであり、結晶粒サイズのばらつきは大きかった。この多結晶ダイヤモンドのヌープ硬度については、透明な部分(リンのドープされていない部分)のヌープ硬度が100GPaであり、不透明な部分(リンのドープされている部分)のヌープ硬度が60GPaであった。また、多結晶ダイヤモンドの電気抵抗は800kΩであった。
<比較例2>
粒径2μm以下の純黒鉛を、リンを含む溶液に12時間浸漬した後に取り出し、該黒鉛に2000℃で加熱処理を施した。熱処理後の黒鉛中のリン濃度は0.001%以下であった。液をアルカリ性にしても、酸性にしても、有機溶媒にしても、リンが黒鉛中に取り込まれることはほとんど無かった。
<比較例3>
かさ密度0.8g/cm3の黒鉛を用いた場合、体積変化が大きいため、合成途中に異常、すなわち、ヒーター素材の変形が著しく、一部あるいは全体が断線し、異常加熱が生じて電流・電圧が設定値を保持できなくなるために、装置を停止せざるを得ない状況が発生する頻度が2倍以上であった。
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の実施の形態および実施例を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。
Claims (11)
- 炭素と、置換型の孤立原子として前記炭素中に分散するように添加されたV族元素と、不可避不純物とで構成され、
結晶粒径が500nm以下であり、
前記V族元素は、リン、砒素、アンチモン、及びビスマスから選択される一つ以上の元素である、多結晶ダイヤモンド。 - V族元素を含む黒鉛の焼結体であり、
炭素と、置換型の孤立原子として前記炭素中に分散するように添加された前記V族元素と、不可避不純物とで構成され、
結晶粒径が500nm以下であり、
前記黒鉛は、混合ガスの熱分解体であって、前記混合ガスは前記V族元素を含むガスと炭化水素ガスを含む、多結晶ダイヤモンド。 - 前記多結晶ダイヤモンドは、1500℃以上の温度で、前記V族元素を含むガスと炭化水素ガスとの混合ガスを熱分解して得られた黒鉛を焼結することで作製される、請求項2に記載の多結晶ダイヤモンド。
- 前記V族元素の濃度は、1×1014/cm3以上1×1022/cm3以下である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の多結晶ダイヤモンド。
- V族元素が炭素中に分散するように添加され、結晶粒径が10μm以下である黒鉛を準備する工程と、
高温高圧プレス装置内で前記黒鉛に熱処理を施して前記黒鉛をダイヤモンドに変換する工程と、
を備え、
前記黒鉛を準備する工程は、前記真空チャンバ内に前記V族元素を含むガスと炭化水素ガスとの混合ガスを導入し、1500℃以上の温度で前記混合ガスを熱分解して基材上に黒鉛を形成する工程を含む、多結晶ダイヤモンドの製造方法。 - 前記黒鉛の密度が0.8g/cm 3 より大きく、2.0g/cm 3 以下である、請求項5に記載の多結晶ダイヤモンドの製造方法。
- 前記黒鉛をダイヤモンドに変換する工程では、焼結助剤や触媒を添加することなく、前記高温高圧プレス装置内で前記黒鉛に熱処理を施す、請求項5または請求項6に記載の多結晶ダイヤモンドの製造方法。
- 前記黒鉛をダイヤモンドに変換する工程では、前記基材上に形成された前記黒鉛に前記高温高圧プレス装置内で熱処理を施す、請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の多結晶ダイヤモンドの製造方法。
- 前記混合ガスを、前記基材の表面に向けて流すようにした、請求項5から請求項8のいずれか1項に記載の多結晶ダイヤモンドの製造方法。
- 前記炭化水素ガスは、メタンガスである、請求項5から請求項9のいずれか1項に記載の多結晶ダイヤモンドの製造方法。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の多結晶ダイヤモンドを用いて作製した、電子放出源。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011165748A JP5891638B2 (ja) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法ならびに電子放出源 |
PCT/JP2012/068932 WO2013015348A1 (ja) | 2011-07-28 | 2012-07-26 | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、スクライブツール、スクライブホイール、ドレッサー、回転工具、ウォータージェット用オリフィス、伸線ダイス、切削工具ならびに電子放出源 |
EP12818264.9A EP2738140B1 (en) | 2011-07-28 | 2012-07-26 | Polycrystalline diamond, manufacturing method therefor, scribe tool, scribe wheel, dresser, rotary tool, water-jet orifice, wire drawing die, cutting tool, and electron source |
CN201280037943.0A CN103717530B (zh) | 2011-07-28 | 2012-07-26 | 多晶金刚石及其制法、划线工具、划线轮、修整器、旋转工具、水射流喷嘴、拉丝模具、切削工具、以及电子发射源 |
EP20204082.0A EP3805156A1 (en) | 2011-07-28 | 2012-07-26 | Polycrystalline diamond, manufacturing method therefor, scribe tool, scribe wheel, dresser, rotary tool, water-jet orifice, wire drawing die, cutting tool, and electron source |
US14/235,763 US9714197B2 (en) | 2011-07-28 | 2012-07-26 | Polycrystalline diamond and manufacturing method thereof, scribe tool, scribing wheel, dresser, rotating tool, orifice for water jet, wiredrawing die, cutting tool, and electron emission source |
US15/163,298 US20160264422A1 (en) | 2011-07-28 | 2016-05-24 | Polycrystalline diamond and manufacturing method thereof, scribe tool, scribing wheel, dresser, rotating tool, orifice for water jet, wiredrawing die, cutting tool, and electron emission source |
US15/167,315 US9878956B2 (en) | 2011-07-28 | 2016-05-27 | Polycrystalline diamond and manufacturing method thereof, scribe tool, scribing wheel, dresser, rotating tool, orifice for water jet, wiredrawing die, cutting tool, and electron emission source |
US15/980,340 US10829379B2 (en) | 2011-07-28 | 2018-05-15 | Polycrystalline diamond and manufacturing method thereof, scribe tool, scribing wheel, dresser, rotating tool, orifice for water jet, wiredrawing die, cutting tool, and electron emission source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011165748A JP5891638B2 (ja) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法ならびに電子放出源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013028499A JP2013028499A (ja) | 2013-02-07 |
JP5891638B2 true JP5891638B2 (ja) | 2016-03-23 |
Family
ID=47785924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011165748A Active JP5891638B2 (ja) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法ならびに電子放出源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5891638B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6232816B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-11-22 | 住友電気工業株式会社 | ナノ多結晶ダイヤモンドおよびこれを備える電子銃、並びにナノ多結晶ダイヤモンドの製造方法 |
JP6307809B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2018-04-11 | 住友電気工業株式会社 | ナノ多結晶ダイヤモンドおよびそれを備える工具 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1045473A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-02-17 | Toyo Tanso Kk | 耐酸化性に優れた熱分解炭素被覆黒鉛材 |
JP4275896B2 (ja) * | 2002-04-01 | 2009-06-10 | 株式会社テクノネットワーク四国 | ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法 |
KR20060009811A (ko) * | 2003-05-26 | 2006-02-01 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 다이아몬드 피복 전극 및 그의 제조 방법 |
JP4743473B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2011-08-10 | 住友電気工業株式会社 | 導電性ダイヤモンド被覆基板 |
JP2009067609A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高純度ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法 |
JP2010045184A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Kobe Steel Ltd | 熱伝導性プレート部品及びこれを備えた電子部品 |
-
2011
- 2011-07-28 JP JP2011165748A patent/JP5891638B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013028499A (ja) | 2013-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10829379B2 (en) | Polycrystalline diamond and manufacturing method thereof, scribe tool, scribing wheel, dresser, rotating tool, orifice for water jet, wiredrawing die, cutting tool, and electron emission source | |
JP4855758B2 (ja) | 針状突起配列構造を表面に有するダイヤモンドの製造方法 | |
DE112013005407B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Epitaxiewafern, Halbleiter-Epitaxiewafer, und Verfahren zur Herstellung von Festkörper-Bildsensorvorrichtungen | |
JP5891639B2 (ja) | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、スクライブツール、スクライブホイール、ドレッサー、回転工具、ウォータージェット用オリフィス、伸線ダイス、ならびに切削工具 | |
CN101798706A (zh) | 在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法 | |
CN102486993A (zh) | 一种掺杂石墨烯的制备方法及其用途 | |
JP5331263B1 (ja) | 炭化珪素材料、炭化珪素材料の製造方法 | |
JP5891638B2 (ja) | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法ならびに電子放出源 | |
US10703677B2 (en) | SiC sintered body, heater and method for producing SiC sintered body | |
JP5891637B2 (ja) | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法 | |
JP2015030648A (ja) | 六方晶窒化ホウ素、ヒーター、および六方晶窒化ホウ素の製造方法 | |
WO2021106075A1 (ja) | 多結晶ダイヤモンドからなる先端部を有する測定用工具 | |
US10214454B2 (en) | Structure of micropowder | |
JP6232816B2 (ja) | ナノ多結晶ダイヤモンドおよびこれを備える電子銃、並びにナノ多結晶ダイヤモンドの製造方法 | |
JP2013028493A (ja) | 黒鉛およびその製造方法 | |
JP6349644B2 (ja) | 多結晶立方晶窒化ホウ素およびその製造方法 | |
US9994971B2 (en) | Method for fabricating carbon-based composite material | |
Weiss et al. | Fabrication of thin-film cold cathodes by a modified chemical vapor deposition diamond process | |
KR101291481B1 (ko) | RF 플라즈마 연소기술에 의한 나노 MgO 분말 제조방법 | |
JP7427848B1 (ja) | 多結晶SiC成形体及びその製造方法 | |
KR101349633B1 (ko) | 그래핀 외장에 삽입된 다이아몬드 나노플레이크를 포함하는 다상 탄소 나노구조물 및 이의 제조 방법 | |
JP4345437B2 (ja) | n型半導体ダイヤモンドの製造方法及びn型半導体ダイヤモンド | |
JPH04175295A (ja) | 半導体ダイヤモンドの製造方法 | |
KR20230069034A (ko) | α상을 갖는 고순도 SiC 결정체의 제조방법 | |
JP6307809B2 (ja) | ナノ多結晶ダイヤモンドおよびそれを備える工具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150918 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5891638 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |