JP5888960B2 - グラフェンを利用した有機発光表示装置 - Google Patents
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-
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Description
2 ディスプレイ部、
112a 第1活性層、
112b 第2活性層、
114a 第1ゲート電極、
114b 第2ゲート電極、
116a 第1ソース電極、
116b 第2ソース電極、
117a 第1ドレイン電極、
117b 第2ドレイン電極、
117c 延長部、
120a キャパシタの第1電極、
120b キャパシタの第2電極、
211 バッファ層、
213 ゲート絶縁層、
215 中間層、
216 パッシベーション層、
217 平坦化層、
219 画素定義層、
221 画素電極、
221a 第1画素電極、
221b 第2画素電極、
221c 第3画素電極、
222 対向電極、
223 発光部材、
A 第1部分、
B 第2部分、
Cst キャパシタ、
D データ線、
D1 第1データライン、
D2 第2データライン、
D3 第3データライン、
H 開口部、
OLED 有機発光素子、
PA 画素領域、
S 走査線、
TA 透過領域、
TR1 スイッチングトランジスタ、
TR2 駆動トランジスタ、
V 駆動電圧線、
V1 第1Vddライン、
V2 第2Vddライン、
VH ビアホール、
Vss 共通電圧。
Claims (9)
- 基板と、
前記基板上に第1方向に形成された第1配線と、
前記基板上に第2方向に形成された第2配線及び第3配線と、
前記第1及び第2配線と連結されている第1薄膜トランジスタと、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第3配線と連結されている第2薄膜トランジスタと、
前記第2薄膜トランジスタと連結された有機発光素子と、を備え、
前記第2配線及び第3配線は、グラフェンからなり、
前記第1薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成された活性層と、
前記活性層と対応する位置に前記活性層と絶縁されて形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成され、前記活性層と連通された開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記開口部を通じて前記活性層と接するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記開口部に埋め込まれる第1部分と、前記絶縁層上に形成される第2部分とを備え、
前記第1部分は、ITO,IZO,ZnO,In 2 O 3 ,SnO 2 及びAlZnOxからなる群から選択された少なくとも一つの金属酸化物からなり、
前記第2部分は、グラフェンからなることを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2部分は、前記第2配線と連結され、前記第2部分と前記第2配線とは同じ物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 基板と、
前記基板上に第1方向に形成された第1配線と、
前記基板上に第2方向に形成された第2配線及び第3配線と、
前記第1及び第2配線と連結されている第1薄膜トランジスタと、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第3配線と連結されている第2薄膜トランジスタと、
前記第2薄膜トランジスタと連結された有機発光素子と、を備え、
前記第2配線及び第3配線は、グラフェンからなり、
前記第2薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成された活性層と、
前記活性層と対応する位置に前記活性層と絶縁されて形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成され、前記活性層と連通された開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記開口部を通じて前記活性層と接するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記開口部に埋め込まれる第1部分と、前記絶縁層上に形成される第2部分とを備え、
前記第1部分は、ITO,IZO,ZnO,In 2 O 3 ,SnO 2 及びAlZnOxからなる群から選択された少なくとも一つの金属酸化物からなり、
前記第2部分は、グラフェンからなることを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2部分は、前記第3配線と連結され、前記第2部分と前記第3配線とは同じ物質で形成されることを特徴とする請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機発光素子は、前記第2薄膜トランジスタのドレイン電極と連結される画素電極と、
前記画素電極と対向して形成された対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて発光する発光部材と、を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。 - 外光が透過する透過領域、及び前記透過領域に隣接した画素領域に区画された基板と、
前記画素領域を通過するように、第1方向に形成された第1配線と、
前記画素領域及び前記透過領域を通過するように、第2方向に形成された第2配線及び第3配線と、
前記画素領域内に位置し、前記第1及び第2配線と連結されている第1薄膜トランジスタと、
前記画素領域内に位置し、前記第1薄膜トランジスタ及び前記第3配線と連結されている第2薄膜トランジスタと、
前記第2薄膜トランジスタと連結され、前記画素領域内に位置し、前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタを覆うように積層された画素電極と、
前記画素電極と対向し、光透過が可能であるように形成され、前記透過領域及び画素領域にわたって位置する対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて発光する発光部材と、を備え、
前記第2配線及び第3配線は、グラフェンからなり、
前記第1薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成された活性層と、
前記活性層と対応する位置に前記活性層と絶縁されて形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成され、前記活性層と連通された開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記開口部を通じて前記活性層と接するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記開口部に埋め込まれる第1部分と、前記絶縁層上に形成される第2部分とを備え、
前記第1部分は、ITO,IZO,ZnO,In 2 O 3 ,SnO 2 及びAlZnOxからなる群から選択された少なくとも一つの金属酸化物からなり、
前記第2部分は、グラフェンからなることを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2部分は、前記第2配線と連結され、前記第2部分と前記第2配線とは同じ物質で形成されることを特徴とする請求項6に記載の有機発光表示装置。
- 外光が透過する透過領域、及び前記透過領域に隣接した画素領域に区画された基板と、
前記画素領域を通過するように、第1方向に形成された第1配線と、
前記画素領域及び前記透過領域を通過するように、第2方向に形成された第2配線及び第3配線と、
前記画素領域内に位置し、前記第1及び第2配線と連結されている第1薄膜トランジスタと、
前記画素領域内に位置し、前記第1薄膜トランジスタ及び前記第3配線と連結されている第2薄膜トランジスタと、
前記第2薄膜トランジスタと連結され、前記画素領域内に位置し、前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタを覆うように積層された画素電極と、
前記画素電極と対向し、光透過が可能であるように形成され、前記透過領域及び画素領域にわたって位置する対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて発光する発光部材と、を備え、
前記第2配線及び第3配線は、グラフェンからなり、
前記第2薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成された活性層と、
前記活性層と対応する位置に前記活性層と絶縁されて形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成され、前記活性層と連通された開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記開口部を通じて前記活性層と接するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記開口部に埋め込まれる第1部分と、前記絶縁層上に形成される第2部分とを備え、
前記第1部分は、ITO,IZO,ZnO,In 2 O 3 ,SnO 2 及びAlZnOxからなる群から選択された少なくとも一つの金属酸化物からなり、
前記第2部分は、グラフェンからなることを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第2部分は、前記第3配線と連結され、前記第2部分と前記第3配線とは同じ物質で形成されることを特徴とする請求項8に記載の有機発光表示装置。
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