JP5885149B2

JP5885149B2 - 高周波整流回路

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Publication number: JP5885149B2
Application number: JP2011034527A
Authority: JP
Inventors: 萩原　達也; 達也萩原; 下沢　充弘; 充弘下沢; 伊東　健治; 健治伊東
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp; Kanazawa Institute of Technology (KIT)
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp; Kanazawa Institute of Technology (KIT)
Priority date: 2011-02-21
Filing date: 2011-02-21
Publication date: 2016-03-15
Anticipated expiration: 2031-02-21
Also published as: JP2012175780A

Description

この発明は、高周波信号を直流信号に変換する高周波整流回路に関する。

従来から、高周波信号を直流信号に変換する高周波整流回路として、フィルタを用いた回路が知られている（例えば、非特許文献１参照）。以下、図面を参照しながら、非特許文献１に示された高周波整流回路について説明する。

図１５は、従来の高周波整流回路を示す回路図である。図１５において、この高周波整流回路は、高周波信号源５１、内部抵抗５２、入力端子５３、入力フィルタ５４、ダイオード５５、出力フィルタ５６、出力端子５７および負荷抵抗５８から構成されている。

入力フィルタ５４は、高周波信号源５１から出力される角周波数ωの高周波信号（高周波信号の基本波）を通過させる。また、入力フィルタ５４は、直流信号および奇数次高調波信号（角周波数：３ω、５ω・・・）に対して開放状態となり、偶数次高調波信号（角周波数：２ω、４ω・・・）に対して短絡状態となる。すなわち、入力フィルタ５４のダイオード５５側の端子のインピーダンスが、直流信号および奇数次高調波信号に対して無限大となり、偶数次高調波信号に対してほぼ零となる。

出力フィルタ５６は、入力フィルタ５４を通過した高周波信号（角周波数：ω）がダイオード５５により整流された直流信号を通過させる。また、出力フィルタ５６は、高周波信号（角周波数：ω）および奇数次高調波信号に対して開放状態となり、偶数次高調波信号に対して短絡状態となる。すなわち、出力フィルタ５６のダイオード５５側の端子のインピーダンスが、高周波信号および奇数次高調波信号に対して無限大となり、偶数次高調波信号に対してほぼ零となる。

ここで、このような機能を有する入力フィルタ５４および出力フィルタ５６を用い、さらに負荷抵抗５８を最適な値とすることにより、理想的には、高周波信号を直流信号に変換する際の変換効率（以下、「整流効率」と称する）を１００％にすることができる。

なお、このような機能を有する入力フィルタ５４および出力フィルタ５６として、例えば、図１６に示されるように、並列共振回路５９と直列共振回路６０とを組み合わせたフィルタ回路が考えられる。図１６において、並列共振回路５９および直列共振回路６０の共振周波数を調整することにより、直流信号および高周波信号（角周波数：ω）に対する通過可能状態または開放状態、奇数次高調波信号に対する開放状態並びに偶数次高調波信号に対する短絡状態を実現することができる。

Ｒ．Ｊ．Ｇｕｔｍａｎｎ，ｅｔａｌ，"Ｓｏｌａｒｐｏｗｅｒｓａｔｅｌｌｉｔｅｒｅｃｔｅｎｎａｄｅｓｉｇｎｓｔｕｄｙ：Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌｒｅｃｅｉｖｉｎｇｅｌｅｍｅｎｔｓａｎｄｐａｒａｌｌｅｌ−ｓｅｒｉｅｓｃｏｍｂｉｎｉｎｇａｎａｌｙｓｉｓ"，ＮＡＳＡ−ＣＲ−１５１８６６，Ｎ７９−１６０３９，１９７８

しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。
非特許文献１に示された高周波整流回路では、高い整流効率を得るために、入力フィルタおよび出力フィルタとして、例えば、図１６に示したような、並列共振回路と直列共振回路とを組み合わせたフィルタ回路を用いる必要がある。そのため、高周波整流回路全体のサイズが大型化するという問題がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、小型で高い整流効率を有する高周波整流回路を得ることを目的とする。

この発明に係る高周波整流回路は、高周波信号を出力する高周波信号源と、第１ダイオード、第２ダイオード、第３ダイオードおよび第４ダイオードを有し、高周波信号を整流するブリッジダイオードと、ブリッジダイオードで整流された高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となる高調波処理回路と、を備え、高周波信号源は、第１ダイオードのカソードと第２ダイオードのアノードとが接続された第１端子と、第３ダイオードのカソードと第４ダイオードのアノードとが接続された第２端子との間に直列に接続され、高調波処理回路は、第１ダイオードのアノードと第３ダイオードのアノードとが接続された第３端子と、第２ダイオードのカソードと第４ダイオードのカソードとが接続された第４端子とに接続され、高調波処理回路は、第３端子および第４端子にそれぞれ一端が接続され、他端が接地されているものである。

この発明に係る高周波整流回路によれば、第１ダイオード、第２ダイオード、第３ダイオードおよび第４ダイオードを有し、高周波信号源から出力された高周波信号を整流するブリッジダイオードを備え、第１ダイオードのアノードと第３ダイオードのアノードとが接続された第３端子と、第２ダイオードのカソードと第４ダイオードのカソードとが接続された第４端子とに、ブリッジダイオードで整流された高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となる高調波処理回路を接続している。ここで、ダイオードをブリッジ状に接続したブリッジダイオードを整流素子として用い、高周波信号を整流することにより、奇数次高調波信号に対して開放状態となる回路が不要となる。
そのため、ブリッジダイオードと高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となる高調波処理回路とを組み合わせることにより、小型で高い整流効率を有する高周波整流回路を得ることができる。

この発明の実施の形態１に係る高周波整流回路を示す回路図である。この発明の実施の形態１に係る高周波整流回路の入出力電流を示す説明図である。この発明の実施の形態１に係る高周波整流回路を示す別の回路図である。この発明の実施の形態１に係る高周波整流回路を示すさらに別の回路図である。この発明の実施の形態２に係る高周波整流回路を示す回路図である。この発明の実施の形態２に係る高周波整流回路を示す別の回路図である。この発明の実施の形態３に係る高周波整流回路を示す回路図である。この発明の実施の形態４に係る高周波整流回路を示す回路図である。この発明の実施の形態５に係る高周波整流回路を示す回路図である。この発明の実施の形態５に係る高周波整流回路を示す別の回路図である。この発明の実施の形態５に係る高周波整流回路を示すさらに別の回路図である。この発明の実施の形態６に係る高周波整流回路を示す回路図である。この発明の実施の形態７に係る高周波整流回路を示す回路図である。この発明の実施の形態７に係る高周波整流回路を示す別の回路図である。従来の高周波整流回路を示す回路図である。従来の高周波整流回路に用いられるフィルタを示す回路図である。

以下、この発明に係る高周波整流回路の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る高周波整流回路を示す回路図である。図１において、この高周波整流回路は、角周波数ωの高周波信号を出力する高周波信号源１、内部抵抗２、入力端子３、トランス４、ブリッジダイオード２０、ブリッジダイオード２０で整流された高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となるキャパシタ（高調波処理回路）５ａ、５ｂ、出力端子６ａ、６ｂおよび負荷抵抗７から構成されている。

ブリッジダイオード２０は、第１ダイオード２１、第２ダイオード２２、第３ダイオード２３および第４ダイオード２４を有し、高周波信号源１からの高周波信号を整流する。高周波信号源１は、第１ダイオード２１のカソードと第２ダイオード２２のアノードとが接続された第１端子と、第３ダイオード２３のカソードと第４ダイオード２４のアノードとが接続された第２端子との間に直列に接続されている。

キャパシタ５ａは、第１ダイオード２１のアノードと第３ダイオード２３のアノードとが接続された第３端子に接続され、キャパシタ５ｂは、第２ダイオード２２のカソードと第４ダイオード２４のカソードとが接続された第４端子に接続されている。この高周波整流回路において、第３端子と第４端子との間に接続された負荷抵抗７から、高周波信号が整流された直流出力が得られる。

続いて、図２を参照しながら、図１に示した高周波整流回路の動作について説明する。図２は、この発明の実施の形態１に係る高周波整流回路の入出力電流を示す説明図であり、図２（ａ）はブリッジダイオード２０の第１端子および第２端子に高周波信号を印加した場合の入力電流Ｉ_１（振幅Ｉ_０）を示し、図２（ｂ）はブリッジダイオード２０の第３端子および第４端子からの出力電流Ｉ_２を示している。

ここで、ブリッジダイオード２０の各ダイオードが理想的な動作、すなわち順バイアス時に短絡状態となり、逆バイアス時に開放状態となる場合、入力電流Ｉ_１は、式（１）、出力電流Ｉ_２は、式（２）で表される。なお、式（１）、（２）において、Ｉ_０は電流振幅を示し、ｎは自然数を示し、ｔは時間を示している。

式（２）に示されるように、ブリッジダイオード２０を整流素子として用いることにより、出力電流Ｉ_２は、高周波信号の奇数次成分を含まないので、高周波信号の奇数次高調波信号に対して開放状態となる回路が不要となる。

また、キャパシタ５ａ、５ｂのインピーダンスＺは、Ｚ＝１／ｊωＣで表される。そのため、高周波信号の偶数次高調波信号のうち、最小の次数である２次高調波信号に対して短絡状態となるようにキャパシタ５ａ、５ｂの容量を選択することにより、キャパシタ５ａ、５ｂは、より高次の４次、６次・・・の高調波信号に対しても短絡状態となる。したがって、キャパシタ５ａ、５ｂを設けることにより、すべての偶数次高調波信号に対して最適な高調波処理回路を実現することができる。

以上のように、実施の形態１によれば、第１ダイオード、第２ダイオード、第３ダイオードおよび第４ダイオードを有し、高周波信号源から出力された高周波信号を整流するブリッジダイオードを備え、第１ダイオードのアノードと第３ダイオードのアノードとが接続された第３端子と、第２ダイオードのカソードと第４ダイオードのカソードとが接続された第４端子とに、ブリッジダイオードで整流された高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となる高調波処理回路を接続している。ここで、ブリッジダイオードを整流素子として用い、高周波信号を整流することにより、奇数次高調波信号に対して開放状態となる回路が不要となる。
そのため、ブリッジダイオードと高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となる高調波処理回路とを組み合わせることにより、小型で高い整流効率を有する高周波整流回路を得ることができる。

なお、上記実施の形態１では、入力端子３とブリッジダイオード２０との間にトランス４を接続して不平衡−平衡変換を実行している。しかしながら、これに限定されず、図３に示されるように、入力端子３ａ、３ｂを備え、トランスを有しない構成であってもよい。この場合も、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

また、上記実施の形態１に係る高周波整流回路において、図４に示されるように、入力端子３とブリッジダイオード２０との間に、直流信号成分を遮断するためのキャパシタ８ａ、８ｂを接続してもよい。この場合には、さらに高い整流効率を得ることができる。

実施の形態２．
図５は、この発明の実施の形態２に係る高周波整流回路を示す回路図である。図５において、この高周波整流回路は、図１に示したキャパシタ５ａ、５ｂに代えて、第３端子と第４端子との間に直列に接続され、ブリッジダイオード２０で整流された高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となるキャパシタ５（高調波処理回路）を備えている。なお、この高周波整流回路のその他の構成および動作は、上述した実施の形態１と同様なので、その説明を省略する。

以上のように、実施の形態２によれば、ブリッジダイオードの第１ダイオードのアノードと第３ダイオードのアノードとが接続された第３端子と、第２ダイオードのカソードと第４ダイオードのカソードとが接続された第４端子との間に、ブリッジダイオードで整流された高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となる高調波処理回路を直列に接続している。ここで、ブリッジダイオードを整流素子として用い、高周波信号を整流することにより、奇数次高調波信号に対して開放状態となる回路が不要となる。
そのため、ブリッジダイオードと高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となる高調波処理回路とを組み合わせることにより、小型で高い整流効率を有する高周波整流回路を得ることができる。

なお、上記実施の形態２では、入力端子３とブリッジダイオード２０との間にトランス４を接続して不平衡−平衡変換を実行している。しかしながら、これに限定されず、図６に示されるように、入力端子３ａ、３ｂを備え、トランスを有しない構成であってもよい。この場合も、上記実施の形態２と同様の効果を得ることができる。

実施の形態３．
図７は、この発明の実施の形態３に係る高周波整流回路を示す回路図である。図７において、この高周波整流回路は、図６に示した高周波整流回路に加えて、高周波信号源１（入力端子３ａ、３ｂ）とブリッジダイオード２０との間に接続され、高周波信号の奇数次高調波信号に対して開放状態となる開放回路９を備えている。なお、この高周波整流回路のその他の構成および動作は、上述した実施の形態２と同様なので、その説明を省略する。

以上のように、実施の形態３によれば、高周波信号源とブリッジダイオードの第１端子および第２端子との間にそれぞれ接続され、高周波信号の奇数次高調波信号に対して開放状態となる開放回路をさらに備えている。
そのため、上述した従来技術と同様に、高周波信号の奇数次高調波信号に対するブリッジダイオードから見た入力側のインピーダンスを無限大とすることができ、整流効率を向上させることができる。

実施の形態４．
図８は、この発明の実施の形態４に係る高周波整流回路を示す回路図である。図８において、この高周波整流回路は、図６に示した高周波整流回路に加えて、高周波信号源１（入力端子３ａ、３ｂ）とブリッジダイオード２０との間に接続されたインピーダンス変成器１０を備えている。なお、この高周波整流回路のその他の構成および動作は、上述した実施の形態２と同様なので、その説明を省略する。

以上のように、実施の形態４によれば、高周波信号源とブリッジダイオードの第１端子および第２端子との間に接続されたインピーダンス変成器をさらに備えている。
そのため、高インピーダンスでブリッジダイオードを駆動することができる。この結果、回路に流れる電流を低減することができ、回路中の抵抗成分による損失を低減して整流効率を向上させることができる。なお、上記変成器の変成比を１としてもよい。

実施の形態５．
図９は、この発明の実施の形態５に係る高周波整流回路を示す回路図である。図９において、この高周波整流回路は、図６に示した高周波整流回路に加えて、高周波信号源１（入力端子３ａ、３ｂ）とブリッジダイオード２０との間に接続された差動のπ型低域通過フィルタ（ＬＰＦ：ＬｏｗＰａｓｓＦｉｌｔｅｒ）１１を備えている。なお、この高周波整流回路のその他の構成および動作は、上述した実施の形態２と同様なので、その説明を省略する。

以上のように、実施の形態５によれば、高周波信号源とブリッジダイオードの第１端子および第２端子との間に接続されたπ型ＬＰＦをさらに備えている。
そのため、π型ＬＰＦがインピーダンス変成器として動作することにより、高インピーダンスでブリッジダイオードを駆動することができる。

なお、上記実施の形態５に係る高周波整流回路において、図１０に示されるように、π型ＬＰＦ１８を構成するブリッジダイオード側のキャパシタを、キャパシタとインダクタとの並列共振回路で置き換えてもよい。この並列共振回路の共振周波数を高周波信号の奇数倍の周波数に設定することにより、高周波信号の奇数次高調波信号に対するブリッジダイオードから見たインピーダンスを無限大とすることができ、整流効率を向上させることができる。なお、この並列共振回路を直列に複数設けて、３次、５次、７次と複数の奇数次の高調波信号に対して共振するようにしてもよい。これにより、高周波信号の複数の奇数次高調波信号に対するブリッジダイオードから見たインピーダンスを無限大とすることができ、整流効率をさらに向上させることができる。

また、上記実施の形態５に係る高周波整流回路において、図１１に示されるように、π型ＬＰＦ１２を構成する出力側キャパシタ１３を、ダイオードの接合容量Ｃ_ｊで置き換えてもよい。一般的に、ダイオードの接合容量Ｃ_ｊは、ダイオードの寄生抵抗Ｒ_ｓとともにＬＰＦを構成し、ダイオードの高周波特性を劣化させるが、この実施の形態５によれば、ダイオードの接合容量Ｃ_ｊがπ型ＬＰＦの構成に用いられるので、高周波での特性劣化を抑制することができる。そのため、周波数が高い場合であっても、高い整流効率を有する高周波整流回路を得ることができる。

また、上記実施の形態５に係る高周波整流回路において、π型ＬＰＦの直列インダクタを並列共振回路としてもよい。この場合には、高周波信号の奇数次高調波信号に対するブリッジダイオードから見たインピーダンスを無限大とすることができ、整流効率を向上させることができる。なお、この並列共振回路を直列に複数設けて、３次、５次、７次と複数の奇数次の高調波信号に対して共振するようにしてもよい。これにより、高周波信号の複数の奇数次高調波信号に対するブリッジダイオードから見たインピーダンスを無限大とすることができ、整流効率をさらに向上させることができる。

実施の形態６．
図１２は、この発明の実施の形態６に係る高周波整流回路を示す回路図である。図１２において、この高周波整流回路は、図６に示した高周波整流回路に加えて、高周波信号源１（入力端子３ａ、３ｂ）とブリッジダイオード２０との間に接続された差動のＴ型ＬＰＦ１４を備えている。なお、この高周波整流回路のその他の構成および動作は、上述した実施の形態２と同様なので、その説明を省略する。

以上のように、実施の形態６によれば、高周波信号源とブリッジダイオードの第１端子および第２端子との間に接続されたＴ型ＬＰＦをさらに備えている。
そのため、Ｔ型ＬＰＦがインピーダンス変成器として動作することにより、高インピーダンスでブリッジダイオードを駆動するとともに、高周波信号の奇数次高調波信号に対して開放状態となることにより、整流効率を向上させることができる。
なお、上記実施の形態６に係る高周波整流回路において、Ｔ型ＬＰＦ１４の直列インダクタを並列共振回路としてもよい。

実施の形態７．
図１３は、この発明の実施の形態７に係る高周波整流回路を示す回路図である。図１３において、この高周波整流回路は、図６に示した高周波信号源１および内部抵抗２に代えて、高周波信号を受信する高周波受信アンテナ１５と、高周波受信アンテナ１５とブリッジダイオード２０との間に接続され、不平衡信号を平衡信号に変換する１８０度ハイブリッド１６とを備えている。なお、１８０度ハイブリッド１６の代わりにトランスを用いてもよい。

図１３に示されるように、高周波整流回路をレクテナに用いる場合、高周波受信アンテナ１５とブリッジダイオード２０との間に１８０度ハイブリッド１６を接続することにより、不平衡−平衡変換を実行する。なお、この高周波整流回路のその他の構成および動作は、上述した実施の形態２と同様なので、その説明を省略する。

以上のように、実施の形態７によれば、ブリッジダイオードの第１端子に接続され、高周波信号を受信する高周波受信用アンテナを備え、高周波受信用アンテナと第１端子および第２端子との間に接続され、不平衡信号を平衡信号に変換する１８０度ハイブリッドをさらに備えている。
そのため、ダイオードブリッジに平衡信号を印加することができるので、ダイオードブリッジを理想的に動作させることができ、整流効率を向上させることができる。また、１８０度ハイブリッドがインピーダンス変成を行うことにより、高インピーダンスでダイオードブリッジを駆動することができる。

なお、上記実施の形態７に係る高周波整流回路において、図１４に示されるように、集中定数型１８０度ハイブリッド１７を用いるとともに、出力側キャパシタ１３をダイオードの接合容量Ｃ_ｊで置き換えることにより、ダイオードの接合容量Ｃ_ｊによるブリッジダイオード２０の高周波特性の劣化を抑制することができる。

１高周波信号源、２内部抵抗、３、３ａ、３ｂ入力端子、４トランス、５、５ａ、５ｂキャパシタ、６ａ、６ｂ出力端子、７負荷抵抗、８ａ、８ｂキャパシタ、９開放回路、１０インピーダンス変成器、１１、１２、１８ π型ＬＰＦ、１３出力側キャパシタ、１４Ｔ型ＬＰＦ、１５高周波受信アンテナ、１６１８０度ハイブリッド、１７集中定数型１８０度ハイブリッド、２０ブリッジダイオード、２１第１ダイオード、２２第２ダイオード、２３第３ダイオード、２４第４ダイオード。

Claims

高周波信号を出力する高周波信号源と、
第１ダイオード、第２ダイオード、第３ダイオードおよび第４ダイオードを有し、前記高周波信号を整流するブリッジダイオードと、
前記ブリッジダイオードで整流された前記高周波信号の偶数次高調波信号に対して短絡状態となる高調波処理回路と、を備え、
前記高周波信号源は、前記第１ダイオードのカソードと前記第２ダイオードのアノードとが接続された第１端子と、前記第３ダイオードのカソードと前記第４ダイオードのアノードとが接続された第２端子との間に直列に接続され、
前記高調波処理回路は、前記第１ダイオードのアノードと前記第３ダイオードのアノードとが接続された第３端子と、前記第２ダイオードのカソードと前記第４ダイオードのカソードとが接続された第４端子とに接続され、
前記高調波処理回路は、前記第３端子および前記第４端子にそれぞれ一端が接続され、他端が接地されている
ことを特徴とする高周波整流回路。
前記高周波信号源は、不平衡な高周波信号を出力し、
前記高周波信号源と前記第１端子および前記第２端子との間に接続されたトランスをさらに備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波整流回路。
前記トランスと前記第１端子および前記第２端子との間に接続されたキャパシタをさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の高周波整流回路。
前記高周波信号源と前記第１端子および前記第２端子との間に接続されたキャパシタをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の高周波整流回路。
前記高調波処理回路は、キャパシタであることを特徴とする請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の高周波整流回路。
前記高周波信号源と前記第１端子および前記第２端子との間にそれぞれ接続され、前記高周波信号の奇数次高調波信号に対して開放状態となる開放回路をさらに備えたことを特徴とする請求項１から請求項５までの何れか１項に記載の高周波整流回路。
前記高周波信号源と前記第１端子および前記第２端子との間に接続されたインピーダンス変成器をさらに備えたことを特徴とする請求項１から請求項６までの何れか１項に記載の高周波整流回路。
前記インピーダンス変成器として、π型低域通過フィルタを用いたことを特徴とする請求項７に記載の高周波整流回路。
前記π型低域通過フィルタの少なくともブリッジダイオード側のキャパシタを、前記高周波信号の奇数次高調波信号に対して開放状態となる開放回路に置き換えたことを特徴とする請求項８に記載の高周波整流回路。
前記π型低域通過フィルタを構成するキャパシタまたはその一部として、前記第１ダイオードから前記第４ダイオードまでが有する接合容量を用いたことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の高周波整流回路。
前記π型低域通過フィルタを構成するインダクタを、前記高周波信号の奇数次高調波信号に対して開放状態となる開放回路に置き換えたことを特徴とする請求項８から請求項１０までの何れか１項に記載の高周波整流回路。
前記インピーダンス変成器として、Ｔ型低域通過フィルタを用いたことを特徴とする請求項７に記載の高周波整流回路。
前記高周波信号源に代えて、前記第１端子に接続され、高周波信号を受信する高周波受信用アンテナを備え、
前記高周波受信用アンテナと前記第１端子および前記第２端子との間に接続され、不平衡信号を平衡信号に変換するトランスをさらに備えた
ことを特徴とする請求項１から請求項１２までの何れか１項に記載の高周波整流回路。
前記高周波信号源に代えて、前記第１端子に接続され、高周波信号を受信する高周波受信用アンテナを備え、
前記高周波受信用アンテナと前記第１端子および前記第２端子との間に接続され、不平衡信号を平衡信号に変換する１８０度ハイブリッドをさらに備えた
ことを特徴とする請求項１から請求項１２までの何れか１項に記載の高周波整流回路。
前記１８０度ハイブリッドは、集中定数素子を用いて構成され、
前記１８０度ハイブリッドを構成するキャパシタまたはその一部として、前記第１ダイオードから前記第４ダイオードまでが有する接合容量を用いた
ことを特徴とする請求項１４に記載の高周波整流回路。