JP5885135B2 - 加熱溶融処理方法および加熱溶融処理装置 - Google Patents
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
第1実施形態では、導電体上に加熱溶融材として電極材料を配設し、溶融段階において、電極材料を溶融することによって、ワーク上において電極材料を電極(半田バンプ)に形成する電極製造方法および電極製造技術を例にとって説明する。
<チャンバとワーク>
次に、チャンバ10と、チャンバに搬入されるワーク80を説明する。チャンバ10内には、ワーク80が搬入される。チャンバ10は、処理室のみを有していてもよく、互いにゲートバルブ(不図示)を介して貫通する搬入室と処理室とを有していてもよい。搬入室と処理室とを有している場合には、搬入室に搬入されたワーク80が、処理室へ移動機構により移動されることになる。
<カルボン酸供給部>
次に、カルボン酸供給部20について説明する。カルボン酸供給部20は、チャンバ10内にカルボン酸蒸気を供給するカルボン酸供給手段である。カルボン酸供給部20は、カルボン酸蒸気の供給系21と、所定のタイミングで開閉するバルブ22とを有する。供給系21は、水素、一酸化炭素のような還元性ガス、または窒素のような非酸化性ガス等のキャリアガスをカルボン酸蒸気に混合してチャンバ10内に導入するものである。供給系21は、たとえば、カルボン酸の液体を収容した密閉容器23と、バルブ24を介してキャリアガスを供給するキャリアガス供給管25とを有する。キャリアガス供給管25は、密閉容器23内において気泡を発生(バブリング)させる。しかしながら、供給部21は、カルボン酸をチャンバ10内に供給できるものであれば足り、本実施形態と異なる構成とすることも可能である。
<ヒータ、排気ポンプ、不活性ガス供給部、制御部>
次に、再び図1を参照して、ヒータ30、排気ポンプ40、不完成ガス供給部60、および制御部70について説明する。チャンバ10内のヒータ30は、カルボン酸蒸気を含む雰囲気中でワーク80を加熱して、電極材料83を当該電極材料83の融点以上に加熱処理して溶融するための加熱手段である。なお、ヒータ30の温度は、図示していない熱電対などの温度検出器によって測定することができる。さらにワーク80の温度を温度検出器によって測定することもできる。また、ヒータ30は、制御部70によって制御される。
<比較例1、2(還元処理温度での保持時間の関係)>
図5は、比較例1の結果を示すSEM写真であり、図6は、比較例2の結果を示すSEM写真である。図5の比較例1は、蟻酸濃度が5%の雰囲気中において、図3に示されるように還元処理温度(200℃)に3分間保持した後に、最高温度である溶融処理温度(250℃)まで昇温して20秒間保持した場合であり、図6の比較例2は、還元処理温度(200℃)に3分間保持の処理を省略していることを除いて、図5の比較例1の条件と同様で処理した場合の結果を示す。
<比較例3、4、5、6(蟻酸濃度を低くしたときの結果)>
比較例3、4、5、6は、蟻酸濃度を0.5(体積%)とした場合の比較例である。これらの場合、蟻酸濃度が低いので、残渣がほとんど存在しなかった。ただし、図7に示される比較例3(蟻酸濃度0.5%、還元処理温度200℃に3分保持、溶融処理温度260℃、保持時間1分)、および図8に示される比較例4(蟻酸濃度0.5%、還元処理温度200℃に3分保持、溶融処理温度260℃、保持時間20秒)の場合には、溶融処理温度を260℃と高く設定したので、蟻酸濃度が低いにもかかわらず酸化膜が除去された。しかし、少量の残渣が検出された。一方、図9に示される比較例5(蟻酸濃度0.5%、還元処理温度200℃に3分保持、溶融処理温度(最高温度)240℃、保持時間20秒)、および図10に示される比較例6(蟻酸濃度0.5%、還元処理温度200℃に3分保持、溶融処理温度(最高温度)250℃、保持時間20秒)の場合には、残渣は存在しないが、酸化膜が一部残ってしまった。
<比較例7、8(溶融処理温度での保持時間の関係)>
比較例7、8は、蟻酸濃度を2.5(体積%)とし、溶融処理温度(最高温度)での保持時間を変化させた場合の影響について示す比較例である。
<比較例9(蟻酸濃度との関係)>
図13は、比較例9(蟻酸濃度1.2%、還元処理温度200℃に3分保持、溶融処理温度250℃、保持時間20秒)の場合を示す。
<比較例のまとめ>
以上の比較例1〜9の結果を考慮すると、以下のことが明らかとなった。
<実施例>
次に、本実施例について説明する。上記の比較例1〜9のそれぞれ条件において、カルボン酸蒸気を含む混合ガスを排気するタイミングのみを変えたものを実施例1〜9とした。具体的には、電極材料83の溶融段階後に電極材料83の温度が融点より低くなって電極材料83が固化した後に、カルボン酸蒸気を含む混合ガスを排気して減圧する減圧段階を行ったものを実施例1〜9とした。
<第2実施形態>
上記の第1実施形態では、ワーク上において電極材料(半田材料)83を電極形状(半田バンプ)に形成するものであった。しかしながら、錫を含む加熱溶融材をカルボン酸蒸気の雰囲気中で加熱溶融するものであれば、本発明を適用することができることは明らかである。たとえば、加熱溶融処理方法および加熱溶融処理装置は、加熱溶融材(半田材料)を介して複数のワーク(基板、チップなど)間を接合する接合体製造方法および接合体製造装置であってもよい。特に、既に成形されている半田バンプを介してワーク間を接合する際にも、加熱溶融材としての半田バンプが溶融されるので、残渣が問題となる。したがって、この場合も、本発明によって残渣を軽減または防止することができる。
10 チャンバ、
20 カルボン酸供給部
21 カルボン酸供給系、
22 バルブ、
23 密閉容器、
24 バルブ、
25 キャリアガス供給管、
30 ヒータ、
40 排気ポンプ、
50 カルボン酸回収部、
60 不活性ガス供給部、
61 供給管、
62 バルブ、
70 制御部、
80 ワーク、
81 基板、
82 導電体、
83 電極材料、
84 金属層、
85 バリア層。
Claims (6)
- 導電体上に、加熱溶融材として、少なくとも錫を含む電極材料を配設する段階と、
錫を含む前記加熱溶融材を、1×104Pa以上の圧力状態であってカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で当該材料の融点以上に加熱処理して溶融することによって前記導電体上において前記電極材料を電極に成形する溶融段階と、
前記溶融段階後に前記加熱溶融材の温度が当該加熱溶融材の融点より低くなって当該加熱溶融材が固化した後に前記カルボン酸蒸気を排気して1×104Pa以上の圧力状態から1×102Pa以下の圧力状態へ減圧する減圧段階であって、前記電極材料の温度が100℃以上で前記融点未満の範囲であるときに前記カルボン酸蒸気を排気する減圧段階と、
前記減圧後にカルボン酸を含まない不活性ガス雰囲気に置換する置換段階と、
を含むことを特徴とする加熱溶融処理方法。 - 前記電極材料は、錫を含む半田材料であることを特徴とする請求項1に記載の加熱溶融処理方法。
- 前記加熱溶融処理方法は、前記加熱溶融材を介して複数のワーク間を接合して接合構造体を製造する接合構造体製造方法であり、
前記複数のワークの少なくとも一方に前記加熱溶融材が形成されたワークを準備する段階を有し、
前記溶融段階は、前記加熱溶融材を溶融して当該加熱溶融材を介して複数のワーク間を接合するものである、請求項1に記載の加熱溶融処理方法。 - 導電体上に前記加熱溶融材として少なくとも錫を含む電極材料が配設されたワークが搬入されるチャンバと、
前記チャンバ内にカルボン酸蒸気を供給するカルボン酸供給手段と、
前記チャンバ内で、カルボン酸蒸気を含む雰囲気中で前記加熱溶融材を当該加熱溶融材の融点以上に加熱処理して溶融することによって前記ワーク上において前記電極材料を電極に成形するための加熱手段と、
前記加熱手段が前記加熱溶融材を当該加熱溶融材の融点以上に加熱処理する際に前記チャンバ内を1×104Pa以上の圧力状態にするとともに、前記チャンバ内から前記カルボン酸蒸気を排気して前記チャンバ内を1×104Pa以上の圧力状態から1×102Pa以下の圧力状態へ減圧するための排気ポンプと、
前記チャンバ内が減圧された後に、当該チャンバ内をカルボン酸を含まない不活性ガス雰囲気に置換するための不活性ガス供給手段と、
前記加熱溶融材の温度が当該加熱溶融材の融点より低くなって当該加熱溶融材が固化した後に前記排気ポンプを作動させる制御手段であって、前記電極材料の温度が100℃以上で前記融点未満の範囲であるときに前記カルボン酸蒸気を排気するように前記排気ポンプを作動させる制御手段と、を有することを特徴とする加熱溶融処理装置。 - 前記電極材料は、錫を含む半田材料であることを特徴とする請求項4に記載の加熱溶融処理装置。
- 前記加熱溶融処理装置は、前記加熱溶融材を介して複数のワーク間を接合して接合構造体を製造する接合構造体製造装置であり、
前記チャンバには、前記複数のワークの少なくとも一方に前記加熱溶融材が形成されたワークが搬入され、
前記加熱手段は、前記加熱溶融材を溶融して当該加熱溶融材を介して複数のワーク間を接合するものである、請求項4に記載の加熱溶融処理装置。
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