JP5884067B2 - 直流接続装置 - Google Patents
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Description
前記第1コネクタは、一対の第1接続端子を備え、直流電源側に接続されており、
前記第2コネクタは、前記第1接続端子と電気的に接続される1対の第2接続端子を備え、直流駆動される負荷に接続されており、
前記第1コネクタは、前記直流電源側と前記1対の第1接続端子のいずれか一方の第1接続端子の間に直列接続された半導体スイッチと、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置関係を検出する接続状態検出装置と、前記接続状態検出装置による検出結果に応じて前記半導体スイッチをオン又はオフさせる制御回路と、前記負荷側に流れる電流を検出するための電流検出回路を備え、それに応じて前記制御回路には、少なくとも1つの電流閾値が設定され、
前記半導体スイッチと、前記電流検出回路と前記制御回路で突入電流防止回路を構成し、
前記接続状態検出装置は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置の変化を検出し、
前記制御回路は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置が、前記第1接続端子と前記第2接続端子が確実に電気的接続された状態にあるときに、前記電流検出回路により検出された電流値が前記閾値を超えたときに前記半導体スイッチをオフし、電流値が前記閾値以下になったときに前記半導体スイッチをオンすると共に、前記半導体スイッチのデューティ比を制御することにより突入電流を抑制することを特徴とする。
前記半導体スイッチ、前記電圧検出回路及び前記制御回路で逆電流防止回路を構成し、
前記制御回路は、前記電圧検出回路により検出された電圧値が前記閾値を超えたときに前記半導体スイッチをオフし、電圧値が前記閾値以下になったときに前記半導体スイッチをオンすることにより負荷側から直流電源側に逆電流が流れるのを防止することが好ましい。
前記制御回路は、前記タイマーによって前記電流検出回路により検出された電流値が前記閾値を超えている時間を検出し、さらに超過時間が前記時間閾値を超えたときに、前記半導体スイッチをオフすることが好ましい。
前記突入電流防止回路を構成する前記制御回路は、前記2つのFETの一方のみを独立して制御し、
前記逆電流防止回路を構成する前記制御回路は、前記2つのFETの他方のみを独立して制御することが好ましい。
前記突入電流防止回路を構成する前記制御回路及び前記逆電流防止回路を構成する前記制御回路は、それぞれ同一の前記双方向スイッチ素子を制御することが好ましい。
前記制御回路は、前記直流地絡電流検出回路又は前記交流地絡電流検出回路のいずれか一方が地絡電流を検出すると、前記直流電源側に接続された半導体スイッチ及び前記交流電源側に接続された交流回路遮断機の両方をオフすることが好ましい。
また、前記直流地絡電流検出回路及び前記交流地絡電流検出回路の少なくとも一部が共通であることが好ましい。
前記直流電源側と前記1対の第1接続端子のいずれか一方の第1接続端子の間に直列接続された半導体スイッチと、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置関係を検出する接続状態検出装置と、前記接続状態検出装置による検出結果に応じて前記半導体スイッチをオン又はオフさせる制御回路と、前記負荷側に流れる電流を検出するための電流検出回路を備え、それに応じて前記制御回路には、少なくとも1つの電流閾値が設定され、
前記半導体スイッチと、前記電流検出回路と前記制御回路で突入電流防止回路を構成し、
前記接続状態検出装置は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置の変化を検出し、
前記制御回路は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置が、前記第1接続端子と前記第2接続端子が確実に電気的接続された状態にあるときに、前記電流検出回路により検出された電流値が前記閾値を超えたときに前記半導体スイッチをオフし、電流値が前記閾値以下になったときに前記半導体スイッチをオンすると共に、前記半導体スイッチのデューティ比を制御することにより突入電流を抑制することを特徴とする。
2 直流電源
3 負荷
5 交流電源
10 コンセント
11,12 第2接続端子
13 半導体スイッチ
14 接続状態検出装置
15 制御回路
16 有接点開閉装置
17 係止穴(ロック機構)
18,19 第3接続端子
20 プラグ
21,22 第1接続端子
24 係止フック(ロック機構)
41 電流検出回路
42 電圧検出回路
43 直流地絡電流検出回路
44 交流地絡電流検出回路
100,300 双方向スイッチ素子
Claims (12)
- 第1コネクタと、前記第1コネクタに接続される第2コネクタからなる直流接続装置であって、
前記第1コネクタは、一対の第1接続端子を備え、直流電源側に接続されており、
前記第2コネクタは、前記第1接続端子と電気的に接続される1対の第2接続端子を備え、直流駆動される負荷に接続されており、
前記第1コネクタは、前記直流電源側と前記1対の第1接続端子のいずれか一方の第1接続端子の間に直列接続された半導体スイッチと、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置関係を検出する接続状態検出装置と、前記接続状態検出装置による検出結果に応じて前記半導体スイッチをオン又はオフさせる制御回路と、前記負荷側に流れる電流を検出するための電流検出回路を備え、それに応じて前記制御回路には、少なくとも1つの電流閾値が設定され、
前記半導体スイッチと、前記電流検出回路と前記制御回路で突入電流防止回路を構成し、
前記接続状態検出装置は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置の変化を検出し、
前記制御回路は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置が、前記第1接続端子と前記第2接続端子が確実に電気的接続された状態にあるときに、前記電流検出回路により検出された電流値が前記閾値を超えたときに前記半導体スイッチをオフし、電流値が前記閾値以下になったときに前記半導体スイッチをオンすると共に、前記半導体スイッチのデューティ比を制御することにより突入電流を抑制することを特徴とする直流接続装置。 - 前記第1コネクタは、前記負荷側に印加される電圧を検出するための電圧検出回路をさらに備え、それに応じて前記制御回路には、少なくとも1つの電圧閾値が設定され、
前記半導体スイッチ、前記電圧検出回路及び前記制御回路で逆電流防止回路を構成し、
前記制御回路は、前記電圧検出回路により検出された電圧値が前記閾値を超えたときに前記半導体スイッチをオフし、電圧値が前記閾値以下になったときに前記半導体スイッチをオンすることにより負荷側から直流電源側に逆電流が流れるのを防止することを特徴とする請求項1に記載の直流接続装置。 - 前記制御回路は、タイマーを備え、それに応じて時間閾値が設定されており、
前記制御回路は、前記タイマーによって前記電流検出回路により検出された電流値が前記閾値を超えている時間を検出し、さらに超過時間が前記時間閾値を超えたときに、前記半導体スイッチをオフすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の直流接続装置。 - 前記半導体スイッチは、2つのFETが、そのソース及びドレインが互いに逆向きとなるように直列接続されてなり、
前記突入電流防止回路を構成する前記制御回路は、前記2つのFETの一方のみを独立して制御し、
前記逆電流防止回路を構成する前記制御回路は、前記2つのFETの他方のみを独立して制御することを特徴とする請求項2又は請求項2に従属する請求項3に記載の直流接続装置。 - 前記半導体スイッチは、GaN/AlGaNを用いた横型トランジスタ構造を有する双方向スイッチ素子であり、
前記突入電流防止回路を構成する前記制御回路及び前記逆電流防止回路を構成する前記制御回路は、それぞれ同一の前記双方向スイッチ素子を制御することを特徴とする請求項2又は請求項2に従属する請求項3に記載の直流接続装置。 - 前記第1コネクタは、前記第1接続端子と前記半導体スイッチの間に直列接続された有接点開閉装置をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の直流接続装置。
- 前記制御回路は、前記第1接続端子と前記第2接続端子が完全に電気的に接続された状態となり、かつ、前記有接点開閉装置のオン動作完了後に、前記半導体スイッチをオンさせることを特徴とする請求項6に記載の直流接続装置。
- 前記制御回路は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置が、前記第1接続端子と前記第2接続端子が電気的に完全に接続された状態から、逆方向に変位され、かつ、前記第1接続端子と前記第2接続端子が電気的に完全に非接続になる状態までの間であって、さらに、前記半導体スイッチをオフさせた後に、前記有接点開閉装置をオフさせることを特徴とする請求項7に記載の直流接続装置。
- 前記第1コネクタは、交流電源側に接続された1対の第3接続端子をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の直流接続装置。
- 前記第1コネクタは、前記交流電源側と前記1対の第3接続端子のいずれか一方の第3接続端子の間に直列接続された交流回路遮断機と、前記交流電源側と前記負荷側又は他の負荷側の間の交流回路に流れる地絡電流を検出する交流地絡電流検出回路と、前記直流電源側と前記負荷側の間の直流回路に流れる地絡電流を検出する直流地絡電流検出回路をさらに備え、
前記制御回路は、前記直流地絡電流検出回路又は前記交流地絡電流検出回路のいずれか一方が地絡電流を検出すると、前記直流電源側に接続された半導体スイッチ及び前記交流電源側に接続された交流回路遮断機の両方をオフすることを特徴とする請求項9に記載の直流接続装置。 - 前記直流地絡電流検出回路及び前記交流地絡電流検出回路の少なくとも一部が共通であることを特徴とする請求項10に記載の直流接続装置。
- 直流電源側に接続され、一対の第1接続端子を備え、前記第1接続端子が直流駆動される負荷に接続された他のコネクタの第2接続端子と電気的に接続されるように構成されているコネクタであって、
前記直流電源側と前記1対の第1接続端子のいずれか一方の第1接続端子の間に直列接続された半導体スイッチと、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置関係を検出する接続状態検出装置と、前記接続状態検出装置による検出結果に応じて前記半導体スイッチをオン又はオフさせる制御回路と、前記負荷側に流れる電流を検出するための電流検出回路を備え、それに応じて前記制御回路には、少なくとも1つの電流閾値が設定され、
前記半導体スイッチと、前記電流検出回路と前記制御回路で突入電流防止回路を構成し、
前記接続状態検出装置は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置の変化を検出し、
前記制御回路は、前記第1接続端子に対する前記第2接続端子の相対的な位置が、前記第1接続端子と前記第2接続端子が確実に電気的接続された状態にあるときに、前記電流検出回路により検出された電流値が前記閾値を超えたときに前記半導体スイッチをオフし、電流値が前記閾値以下になったときに前記半導体スイッチをオンすると共に、前記半導体スイッチのデューティ比を制御することにより突入電流を抑制することを特徴とするコネクタ。
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Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102832514A (zh) * | 2012-09-06 | 2012-12-19 | 张太平 | 直流电路中的电源接插件 |
JP6098007B2 (ja) | 2012-09-28 | 2017-03-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電気接続用コネクタ |
CN103872674A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 华为技术有限公司 | 配电系统及配电单元 |
CN103117467A (zh) * | 2013-03-18 | 2013-05-22 | 张腾 | 传输直流电能的器具耦合器 |
CN104242227B (zh) * | 2013-06-24 | 2018-09-25 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种终端的保护装置及方法 |
CN104348047A (zh) * | 2013-07-26 | 2015-02-11 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电弧消除装置 |
JP2015162953A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 日本電信電話株式会社 | 分電盤 |
KR101803132B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2017-11-29 | 엘에스산전 주식회사 | 무 변압기형 태양광 인버터의 누설전류 감시 장치 |
KR101619644B1 (ko) * | 2014-11-19 | 2016-05-10 | 현대자동차주식회사 | 파워 아웃렛장치 |
JP2016187290A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電力供給システム及び電力変換装置 |
US10693262B2 (en) | 2015-04-01 | 2020-06-23 | Elifeconnection Co., Ltd. | Sparkless socket |
TWI584539B (zh) * | 2015-04-01 | 2017-05-21 | 易家居聯網科技有限公司 | 無火花插座 |
US9666977B2 (en) | 2015-07-29 | 2017-05-30 | Abb Schweiz Ag | Direct current socket with direct current arc protection |
KR101745121B1 (ko) | 2015-08-18 | 2017-06-20 | 공주대학교 산학협력단 | 직류용 고장전류 제한기 |
JP6631169B2 (ja) * | 2015-09-14 | 2020-01-15 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 通電システム |
WO2017052545A1 (en) | 2015-09-24 | 2017-03-30 | Abb Technology Ag | Sliding contact assembly for accelerating relative separation speed between plug and socket contacts |
CN105552673A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-05-04 | 无锡知谷网络科技有限公司 | 连接器,安全控制装置,充电装置和移动设备 |
JP6895216B2 (ja) * | 2016-05-09 | 2021-06-30 | モッツエンボッカー マービン | 直流スマートグリッド及びスマートコンセント |
JP2018028995A (ja) * | 2016-08-16 | 2018-02-22 | 有限会社R&K Japan | 交流・直流併用型接続器及びアーク遮断機構 |
DE102016223166A1 (de) * | 2016-11-23 | 2018-05-24 | Robert Bosch Gmbh | Schaltvorrichtung zum elektrischen Zu- und/oder Abschalten von einem Batteriesystem |
US10523003B2 (en) * | 2017-01-30 | 2019-12-31 | Cummins Enterprise Inc. | Auxiliary power circuit and method of use |
CN109888576A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-06-14 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种适用于直流电源的插座 |
KR102045203B1 (ko) * | 2018-12-18 | 2019-11-15 | 주한솔 | 안전이 강화된 대전류 배선 연결장치 |
CN109728366A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-07 | 上汽通用五菱汽车股份有限公司 | 防电池块拆装产生电弧的方法、电池管理系统及存储介质 |
CN109742610A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-10 | 吴鹏翔 | 插头和插座安全通电控制系统 |
DE102019112951B3 (de) * | 2019-05-16 | 2020-09-17 | Dehn Se + Co Kg | System zum Schutz einer elektrischen Quelle oder elektrischen Last |
CN110401068B (zh) * | 2019-07-25 | 2020-03-24 | 杭州康研文具有限公司 | 一种电源线连接器接口互连结构 |
DE102019135122A1 (de) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Technik zur Vermeidung eines Lichtbogens beim Trennen einer Gleichstromverbindung unter Verwendung einer Verlängerung eines Leitungsverbunds |
CN111391685B (zh) * | 2020-03-31 | 2021-09-28 | 深圳供电局有限公司 | 充电装置 |
CN112165823B (zh) * | 2020-09-22 | 2022-07-05 | 科华数据股份有限公司 | 一种应用于连接器的安全保护装置及安全控制方法 |
US11283214B1 (en) * | 2021-02-10 | 2022-03-22 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd | Digital arc-less connector |
CN118412705A (zh) * | 2023-01-30 | 2024-07-30 | 天津望圆智能科技股份有限公司 | 一种漂浮充电接口结构及水下清洁装置 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4438472A (en) * | 1982-08-09 | 1984-03-20 | Ibm Corporation | Active arc suppression for switching of direct current circuits |
JPS6282580U (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-26 | ||
FR2651915B1 (fr) * | 1989-09-13 | 1991-11-08 | Merlin Gerin | Disjoncteur statique ultra-rapide a isolement galvanique. |
JP3011428B2 (ja) * | 1990-03-23 | 2000-02-21 | 東京電力株式会社 | コンセント装置 |
DE4118637A1 (de) * | 1990-06-19 | 1992-01-09 | Simon Hans | Elektrische kupplung |
JP2771421B2 (ja) * | 1993-05-12 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | 高電圧の保護回路 |
JP2916348B2 (ja) * | 1993-07-22 | 1999-07-05 | 住友電装株式会社 | 電気自動車充電用コネクタ |
JP4179691B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2008-11-12 | ニチコン株式会社 | インターロック回路 |
JP3695574B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2005-09-14 | 矢崎総業株式会社 | 車両用電源供給制御装置 |
US6771478B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-08-03 | Ixys Corporation | Hot-swap protection circuit |
JP2002231396A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Works Ltd | コンセント |
JP2002335626A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Nec System Technologies Ltd | 逆電流防止回路 |
AU2003219535A1 (en) * | 2003-03-14 | 2004-09-30 | Magnetek S.P.A. | Electronic circuit breaker |
US6891425B1 (en) * | 2003-05-09 | 2005-05-10 | Maxim Integrated Products, Inc. | Low voltage or'ing circuits and methods with zero recovery time |
US6917503B2 (en) * | 2003-10-29 | 2005-07-12 | Texas Instruments Incorporated | Programmable current limiting using a shunt resistor |
US7149063B2 (en) * | 2004-01-20 | 2006-12-12 | Tyco Electronics Corporation | Apparatus, methods and articles of manufacture to minimize arcing in electrical connectors |
US7382001B2 (en) * | 2004-01-23 | 2008-06-03 | International Rectifier Corporation | Enhancement mode III-nitride FET |
JP4308064B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-08-05 | 新電元工業株式会社 | 直流プラグ |
JP4308065B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-08-05 | 新電元工業株式会社 | 直流コンセント |
US20060168459A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Dwelley David M | Providing data communication between power supply device and powered device in system for supplying power over communication link |
US8230151B2 (en) * | 2005-04-11 | 2012-07-24 | Linear Technology Corporation | Configurable data port for I2C or single-wire broadcast interface |
EP1724899B1 (en) * | 2005-05-17 | 2016-08-03 | Continental Automotive GmbH | Apparatus for short circuit protection |
US7295171B2 (en) * | 2005-10-17 | 2007-11-13 | Sierra Wireless, Inc. | Method and apparatus for switching between internal and external antennas in a device such as PC-Card modem |
US8203810B2 (en) * | 2006-04-04 | 2012-06-19 | Tyco Electronics Corporation | Solid state pre-charge module |
JP4844468B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2011-12-28 | 富士電機株式会社 | 二次電池保護装置及び半導体集積回路装置 |
JP2008295158A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Panasonic Corp | 電源装置 |
JP2009033905A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 電力制御装置 |
JP2009146783A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 直流接続装置 |
US7952840B2 (en) * | 2008-05-13 | 2011-05-31 | Unitron, L.P. | Receptacle with arc protection circuitry |
DE102008027428B4 (de) * | 2008-06-09 | 2021-08-12 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Integrierte Batterieladegerät-Schutzschaltung |
JP4769275B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2011-09-07 | パナソニック電工Sunx竜野株式会社 | 漏電継電器 |
EP2149895B1 (en) * | 2008-07-31 | 2011-09-07 | ABB Technology AG | A power and control unit for a low or medium voltage apparatus |
JP2010073679A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-04-02 | Tempearl Ind Co Ltd | 電気機械器具等の電源供給装置および埋込みコンセント |
JP2010086820A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | コンセント装置 |
KR101099978B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2011-12-28 | 엘에스산전 주식회사 | 개폐기능을 구비한 제어모듈 및 한류기 |
WO2010117498A2 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Sendyne Corp. | Battery cell protection and conditioning circuit and system |
JP5281512B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-09-04 | パナソニック株式会社 | 配線装置、スイッチ、プラグおよびコンセント |
JP5457206B2 (ja) * | 2010-01-08 | 2014-04-02 | セイコーインスツル株式会社 | 電池パック |
JP5081260B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2012-11-28 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ制御装置及びガスセンサ制御方法 |
JP5079053B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2012-11-21 | 三菱電機株式会社 | 給電用コネクタ及び給電用プラグ |
US8587912B2 (en) * | 2010-10-22 | 2013-11-19 | General Electric Company | Electric circuit protection system and method for protecting an electric circuit |
US8643982B2 (en) * | 2011-03-21 | 2014-02-04 | Hamilton Sundstrand Corporation | Discrete input signal generation via output short-circuit detection |
WO2012148774A2 (en) * | 2011-04-25 | 2012-11-01 | Volterra Semiconductor Corporation | Integrated protection devices with monitoring of electrical characteristics |
-
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