JP5883796B2 - 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 - Google Patents
炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5883796B2 JP5883796B2 JP2012536566A JP2012536566A JP5883796B2 JP 5883796 B2 JP5883796 B2 JP 5883796B2 JP 2012536566 A JP2012536566 A JP 2012536566A JP 2012536566 A JP2012536566 A JP 2012536566A JP 5883796 B2 JP5883796 B2 JP 5883796B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- type
- crystal
- content
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 462
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 461
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 227
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 83
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 207
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 13
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 34
- 230000008859 change Effects 0.000 description 29
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 23
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 6
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- -1 hydroxypropoxyl Chemical group 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007604 dielectric heating drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 2
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 2
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/50—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their shape or configuration
- B01J35/56—Foraminous structures having flow-through passages or channels, e.g. grids or three-dimensional monoliths
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0006—Honeycomb structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2255/00—Catalysts
- B01D2255/90—Physical characteristics of catalysts
- B01D2255/915—Catalyst supported on particulate filters
- B01D2255/9155—Wall flow filters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00793—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 as filters or diaphragms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/0081—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 as catalysts or catalyst carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3826—Silicon carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3817—Carbides
- C04B2235/3826—Silicon carbides
- C04B2235/3834—Beta silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/428—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
(1−1)本発明の炭化珪素質セラミックスの製造方法の一実施形態は、成形原料調製工程と、成形工程と、焼成工程とを有する方法である。成形原料調製工程は、「4H型炭化珪素結晶をそれぞれ異なる含有率で含有する」複数種類の炭化珪素質セラミックス粉末を混合して成形原料を調製する工程である。成形工程は、上記成形原料を成形して成形体を形成する工程である。焼成工程は、上記成形体を焼成して4H型炭化珪素結晶の含有率が所望の値に調整された炭化珪素質セラミックスを作製する工程である。成形原料の調製に使用する炭化珪素質セラミックス粉末中の炭化珪素の含有率は、60質量%以上であることが好ましい。また、成形原料の調製に使用する炭化珪素質セラミックス粉末中の珪素(金属珪素)の含有率は、40質量%以下であることが好ましい。ここで、「複数種類の炭化珪素質セラミックス粉末」の「複数種類」は、炭化珪素質セラミックス粉末を、「含有される4H型炭化珪素結晶の含有量」によって種類分け(区別)したときの「複数種類」を意味する。つまり、4H型炭化珪素結晶の含有量が異なる炭化珪素質セラミックス粉末を、異なる種類の炭化珪素質セラミックス粉末であるとする。そして、「複数種類の炭化珪素質セラミックス粉末」というときは、複数の「4H型炭化珪素結晶の含有量が異なる炭化珪素質セラミックス粉末」のことを意味する。
本発明の炭化珪素質セラミックスの製造方法の一実施形態によって作製される炭化珪素質セラミックスは、炭化珪素結晶を含有し、炭化珪素結晶中に、「0.1〜25質量%の4H型炭化珪素結晶、及び50〜99.9質量%の6H型炭化珪素結晶」が含有されるものであることが好ましい。
本発明のハニカム構造体の製造方法の一実施形態は、上記本発明の炭化珪素質セラミックスの製造方法の一の実施形態によって、「ハニカム構造の炭化珪素質セラミックス」であるハニカム構造体を作製するものである。ここで、ハニカム構造体は、流体の流路となる「一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセル」を、区画形成する多孔質の隔壁と、最外周に位置する外周壁とを有する筒状の構造体である。
図1、2に示すように、ハニカム構造体100は、流体の流路となる「一方の端面11から他方の端面12まで延びる複数のセル2」を、区画形成する多孔質の隔壁1と、最外周に位置する外周壁3とを有する筒状の構造体である。尚、上記作製されたハニカム構造体は、必ずしも外周壁を備える必要はない。ハニカム構造体100は、本発明のハニカム構造体の製造方法の一実施形態によって作製されたハニカム構造体である。
本発明のハニカム構造体の製造方法の一実施形態によって作製されたハニカム構造体は、通電発熱性触媒担体として用いることができる。「通電発熱性触媒担体」とは、通電(電流を流すこと)することにより発熱する「触媒担体」を意味する。
4H型炭化珪素結晶の含有率が0.1質量%の炭化珪素粉末、4H型炭化珪素結晶の含有率が26.0質量%の炭化珪素粉末及び金属珪素粉末を、67.5:2.5:30.0の質量割合で混合した。炭化珪素粉末は、炭化珪素質セラミックス粉末である。これに、バインダとしてヒドロキシプロピルメチルセルロース、造孔材として吸水性樹脂を添加すると共に、水を添加して成形原料とした。得られた成形原料を真空土練機により混練し、円柱状の坏土を作製した。ここで、炭化珪素粉末と金属珪素粉末とを合わせて(総称して)、「セラミックス原料」と称することがある。また、4H型炭化珪素結晶の含有率が0.1質量%の炭化珪素粉末が、「低4H型炭化珪素粉末」である。そして、4H型炭化珪素結晶の含有率が26.0質量%の炭化珪素粉末が、「高4H型炭化珪素粉末」である。バインダの含有量はセラミックス原料全体を100質量部としたときに7質量部であった。また、造孔材の含有量はセラミックス原料全体を100質量部としたときに3質量部であった。また、水の含有量はセラミックス原料全体を100質量部としたときに42質量部であった。炭化珪素粉末の平均粒子径は30μmであり、金属珪素粉末の平均粒子径は6μmであった。また、造孔材の平均粒子径は、25μmであった。炭化珪素粉末、金属珪素粉末及び造孔材の平均粒子径は、レーザー回折法で測定した値である。
ハニカム構造体(炭化珪素質セラミックス)から、4mm×2mm×40mmの試験片を切り出し、4端子法により抵抗値を測定する。抵抗値は、20℃で測定し、更に、100℃から800℃まで、100℃毎に測定する。得られた抵抗値より、比抵抗を算出する。
炭化珪素の結晶多形の定量は、粉末試料のX線回折法(Ruskaの方法(J.Mater.Sci.,14,2013−2017(1979)))で行う。
「比抵抗の測定」において、比抵抗の値が最小となる温度を「最小比抵抗となる温度(TR−Min)」とする。
通電時の安定性は、600Vで通電した時の担体内の温度分布を、熱電対を用いて測定し(ハニカム構造体内を、均等に39箇所、温度測定する。)、担体内の平均温度が500℃に達した時の温度分布を求めることにより、評価した。
耐熱性は、上記「通電時の安定性」の試験と同様にして、担体内の平均温度が500℃に達するまで、600Vでの通電を行い、500℃に達した後に通電を止めて50℃まで冷却する。この昇温、冷却を1サイクルとし、このサイクルを100サイクル繰り返した後の3C型炭化珪素結晶の転移率を求めることにより、評価した。3C型炭化珪素結晶の転移率は、耐熱試験前の3C型炭化珪素結晶の含有率から耐熱性試験後の3C型炭化珪素結晶の含有率を引いた値を、耐熱試験前の3C型炭化珪素結晶の含有率で除して、得られた値を100倍した値である。
製造条件の一部を、表1に示すように変更した以外は、実施例1と同様にしてハニカム構造体(炭化珪素質セラミックス)を作製した。得られたハニカム構造体について、上記方法で「比抵抗」の測定を行った。結果を表2に示す。尚、表1において、「低4H型炭化珪素粉末」の「含有率(質量%)」の欄は、炭化珪素粉末全体と金属珪素の合計に対する、「低4H型炭化珪素粉末」の含有率を示す。また、「高4H型炭化珪素粉末」の「含有率(質量%)」の欄は、炭化珪素粉末全体と金属珪素の合計に対する、「高4H型炭化珪素粉末」の含有率を示す。「低4H型炭化珪素粉末」の「結晶構造比率(質量%)」の欄は、低4H型炭化珪素粉末中の炭化珪素結晶全体に対する、各結晶構造(4H型炭化珪素結晶、6H型炭化珪素結晶等)の比率(質量%)を示す。また、「高4H型炭化珪素粉末」の「結晶構造比率(質量%)」の欄は、高4H型炭化珪素粉末中の炭化珪素結晶全体に対する、各結晶構造(4H型炭化珪素結晶、6H型炭化珪素結晶等)の比率(質量%)を示す。また、金属珪素の含有率(質量%)は、炭化珪素粉末全体と金属珪素の合計に対する金属珪素の含有率を示す。また、造孔材の含有量は、「炭化珪素粉末全体と金属珪素の合計」を100質量部としたときの、含有比(質量部)で示している。
Claims (7)
- 4H型炭化珪素結晶をそれぞれ異なる含有率で含有する複数種類の炭化珪素質セラミックス粉末、及び金属珪素粉末を、混合して成形原料を調製する成形原料調製工程と、
前記成形原料を成形して成形体を形成する成形工程と、
前記成形体を焼成して4H型炭化珪素結晶の含有率が所望の値に調整された炭化珪素質セラミックスを作製する焼成工程とを有し、
作製される前記炭化珪素質セラミックスが、複数の炭化珪素粒子と、前記炭化珪素粒子同士を結合させる珪素とを含有するものであり、
前記複数種類の炭化珪素質セラミックス粉末が、作製しようとする前記炭化珪素質セラミックスにおける炭化珪素結晶中の4H型炭化珪素結晶の含有率よりも4H型炭化珪素結晶の含有率が低い炭化珪素質セラミックス粉末である低4H型−炭化珪素質セラミックス粉末と、作製しようとする前記炭化珪素質セラミックスにおける炭化珪素結晶中の4H型炭化珪素結晶の含有率よりも、4H型炭化珪素結晶の含有率が高い炭化珪素質セラミックス粉末である、高4H型−炭化珪素質セラミックス粉末とから構成され、
前記低4H型−炭化珪素質セラミックス粉末における炭化珪素結晶中の4H型炭化珪素結晶の含有率が、0.01〜15質量%であり、
前記高4H型−炭化珪素質セラミックス粉末における炭化珪素結晶中の4H型炭化珪素結晶の含有率が、0.5〜40質量%である、炭化珪素質セラミックスの製造方法。 - 前記低4H型−炭化珪素質セラミックス粉末における炭化珪素結晶中の4H型炭化珪素結晶の含有率と、前記高4H型−炭化珪素質セラミックス粉末における炭化珪素結晶中の4H型炭化珪素結晶の含有率との差が、5〜30質量%である請求項1に記載の炭化珪素質セラミックスの製造方法。
- 作製される前記炭化珪素質セラミックスが、炭化珪素結晶中に、0.1〜25質量%の4H型炭化珪素結晶、及び50〜99.9質量%の6H型炭化珪素結晶を含有する請求項1又は2に記載の炭化珪素質セラミックスの製造方法。
- 作製される前記炭化珪素質セラミックス中の窒素の含有量が0.01質量%以下である請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素質セラミックスの製造方法。
- 前記炭化珪素粒子の平均粒子径が、10〜50μmである請求項1に記載の炭化珪素質セラミックスの製造方法。
- 作製される前記炭化珪素質セラミックスの気孔率が、30〜65%である請求項1〜5のいずれかに記載の炭化珪素質セラミックスの製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の炭化珪素質セラミックスの製造方法によって、ハニカム構造の炭化珪素質セラミックスであるハニカム構造体を作製するハニカム構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012536566A JP5883796B2 (ja) | 2010-09-29 | 2011-09-29 | 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010219510 | 2010-09-29 | ||
JP2010219510 | 2010-09-29 | ||
JP2012536566A JP5883796B2 (ja) | 2010-09-29 | 2011-09-29 | 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 |
PCT/JP2011/072438 WO2012043752A1 (ja) | 2010-09-29 | 2011-09-29 | 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012043752A1 JPWO2012043752A1 (ja) | 2014-02-24 |
JP5883796B2 true JP5883796B2 (ja) | 2016-03-15 |
Family
ID=45893189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012536566A Active JP5883796B2 (ja) | 2010-09-29 | 2011-09-29 | 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9120706B2 (ja) |
EP (1) | EP2623483B1 (ja) |
JP (1) | JP5883796B2 (ja) |
WO (1) | WO2012043752A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6280004B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2018-02-14 | 京セラ株式会社 | 釣り糸用ガイド部材 |
JP6726634B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2020-07-22 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体の製造方法 |
CN115233301B (zh) * | 2022-09-21 | 2022-12-02 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种多孔碳化硅陶瓷晶体托及其制备方法与应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006112052A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-26 | Ibiden Co., Ltd. | 炭化珪素含有粒子、炭化珪素質焼結体を製造する方法、炭化珪素質焼結体、及びフィルター |
WO2007119287A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-25 | Ngk Insulators, Ltd. | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 |
JP2009143763A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素質多孔体 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61423A (ja) * | 1984-03-31 | 1986-01-06 | Ibiden Co Ltd | 炭化珪素質焼結体のフイルタ− |
JPS60255671A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-17 | イビデン株式会社 | 高強度多孔質炭化ケイ素焼結体とその製造方法 |
US5322824A (en) * | 1993-05-27 | 1994-06-21 | Chia Kai Y | Electrically conductive high strength dense ceramic |
JP3476153B2 (ja) | 1993-08-12 | 2003-12-10 | 東海高熱工業株式会社 | 導電性炭化珪素質セラミック材 |
JPH0789764A (ja) | 1993-09-21 | 1995-04-04 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 炭化珪素発熱体 |
EP0771770A3 (en) * | 1995-11-06 | 1997-07-23 | Dow Corning | Sintering of a powder in alpha silicon carbide containing a polysiloxane and several sintering aids |
JP3642446B2 (ja) * | 1996-08-01 | 2005-04-27 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウエハ処理具 |
US6762140B2 (en) * | 2001-08-20 | 2004-07-13 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Silicon carbide ceramic composition and method of making |
JP2004292197A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体の製造方法 |
JP5883795B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2016-03-15 | 日本碍子株式会社 | 炭化珪素質セラミックス及びハニカム構造体 |
-
2011
- 2011-09-29 WO PCT/JP2011/072438 patent/WO2012043752A1/ja active Application Filing
- 2011-09-29 EP EP11829305.9A patent/EP2623483B1/en active Active
- 2011-09-29 JP JP2012536566A patent/JP5883796B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-28 US US13/852,022 patent/US9120706B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006112052A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-26 | Ibiden Co., Ltd. | 炭化珪素含有粒子、炭化珪素質焼結体を製造する方法、炭化珪素質焼結体、及びフィルター |
WO2007119287A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-25 | Ngk Insulators, Ltd. | 炭化珪素質多孔体及びその製造方法 |
JP2009143763A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素質多孔体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2623483B1 (en) | 2018-07-11 |
JPWO2012043752A1 (ja) | 2014-02-24 |
EP2623483A1 (en) | 2013-08-07 |
EP2623483A4 (en) | 2014-04-30 |
US20130207322A1 (en) | 2013-08-15 |
US9120706B2 (en) | 2015-09-01 |
WO2012043752A1 (ja) | 2012-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5735428B2 (ja) | ハニカム構造体 | |
JP6211785B2 (ja) | ハニカム構造体、及びその製造方法 | |
JP5654999B2 (ja) | ハニカム構造体 | |
JP5872572B2 (ja) | ハニカム構造体 | |
JP5883795B2 (ja) | 炭化珪素質セラミックス及びハニカム構造体 | |
JP6022985B2 (ja) | ハニカム構造体 | |
JP6022984B2 (ja) | ハニカム構造体、及びその製造方法 | |
JP6259327B2 (ja) | ハニカム構造体 | |
WO2012128149A1 (ja) | 炭化珪素質多孔体、ハニカム構造体及び電気加熱式触媒担体 | |
JP5965862B2 (ja) | ハニカム構造体、及びその製造方法 | |
JP6364374B2 (ja) | ハニカム構造体、及びその製造方法 | |
JP6111122B2 (ja) | ハニカム構造体及びその製造方法 | |
JP6038711B2 (ja) | ハニカム構造体及びその製造方法 | |
JP5883796B2 (ja) | 炭化珪素質セラミックスの製造方法及びハニカム構造体の製造方法 | |
EP2784047B1 (en) | Honeycomb structure | |
JP6006153B2 (ja) | ハニカム構造体及びその製造方法 | |
JP2012072042A (ja) | 導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150812 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151130 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5883796 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |