JP5877966B2 - 有機発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、有機発光装置及びその製造方法に関する。
有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）は、自発光型素子であって、視野角が広くてコントラストにすぐれるだけではなく、応答時間が速く、輝度、駆動電圧及び応答速度の特性が優秀であり、多色化が可能であるという長所を有する。
一般的な有機発光素子は、アノード及びカソードと、前記アノード及びカソード間に介在された有機層を含むことができる。前記有機層は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、前記カソードなどを含むことができる。前記アノード及びカソード間に電圧を印加すれば、アノードから注入された正孔は、正孔輸送層を経由して発光層に移動し、カソードから注入された電子は、電子輸送層を経由して発光層に移動する。前記正孔及び電子のようなキャリアは、発光層領域で再結合して励起子（ｅｘｉｔｏｎ）を生成するが、この励起子が励起状態から基底状態に変わりつつ、光が生成される。かような有機発光素子を含んだ有機発光装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）は、駆動トランジスタまたはスイッチング・トランジスタなどをさらに含むことができる。
前記有機発光素子は、酸素及び／または水分によって劣化されうるので、高品質の有機発光装置を具現するために、有機発光素子に対する効果的な密封手段が要求されている。
大韓民国特許出願公開第２００４−００７８７７４号明細書
本発明は、酸素及び／または水分浸透が防止された新規構造の有機発光装置を提供するものである。
本発明はまた、前記有機発光装置の製造方法を提供するものである。
前記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、発光領域及び非発光領域を具備した素子基板と、前記発光領域を覆う封止基板と、前記発光領域上に形成され、前記素子基板と封止基板との間に介在された第１電極と、前記封止基板と前記第１電極との間に介在された有機層と、前記有機層と前記封止基板との間に介在された第２電極と、前記発光領域の周囲を取り囲んだシーリング部材と、前記シーリング部材外側の非発光領域上に備わり、前記シーリング部材の周囲を取り囲んだ第１部分を含み、前記第１電極と同じ物質からなる第３電極と、を含んだ有機発光装置が提供される。
前記有機発光装置で、前記第１電極及び前記第３電極が、金属及び導電性酸化物からなる群から選択された一つ以上の物質を含むことができる。
前記有機発光装置で、前記第１電極及び前記第３電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなりうる。
前記有機発光装置で、前記シーリング部材が接着剤及びガラスフリットのうちいずれか一つ以上を含むことができる。
前記有機発光装置で、前記シーリング部材は、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含むことができる：
Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
前記化学式１で、Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基（ｄｉｖａｌｅｎｔ ｇｒｏｕｐ）であり、Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、Ｙ１は、二価有機基であり、Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、ｆは、０から１０の整数であり、ｇは、０から３の整数である。
前記有機発光装置で、前記シーリング部材は、第１シーリング部材層、第２シーリング部材層及び第３シーリング部材層を順に含み、前記第１シーリング部材層及び前記第３シーリング部材層は、接着剤を含み、前記第２シーリング部材層は、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含むことができる。
前記有機発光装置で、前記シーリング部材の側面と、前記第３電極の第１部分の側面は、互いに接触しうる。
前記有機発光装置で、前記第１電極の最大厚がＬ１であり、前記第３電極の第１部分の最大厚がＬ２であり、Ｌ１＝Ｌ２でありうる。
前記有機発光装置で、前記第３電極の第１部分の最大厚がＬ２であり、前記シーリング部材の最大厚がＬ３であり、Ｌ２≧Ｌ３でありうる。
前記有機発光装置で、前記素子基板と前記封止基板との間の空間が真空でありうる。
前記有機発光装置で、前記素子基板と前記封止基板との間の空間に、吸湿層をさらに含むことができる。
前記有機発光装置で、前記素子基板と前記封止基板との間の空間に、充填材が充填されうる。
前記有機発光装置で、前記充填材は、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含むことができる。
前記有機発光装置で、前記シーリング部材と前記第３電極の第１部分は、互いに離隔されており、前記シーリング部材と前記第３電極の第１部分との間の空間を第１層が充填しており、前記第１層は、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含むことができる。
前記有機発光装置で、前記シーリング部材の最大厚がＬ３であり、前記第１層の最大厚がＬ４であり、Ｌ３≦Ｌ４でありうる。
前記有機発光装置で、前記第３電極は、前記第３電極の第１部分から前記シーリング部材に向かって延びている第２部分を有し、前記第３電極の第２部分は、前記シーリング部材と前記素子基板との間に位置しうる。
前記有機発光装置で、前記第３電極の第１部分の最大厚がＬ２であり、前記第３電極の第２部分の最大厚がＬ５であり、Ｌ２≧Ｌ５でありうる。
前記有機発光装置で、前記素子基板は、前記シーリング部材に対応するホールを含み、前記ホール内部に、前記シーリング部材が形成することができる。
前記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、発光領域及び非発光領域を具備した素子基板を準備する段階と、前記発光領域上に第１電極を形成し、第１部分を含み、前記第１電極と同じ物質からなる第３電極を、前記非発光領域上に形成し、前記第１電極と前記第３電極とを形成する段階と、前記第１電極上に有機層を形成する段階と、前記有機層上に第２電極を形成する段階と、封止基板が前記発光領域を覆うように、前記封止基板を前記素子基板と組み合わせ、前記第３電極内側の非発光領域上に、前記発光領域の周囲を取り囲むようにシーリング部材を提供し、前記素子基板と前記封止基板とを合着させる段階と、を含む有機発光装置の製造方法が提供される。
前記有機発光装置の製造方法で、前記第１電極及び前記第３電極は、金属及び導電性酸化物からなる群から選択された一つ以上の物質を含むことができる。
前記有機発光装置の製造方法で、前記第１電極及び前記第３電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなりうる。
前記素子基板と前記封止基板とを合着させる段階で、前記シーリング部材の提供を、ｉ）前記素子基板と前記封止基板との間に接着剤前駆体を提供して硬化させる段階、ｉｉ）前記素子基板と前記封止基板との間にガラスフリット前駆体を提供して熱処理する段階、及びｉｉｉ）前記素子基板と前記封止基板との間に、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物を提供する段階のうちいずれか一つ以上によって遂行することができる。
前記有機発光装置の製造方法は、ａ）前記素子基板と前記封止基板との間の空間を真空化する段階、ｂ）前記素子基板と前記封止基板との間の空間に、吸湿層を提供する段階、及びｃ）前記素子基板と前記封止基板との間の空間に、充填材を提供する段階のうちいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
前記有機発光装置の製造方法は、前記素子基板と前記封止基板とを合着させる段階後、前記シーリング部材と前記第３電極の第１部分との間の空間に、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含んだ第１層を提供する段階をさらに含むことができる。
前記第１電極と前記第３電極とを形成する段階は、前記第３電極の第１部分から前記シーリング部材に向かって延びている第２部分をさらに形成する段階をさらに含むことができる。
前記有機発光装置の製造方法で、前記発光領域と非発光領域とを含んだ素子基板の提供段階は、前記素子基板のうち非発光領域上に、前記シーリング部材に対応するホールを形成する段階をさらに含むことができる。
本発明の有機発光装置は、水分及び／または酸素の浸透が実質的に防止され、長寿命を有することができる。
本発明の有機発光装置の一具現例を概略的に図示した断面図（図１Ｂで、Ｉ−Ｉ’方向の断面図）である。 図１Ａに図示された有機発光装置で、封止基板３０、第２電極２７、有機層２５及び絶縁層２３を除いて図示した有機発光装置の概略的な平面図である。 シーリング部材５０の一具現例の断面図である。 図１Ａに図示された有機発光装置の製造方法を順次説明した図面である。 図１Ａに図示された有機発光装置の製造方法を順次説明した図面である。 図１Ａに図示された有機発光装置の製造方法を順次説明した図面である。 図１Ａに図示された有機発光装置の製造方法を順次説明した図面である。 本発明の有機発光装置の他の具現例を概略的に図示した断面図（図４Ｂで、Ｉ−Ｉ’方向の断面図）である。 図４Ａに図示された有機発光装置で、封止基板１３０、第２電極１２７、有機層１２５及び絶縁層１２３を除いて図示した有機発光装置の概略的な平面図である。 本発明の有機発光装置のさらに他の具現例を概略的に図示した断面図である。 図５に図示された有機発光装置の製造方法を順次説明した図面である。 図５に図示された有機発光装置の製造方法を順次説明した図面である。 図５に図示された有機発光装置の製造方法を順次説明した図面である。 図５に図示された有機発光装置の製造方法を順次説明した図面である。 本発明の有機発光装置のさらに他の具現例を概略的に図示した断面図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１Ａは、本発明の有機発光装置の一具現例を概略的に図示した断面図（図１Ｂで、Ｉ−Ｉ’方向の断面図）であり、図１Ｂは、前記図１Ａに図示された有機発光装置で、封止基板３０、第２電極２７、有機層２５及び絶縁層２３を除いて図示した有機発光装置の概略的な平面図である。
図１Ａ及び図１Ｂの有機発光装置は、素子基板１０、封止基板３０、第１電極２１、絶縁層２３、有機層２５、第２電極２７、シーリング部材５０、及び第１部分４０ａを含んだ第３電極４０を含む。前記第１電極２１、絶縁層２３、及び有機層２５及び第２電極２７は、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）２０を形成することができる。一方、前記有機発光装置は、素子基板１０と封止基板３０との間の空間６０を含む。
前記素子基板１０は、一般的な有機発光装置で使われる基板を使用することができるが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性にすぐれるガラス基板または透明プラスチック基板を使用することができる。例えば、前記素子基板は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質の無機物からなったり、透明なプラスチック材料の絶縁性有機物からなりうる。前記絶縁性有機物は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、三酢酸セルロース（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなる基から選択されうるが、これらに限定されるものではない。
図１Ａの有機発光装置が、有機発光素子２０から放出された光が素子基板１０側に具現される背面発光型装置である場合、素子基板１０は、透明な材質から形成することができる。しかし、有機発光素子２０から放出された光が、素子基板１０の反対側に具現される前面発光型装置である場合、素子基板１０を必ずしも透明な材質によって形成する必要はない。この場合、金属で素子基板１０を形成することができる。金属で素子基板１０を形成する場合、素子基板１０は、炭素、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー（Ｉｎｖａｒ）合金、インコネル（Ｉｎｃｏｎｅｌ）合金及びコバール（Ｋｏｖａｒ）合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これらに限定されるものではない。
図１Ａには図示していないが、素子基板１０の上面には、素子基板１０の平滑性と不純元素浸透の遮断とのために、バッファ層（図示せず）をさらに備えることもできる。
前記素子基板１０は、発光領域Ａ及び非発光領域（図１Ｂで、領域「Ａ」を除外した領域）を含む。
前記封止基板３０は、前記素子基板１０に対向して配されうる。前記封止基板３０は、発光領域Ａを覆うように形成することができる。
前記封止基板３０は、多様な材料から形成することができるが、封止基板３０の材料は、前述のような素子基板１０の材料を参照する。
前記素子基板１０と前記封止基板３０との間には、有機発光素子２０が備わっている。前記有機発光素子２０は、第１電極２１、絶縁層２３、有機層２５及び第２電極２７を含むことができる。
前記第１電極２１は、アノード（正孔注入電極）であって、大きい仕事関数を有する物質を利用し、蒸着法またはスパッタリング法などによって形成することができる。前記第１電極２１は、金属または導電性酸化物からなる群から選択された一つ以上の物質を含むことができる。例えば、前記第１電極２１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びそれらのうち２以上の組み合わせから選択された金属；またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）及びインジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）から選択された導電性酸化物を含むことができる。前記金属及び導電性酸化物の組み合わせ（例えば、混合物、多層構造など）も、第１電極２１として使用可能である。例えば、前記第１電極２１は、ＩＴＯからなりうるが、これに限定されるものではない。
前記絶縁層２３は、画素定義膜の役割を行うことができる。前記絶縁層２３は、通常の絶縁物質からなりうる。例えば、前記絶縁層２３は、シリコン酸化物、シリコン窒化物などからなりうるが、これらに限定されるものではない。
前記有機層２５は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）のうちいずれか一つ以上を含むことができる。有機層２５の各層についての説明は、後述するところを参照する。
第２電極２７は、カソード（電子注入電極）であって、相対的に小さい仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物及びそれらの組み合わせを使用することができる。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などを挙げることができる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯなどを使用することもできる。
前述のような有機発光素子２０は、素子基板１０と封止基板３０との間に位置し、このような素子基板１０と前記封止基板３０は、前記発光領域Ａを取り囲んだシーリング部材５０によって互いに合着することができる。前記シーリング部材５０は、素子基板１０と密封基板３０とを合着させることができるように、接着力を有する物質から形成することができる。また、外部の酸素及び／または水分が、封止基板３０と素子基板１０との間の空間６０に浸透することを防止するために、防透湿及び／または防透酸素特性を有することができる。
前記シーリング部材５０は、接着剤及びガラスフリットのうちいずれか一つ以上を含むことができる。
前記接着剤は、有機接着剤、無機接着剤、及び有機／無機接着剤のうちいずれか一つ以上を含むことができる。前記接着剤は、接着剤前駆体（例えば、後述する接着剤の形成に使われるモノマーなど）の硬化物（例えば、架橋結合物）でありうる。
前記有機接着剤の例としては、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリイソプレン、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース系樹脂などを挙げることができる。
前記アクリル系樹脂の例として、ブチルアクリレート、エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができ、前記メタクリル系樹脂の例として、プロピレングリコールメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなどを挙げることができ、前記ビニル系樹脂の例として、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドンなどを挙げることができ、前記エポキシ系樹脂の例として、脂環式エポキシド、エポキシアクリレート、ビニルエポキシ系樹脂などを挙げることができ、前記ウレタン系樹脂の例として、ウレタンアクリレートなどを挙げることができ、前記セルロース系樹脂の例として、セルロースニトレートなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
前記無機接着剤の例としては、チタニア、シリコン酸化物、ジルコニア、アルミナなどを挙げることができる。
前記有機／無機複合接着剤の例としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（３−ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）またはその重合体；エポキシシリケート；ビニルトリエトキシシラン（ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌｎａｅ）またはその重合体のようなビニルシラン；アミノプロピルトリエトキシシラン（３−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌｎａｅ）及びその重合体のようなアミンシランまたはその誘導体；３−トリ（メトキシシリル）プロピルアクリレート｛３−（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ｝及びその重合体のようなメタクリレートシラン、またはその誘導体；フェニルシランまたはその重合体のようなアリールシラン；などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
前記ガラスフリットは、ガラスフリット前駆体の熱処理結果物（例えば、溶融結果物）でありうる。前記ガラスフリットの前駆体は、各種金属酸化物及び非金属酸化物でありうる。前記ガラスフリット前駆体の熱処理は、例えば、レーザビーム照射によって行うことができるが、これに限定されるものではない。
一方、前記シーリング部材５０は、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含むことができる。
Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
前記化学式１で、Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基（ｄｉｖａｌｅｎｔ ｇｒｏｕｐ）であり、Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、Ｙ１は、二価有機基であり、Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、ａ及びｅは１から２０の整数であり、ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、ｆは、０から１０の整数であり、ｇは、０から３の整数である。
前記化学式１で、Ｑ１は、−ＣＦ２−、−ＣＨＦ−、−ＣＦ（ＣＦ３）−、または−Ｃ（ＣＦ３）２−で表示される二価基でありうる。例えば、前記Ｑ１は、−ＣＦ２−でありうる。ａは、１から５の整数、例えば、２、３、または４であるが、これらに限定されるものではない。ａが２以上である場合、２以上のＱ１は、互いに同一であるか異なりうる。
例えば、前記化学式１で、「Ｆ−［Ｑ１］ａ−」は、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２−であるが、これに限定されるものではない。
前記化学式１で、Ｑ２は、ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−、または−ＣＨ２ＣＦ２ＣＨＦ−で表示される二価基でありうる。例えば、前記Ｑ２は、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−でありうる。ｂは、０から５０の整数、例えば、０から３１の整数であるが、これに限定されるものではない。ｂが２以上である場合、２以上のＱ２は、互いに同一であるか異なりうる。
例えば、前記化学式１で、ｂは、０でありうる。または、前記化学式１で、「−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−」は、−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）２１ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ−、−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）３０ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ−、−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）２１−、−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）１１ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ−、または−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）１１−であるが、これらに限定されるものではない。
前記化学式１で、Ｑ３は、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＨ２−、−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＨ２−、または−ＣＨ２ＣＨＦ−で表示される二価基でありうる。ｃは、０から２０の整数、例えば、０から１０の整数、例えば、１から６の整数であるが、これに限定されるものではない。ｃが２以上である場合、２以上のＱ３は、互いに同一であるか異なりうる。
例えば、前記化学式１で、ｃは、０でありうる。または、前記化学式１で、「−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−は、−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＨ２Ｏ−、−［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ］３−、−［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ］３ＣＦ（ＣＦ３）ＣＨ２Ｏ−、−［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ］４ＣＦ（ＣＦ３）ＣＨ２Ｏ−、または−［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ］５ＣＦ（ＣＦ３）ＣＨ２Ｏ−であるが、これらに限定されるものではない。
前記化学式１で、Ｑ４は、−ＣＦ２−、−ＣＦ（ＣＦ３）−、−ＣＨＦ−、または−ＣＨ（ＣＦ３）−で表示される二価基でありうる。ｄは、０から２０の整数、例えば、０から１０の整数であるが、これに限定されるものではない。ｄが２以上である場合、２以上のＱ４は、互いに同一であるか異なりうる。
例えば、前記化学式１で、ｄは、０でありうる。または前記化学式１で、「−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−」は、−（ＣＦ２Ｏ）１０−であるが、これに限定されるものではない。
前記化学式１で、Ｑ５は、−ＣＨ２−、−ＣＦ２−、−ＣＦ（ＣＦ３）−、−ＣＨＦ−、または−ＣＨ（ＣＦ３）−で表示される二価基でありうる。前記ｅは、１から２０、例えば、１から１０の整数、例えば、１から３の整数であるが、これに限定されるものではない。ｅが２以上である場合、２以上のＱ５は、互いに同一であるか異なりうる。
例えば、前記化学式１で、「−［Ｑ５］ｅ−は、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、または−ＣＦ（ＣＦ３）−であるが、これらに限定されるものではない。
前記化学式１で、Ｙ１は、−ＣＯＮＨ−、−Ｓｉ（Ｒ２０）（Ｒ２１）−、Ｃ２−Ｃ２０アルキレン基（例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基など）、及び一つ以上のＦで置換されたＣ２−Ｃ２０アルキレン基からなる群から選択された二価有機基（ｄｉｖａｌｅｎｔ ｏｒｇａｎｉｃ ｇｒｏｕｐ）でありうる。ここで、Ｒ２０及びＲ２１は互いに独立して、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基など）、一つ以上のＦで置換されたＣ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基など）、及び一つ以上のＦで置換されたＣ１−Ｃ１０アルコキシ基からなる群から選択されうる。前記ｆは、０から５の整数でありうる。Ｙ１がＦを含む場合、２以上のＦ、例えば、５以上のＦを含むことができる。
前記化学式１で、ｆは、０でありうる。または前記化学式１で、「−［Ｙ１］ｆ−」は、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｓｉ（ＯＭｅ）２−ＣＨ２ＣＨ２−、または−ＣＯＮＨ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｓｉ（ＯＭｅ）２−ＣＨ２ＣＨ２−であるが、これらに限定されるものではない（前記Ｍｅは、メチル基である）。
前記化学式１で、Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基であるか、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ１０アルキル基でありうる。例えば、前記Ｚ１は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基などでありうる。Ｚ１がＦを含む場合、２以上のＦ、例えば、５以上のＦを含むことができる。
前記化学式１で、Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基であるか、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ１０アルコキシ基でありうる。例えば、Ｚ２は、メトキシ基、エポキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などでありうる。Ｚ２がＦを含む場合、２以上のＦ、例えば、５以上のＦを含むことができる。
前記化学式１で、ｇは、０、１、２または３でありうる。例えば、前記ｇは、０でありうる。例えば、前記化学式１のうち、Ｑ１は−ＣＦ２−，−ＣＨＦ−，−ＣＦ（ＣＦ３）−、または、−Ｃ（ＣＦ３）２−に表示される２価グループでもよく；ａは２，３または４でもよく；Ｑ２は−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−に表示される２価グループでもよく；ｂは０〜３１の定数でもよく；Ｑ３は−ＣＦ２ＣＦ２−，−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２−，−ＣＦ２ＣＨ２−，−ＣＦ（ＣＦ３）ＣＨ２−，または−ＣＨ２ＣＨＦ−に表示される２価グループでもよく；ｃは０〜１０の定数でもよく；Ｑ４は−ＣＦ２−，−ＣＦ（ＣＦ３）−，−ＣＨＦ−，または−ＣＨ（ＣＦ３）−に表示される２価グループでもよく；ｄは０〜１０の定数でもよく；Ｑ５は−ＣＨ２−，−ＣＦ２−，−ＣＦ（ＣＦ３）−，−ＣＨＦ−，または−ＣＨ（ＣＦ３）−に表示される２価グループでもよく；ｅは１〜１０の定数でもよく；−［Ｙ１］ｆ−は−ＣＯＮＨ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−，−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｓｉ（ＯＭｅ）２−ＣＨ２ＣＨ２−または−ＣＯＮＨ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｍｅ）２−Ｓｉ（ＯＭｅ）２−ＣＨ２ＣＨ２−（ここで、Ｍｅはメチル基である）でもよく；Ｚ１はメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基またはペンチル基でもよく；Ｚ２はメトキシ基，エポキシ基，プロポキシ基，ブトキシ基またはペントキシ基でもよく；ｇは０または１であり得る。
前記シーリング部材５０は、前記シリコン系化合物を含むことができる。
一方、前記シーリング部材５０の形成時、熱、架橋結合触媒などの提供いかんによって、前記シリコン系化合物が互いに架橋結合された硬化物が形成される場合もある。従って、前記シーリング部材５０は、前記シリコン系化合物の硬化物を含むことができる。
または、前記シーリング部材５０は、前記シリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物をいずれも含むこともできる。
一方、前記シーリング部材５０の形成条件によって、前記シーリング部材５０のうち、素子基板１０と接触する領域、封止基板３０と接触する領域、第３電極４０の第１部分４０ａと接触する領域、及び／または後述する第３電極２４０（図５）の第２部分２４０ｂ（図５）と接触する領域には、前記シリコン系化合物から形成された自己組立単分子膜（ＳＡＭ：ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）がさらに形成されうる。前記自己組立単分子膜（ＳＡＭ）は、前記シリコン系化合物のＺ２；前記素子基板１０、封止基板３０、第３電極４０の第１部分４０ａ及び／または後述する第３電極２４０の第２部分２４０ｂに存在しうる親水性基、例えば、−ＯＨ；間の反応によって形成されうる。前記自己組立単分子膜は、下記化学式１ａのようなモイエティを含むことができる。
Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｈ（Ｚ２）２−ｈ−＊ ・・・（化学式１ａ）
前記化学式１ａで表示されるモイエティについての説明は、前記化学式１についての説明を参照するが、ｈは、０から２の整数であり、＊は、前記シリコン系化合物から形成された自己組立単分子膜が形成された領域の表面との結合サイトを示したことである。例えば、前記化学式１ａで＊は、前記素子基板１０の表面、前記封止基板３０の表面、前記第３電極４０の第１部分４０ａの表面、及び／または後述する第３電極２４０（図５）の第２部分２４０ｂ（図５）の表面との結合サイトを示したものである。
前記シーリング部材５０が前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上（選択的に、前記シリコン系化合物から形成された自己組立単分子膜）をいかなる組み合わせで含むかということは、前記シーリング部材５０の形成条件によって異なる。
前記シリコン系化合物は、フッ素を含むため、非常に低い表面エネルギーを提供することができる。従って、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上（選択的に、前記シリコン系化合物から形成された自己組立単分子膜）を含んだシーリング部材５０のうち、外部に露出された表面は、低い表面エネルギーを有し、水分及び／または酸素が付着されない。従って、シーリング部材５０を介した水分及び／または酸素の浸透が防止されうる。化学式１に表示されるシリコン系化合物の硬化条件は選択された化学式の構造により適切に選択できる。
前記シーリング部材５０は、二種以上の物質を含んだ多層構造を有することができる。
例えば、図２に示されているように、前記シーリング部材５０は、前記素子基板１０から（または、後述するような第３電極２４０（図５）の第２部分２４０ｂ（図５）から）順に積層された第１シーリング部材層５１ｂ、第２シーリング部材層５３及び第３シーリング部材層５１ａを含むが、前記第１シーリング部材層５１ｂ及び前記第３シーリング部材層５１ａは、前述のような接着剤を含み、前記第２シーリング部材層５３は、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上（選択的に、前記シリコン系化合物から形成された自己組立単分子膜）を含むことができる。
前記第３電極４０は、前記シーリング部材５０外側の非発光領域上に備わっている。図１Ａで前記第３電極４０は、前記シーリング部材５０を取り囲んだ第１部分４０ａからなっている。前記第１電極２１と前記第３電極４０は、同じ物質からなっている。例えば、前記第１電極２１と前記第３電極４０は、いずれもインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から形成されうるが、これに限定されるものではない。
前記シーリング部材５０の側面と、前記第３電極４０の第１部分４０ａの側面は、互いに接触する。これにより、シーリング部材５０の側面を介して、酸素及び／または水分が、封止基板３０と素子基板１０との間の空間６０に浸透することが実質的に防止され、有機発光素子２０の酸素及び／または水分による劣化が防止されうる。
前記第３電極４０は、前記第１電極２１及び第２電極２７とは異なり、電力供給源とは電気的に連結されていない、いわゆる、「フローティング電極」である。
前記第１電極２１の最大厚Ｌ１と、前記第３電極４０の第１部分４０ａの最大厚Ｌ２は、Ｌ１＝Ｌ２の関係を有することができる。
一方、前記第３電極４０の第１部分４０ａの最大厚Ｌ２と、前記シーリング部材５０の最大厚Ｌ３は、Ｌ２≧Ｌ３の関係を有することができる。ここで、前記第３電極４０の第１部分４０ａで、前記シーリング部材５０と接触する領域が最大厚Ｌ２を有することによって、シーリング部材５０の側面が外部に露出されない。これにより、シーリング部材５０の側面を介して、酸素及び／または水分が、封止基板３０と素子基板１０との間の空間６０に浸透することが効果的に防止され、有機発光素子２０の水分及び／または酸素による劣化が防止されうる。
前記素子基板１０と前記封止基板３０との間の空間６０は、真空でありうる。
または、前記素子基板１０と前記封止基板３０との間の空間６０には、吸湿層（図示せず）がさらに含まれうる。
前記吸湿層の位置は、前記封止基板３０の下面、前記シーリング部材５０の内側などでありうる。
前記吸湿層は、微量ではあるが、素子基板１０と封止基板３０との間の空間６０に浸透した酸素及び／または水分を吸着する役割を行うことができる。そのために、前記吸湿層は、例えば、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属酸化物を含むことができる。前記金属酸化物は、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物などであるが、前記アルカリ金属酸化物の例として、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）または酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）などを挙げることができ、前記アルカリ土類金属酸化物の例としては、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
前記吸湿層は、選択的に、バインダ、分散剤などをさらに含むことができる。
または、前記素子基板１０と前記封止基板３０との間の空間６０には、充填材（図示せず）が充填されることもある。これにより、前記素子基板１０と前記封止基板３０との間の空間６０は、有機発光素子２０及び充填材によって完全に充填され、前記素子基板１０と前記封止基板３０との間には、空き空間が存在しないのである。
前記充填材は、有機発光素子２０をなす物質とは実質的に反応せず、有機発光素子２０から放出された光が、外部に効果的に取り出されるように、可視光線領域で所定の透過度を備えた物質でありうる。例えば、前記充填材は、シリコン、エポキシ樹脂などでありうる。
一方、前記充填材は、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上（選択的に、前記シリコン系化合物から形成された自己組立単分子膜）を含むことができる。前記化学式１についての説明は、前述のところを参照する。
前記シリコン系化合物は、低い表面エネルギーを有するので、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物などを充填材として利用すれば、微量ではあるが、素子基板１０と封止基板３０との間に浸透した水分及び／または酸素が、有機発光素子２０に達することを防止することができる。これにより、水分及び／または酸素による有機発光素子２０の劣化が効果的に防止され、長寿命を有する有機発光装置を具現することができる。
図３Ａから図３Ｄを参照して、図１Ａ及び図１Ｂに図示された有機発光装置の製造方法について説明すれば、次の通りである。
まず、発光領域及び非発光領域を具備した素子基板１０を準備する。前記素子基板は、駆動トランジスタ、スイッチング・トランジスタなどを含むことができる。
この後、図３Ａに図示されているように、前記素子基板１０の発光領域には、第１電極２１を形成し、前記素子基板１０の非発光領域には、第１部分４０ａを含んだ第３電極４０を形成する。このとき、第３電極４０と第１電極２１とを同時に形成することができる。例えば、素子基板１０上の発光領域及び非発光領域に、ＩＴＯ層を形成した後、第１電極２１と第３電極４０とを同時にパターニングすることによって、ＩＴＯからなる第１電極２１と第３電極４０とを同時に形成することができる。または、第１電極２１及び第３電極４０のパターンをいずれも含んだマスクを利用して、ＩＴＯを素子基板１０上に蒸着させることにより、ＩＴＯからなる第１電極２１と第３電極４０とを同時に形成することもできる。このとき、前記第１電極２１の厚さＬ１と、前記第３電極４０の厚さＬ２は、互いに同一でありえる。
前記方法によれば、第１電極２１の形成時、第３電極４０も共に形成されるものであるから、別途の第３電極４０の形成工程が必要ではない。従って、容易でありつつも簡単であり、経済的な有機発光装置の製造方法を提供することができる。
前記第１電極２１及び第３電極４０の形成方法は、公知の方法（例えば、レーザ・エッチング法、湿式エッチング法、所定パターンを含んだマスクを利用した蒸着法など）を利用することができる。
その次に、図３Ｂに示されているように、第１電極２１の上部に、第１電極２１の両端に形成された絶縁層２３、有機層２５及び第２電極２７を順に形成することによって、有機発光素子２０を形成する。
前記有機層２５に含まれうる各層の材料及び形成方法について説明すれば、次の通りである。
正孔注入層（ＨＩＬ）は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって形成されうる。このとき、真空蒸着法を選択する場合、蒸着条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、例えば、１００から５００℃の蒸着温度範囲、１０−１０から１０−３ｔｏｒｒの真空度範囲、０．０１から１００Å／ｓｅｃの蒸着速度範囲で選択されうる。一方、スピンコーティング法を選択する場合、コーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性によって異なるが、２，０００ｒｐｍから５，０００ｒｐｍのコーティング速度範囲、８０℃から２００℃の熱処理温度（コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度）範囲内で選択されうる。
正孔注入層物質としては、公知の正孔注入材料を使用することができるが、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）（下記化学式を参照）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）（下記化学式を参照）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（２Ｔ−ＮＡＴＡ）（下記化学式を参照）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）またはポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）などを使用することができるが、これらに限定されるものではない。
前記正孔注入層の厚みは、約１０Åから１０，０００Å、例えば、１００Åから１，０００Åでありうる。前記正孔注入層の厚みが前記範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔注入特性を得ることができる。
前記正孔輸送層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって形成されうる。このとき、蒸着条件及びコーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、前述のような正孔注入層形成のための条件と類似した範囲内で選択される。
正孔輸送層物質は、公知の正孔輸送材料を利用して形成することができるが、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール；Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）のような芳香族縮合環を有するアミン誘導体；（４，４−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン）（ＴＣＴＡ）のようなトリフェニルアミン系物質；のような公知の正孔輸送物質を使用することができる。このうち、例えば、ＴＣＴＡの場合、正孔輸送の役割以外にも、発光層から励起子が拡散することを防止する役割も行うことができる。
前記正孔輸送層の厚みは、５０Åから１，０００Å、例えば、１００Åから６００Åでありうる。前記正孔輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔輸送特性を得ることができる。
前記発光層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって形成されうる。このとき、蒸着条件及びコーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、前述のような正孔注入層形成のための条件と類似した範囲内で選択される。
前記発光層は、単一発光材料からなり、ホスト及びドーパントを含むこともできる。
前記ホストの例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、ＴＣＴＡ、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＤＮ）、Ｅ３ などを使用することができるが、これらに限定されるものではない。
一方、公知の赤色ドーパントとして、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
また、公知の緑色ドーパントとして、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３などを利用することができるが、これらに限定されるものではない。
一方、公知の青色ドーパントとして、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン、４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）などを利用できるが、これらに限定されるものではない。
前記発光層の厚みは、１００Åから１，０００Å、例えば、１００Åから６００Åでありうる。前記発光層の厚みが前記範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な発光特性を得ることができる。
正孔阻止層は、発光層（例えば、発光層がリン光化合物を含む場合）の三重項励起子または正孔がカソードなどに拡散する現象を防止する役割を行うものであり、発光層の上部にさらに形成され、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって形成されうる。このとき、蒸着条件及びコーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、前述のような正孔注入層形成のための条件と類似した範囲内で選択される。
前記正孔阻止材料は、公知の正孔阻止材料から任意に選択されうる。例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、あるいはフェナントロリン誘導体などを使用することができる。
前記正孔阻止層の厚みは、約５０Åから１，０００Å、例えば、１００Åから３００Åでありうる。前記正孔阻止層の厚みが前記範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔阻止特性を得ることができる。
前記正孔輸送層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような公知の多様な方法のうちから任意に選択された方法によって、発光層または正孔阻止層の上部に形成されうる。このとき、蒸着条件及びコーティング条件は、目的化合物、目的とする層の構造及び熱的特性などによって異なるが、前述のような正孔注入層形成のための条件と類似した範囲内で選択される。
前記電子輸送層の物質としては、公知の電子輸送材料を使用することができるが、例えば、Ａｌｑ３、１，２，４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）−ベリリウム（ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（ｐ−フェニルフェノラート）−アルミニウム（ＢＡｌｑ）のような公知の材料を使用することもできる：
前記電子輸送層の厚みは約１００Åから１，０００Å、例えば、２００Åから５００Åでありうる。前記電子輸送層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、駆動電圧の上昇なしに、優秀な電子輸送特性を得ることができる。
前記電子輸送層の上部には、電子注入層が形成されうる。前記電子注入層の形成材料としては、公知の電子注入材料であるＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯなどが使われ、前記電子注入層の蒸着条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
前記電子注入層の厚みは、約１Åから１００Å、例えば、５Åから５０Åでありうる。前記電子注入層の厚みが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべきほどの電子注入特性を得ることができる。
次に、第２電極２７を前記有機層２５上に形成する。
一方、図３Ｃに図示されているように、封止基板３０を準備する。このとき、封止基板３０の幅Ｌ１２は、素子基板１０で、第３電極４０の内側領域の幅Ｌ１１（図３Ａ及び図３Ｂ）を考慮して選択されうる。図１Ａに図示された有機発光装置を具現するために、封止基板３０の幅Ｌ１２は、素子基板１０で、第３電極４０の内側領域の幅Ｌ１１と同一に選択されうる。
次に、図３Ｄに図示されているように、前記封止基板３０が、前記発光領域Ａを覆うように、封止基板３０と素子基板１０とを組み合わせ、素子基板１０と封止基板３０との間に提供されたシーリング部材５０の形成用物質５０ａを、第１処理（Ｄ）によって、シーリング部材５０に変化させることによって、前記第３電極４０内側の非発光領域上に、前記発光領域Ａを取り囲むようにシーリング部材５０を提供し、前記素子基板１０と前記封止基板３０とを合着させる。
前記シーリング部材５０の形成用物質５０ａを、シーリング部材５０に変化させる第１処理（Ｄ）は、選択されたシーリング部材５０の形成用物質５０ａによって、異なりうる。例えば、前記第１処理（Ｄ）は、前記シーリング部材５０の形成用物質５０ａに含まれた溶媒を除去することができるソフト・ベーキング、前記シーリング部材５０の形成用物質５０ａを硬化させるＵＶ（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）照射及び／または熱処理、前記シーリング部材５０の形成用物質５０ａを溶融させることができる熱処理であるレーザビーム照射などでありうる。
例えば、前記素子基板１０と前記封止基板３０とを合着させる段階で、前記シーリング部材５０の提供を、ｉ）前記素子基板１０と前記封止基板３０との間に、接着剤前駆体を提供して硬化（例えば、ＵＶ照射または熱処理による硬化）する段階、ｉｉ）前記素子基板１０と前記封止基板３０との間に、ガラスフリット前駆体を提供して熱処理（例えば、レーザビーム照射による熱処理）する段階、及びｉｉｉ）前記素子基板１０と前記封止基板３０との間に、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物を提供する段階のうちいずれか一つ以上によって行うことができる。前記化学式１についての詳細な説明は、前述のところを参照する。
一方、前記有機発光装置の製造方法は、ａ）前記素子基板１０と前記封止基板３０との間の空間６０を真空化する段階、ｂ）前記素子基板１０と前記封止基板３０との間の空間６０に吸湿層を提供する段階、及びｃ）前記素子基板１０と前記封止基板３０との間の空間６０に充填材を提供する段階のうちいずれか一つ以上をさらに含むことができる。前記充填材についての詳細な説明は、前述のところを参照する。
ここで、前記充填材の提供段階を、例えば、図３Ｃで、封止基板３０の内側領域Ｃに充填材を提供した後、素子基板１０と封止基板３０とを合着させることによって、行うことができる。
図４Ａは、前記有機発光装置の他の一具現例を概略的に図示した断面図（図４Ｂで、Ｉ−Ｉ’方向の断面図）であり、図４Ｂは、前記図４Ａに図示された有機発光装置で、封止基板１３０、第２電極１２７、有機層１２５及び絶縁層１２３を除いて図示した有機発光装置の概略的な平面図である。図４Ａ及び図４Ｂの有機発光装置は、素子基板１１０、封止基板１３０、第１電極１２１、絶縁層１２３、有機層１２５、第２電極１２７、シーリング部材１５０、第１部分１４０ａを含んだ第３電極１４０、及び第１層１７０を含む。前記第１電極１２１、絶縁層１２３、有機層１２５及び第２電極１２７は、有機発光素子１２０を形成することができる。前記有機発光装置は、素子基板１１０と封止基板１３０との間の空間１６０を含む。
図４Ａ及び図４Ｂの有機発光装置で、素子基板１１０、封止基板１３０、第１電極１２１、絶縁層１２３、有機層１２５、第２電極１２７、シーリング部材１５０、第１部分１４０ａを含んだ第３電極１４０、及び素子基板１１０と封止基板１３０との間の空間１６０についての詳細な説明は、図１Ａ及び図１Ｂの有機発光装置で、基板１０、封止基板３０、第１電極２１、絶縁層２３、有機層２５、第２電極２７、シーリング部材５０、第１部分４０ａを含んだ第３電極４０、及び素子基板１０と封止基板３０との間の空間６０についての詳細な説明を参照する。
図４Ａ及び図４Ｂの有機発光装置で、シーリング部材１５０と、前記第３電極１４０の第１部分１４０ａは、互いに離隔されており、前記シーリング部材１５０と、前記第３電極１４０の第１部分１４０ａとの間の空間は、第１層１７０が充填している。ここで、前記第１層１７０は、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上（選択的に、前記シリコン系化合物から形成された自己組立単分子膜）を含むことができる。前記化学式１についての詳細な説明は、前述のところを参照する。
前記シリコン系化合物は、非常に低い表面エネルギーを提供できるので、前記第１層１７０で、外気に露出された表面の表面エネルギーは、非常に低い。従って、図４Ａ及び図４Ｂに図示された有機発光装置は、第３電極１４０だけではなく、第１層１７０によっても、水分及び／または酸素浸透が防止されるので、水分及び／または酸素による有機発光素子１２０の劣化が効果的に防止されうる。これにより、長寿命の有機発光装置を具現することができる。
前記図４Ａ及び図４Ｂの有機発光装置は、封止基板１３０の幅Ｌ１２（図３Ｃ）が、素子基板１１０で、第３電極１４０内側領域の幅Ｌ１１（図３Ａ及び図３Ｂ）より狭くなるように選択して、素子基板１１０と封止基板１３０とを合着させた後、シーリング部材１５０と、第３電極１４０の第１部分１４０ａとの間に形成された空間に、前記第１層１７０を形成することによって製造されうる。第１層１７０は、前記化学式１で表示されるシリコン系化合物（選択的には、溶媒）を、前記シーリング部材１５０と、第３電極１４０の第１部分１４０ａとの間に形成された空間に、公知の方法（例えば、インクジェット・プリンティング法、ノズル・プリンティング法など）を利用して提供した後、ソフト・ベーキングのような方法をさらに遂行して形成することができるが、これらに限定されるものではない。
図５は、前記有機発光装置のさらに他の一具現例を概略的に図示した断面図である。図５の有機発光装置は、素子基板２１０、封止基板２３０、第１電極２２１、絶縁層２２３、有機層２２５、第２電極２２７、シーリング部材２５０、第１部分２４０ａ並びに第２部分２４０ｂを含んだ第３電極２４０、及び第１層２７０を含む。前記第１電極２２１、絶縁層２２３、有機層２２５及び第２電極２２７は、有機発光素子２２０を形成することができる。前記有機発光素子は、素子基板２１０と封止基板２３０との間の空間２６０を含む。
図５の有機発光装置で、素子基板２１０、封止基板２３０、第１電極２２１、絶縁層２２３、有機層２２５、第２電極２２７、シーリング部材２５０、第１層２７０、第１部分２４０ａ、第３電極２４０、及び素子基板２１０と封止基板２３０との間の空間２６０についての説明は、図４Ａ及び図４Ｂの有機発光装置で、基板１１０、封止基板１３０、第１電極１２１、絶縁層１２３、有機層１２５、第２電極１２７、シーリング部材１５０、第１層１７０、第１部分１４０ａ、第３電極１４０、及び素子基板１１０と封止基板１３０との間の空間１６０についての説明をそれぞれ参照する。
図５の有機発光装置で、第３電極２４０は、シーリング部材２５０を取り囲んだ第１部分２４０ａ以外に、前記第３電極２４０の第１部分２４０ａから、前記シーリング部材２５０に向かって延びている第２部分２４０ｂをさらに含む。前記第３電極２４０の第１部分２４０ａの最大厚Ｌ２と、前記第３電極２４０の第２部分２４０ｂの最大厚Ｌ５は、Ｌ２≧Ｌ５の関係を有することができる。
前記第３電極２４０の第２部分２４０ｂを形成することによって、水分及び／または酸素の浸透を効果的に防止することができる。
前記図５の有機発光装置の製造方法について、図６Ａから図６Ｄを参照して説明すれば、下記の通りである。
まず、図６Ａに示すように、素子基板２１０を準備した後、第１電極２２１及び第３層２４１を同時に形成する。前記第１電極２２１及び第３層２４１の形成段階は、図３Ａで、第１電極２１及び第３電極４０の形成段階と同様に、別途の第３層２４１の形成工程なしに、第１電極２２１及び第３層２４１を同時に形成することによって遂行されうる。
次に、図６Ｂに示すように、第３層２４１の一部をパターニングし、第３層２４１で、第１部分２４０ａ並びに第２部分２４０ｂを形成することによって、第３電極２４０を形成する。第１部分２４０ａ並びに第２部分２４０ｂの形成方法は、通常のパターニング方法、例えば、レーザ・エッチング法、湿式エッチング法などを利用することができる。
その次に、図６Ｃに示すように、絶縁層２２３、有機層２２５及び第２電極２２７を順次形成する。これについての詳細説明は、図３Ｂについての説明を参照する。
その後、図６Ｄに示すように、封止基板２３０で、素子基板２１０に向かって延びた部分が、第３電極２４０の第２部分２４０ｂ上に位置するように組み合わせ、封止基板基板２３０と素子基板２１０との間（具体的には、封止基板２３０と、第３電極２４０の第２部分２４０ｂとの間に）に、シーリング部材２５０を提供し、封止基板２３０と素子基板２１０とを合着させる。これについての詳細説明は、図３Ｄについての説明を参照する。
その次に、シーリング部材２５０と、第３電極２４０の第１部分２４０ａとの間に形成された空間２８０に、前記第１層２７０を形成することによって、図５の有機発光装置を製造することができる。
図７は、前記有機発光装置のさらに他の一具現例を概略的に図示した断面図である。図７の有機発光装置は、素子基板３１０、封止基板３３０、第１電極３２１、絶縁層３２３、有機層３２５、第２電極３２７、シーリング部材３５０、第１部分３４０ａを含んだ第３電極３４０、及びホール３１１を含む。前記第１電極３２１、絶縁層３２３、有機層３２５及び第２電極３２７は、有機発光素子３２０を形成することができる。前記有機発光装置は、素子基板３１０と封止基板３３０との間の空間３６０を含む。
図７の有機発光装置で、素子基板３１０、封止基板３３０、第１電極３２１、絶縁層３２３、有機層３２５、第２電極３２７、シーリング部材３５０、第１部分３４０ａ、第３電極３４０、及び素子基板３１０と封止基板３３０との間の空間３６０についての説明は、図１Ａ及び図１Ｂの有機発光装置で、基板１０、封止基板３０、第１電極２１、絶縁層２３、有機層２５、第２電極２７、シーリング部材５０、第１部分４０ａ、第３電極４０、及び素子基板１０と封止基板３０との間の空間６０についての説明をそれぞれ参照する。
図７の有機発光装置で、素子基板３１０は、シーリング部材３５０に対応するホール３１１を含む。従って、前記ホール３１１の内部に、シーリング部材３５０が形成されている。これにより、シーリング部材３５０の外気露出が防止され、シーリング部材３５０の側面を介した酸素及び／または水分の浸透が効果的に防止されうる。
前記図７の有機発光装置は、ホール３１１があらかじめ設けられた素子基板３１０を準備することによって、製造可能である。
本発明の一具現例による有機発光装置の構造及び製造方法は、図１Ａから図７を参照して説明したが、それらに限定されずに、多様な変形例が可能である。例えば、図５の有機発光装置で、シーリング部材２５０の側面と、第３電極２４０の第１部分２４０ａの側面とが互いに接触している変形例、図１の有機発光装置で、素子基板１０が、シーリング部材５０に対応するホールをさらに含む変形例など多様な変形例が可能である。
１０，１１０，２１０，３１０ 素子基板
２０，１２０，２２０，３２０ 有機発光素子
２１，１２１，２２１，３２１ 第１電極
２３，１２３，２２３，３２３ 絶縁層
２５，１２５，２２５，３２５ 有機層
２７，１２７，２２７，３２７ 第２電極
３０，１３０，２３０，３３０ 封止基板
４０，１４０，２４０，３４０ 第３電極
４０ａ，１４０ａ，２４０ａ，３４０ａ 第３電極の第１部分
５０，１５０，２５０，３５０ シーリング部材
５０ａ シーリング部材形成用物質
５１ａ 第３シーリング部材層
５１ｂ 第１シーリング部材層
５３ 第２シーリング部材層
６０，１６０，２６０，３６０ 素子基板と封止基板との間の空間
１７０，２７０ 第１層
２４０ｂ 第３電極の第２部分
２４１ 第３層
２８０ シーリング部材と第３電極の第１部分との間の空間
３１１ ホール

Claims (28)

  1. 発光領域及び非発光領域を具備した素子基板と、
    前記発光領域を覆う封止基板と、
    前記発光領域上に形成され、前記素子基板と封止基板との間に介在された第１電極と、
    前記封止基板と前記第１電極との間に介在された有機層と、
    前記有機層と前記封止基板との間に介在された第２電極と、
    前記発光領域の周囲を取り囲むシーリング部材と、
    前記シーリング部材の外側の非発光領域上に備わり、前記シーリング部材の周囲を取り囲む第１部分を含み、前記第１電極と同じ物質からなる第３電極と、
    を備え、
    前記シーリング部材の側面と、前記第３電極の第１部分の側面とは、互いに接触する、有機発光装置。
  2. 前記第１電極及び前記第３電極が、金属及び導電性酸化物からなる群から選択された一つ以上の物質を含んだことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  3. 前記第１電極及び前記第３電極が、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  4. 前記シーリング部材が、接着剤及びガラスフリットのうちいずれか一つ以上を含んだことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  5. 前記シーリング部材が、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含んだことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
    Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
    前記化学式１で、
    Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、
    Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、
    Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、
    前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、
    Ｙ１は、二価有機基であり、
    Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、
    Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、
    ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、
    ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、
    ｆは、０から１０の整数であり、
    ｇは、０から３の整数である。
  6. 前記シーリング部材が、第１シーリング部材層、第２シーリング部材層及び第３シーリング部材層を順に含み、前記第１シーリング部材層及び前記第３シーリング部材層は、接着剤を含み、前記第２シーリング部材層は、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
    Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
    前記化学式１で、
    Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、
    Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、
    Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、
    前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、
    Ｙ１は、二価有機基であり、
    Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、
    Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、
    ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、
    ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、
    ｆは、０から１０の整数であり、
    ｇは、０から３の整数である。
  7. 前記第１電極の最大厚がＬ１であり、前記第３電極の第１部分の最大厚がＬ２であり、Ｌ１＝Ｌ２であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  8. 前記第３電極の第１部分の最大厚がＬ２であり、前記シーリング部材の最大厚がＬ３であり、Ｌ２≧Ｌ３であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  9. 前記素子基板と前記封止基板との間の空間が、真空であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  10. 前記素子基板と前記封止基板との間の空間に、吸湿層をさらに含んだことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  11. 前記素子基板と前記封止基板との間の空間に、充填材が充填されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  12. 前記充填材が、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含んだことを特徴とする、請求項１１に記載の有機発光装置。
    Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
    前記化学式１で、
    Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、
    Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、
    Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、
    前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、
    Ｙ１は、二価有機基であり、
    Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、
    Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、
    ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、
    ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、
    ｆは、０から１０の整数であり、
    ｇは、０から３の整数である。
  13. 発光領域及び非発光領域を具備した素子基板と、
    前記発光領域を覆う封止基板と、
    前記発光領域上に形成され、前記素子基板と封止基板との間に介在された第１電極と、
    前記封止基板と前記第１電極との間に介在された有機層と、
    前記有機層と前記封止基板との間に介在された第２電極と、
    前記発光領域の周囲を取り囲むシーリング部材と、
    前記シーリング部材の外側の非発光領域上に備わり、前記シーリング部材の周囲を取り囲み、前記シーリング部材と互いに離隔した第１部分を含み、前記第１電極と同じ物質からなる第３電極と、
    前記シーリング部材と、前記第３電極の第１部分との間の空間を充填する第１層と、
    を備え、
    前記シーリング部材の側面と、前記第１層の側面とは、互いに接触する、有機発光装置。
  14. 前記第１層は、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含んだことを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光装置。
    Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
    前記化学式１で、
    Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、
    Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、
    Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、
    前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、
    Ｙ１は、二価有機基であり、
    Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、
    Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、
    ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、
    ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、
    ｆは、０から１０の整数であり、
    ｇは、０から３の整数である。
  15. 前記シーリング部材の最大厚がＬ３であり、前記第１層の最大厚がＬ４であり、Ｌ３≦Ｌ４であることを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光装置。
  16. 前記第３電極が、前記第３電極の第１部分から前記シーリング部材に向かって延びている第２部分を有し、前記第３電極の第２部分が、前記シーリング部材と前記素子基板との間に位置することを特徴とする、請求項１３に記載の有機発光装置。
  17. 前記第３電極の第１部分の最大厚がＬ２であり、前記第３電極の第２部分の最大厚がＬ５であり、Ｌ２≧Ｌ５であることを特徴とする、請求項１６に記載の有機発光装置。
  18. 前記シーリング部材と、前記第３電極の第１部分とが互いに離隔されており、前記シーリング部材と、前記第３電極の第１部分との間の空間を第１層が充填しており、前記第１層は、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含んだことを特徴とする、請求項１６に記載の有機発光装置：
    Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
    前記化学式１で、
    Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、
    Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、
    Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、
    前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、
    Ｙ１は、二価有機基であり、
    Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、
    Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、
    ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、
    ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、
    ｆは、０から１０の整数であり、
    ｇは、０から３の整数である。
  19. 前記素子基板が、前記シーリング部材に対応するホールを含み、前記ホール内部に、前記シーリング部材が備わったことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
  20. 発光領域及び非発光領域を具備した素子基板を準備する段階と、
    前記発光領域上に第１電極を形成し、第１部分を含み、前記第１電極と同じ物質からなる第３電極を、前記非発光領域上に形成し、前記第１電極と前記第３電極とを形成する段階と、
    前記第１電極上に有機層を形成する段階と、
    前記有機層上に第２電極を形成する段階と、
    封止基板が前記発光領域を覆うように、前記封止基板を前記素子基板と組み合わせ、前記第３電極内側の非発光領域上に、前記発光領域の周囲を取り囲むようにシーリング部材を提供し、前記素子基板と前記封止基板とを合着させる段階と、
    前記シーリング部材と、前記第３電極の第１部分との間の空間に、シリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含んだ第１層を提供する段階と、
    を含む、有機発光装置の製造方法。
  21. 前記第１電極及び前記第３電極が、金属及び導電性酸化物からなる群から選択された一つ以上の物質を含んだことを特徴とする、請求項２０に記載の有機発光装置の製造方法。
  22. 前記第１電極及び前記第３電極が、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなることを特徴とする、請求項２０に記載の有機発光装置の製造方法。
  23. 前記素子基板と前記封止基板とを合着させる段階で、前記シーリング部材の提供を、ｉ）前記素子基板と前記封止基板との間に接着剤前駆体を提供して硬化させる段階、ｉｉ）前記素子基板と前記封止基板との間にガラスフリット前駆体を提供して熱処理する段階、及びｉｉｉ）前記素子基板と前記封止基板との間に、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物を提供する段階のうちいずれか一つ以上によって行うことを特徴とする、請求項２０に記載の有機発光装置の製造方法。
    Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
    前記化学式１で、
    Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、
    Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、
    Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、
    前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、
    Ｙ１は、二価有機基であり、
    Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、
    Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、
    ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、
    ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、
    ｆは、０から１０の整数であり、
    ｇは、０から３の整数である。
  24. ａ）前記素子基板と前記封止基板との間の空間を真空化する段階、ｂ）前記素子基板と前記封止基板との間の空間に、吸湿層を提供する段階、及びｃ）前記素子基板と前記封止基板との間の空間に、充填材を提供する段階のうちいずれか一つ以上をさらに含むことを特徴とする、請求項２０に記載の有機発光装置の製造方法。
  25. 前記充填材が、下記化学式１で表示されるシリコン系化合物及び前記シリコン系化合物の硬化物のうちいずれか一つ以上を含んだことを特徴とする、請求項２４に記載の有機発光装置の製造方法。
    Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
    前記化学式１で、
    Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、
    Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、
    Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、
    前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、
    Ｙ１は、二価有機基であり、
    Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、
    Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、
    ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、
    ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、
    ｆは、０から１０の整数であり、
    ｇは、０から３の整数である。
  26. 前記シリコン系化合物は、下記化学式１で表示される化合物であることを特徴とする、請求項２０に記載の有機発光装置の製造方法。
    Ｆ−［Ｑ１］ａ−Ｏ−［Ｑ２−Ｏ］ｂ−［Ｑ３−Ｏ］ｃ−［Ｑ４−Ｏ］ｄ−［Ｑ５］ｅ−［Ｙ１］ｆ−Ｓｉ（Ｚ１）ｇ（Ｚ２）３−ｇ ・・・（化学式１）
    前記化学式１で、
    Ｑ１は、−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ２は、−Ｃ（Ｒ３）（Ｒ４）−Ｃ（Ｒ５）（Ｒ６）−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−で表示される二価基であり、
    Ｑ３は、−Ｃ（Ｒ９）（Ｒ１０）−Ｃ（Ｒ１１）（Ｒ１２）−で表示される二価基であり、
    Ｑ４は、−Ｃ（Ｒ１３）（Ｒ１４）−で表示される二価基であり、
    Ｑ５は、−Ｃ（Ｒ１５）（Ｒ１６）−で表示される二価基であり、
    前記Ｒ１からＲ１６は互いに独立して、Ｈ、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２及び−ＣＦ３からなる群から選択され、
    Ｙ１は、二価有機基であり、
    Ｚ１は、Ｃ１−Ｃ３０アルキル基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルキル基であり、
    Ｚ２は、Ｃ１−Ｃ３０アルコキシ基、または一つ以上の−Ｆで置換されたＣ１−Ｃ３０アルコキシ基であり、
    ａ及びｅは互いに独立して、１から２０の整数であり、
    ｂ、ｃ及びｄは互いに独立して、０から２００の整数であるが、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０である場合は除外され、
    ｆは、０から１０の整数であり、
    ｇは、０から３の整数である。
  27. 前記第１電極と前記第３電極とを形成する段階が、前記第３電極の第１部分から前記シーリング部材に向かって延びている第２部分をさらに形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２０に記載の有機発光装置の製造方法。
  28. 前記発光領域と非発光領域とを含んだ素子基板の提供段階が、前記素子基板のうち非発光領域上に、前記シーリング部材に対応するホールを形成する段階をさらに含んだことを特徴とする、請求項２０に記載の有機発光装置の製造方法。
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