TWI511973B - 有機發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光裝置及其製造方法
相關申請案的交互參照
此申請案主張在韓國智慧財產局於2010年7月12日所提交的韓國專利申請號10-2010-0066997的效益，其所揭露之內容在此被併入它的整體以供參考。
本發明是關於一種有機發光裝置及其製造方法。
有機發光元件，其為自發光元件，具有像是廣視角、卓越的對比、快速回應、高亮度以及卓越的驅動電壓特性之優點，以及可提供多色影像。
一般而言，有機發光元件可包含陰極、陽極及設置在陽極與陰極之間的有機層。該有機層可包含電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)及陰極。當在陽極與陰極之間施加一電壓時，自陽極注入的電洞經由HTL移動至EML，以及自陰極注入的電子經由ETL移動至EML。像是電洞與電子的載子在EML重組以產生激子。當激子由激發態降至基態時，光被發射。一種包含有機發光元件的有機發光裝置可進一步包含驅動電晶體或交換電晶體。
因為有機發光元件可因氧及/或水分而劣化，為了實現一種高品質有機發光裝置，用以有效地密封有機發光元件的密封單元是被需要的。
提供了一種有機發光裝置，其具有用以防止氧及/或水分滲透之結構。
也提供了一種製造該有機發光裝置的方法。
根據本發明實施例的一方面，提供一種有機發光裝置，其包含：一元件基板，包含發光區與非發光區；一封裝基板，覆蓋發光區；一第一電極，形成在發光區上且設置在元件基板與封裝基板之間；一有機層，設置在封裝基板與第一電極之間；一第二電極，設置在有機層與封裝基板之間；一密封構件，圍繞發光區；以及一第三電極，設置在密封構件外的非發光區上，包含一圍繞密封構件的第一部分，以及包括與第一電極相同的材料。
第一電極與第三電極中的每一個可包含至少一選自由金屬與導電氧化物所組成的群組中之材料。
第一電極與第三電極中的每一個可包括氧化銦錫(ITO)。
密封構件可包含接著劑與玻璃粉(glass frit)中的至少之一。
密封構件可包含由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的固化產物中的至少之一：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g， 其中Q1是由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地選自由-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2與-CF3所組成的群組中；Y1是二價有機基；Z1是C1-C30烷基或由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是C1-C30烷氧基或由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為1至20的整數；b、c與d各自獨立地為0至200的整數，且b、c與d全為0的事例是排除在外的；f是0至10的整數；以及g是0至3的整數。
密封構件可依序包含第一密封構件層、第二密封構件層及第三密封構件層，第一密封構件層與第三密封構件層中的每一個可包含一接著劑，以及第二密封構件層包含由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的固化產物中的至少之一。
密封構件的側表面與第三電極之第一部分的側表面可彼此接觸。
當第一電極的最大厚度是L1以及第三電極之第一部分的最大厚度是L2時，L1=L2。
當第三電極之第一部分的最大厚度是L2以及密封構件的最大厚度是L3時，L2 L3。
在元件基板與封裝基板之間的空間可為一真空空間。
有機發光裝置可進一步包含設置在元件基板與封裝基板之間的空間中之水分吸收層。
填充劑可填充在元件基板與封裝基板之間的空間。
填充劑可包含由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的固化產物中的至少之一。
密封構件與第三電極的第一部分可為彼此分開的，在密封構件與第三電極的第一部分之間的空間可填充第一層，以及第一層可包含由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的固化產物中的至少之一。
當密封構件的最大厚度是L3以及第一層的最大厚度是L4時，L3 L4。
第三電極可具有自第三電極的第一部分向密封構件延伸的第二部分，以及第三電極的第二部分可位在密封構件與元件基板之間。
當第三電極的第一部分的最大厚度是L2以及第三電極的第二部分的最大厚度是L5時，L2 L5。
元件基板可包含一對應於密封構件的孔洞，以及密封構件可設置在孔洞中。
根據本發明實施例的另一方面，提供一種製造有機發光裝置的方法，該方法包含：製備一包含發光區與非發光區之元件基板；形成一第一電極在發光區上，以及在非發光區上形成一包含第一部分且由與第一電極相同的材料所形成之第三電極；形成一有機層在第一電極上；形成第二電極在有機層上；以及藉由組裝封裝基板與元件基板而將元件基板與封裝基板彼此連接，使得封裝基板覆蓋發光區，以及提供一密封構件至第三電極內的非發光區以圍繞發光區。
第一電極與第三電極中的每一個可包含至少一選自由金屬與導電氧化物所組成的群組中之材料。
第一電極與第三電極中的每一個可包括ITO。
將元件基板與封裝基板彼此連接以及提供密封構件的該步驟可包含下列中的至少之一：在元件基板與封裝基板之間提供一接著劑前驅物並固化接著劑前驅物、在元件基板與封裝基板之間提供一玻璃粉前驅物並執行熱處理、以及在元件基板與封裝基板之間提供由化學式1表示的矽基化合物。
此方法可進一步包含在元件基板與封裝基板之間的空間中產生真空、提供水分吸收層至元件基板與封裝基板之間的空間、以及提供填充劑至元件基板與封裝基板之間的空間中的至少之一。
此方法在將元件基板與封裝基板彼此連接的該步驟之後，可進一步包含提供一包含由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的固化產物中的至少之一的第一層至密封構件與第三電極的第一部分之間的空間。
形成第一電極與第三電極的該步驟可進一步包含額外地形成一自第三電極的第一部分向密封構件延伸的第二部分。
提供包含發光區與非發光區之元件基板的該步驟可進一步包含對應於在元件基板的非發光區中之密封構件的孔洞。
10、110、210、310‧‧‧元件基板
170、270‧‧‧第一層
20、120、220、320‧‧‧有機發光元件
21、121、221、321‧‧‧第一電極
23、123、223、323‧‧‧絕緣層
240b‧‧‧第二部分
241‧‧‧第三層
25、125、225、325‧‧‧有機層
27、127、227、327‧‧‧第二電極
280‧‧‧密封構件與第一部分之間的空間
30、130、230、330‧‧‧封裝基板
311‧‧‧孔洞
40、140、240、340‧‧‧第三電極
40a、140a、240a、340a‧‧‧第一部分
50、150、250、350‧‧‧密封構件
50a‧‧‧密封構件成形材料
51a‧‧‧第三密封構件層
51b‧‧‧第一密封構件層
53‧‧‧第二密封構件層
60、160、260、360‧‧‧元件基板與封裝基板之間的空間
A‧‧‧發光區
C‧‧‧封裝基板的內部區域
D‧‧‧第一程序
L1‧‧‧第一電極的最大厚度
L11‧‧‧第三電極內之元件基板的區域的寬度
L12‧‧‧封裝基板的寬度
L2‧‧‧第一部分的最大厚度
L3‧‧‧密封構件的最大厚度
L4‧‧‧第一層的最大厚度
L5‧‧‧第二部分的最大厚度
I-I’‧‧‧截取線
本發明實施例的上述及其他特徵與優點將藉由詳細地描述其示範實施例並參照附圖而變得更加顯著，其中：第1A圖是繪示根據一實施例的有機發光裝置的剖面圖(沿著第1B圖的I-I’線所截取的剖面圖)， 第1B圖是第1A圖的有機發光裝置的平面圖，其中封裝基板、第二電極、有機層及絕緣層並沒有顯示；第2圖是根據一實施例的密封構件的剖面圖；第3A至3D是依序繪示根據一實施例之製造第1A圖的有機發光裝置之方法的剖面圖；第4A圖是繪示根據另一實施例的有機發光裝置的剖面圖(沿著第4B圖的I-I’線所截取的剖面圖)；第4B圖是第4A圖的有機發光裝置的平面圖，其中封裝基板、第二電極、有機層及絕緣層並沒有顯示；第5圖是繪示根據另一實施例的有機發光裝置的剖面圖；第6A至6D是依序繪示根據另一實施例之製造第5圖的有機發光裝置之方法的剖面圖；以及第7圖是繪示根據另一實施例的有機發光裝置的剖面圖。
本發明實施例現在將參照附圖而更充分地描述，其中示範實施例如圖所示。
參照第1A及1B圖，有機發光裝置包含元件基板10、封裝基板30、第一電極21、絕緣層23、有機層25、第二電極27、密封構件50以及包含第一部分40a的第三電極40。第一電極21、絕緣層23、有 機層25及第二電極27可構成有機發光元件20。同時，有機發光裝置包含在元件基板10與封裝基板30之間的空間60。
第1A圖是繪示根據一實施例的有機發光裝置的剖面圖(沿著第1B圖的I-I’線所截取的剖面圖)；第1B圖是第1A圖的有機發光裝置的平面圖，其中封裝基板30、第二電極27、有機層25及絕緣層23並沒有顯示。
參照第1A及1B圖，有機發光裝置包含元件基板10、封裝基板30、第一電極21、絕緣層23、有機層25、第二電極27、密封構件50以及包含第一部分40a的第三電極40。第一電極21、絕緣層23、有機層25及第二電極27可構成有機發光元件20。同時，有機發光裝置包含在元件基板10與封裝基板30之間的空間60。
可為任何使用在傳統有機發光裝置的基板之元件基板10可為具有卓越機械強度、熱穩定性、透光率、表面平滑度、易於處理以及抗水性的玻璃基板或透明塑膠基板。舉例來說，元件基板10可包括像是主要由SiO2形成的透明玻璃材料之無機材料，或像是透明塑膠材料之絕緣有機材料。絕緣有機材料可選自由例如聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基酯(polyallylate)、聚醯亞胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)、醋酸丙酸纖維素(CAP)所組成的群組中，但本實施例並不限於此。
如果第1A圖的有機發光裝置是底部發射裝置，其中光是從有機發光元件20向元件基板10發射，該元件基板10可包括透明材料。然而，如果第1A圖的有機發光裝置是頂部發射裝置，其中光是從有機發光元件20以相反於元件基板10的方向發射，該元件基板10可包括非透 明材料。在後續的案例中，元件基板10可包括金屬。如果元件基板包括金屬，元件基板10可包含至少一選自由碳、鐵、鉻、鎂、鎳、鈦、鉬、不鏽鋼(SUS)、因瓦(Invar)合金、英高鎳(Inconel)合金及柯華(Kovar)合金所組成的群組中之材料，但本實施例並不限於此。
雖然沒有顯示在第1A圖中，用以平坦化元件基板10以及防止不純物滲透的緩衝層(未顯示)可形成在元件基板10的頂部表面上。
元件基板10包含發光區A與非發光區(非第1B圖中的發光區”A”的區域)。
封裝基板30可被設置以面對元件基板10。封裝基板30可被形成以覆蓋發光區A。
封裝基板30可包括各種材料。對於有關封裝基板30的材料之資訊，參照元件基板10的前述材料。
有機發光元件20設置在元件基板10與封裝基板30之間。有機發光元件20可包含第一電極21、絕緣層23、有機層25及第二電極27。
第一電極21可為陽極(電洞注入電極)，以及可使用具有高功函數的材料藉由沉積或濺鍍而形成。第一電極21可包含至少一選自由金屬與導電氧化物所組成的群組中之材料。舉例來說，第一電極21可包含選自銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)及二或多個金屬之組合中的金屬；或選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦(In2O3)中的導電氧化物。或者，第一電極21可包括金屬與導電氧化物的組合(例如混合物或多層結構)。舉例來說，第一電極21可包括ITO，但本實施例並不限於此。
絕緣層23可作為像素定義層。絕緣層23可包括一般絕緣材料。舉例來說，絕緣層23可包括氧化矽或氮化矽，但本實施例並不限於此。
有機層25可包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電洞阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)中的至少之一。有機層25中的每一層將於稍後解釋。
第二電極27可為陰極(電子注入電極)，以及可包括具有相對低功函數的金屬、合金、電傳導化合物或其混合物。這樣的材料之例子包含鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)及鎂-銀(Mg-Ag)。或者，第二電極27可包括ITO或IZO以實現頂部發射的發光元件。
有機發光元件20設置在如上所述的元件基板10與封裝基板30之間，以及元件基板10與封裝基板30可藉由圍繞發光區A的密封構件50而彼此連接。密封構件50可包括黏著材料從以致於連接元件基板10至封裝基板30。此外，為了防止外面的氧及/或水分滲入封裝基板30與元件基板10之間的空間60，密封構件50可具有防止水分及/或氧的特性。
密封構件50可包含接著劑與玻璃粉中的至少之一。
接著劑可包含有機接著劑、無機接著劑及有機/無機複合接著劑中的至少之一。接著劑可為接著劑前驅物(例如用於形成接著劑的單體)的固化產物(例如交聯產物)。
有機接著劑的例子可包含丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚異戊二烯、乙烯系樹脂、環氧系樹脂、氨基甲酸酯系樹脂及纖維素系樹脂。
丙烯酸系樹脂的例子可包含丙烯酸丁酯及丙烯酸乙基己酯。甲基丙烯酸系樹脂的例子可包含甲基丙烯酸丙二醇酯及甲基丙烯酸四氫糠酯。乙烯系樹脂的例子可包括醋酸乙烯酯及N-乙烯吡咯烷酮。環氧系樹脂的例子可包含環脂族環氧化物、環氧丙烯酸酯及乙烯環氧系樹脂。氨基甲酸酯系的例子可包含丙烯酸氨基甲酸酯。纖維素系樹脂的例子可包含硝酸纖維素。然而，本實施例並不限於此。
無機接著劑的例子可包含氧化鈦、氧化矽、氧化鋯及氧化鋁。
有機/無機複合接著劑的例子可包含3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷或其聚合物；環氧矽酸酯；乙烯基矽烷，像是乙烯基三乙氧基矽烷或其聚合物；胺基矽烷或其衍生物，像是3-氨基丙基三乙氧基矽烷或其聚合物；甲基丙烯酸矽烷，像是3-(三甲氧基甲矽烷基)丙基丙烯酸酯(3-(trimethoxysilyl)propyl acrylate)或其聚合物；以及芳基矽烷或其衍生物，像是苯基矽烷或其聚合物，但本實施例並不限於此。
玻璃粉可藉由在玻璃粉前驅物上執行熱處理(例如熔融)而獲得。玻璃粉前驅物可為各種金屬氧化物與非金屬氧化物中的任何一種。熱處理可藉由使用例如雷射光束而在玻璃粉前驅物上執行，但本實施例並不限於此。
同時，密封構件50可包含由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的固化產物中的至少之一：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g， 其中Q1是由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地選自由-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2與-CF3所組成的群組中；Y1是二價有機基；Z1是C1-C30烷基或由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是C1-C30烷氧基或由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為1至20的整數；b、c與d各自獨立地為0至200的整數，且b、c與d全為0的事例是排除在外的；f是0至10的整數；以及g是0至3的整數。
在化學式1中，Q1可為由-CF2-、-CHF-、-CF(CF3)-或-C(CF3)2-表示的二價基。舉例來說，Q1可為-CF2-。a可為1至5的整數，例如2、3或4，但本實施例並不限於此。如果a是2或更大，至少兩個Q1可為相同或不同的。
舉例來說，在化學式1中，“F-[Q1]a-”可為CF3CF2CF2-，但本實施例並不限於此。
在化學式1中，Q2可為由-CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2CF2-、-CF2CF2CH2-或-CH2CF2CHF-表示的二價基。舉例來說，Q2可為-CF2CF2CF2-或-CF2CF2CH2-。b可為0至50的整數，例如0至31的整數，但本實施例並不限於此。如果b是2或更大，至少兩個Q2可為相同或不同的。
舉例來說，在化學式1中，b可為0。或者，在化學式1中，“-[Q2-O]b-”可為-(CF2CF2CF2O)21CF2CF2CH2O-、-(CF2CF2CF2O)30CF2CF2CH2O-、-(CF2CF2CF2O)21-、-(CF2CF2CF2O)11CF2CF2CH2O-或-(CF2CF2CF2O)11-，但本實施例並不限於此。
在化學式1中，Q3可為-CF2CF2-、-CF(CF3)CF2-、-CF2CH2-、-CF(CF3)CH2-或-CH2CHF-表示的二價基。c可為0至20的整數，例如0至10的整數或例如1至6的整數，但本實施例並不限於此。如果c是2或更大，至少兩個Q3可為相同或不同的。
舉例來說，在化學式1中，c可為0。或者，在化學式1中，“-[Q3-O]c-”可為-CF(CF3)CH2O-、-[CF(CF3)CF2O]3-、-[CF(CF3)CF2O]3CF(CF3)CH2O-、-[CF(CF3)CF2O]4CF(CF3)CH2O-或-[CF(CF3)CF2O]5CF(CF3)CH2O-，但本實施例並不限於此。
在化學式1中，Q4可為-CF2-、-CF(CF3)-、-CHF-或-CH(CF3)-表示的二價基。d可為0至20的整數，例如0至10的整數，但本實施例並不限於此。如果d是2或更大，至少兩個Q4可為相同或不同的。
舉例來說，在化學式1中，d可為0。或者，在化學式1中，“-[Q4-O]d-”可為-(CF2O)10-，但本實施例並不限於此。
在化學式1中，Q5可為-CH2-、-CF2-、-CF(CF3)-、-CHF-或-CH(CF3)-表示的二價基。e可為1至20的整數，例如1至10的整數或例如1至3的整數，但本實施例並不限於此。如果e是2或更大，至少兩個Q5可為相同或不同的。
舉例來說，在化學式1中，“-[Q5]e-”可為-CH2CH2CH2-、-CF2CF2-或-CF(CF3)-，但本實施例並不限於此。
在化學式1中，Y1可為選自由-CONH-、-Si(R20)(R21)-、C2-C20伸烷基(例如乙烯基、丙烯基、丁烯基或戊稀基)及由至少一個-F取代的C2-C20伸烷基所組成的群組中的二價基。這裡，R20與R21可各自獨立地選自由C1-C10烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基)、由至少一個F取代的C1-C10烷基、C1-C10烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基)及由至少一個-F取代的C1-C10烷氧基所組成的群組中。f可為0至5的整數。當Y1包含-F時，Y1可包含至少兩個-F，例如至少5個-F。
在化學式1中，f可為0。或者，在化學式1中，“-[Y1]f-”可為-CONH-CH2CH2CH2-、-Si(Me)2-Si(OMe)2-CH2CH2-或-CONH-CH2CH2CH2-Si(Me)2-Si(OMe)2-CH2CH2-，但本實施例並不限於此。(上述中，Me是甲基。)
在化學式1中，Z1可為C1-C10烷基或由至少一個-F取代的C1-C10烷基。舉例來說，Z1可為甲基、乙基、丙基、丁基或戊基。當Z1包含-F時，Z1可包含至少兩個-F，例如至少5個-F。
在化學式1中，Z2可為C1-C10烷氧基或由至少一個-F取代的C1-C10烷氧基。舉例來說，Z2可為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。當Z2包含-F時，Z2可包含至少兩個-F，例如至少5個-F。
在化學式1中，g可為0、1、2或3。例如g可為0。舉例來說，在化學式1中，Q1可為-CH2-、-CHF-、-CH(CF3)-或-C(CF3)2-表示的二價基；a可為2、3或4；Q2可為-CF2CF2CF2-或-CF2CF2CH2-表示的二價基；b可為0至31的整數；Q3可為-CF2CF2-、-CF(CF3)CF2-、-CF2CH2-、-CF(CF3)CH2-或-CH2CHF-表示的二價基；c可為0至10的整數；Q4可為-CF2-、-CF(CF3)-、-CHF-或-CH(CF3)-表示的二價基；d可為0至10的整數；Q5可為-CH2-、-CF2-、-CF(CF3)-、-CHF-或-CH(CF3)-表示的二價基；e可為1至10的整數；-[Y1]f-可為-CONHCH2CH2CH2-、-Si(Me)2-Si(OMe)2-CH2CH2-或-CONH-CH2CH2CH2-Si(Me)2-Si(OMe)2-CH2CH2-(Me=甲基)；Z1可為甲基、乙基、丙基、丁基或戊基；Z2可為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基；以及g可為0或1。
密封構件50可包含矽基化合物。用以固化由化學式1表示的矽基化合物之條件可考慮化學式1的結構來選擇。
同時，當密封構件50形成時，根據是否提供熱、交聯催化劑或類似物，可形成經交聯之矽基化合物的固化產物。因此，密封構件50可包含矽基化合物的固化產物。
或者，密封構件50可包含矽基化合物與該矽基化合物的固化產物二者。
同時，根據形成密封構件50所在的條件，自組裝單分子層(SAM)可額外地形成在密封構件50接觸元件基板10的區域、密封構件 50接觸封裝基板30的區域、密封構件50接觸第三電極240之第一部分240a的的區域、以及/或在密封構件50接觸將於稍後解釋的第三電極240之第二部分240b的區域中。SAM可藉由在矽基化合物的Z2與例如-OH之疏水基之間的反應而形成，其可存在於元件基板10、封裝基板30、第三電極40之第一部分40a、以及/或第三電極240之第二部分240b。SAM可包含一由化學式1a表示的部分：<化學式1a>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)h(Z2)2h-*。
對於有關由化學式1a表示的部分之資訊，參照化學式1。在化學式1a中，h是0至2的整數，以及*是與自矽基化合物形成SAM所在的區域之表面的結合位置。舉例來說，在化學式1a中，*是與元件基板10的表面、封裝基板30的表面、第三電極40之第一部分40a的表面、以及/或第三電極240之第二部分240b的表面之結合位置。
密封構件50的哪一個組合包含來自由化學式1表示的矽基化合物及該矽基化合物的固化產物(且可選擇地，形成自矽基化合物的SAM)中的至少之一可根據形成密封構件50所在的條件而變化。
矽基化合物可提供非常低的表面能量。因此，因為包含由化學式1表示的矽基化合物及該矽基化合物的固化產物(且可選擇地，形成自矽基化合物的SAM)中的至少之一的密封構件50之曝露至外部的表面具有低表面能量，水分及/或氧本身可能不會貼附到密封構件50的表面。因此，可防止水分及/或氧滲透通過密封構件50。
密封構件50可具有包含兩個或更多材料的多層結構。
舉例來說，如第2圖所示，密封構件50可包含自元件基板10(或如將在稍後描述之自第三電極240的第二部分240b)依序堆疊的第一密封構件層51b、第二密封構件層53及第三密封構件層51a。第一密封構件層51b與第三密封構件層51a中的每一個可包括前述的接著劑。第二密封構件層53可包含由化學式1表示的矽基化合物及該矽基化合物的固化產物(且可選擇地，形成自矽基化合物的SAM)中的至少之一。
第三電極40設置在密封構件50外的非發光區上。在第1A圖中，第三電極40包含圍繞密封構件50的第一部分40a。第一電極21與第三電極40由相同的材料形成。舉例來說，第一電極21與第三電極40中的每一個可包括ITO，但本實施例並不限於此。
密封構件50的側表面與第三電極40之第一部分40a的側表面彼此接觸。因此，可實質上防止氧及/或水分通過密封構件50的側表面而滲入封裝基板30與元件基板10之間的空間60，因而防止有機發光元件20因氧及/或水分而劣化。
第三電極40可為沒有連接到供電來源的”浮動電極”，不像第一電極21與第二電極27。
第一電極21的最大厚度L1以及第三電極40之第一部分40a的最大厚度L2可具有L1=L2的關係。
同時，第三電極40之第一部分40a的最大厚度L2以及密封構件50的最大厚度L3可具有L2 L3的關係。這裡，因為與密封構件50接觸的第三電極40之第一部分40a的一部份具有最大厚度L2，密封構件50的側表面可不被曝露至外部。因此，可有效地防止氧及/或水分通過密封構件50的側表面而滲入封裝基板30與元件基板10之間的空間60，因而防止有機發光元件20因水分及/或氧而劣化。
在元件基板10與封裝基板30之間的空間60可為一真空空間。
或者，水分吸收層(未顯示在第1A圖中)可進一步包含在元件基板10與封裝基板30之間的空間60中。
水分吸收層可位在封裝基板30的底部表面或密封構件50的內側上。
水分吸收層可吸收氧及/或水分，即使其是小量、存在於元件基板10與封裝基板30之間的空間60中。為此，水分吸收層可包含具有100nm或更少之平均直徑的金屬氧化物。金屬氧化物可為鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物。鹼金屬氧化物的例子可包含氧化鋰(Li2O)、氧化鈉(Na2O)及氧化鉀(K2O)，以及鹼土金屬氧化物的例子可包含氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)及氧化鎂(MgO)，但本實施例並不限於此。
水分吸收層可進一步選擇性地包含接著劑與分散劑。
或者，填充劑(未顯示在第1A圖中)可填充在元件基板10與封裝基板30之間的空間60。因此，在元件基板10與封裝基板30之間的空間60被有機發光元件20與填充劑完全地填充，以及在元件基板10與封裝基板30之間可能沒有空的空間。
填充劑可為具有預定可見光穿透率的材料，以致於實質上不會與有機發光元件20的材料反應且能使自有機發光元件20發射的光被有效地吸取至外部。舉例來說，填充劑可為矽、環氧樹脂或類似物。
同時，填充劑可包含由化學式1表示的矽基化合物及該矽基化合物的固化產物(且可選擇地，形成自矽基化合物的SAM)中的至少之一。化學式1在上面已被描述，且將不會在此描述。
因為矽基化合物具有低表面能量，如果由化學式1表未的矽基化合物使用作為填充劑，存在於元件基板10與封裝基板30之間的空間60中之水分及/或氧，即使其是小量，可被防止到達有機發光元件20。因此，有機發光元件20可有效地防止因水分及/或氧而劣化，因而有可能實現具有長的使用壽命之有機發光裝置。
如第1A與1B圖所示之製造有機發光裝置的方法現在將參照第3A至3D圖來解釋。
首先，製備包含發光區與非發光區的元件基板10。元件基板10可包含驅動電晶體或交換電晶體。
接下來，如第3A圖所示，第一電極21形成在元件基板10的發光區，以及包含第一部分40a的第三電極40形成在元件基板10的非發光區。在這種情況下，第三電極40與第一電極21可同時形成。舉例來說，各自由ITO形成之第一電極21與第三電極40可藉由在元件基板的發光區與非發光區形成ITO層且同時圖樣化第一電極21與第三電極40而同時形成。或者，各自由ITO形成之第一電極21與第三電極40可藉由使用包含第一電極21與第三電極40之圖案的光罩在元件基板10上沉積ITO而同時形成。在這種情況下，第一電極21的厚度L1與第三電極的厚度L2可相同。
根據此方法，因為當第一電極21形成時第三電極也形成，形成第三電極40之分離程序是不必要的。因此，製造有機發光裝置的方法可在低成本下以容易與簡單的方式來執行。
第一電極21與第三電極40可藉由熟知的方法而形成(例如雷射蝕刻、濕蝕刻、或使用包含預定圖案之光罩的沉積)。
接下來，如第3B圖所示，依序形成在第一電極21兩端形成的絕緣層23、有機層25及第二電極27，因而形成有機發光元件20。
現在將解釋包含在有機層25中之每一層的材料與形成方法。
HIL可藉由任何像是真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄或藍穆爾-布拉吉(LB)沉積之熟知的方法而形成。如果HIL是藉由真空沉積形成，沉積條件可根據被使用以形成HIL之標的化合物及欲形成之HIL的結構與熱特性而變化。舉例來說，沉積條件可包含約100℃至約500℃的沉積溫度、約10-10至約10-3托耳(torr)的真空度及約0.01至100Å/sec的沉積速率。同時，如果HIL是藉由旋轉塗佈形成，塗佈條件可根據被使用以形成HIL之標的化合物及欲形成之HIL的結構與熱特性而變化。舉例來說，塗佈條件可包含約2000rpm至約5000rpm的塗佈速度及約80℃至200℃的熱處理溫度(其中溶劑在塗佈之後移除)。
HIL可包括通常用來形成HIL的任何材料。可被使用以形成HIL之材料的例子包含像是銅鈦菁的酞菁化合物、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA，參見下列化學式)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(NPB)、TDATA(參見下列化學式)、2T-NATA(參見下列化學式)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)及聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)，但本實施例並不限於此。
HIL的厚度可在約10至約10,000Å的範圍中，例如約100至約1,000Å。當HIL的厚度是在此範圍時，HIL可在沒有增加驅動電壓的情況下具有卓越的電洞注入性質。
HTL可藉由選自於像是真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄及藍穆爾-布拉吉(LB)沉積之各種熟知方法中的方法而形成。在這方面，沉積條件與塗佈條件可根據標的化合物及欲形成之HTL的結構與熱特性而變化，但可為相同或相似於參照HIL所描述的那些。
HTL可包括通常用來形成HTL的任何材料。可被使用以形成HTL之材料的例子包含：N-苯基味唑；像是N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(TPD)之具有芳香族縮合環的胺衍生物；以及像是4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)的三苯胺基材料。在這些材料中，TCTA不僅可傳輸電洞還可抑制激子自EML漫射。
HTL的厚度可在約50至1,000Å的範圍中，例如約100至約600Å。當HTL的厚度是在此範圍時，HTL可在沒有實質增加驅動電壓的情況下具有卓越的電洞傳輸性質。
EML可藉由任何像是真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄或藍穆爾-布拉吉(LB)沉積之熟知的方法而形成。在這方面，沉積條件與塗佈條件 可根據標的化合物及欲形成之EML的結構與熱特性而變化，但可為相同或相似於參照HIL所描述的那些。
EML可僅包含單一發光材料。然而，在某些情況下，EML可包含主體(host)與摻雜物(dopant)。
主體的例子可包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、4,4'-N,N'-二咔唑-聯苯(CBP)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯並咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)及E3，但本實施例並不限於此。
同時，熟知的紅色摻雜物之例子包含PtOEP、Ir(piq)3及Btp2Ir(acac)，但本實施例並不限於此。
此外，熟知的綠色摻雜物之例子包含Ir(ppy)3(ppy=苯基比啶)、Ir(ppy)2(acac)及Ir(mpyp)3，但本實施例並不限於此。
同時，熟知的藍色摻雜物之例子包含F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三茀(ter-fluorene)、4,4’-雙[4-(二對甲苯氨基)苯乙烯基]聯苯(DPAVBi)及2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBP)，但本實施例並不限於此。
EML的厚度可在約100至1,000Å的範圍中，例如約100至約600Å。當EML的厚度是在此範圍時，EML可在沒有實質增加驅動電壓的情況下具有卓越的發光性質。
舉例來說，如果EML包含磷光化合物，阻擋三重態激子或電洞漫射進入例如陰極的HBL可進一步形成在EML上。HBL可藉由選自於像是真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄及藍穆爾-布拉吉(LB)沉積之各種熟知方法中的方法而形成。在這方面，沉積條件與塗佈條件可根據標的化合物及欲形成之HBL的結構與熱特性而變化，但可為相同或相似於參照HIL所描述的那些。
HBL可包括任何熟知的電洞阻擋材料。在這方面，電洞阻擋材料的例子可包含噁二唑衍生物、三唑衍生物及二氮雜菲衍生物。
HBL的厚度可在約50至1,000Å的範圍中，例如約100至約300Å。當HBL的厚度是在此範圍時，HBL可在沒有實質增加驅動電壓的情況下具有卓越的電洞阻擋性質。
ETL可藉由選自於像是真空沉積、旋轉塗佈、澆鑄及藍穆爾-布拉吉(LB)沉積之各種熟知方法中的方法而形成在EML或HBL上。在這方面，沉積條件與塗佈條件可根據標的化合物及欲形成之ETL的結構與熱特性而變化，但可為相同或相似於參照HIL所描述的那些。
ETL可包括任何熟知的電子傳輸材料。電子傳輸材料的例子包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、TAZ、4,7-二苯基-1,10-二氮雜菲(Bphen)、BCP、BeBq2及BAlq：
ETL的厚度可在約100至約1,000Å的範圍中，例如約200至約500Å。當ETL的厚度是在此範圍時，ETL可在沒有實質增加驅動電壓的情況下具有卓越的電子傳輸性質。
EIL可形成在ETL上。EIL可包括任何像是氟化鋰、氯化鈉、氟化銫、氧化鋰或氧化鋇之熟知的電子注入材料。用以形成EIL的沉積條件可根據被使用以形成EIL的化合物而變化，但可為相似於參照HIL所描述的那些。
EIL的厚度可在約1至約100Å的範圍中，例如約5至約50Å。當EIL的厚度是在此範圍時，EIL可在沒有實質增加驅動電壓的情況下具有令人滿意的電子注入性質。
接下來，第二電極27形成在有機層25上。
同時，如第3C圖所示，封裝基板30被製備。在這種情況下，封裝基板30的寬度L12可在顧及第三電極40內之元件基板10的區域的寬度L11(參見第3A與3B圖)之考量下而決定。為了實現如第1A圖所示的有機發光裝置，封裝基板30的寬度L12可決定與第三電極40內之元件基板10的區域的寬度L11相同。
接下來，如第3D圖所示，組裝封裝基板30與元件基板10使得封裝基板30覆蓋發光區A，用以形成提供在元件基板10與封裝基板30之間的密封構件50的密封構件成形材料50a經歷第一程序D以形成提供在第三電極40內的非發光區之密封構件50而圍繞發光區，以及元件基板10與封裝基板30彼此連接。
用以自密封構件成形材料50a形成密封構件50的第一程序D可根據所選擇的密封構件成形材料50a而變化。舉例來說，第一程序D可為用以移除包含在密封構件成形材料50a內之溶劑的軟烤、用以固 化密封構件成形材料50a的紫外線照射及/或熱處理、或用以熔化密封構件成形材料50a且為一種熱處理之雷射光束照射。
舉例來說，用以將元件基板10與封裝基板30彼此連接的密封構件50之提供可藉由i)在元件基板10與封裝基板30之間提供一接著劑前驅物並固化接著劑前驅物(藉由使用例如紫外線照射或熱處理)、ii)在元件基板10與封裝基板30之間提供一玻璃粉前驅物並執行熱處理(例如雷射光束照射)、以及iii)在元件基板10與封裝基板30之間提供由化學式1表示的矽基化合物中的至少之一而執行。化學式1如上所述，且這裡將不再描述。
同時，製造有機發光裝置的方法可進一步包含a)在元件基板10與封裝基板30之間的空間60產生真空、b)提供水分吸收層至元件基板10與封裝基板30之間的空間60、以及c)提供填充劑至元件基板10與封裝基板30之間的空間60。填充劑更詳細地描述於上文。
這裡，填充劑的提供可例如在提供填充劑至第3C圖中的封裝基板30的內部區域C之後，藉由連接元件基板10與封裝基板30而執行。
第4A圖是繪示根據另一實施例的有機發光裝置的剖面圖(沿著第4B圖的I-I’線所截取的剖面圖)；第4B圖是第4A圖的有機發光裝置的平面圖，其中封裝基板130、第二電極127、有機層125及絕緣層123並沒有顯示。如第4A及4B圖所示的有機發光裝置包含元件基板110、封裝基板130、第一電極121、絕緣層123、有機層125、第二電極127、密封構件150、包含第一部分140a的第三電極140以及第一層170。第一電極121、絕緣層123、有機層125及第二電極127可構成有 機發光元件120。有機發光裝置可包含在元件基板110與封裝基板130之間的空間160。
對於有關第4A及4B圖之有機發光裝置的元件基板110、封裝基板130、第一電極121、絕緣層123、有機層125、第二電極127、密封構件150、包含第一部分140a的第三電極140以及在元件基板110與封裝基板130之間的空間160之資訊，參照第1A及1B圖的元件基板10、封裝基板30、第一電極21、絕緣層23、有機層25、第二電極27、密封構件50、包含第一部分40a的第三電極40以及在元件基板10與封裝基板30之間的空間60。
在第4A及4B圖的有機發光裝置中，密封構件150與第三電極140的第一部分140a是彼此分開的，以及在密封構件150與第三電極140的第一部分140a之間的空間可被第一層170填充。這裡，第一層170可包含由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的固化產物(且可選擇地，形成自矽基化合物的SAM)中的至少之一。化學式1如上所述，且這裡將不會再描述。
因為矽基化合物可提供非常低的表面能量，第一層170之曝露至外部空氣的表面之表面能量是非常低的。因此，因為水分及/或氧不僅藉由第三電極140還有第一層170而被防止，所以可有效地防止第4A及4B圖之有機發光裝置的有機發光元件120因水分及/或氧而劣化，因而延長有機發光裝置的使用壽命。
第4A及4B圖的有機發光裝置可藉由連接元件基板110與封裝基板130而製造，使得封裝基板130的寬度L12(參見第3C圖)小於在第三電極140內之元件基板110的寬度L11(參見第3C圖)以及在密封構件150與第三電極140的第一部分40a之間的空間中形成第一層170。 第一層170可藉由任何像是噴墨印刷或噴嘴印刷之熟知的方法提供由化學式1表示之矽基化合物(且可選擇地，溶劑)至形成在密封構件150與第三電極140的第一部分140a之間的空間，以及執行像是軟烤的額外程序而形成，但本實施例並不限於此。
第5圖是繪示根據另一實施例的有機發光裝置的剖面圖。第5圖的有機發光裝置包含元件基板2、10、封裝基板230、第一電極221、絕緣層223、有機層225、第二電極227、密封構件250、包含第一部分240a與第二部分240b的第三電極240以及第一層270。第一電極221、絕緣層223、有機層225以及第二電極227可構成有機發光元件220。有機發光裝置包含在元件基板210與封裝基板230之間的空間260。
對於有關第5圖之有機發光裝置的元件基板210、封裝基板230、第一電極221、絕緣層223、有機層225、第二電極227、密封構件250、第一層270、第一部分240a、第三電極240以及在元件基板210與封裝基板230之間的空間260之資訊，參照第4A及4B圖之有機發光裝置的的元件基板110、封裝基板130、第一電極121、絕緣層123、有機層125、第二電極127、密封構件150、第一層170、第一部分140a、第三電極140以及在元件基板110與封裝基板130之間的空間160。
第5圖之有機發光裝置的第三電極240包含圍繞密封構件250的第一部分240a，以及進一步包含自第三電極240的第一部分240a向密封構件250延伸的第二部分240b。第三電極240的第一部分240a的最大厚度L2與第三電極240的第二部分240b的最大厚度L5可具有L2 L5的關係。
因為形成第三電極240的第二部分240b，可有效地防止水分及/或氧滲透。
製造第5圖之有機發光裝置的方法將參照第6A至6D圖來解釋。
首先，如第6A圖所示，元件基板210被製備，以及接著同時形成第一電極221與第三層241。第一電極221與第三層241的形成可藉由同時形成第一電極221與第三電極240而不用形成第三層241的分離程序來執行，像是在第6A圖之第一電極21與第三電極240的形成。
接下來，如第6B圖所示，第三層241的部分被圖樣化並因此形成第三層241的第一部分240a與第二部分240b，因而形成第三電極240。第一部分240a與第二部分240b可藉由像是雷射蝕刻或濕蝕刻之一般圖樣化方法而形成。
接下來，如第6C圖所示，絕緣層223、有機層225及第二電極227依序形成，如參照第3B圖的詳細解釋。
接下來，如第6D圖所示，組裝封裝基板230與元件基板210使得向元件基板210延伸之封裝基板230的一部份是位在第三電極240的第二部分240b，密封構件250是提供在封裝基板230與元件基板210之間(詳細地，在封裝基板230與第三電極240的第二部分240b之間)，以及封裝基板230與元件基板210是連接的，如參照第3D圖的詳細解釋。
接下來，第一層270形成在密封構件250與第三電極240的第一部分240a之間所形成的空間280中，因而完整地製造第5圖的有機發光裝置。
第7圖是繪示根據另一實施例的有機發光裝置的剖面圖。第7圖的有機發光裝置包含元件基板310、封裝基板330、第一電極321、絕緣層323、有機層325、第二電極327、密封構件350、包含第一部分 340a的第三電極340、以及孔洞311。第一電極321、絕緣層323、有機層325及第二電極327可構成有機發光元件320。有機發光裝置包含在元件基板310與封裝基板330之間的空間360。
對於有關第7圖之有機發光裝置的元件基板310、封裝基板330、第一電極321、絕緣層323、有機層325、第二電極327、密封構件350、第一部分340a、第三電極340以及在元件基板310與封裝基板330之間的空間360之資訊，參照第1A及1B圖之有機發光裝置的元件基板10、封裝基板30、第一電極21、絕緣層23、有機層25、第二電極27、密封構件50、第一部分40a、第三電極40以及在元件基板10與封裝基板30之間的空間60。
第7圖之有機發光裝置的元件基板310包含對應於密封構件350的孔洞311。因此，密封構件350形成在孔洞311中。因此，因為可防止密封構件350曝露至外部空氣，通過密封構件350的側表面之氧及/或水分滲透可以有效地被防止。
第7圖的有機發光裝置可藉由製備孔洞311已形成於其中之元件基板310來製造。
雖然根據本發明實施例之有機發光裝置與其製造方法已參照第1A圖至第7圖而被解釋，可能做各種的修改。舉例來說，第5圖之有機發光裝置的密封構件250的側表面與第三電極240之第一部分240a的側表面可彼此接觸，以及第1圖之有機發光裝置的元件基板10可進一步包含對應於密封構件50的孔洞。
根據本發明實施例之有機發光裝置具有長的使用壽命，因為其可實質上防止水分及/或氧滲透。
10‧‧‧元件基板
20‧‧‧有機發光元件
21‧‧‧第一電極
23‧‧‧絕緣層
25‧‧‧有機層
27‧‧‧第二電極
30‧‧‧封裝基板
40‧‧‧第三電極
40a‧‧‧第一部分
50‧‧‧密封構件
60‧‧‧空間
L1‧‧‧第一電極的最大厚度
L2‧‧‧第一部分的最大厚度
L3‧‧‧密封構件的最大厚度

Claims (28)

  1. 一種有機發光裝置，其包括：一元件基板，包括一發光區與一非發光區；一封裝基板，覆蓋該發光區；一第一電極，形成在該發光區上且設置在該元件基板與該封裝基板之間；一有機層，設置在該封裝基板與該第一電極之間；一第二電極，設置在該有機層與該封裝基板之間；一密封構件，圍繞該發光區；以及一第三電極，設置在該密封構件外的該非發光區上，包括一圍繞該密封構件的第一部分，以及包括與該第一電極相同的材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一電極與該第三電極中的每一個包括金屬與導電氧化物中的至少之一。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一電極與該第三電極中的每一個包括氧化銦錫(ITO)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該密封構件包括接著劑與玻璃粉中的至少之一。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該密封構件包括一由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的一固化產物中的至少之一： <化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g，其中Q1是一由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是一由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是一由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是一由-C(R13)(R14)-表示的二價基；、Q5是一由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地選自由-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2與-CF3所組成的群組中；Y1是一二價有機基；Z1是一C1-C30烷基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是一C1-C30烷氧基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為一1至20的整數；b、c與d各自獨立地為一0至200的整數，且其中b、c與d不全為0；f是一0至10的整數；以及g是一0至3的整數。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該密封構件依序包括一第一密封構件層、一第二密封構件層及一第三密封構件層，其中該第一密封構件層與該第三密封構件層中 的每一個包括一接著劑，以及該第二密封構件層包括由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的一固化產物中的至少之一：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g，其中Q1是一由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是一由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是一由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是一由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是一由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地為-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2或-CF3；Y1是一二價有機基；Z1是一C1-C30烷基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是一C1-C30烷氧基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為一1至20的整數；b、c與d各自獨立地為一0至200的整數，且其中b、c與d不全為0；f是一0至10的整數；以及g是一0至3的整數。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該密封構件的一側表面與該第三電極的該第一部分的一側表面彼此接觸。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中當該第一電極的一最大厚度是L1以及該第三電極之該第一部分的一最大厚度是L2時，L1=L2。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中當該第三電極之該第一部分的一最大厚度是L2以及該密封構件的一最大厚度是L3時，L2 L3。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中在該元件基板與該封裝基板之間的空間是一真空空間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其進一步包括一設置在該元件基板與該封裝基板之間的空間中之水分吸收層。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中一填充劑填充在該元件基板與該封裝基板之間的空間。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中該填充劑包括由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的一固化產物中的至少之一：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g，其中Q1是一由-C(R1)(R2)-表示的二價基； Q2是一由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是一由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是一由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是一由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地為-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2或-CF3；Y1是一二價有機基；Z1是一C1-C30烷基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是一C1-C30烷氧基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為一1至20的整數；b、c與d各自獨立地為一0至200的整數，且其中b、c與d不全為0；f是一0至10的整數；以及g是一0至3的整數。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該密封構件與該第三電極的該第一部分是彼此分開的，在該密封構件與該第三電極的該第一部分之間的空間填充一第一層，以及該第一層包括由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的一固化產物中的至少之一：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g， 其中Q1是一由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是一由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是一由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是一由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是一由一C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地為-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2或-CF3；Y1是一二價有機基；Z1是一C1-C30烷基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是一C1-C30烷氧基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為一1至20的整數；b、c與d各自獨立地為一0至200的整數，且其中b、c與d不全為0；f是一0至10的整數；以及g是一0至3的整數。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光裝置，其中當該密封構件的一最大厚度是L3以及該第一層的一最大厚度是L4時，L3 L4。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第三電極具有一自該第三電極的該第一部分向該密封構件延伸的第二部分，以及該第三電極的該第二部分是位在該密封構件與該元件基板之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光裝置，其中，當該第三電極的該第一部分的一最大厚度是L2以及該第三電極的該第二部分的一最大厚度是L5時，L2 L5。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光裝置，其中該密封構件與該第三電極的該第一部分是彼此分開的，在該密封構件與該第三電極的該第一部分之間的空間填充一第一層，以及該第一層包括由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的一固化產物中的至少之一：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g，其中Q1是一由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是一由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是一由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是一由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是一由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地為-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2或-CF3；Y1是一二價有機基；Z1是一C1-C30烷基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是一C1-C30烷氧基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為一1至20的整數； b、c與d各自獨立地為一0至200的整數，且其中b、c與d不全為0；f是一0至10的整數；以及g是一0至3的整數。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該元件基板包括一對應於該密封構件的孔洞，以及該密封構件設置在該孔洞中。
  20. 一種製造有機發光裝置的方法，該方法包括：製備一包括一發光區與一非發光區之元件基板；形成一第一電極在該發光區上，以及在非發光區上形成一包括一第一部分及包括與該第一電極相同的材料之第三電極；形成一有機層在該第一電極上；形成一第二電極在該有機層上；以及藉由組裝一封裝基板與該元件基板而將該元件基板與該封裝基板彼此連接，使得該封裝基板覆蓋該發光區，以及提供一密封構件至該第三電極內的該非發光區以圍繞該發光區。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該第一電極與該第三電極中的每一個包括至少一選自由金屬與導電氧化物所組成的群組中之材料。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該第一電極與該第三電極中的每一個包括氧化銦錫(ITO)。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中將該元件基板與該封裝基板彼此連接以及提供該密封構件的該步驟進一步包括下列中的至少之一：在該元件基板與該封裝基板之間提供一接著劑前驅物並固化該接著劑前驅物、在該元件基板與該封裝基板之間提供一玻璃粉前驅物並執行熱處理、以及在該元件基板與該封裝基板之間提供一由化學式1表示的矽基化合物：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g，其中Q1是一由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是一由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是一由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是一由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是一由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地為-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2或-CF3；Y1是一二價有機基；Z1是一C1-C30烷基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是一C1-C30烷氧基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為一1至20的整數；b、c與d各自獨立地為一0至200的整數，且其中b、c與d不全為0； f是一0至10的整數；以及g是一0至3的整數。
  24. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其進一步包括在該元件基板與該封裝基板之間的空間中產生一真空、提供一水分吸收層至該元件基板與該封裝基板之間的空間、以及提供一填充劑至該元件基板與該封裝基板之間的空間中的至少之一。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該填充劑包括一由化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的一固化產物中的至少之一：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g，其中Q1是一由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是一由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是一由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是一由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是一由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地為-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2或-CF3；Y1是一二價有機基；Z1是一C1-C30烷基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷基； Z2是一C1-C30烷氧基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為一1至20的整數；b、c與d各自獨立地為一0至200的整數，且其中b、c與d不全為0；f是一0至10的整數；以及g是一0至3的整數。
  26. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其在將該元件基板與該封裝基板彼此連接的該步驟之後，進一步包括提供一包括由一化學式1表示的矽基化合物與該矽基化合物的一固化產物中的至少之一的第一層至該密封構件與該第三電極的該第一部分之間的空間：<化學式1>F-[Q1]a-O-[Q2-O]b-[Q3-O]c-[Q4-O]d-[Q5]e-[Y1]f-Si(Z1)g(Z2)3g，其中Q1是一由-C(R1)(R2)-表示的二價基；Q2是一由-C(R3)(R4)-C(R5)(R6)-C(R7)(R8)-表示的二價基；Q3是一由-C(R9)(R10)-C(R11)(R12)-表示的二價基；Q4是一由-C(R13)(R14)-表示的二價基；Q5是一由-C(R15)(R16)-表示的二價基；R1至R16各自獨立地選自由-H、-F、-CH3、-CH2F、-CHF2與-CF3所組成的群組中； Y1是一二價有機基；Z1是一C1-C30烷基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷基；Z2是一C1-C30烷氧基或一由至少一個-F取代的C1-C30烷氧基；a與e各自獨立地為一1至20的整數；b、c與d各自獨立地為一0至200的整數，且其中b、c與d不全為0；f是一0至10的整數；以及g是一0至3的整數。
  27. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中形成該第一電極與該第三電極的該步驟進一步包括額外地形成一自該第三電極的該第一部分向該密封構件延伸的第二部分。
  28. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中提供包括該發光區與該非發光區之該元件基板的該步驟進一步包括形成一對應於在該元件基板的該非發光區中之該密封構件的孔洞。
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