JP5875102B2 - 半導体モジュールの製造方法 - Google Patents
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Description
セラミックス絶縁板104は、その原料として、Al2O3,AlN,Si3N4などが用いられており、その熱伝導率は、原料がAl2O3の場合は約20W/m・K、原料がAlNの場合は160〜180W/m・K、原料がSi3N4の場合は80W/m・K程度であり、エポキシ樹脂に無機フィラーを配合した場合に比べて、1〜2桁高くなっているとされる。
また、有機材料からなる絶縁層を有する配線基板は、耐熱性の問題や長時間の使用による劣化(耐久性)の問題がある。
本発明は、無機材料で且つ低コストで電気絶縁層を構成することを解決すべき課題とする。
汎用部品の利用を可能とし、さらには製造プロセスを簡易化することで、製造コストを低減することも本発明が解決すべき課題である。
第2の発明は、半導体チップと、無機材絶縁層及び前記無機材絶縁層上に形成された配線を有する絶縁回路基板を備える半導体モジュールの製造方法であって、放熱基板の少なくとも表面の一部に、ナノ化されたSiO2粒子およびアルミナコートされた熱伝導率が130W/m・K以上の導電粒子を含む液材を塗布し、焼成することにより、前記無機材絶縁層を形成し、導電性金属インクを塗布し、焼成することにより、前記無機材絶縁層上に前記配線を形成して前記絶縁回路基板を形成し、前記絶縁回路基板上に前記半導体チップを搭載し、前記半導体チップを前記配線に電気的に接続することを特徴とする半導体モジュールの製造方法である。ここで、第2の発明には、無機材絶縁層と配線の間にプライマー層が存在する態様も含まれる。
第3の発明は、第1または2の発明において、前記放熱基板に、前記放熱基板の表面が露出し半導体チップが載置される載置部を設けるように、前記配線及び前記無機材絶縁層を形成することを特徴とする。
(b)のパワー半導体モジュール1は、放熱基板2上に形成された無機材絶縁層14の上に半導体チップ3が熱伝導性接着材により固定されている。半導体チップ3は、(a)と同様に配線13との間をワイヤボンド接続により電気的に接続されている。
なお、図1では、1個の半導体チップを配置する態様を図示しているが、複数個の半導体チップを設けることも当然可能である。
図示の放熱基板2は、表面が平面で内部に水冷構造(例えば、複数の微小開口を持つ薄銅板を積層し、上下を銅板で密閉した液室内で毛細管現象による環流が生じるヒートパイプ(特許文献3参照))を有するものである。放熱基板2は、熱伝導性及び電気特性に優れる材料であれば水冷構造を有するものに限定されず、例えば、銅板またはアルミ板により構成してもよい。
放熱基板2の表面には、無機材絶縁層14が設けられている。無機材絶縁層14は、無機材絶縁層14は、二酸化珪素(SiO2)とアルミナコートされた熱伝導率が130W/m・K以上の導電粒子を主要な成分とし、有機リン酸を含むジエチレングリコールモノブチルエーテルの溶剤でこれらを混ぜたインクを塗布、焼成して形成される。ここで、インクの塗布は、例えば、スクリーン印刷法、スプレーコート法、インクジェット法またはディスペンサー法により行われる。無機材絶縁層14の膜厚は、直接的な耐電圧の要請は無いため、最も厚い部分の膜厚が有機材絶縁層12と配線13との合計膜厚以上となるように適宜設定する。放熱基板2の表面に接触する領域の全てが、有機材絶縁層12と配線13との合計膜厚以上である必要はなく、部分的に他の箇所よりも薄い部分があってもよい。
第1の特徴は、成膜された無機材絶縁層の90重量%以上(好ましくは95重量%以上)が無機材料で構成されているということである。例えば、90重量%以上が無機材料で構成されているインクを塗布し、焼成すると、有機材料が殆ど存在しない絶縁層を形成することができる。成膜された無機材絶縁層の組成は、例えば、SiO2を20〜40重量%、アルミナコート導電粒子を60〜80重量%とする。
上記で説明した導電粒子は、単独で、或いはこれらを組み合わせたものを用いることができるが、いずれのも導電粒子も絶縁性を確保するために表面をアルミナでコートすることが必要である。
まず、基板上に、有機材絶縁層(例えば、ポリイミド層)12と銅箔層を形成する(STEP1)。例えば金属板上に熱可塑性ポリイミド膜と銅箔を積層して、高温加圧(例えば350℃で20分)して形成する。ポリイミドの耐電圧は200〜500V/μm程度であるので、厚さは少なくとも20μm以上、好ましくは50μm以上とする。配線13の膜厚は大電流を可能とするため50〜200μmの範囲で設定することが好ましいが、電流の少ない用途の場合はそれより薄くても構わない。
次に、貼り付けた銅箔の加工を行って、パターニング加工を行い、配線13を形成する(STEP2)。例えば、この加工のために、ホトリソグラフィ技術を用いる。銅箔の上にレジストを塗布し、パターンを露光、現像してさらにエッチングを行い、レジストを除去して、銅箔除去部を形成する。
次に、銅箔をマスクにして有機材絶縁層12のエッチングを行う(STEP3)。ポリイミドエッチング用の溶液としては例えばアミン系のものがよく使用される。
最後に、放熱基板2上の銅箔除去部を埋めるように、無機材を塗布し無機材絶縁層14を形成する(STEP4)。無機材の塗布法としては、スクリーン印刷法またはスプレーコート法が例示される。塗布された無機材を、大気圧下で160〜200℃で焼成することにより、無機絶縁層を成膜する。放熱基板2の表面に接触する領域の無機材絶縁層14の膜厚は、例えば70〜300μmの範囲で設置する。半導体チップ3が載置される載置部15には、無機絶縁層14は形成しない。
なお、図2では、電気接続用の開口をのぞき、配線に一部乗り上げて無機材を塗布する態様を示したが、配線とほぼ同一面の高さまで無機材を塗布する態様としてもよい。
また、SiO2とアルミナコートされた導電粒子で構成される液材(インク)の焼成は200℃以下の低温プロセスで行うことができるので、基板製造コストを削減することが可能である。そして、低温プロセスが可能であることから、水冷構造を有する市販の放熱基板(例えば、日本モレックス社のFGHP(特許文献3参照))を利用することも可能となる。
また、SiO2とアルミナコートされた導電粒子で構成される無機材絶縁層は熱膨張率が小さいため、半導体チップとの接合性も良好である。
さらに、無機材絶縁層は、SiO2とアルミナコートされた導電粒子Cuで構成されるので、高熱伝導性を有する。表1及び表2は、下記式1に示すBruggemanの式により算出した熱伝導率の一例である。
図3(a)に示すように、半導体チップ3周囲の空間に、無機絶縁層16を例えばディスペンサー法により充填する。また、半導体チップ3の上面に無機材絶縁層17を例えばディスペンサー法により形成する。無機材絶縁層17に代え、ワイヤと干渉しない高熱伝導性の絶縁放熱板を用いてもよい。
続いて図3(b)に示すように、無機材絶縁層24と放熱基板20とを、高熱伝導性接着材または放熱グリースにより接着する。このとき無機絶縁層24を無くして直接半導体チップ上に放熱グリースを接着しても良い。放熱基板20は、放熱基板2と同じ水冷構造を有するもの(特許文献3参照)であるが、これに限定されず、熱伝導性及び電気特性に優れる材料からなる板材(例えば、銅板またはアルミ板)により構成してもよい。
最後に図3(c)に示すように、複数の固定部材18により放熱基板2及び20を固定する。固定部材18には、ネジ留め等の簡易な固定手段を採用することが好ましい。なお、放熱基板2及び20には、予め固定部材18を挿通するための挿通孔(図示せず)が設けられている。
なお、図3では第1の構成例(a)に、無機材絶縁層16、無機材絶縁層17及び放熱基板20を付加する態様を説明したが、第1の構成例(b)にもこれらの構成を適用できることは言うまでもない。
図4(a)に示すように、半導体チップ3周囲の空間に、無機絶縁層16を例えばディスペンサー法により充填する。また、半導体チップ3の上面に無機材絶縁層17を例えばディスペンサー法により形成する。そして、環状のケース部材19を無機材絶縁層14を介して放熱基板2に設置する。なお、ケース部材19を、放熱基板2に直接固定するようにしてもよい。
続いて図4(b)に示すように、ケース部材19で囲まれた領域に、例えばエポキシ樹脂またはシリコーンゲルで充填する。無機材絶縁層17の上面(放熱基板20との当接面)は、熱伝導性を損なわないためにモールドしないようにする。
最後に図4(c)に示すように、複数の固定部材18により放熱基板2及び20を固定する。
まず、放熱基板2上に、上述したナノ化されたSiO2粒子およびアルミナコートされた熱伝導率が130W/m・K以上の導電粒子を含む液材を塗布し無機材絶縁層14を形成する(STEP1)。放熱基板2は、表面が平面で内部に水冷構造(例えば、複数の微小開口を持つ薄銅板を積層し、上下を銅板で密閉した液室内で毛細管現象による環流が生じるヒートパイプ(特許文献3参照))を有するもの、銅板またはアルミ板から適宜選択される。無機材の塗布法としては、スクリーン印刷法またはスプレーコート法が例示される。塗布された無機材を、大気圧下で160〜200℃で焼成することにより、無機絶縁層を成膜する。なお、半導体チップ3が載置される載置部15には、無機絶縁層14を形成しないようにしてもよい。
最後に、無機材絶縁層14の上に導電性金属インク(例えば、銀インクや銀と銅を混合したハイブリッドインク)をスクリーン印刷法、インクジェット法またはディスペンサー法により必要箇所に描画塗布した後、焼成して金属化させることにより配線13を形成する。
2 放熱基板
3 半導体チップ
4 熱伝導性接着材
12 有機材絶縁層
13 配線
14 無機材絶縁層
15 載置部
16 無機材絶縁層
17 無機材絶縁層
18 固定部材
19 ケース部材
20 放熱基板
21 モールド樹脂
22 プライマー層
Claims (3)
- 半導体チップと、有機材絶縁層、前記有機材絶縁層上に形成された配線及び無機材絶縁層を有する絶縁回路基板を備える半導体モジュールの製造方法であって、
放熱基板の表面に、前記有機材絶縁層を介して金属層を形成し、前記金属層をエッチング加工することにより前記配線を形成し、前記配線をマスクとして前記有機材絶縁層をエッチング加工し、
前記放熱基板の少なくとも前記配線の形成されていない部分を含む表面に、ナノ化されたSiO2粒子およびアルミナコートされた熱伝導率が130W/m・K以上の導電粒子を含む液材を塗布し、焼成することにより、前記無機材絶縁層を形成して前記絶縁回路基板を形成し、
前記絶縁回路基板上に前記半導体チップを搭載し、前記半導体チップを前記配線に電気的に接続することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 - 半導体チップと、無機材絶縁層及び前記無機材絶縁層上に形成された配線を有する絶縁回路基板を備える半導体モジュールの製造方法であって、
放熱基板の少なくとも表面の一部に、ナノ化されたSiO2粒子およびアルミナコートされた熱伝導率が130W/m・K以上の導電粒子を含む液材を塗布し、焼成することにより、前記無機材絶縁層を形成し、
導電性金属インクを塗布し、焼成することにより、前記無機材絶縁層上に前記配線を形成して前記絶縁回路基板を形成し、
前記絶縁回路基板上に前記半導体チップを搭載し、前記半導体チップを前記配線に電気的に接続することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 - 前記放熱基板に、前記放熱基板の表面が露出し半導体チップが載置される載置部を設けるように、前記配線及び前記無機材絶縁層を形成することを特徴とする請求項1または2の半導体モジュールの製造方法。
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