JP5871718B2 - 親水性ゾルゲルシリカ粒子の表面処理方法及び疎水性ゾルゲルシリカ粉末の製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、上述のようにトナーへの機械的負荷は近年増大し、かつ、トナーの結着性樹脂の軟化によりトナー母体の硬度は低くなっている。この結果、上記のようなトナー外添剤のトナーへの埋没防止の対策の重要性は益々高まっている。
この特許文献2に示される親水性球状ゾルゲル微粒子の疎水化処理は湿式法で行われる。この方法では、例えば、親水性ゾルゲルシリカ粒子を含む水性分散液、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒、ケトン系溶媒分散液等の有機溶媒分散液、又は水−親水性有機溶媒の混合溶媒分散液に、下記一般式:
R3 3SiNHSiR3 3
(式中、R3は同一または異なり、置換または非置換の炭素原子数1〜20の1価炭化水素基である)で表されるシラザン化合物、または下記一般式:
R3 3SiX
(式中、R3は上記と同じであり、XはOH基又は加水分解性基である)で表される1官能性シラン化合物、或いはこれらの組み合わせを添加し、上記親水性ゾルゲルシリカ粒子表面に残存する反応性基をトリオルガノシリル化して疎水化している。
Si(OR1)4 (1)
(但し、R 1 は同一又は異なる炭素数1〜4のアルキル基である。)
本発明の乾式表面処理は、疎水化すべき親水性ゾルゲルシリカ粒子を液体中に浸漬ないし懸濁させずに行う表面処理であって、親水性ゾルゲルシリカ粒子を流動下又は撹拌下で疎水化剤を噴霧する表面処理、又は親水性ゾルゲルシリカ粒子を流動下又は撹拌下を疎水化剤の蒸気を導入する。このとき疎水化剤を加えた後に必要に応じて加熱してもよい。疎水化剤を1種のみならず2種以上供給してもよい。2種以上の疎水化剤を供給する場合には2種以上の疎水化剤を同時に反応させても良いし逐次的に反応させても良い。
先ず疎水化すべき親水性ゾルゲルシリカ粒子は、下記の一般式(1)に示されるケイ素アルコキシド若しくはその部分加水分解縮合生成物又はそれらの組み合わせを加水分解及び縮合することによって得られる。
Si(OR1)4 (1)
(但し、R1は同一又は異なる炭素数1〜4のアルキル基である。)
一般式(1)中、R1は、炭素原子数1〜4であるが特に好ましくは1〜2の1価炭化水素基である。R1で表される1価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基等、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、特に好ましくは、メチル基、エチル基が挙げられる。また一般式(1)で表される4官能性シラン化合物としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン、テトラフェノキシシラン等、好ましくは、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、特に好ましくは、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランが挙げられる。また、上記一般式(1)で表される4官能性シラン化合物の部分加水分解縮合生成物としては、例えば、メチルシリケート、エチルシリケート等が挙げられる。
図1に示すように、流動床の反応容器1は、両端が閉止されかつ鉛直方向に延びる円筒状の筒本体2と、この筒本体2の側面中央に接続され親水性ゾルゲルシリカ粒子14を筒本体2に導入する原料導入管3と、筒本体2内の下端近傍に設けられ親水性ゾルゲルシリカ粒子14を受ける整流板4と、筒本体2の底壁2aに接続され疎水化剤及び不活性ガスを導入管5から筒本体2に導入する導入管5とを備えている。
不活性ガスは、一般的な例としてヘリウム、窒素、アルゴン等が挙げられる。工業的に使用する場合、コスト面から窒素ガスが好ましい。
このとき本発明では、表面処理時、即ち流動中の親水性ゾルゲルシリカ粒子のかさ密度を流動床の反応容器1内に静置したときの親水性ゾルゲルシリカ粒子のかさ密度の0.6〜0.9倍の範囲、好ましくは0.7〜0.9倍の範囲に設定するとともに、不活性ガスの流量を制御して反応容器内で流動中の親水性ゾルゲルシリカ粒子のかさ密度を150〜300g/Lの範囲に、好ましくは200〜300g/Lの範囲に設定する。
このとき、流動床の反応容器1内に静置したときの親水性ゾルゲルシリカ粒子14のかさ密度は、流動床の反応容器1の中空の底部と側壁内径が一定であるため、整流板4の水平高さからシリカ粒子の流動状態の高さを測定する。尚、流動状態中のシリカ粒子は上面が必ずしも平坦にはならないため、流動床の反応容器1内の壁面より分かる流動面の高さを複数回測定してそのの平均より算出してかさ密度を測定する。
第2の実施形態では、第1の実施形態で準備された親水性ゾルゲルシリカ粒子14と同様の粉末を、図2に示される反応容器15によって表面処理を行う。
図2に示すように、反応容器15は、上部に第1〜第4短管15a〜15dが接続された球状の四つ口フラスコを有する。この四つ口フラスコの第1短管15aには撹拌機16の撹拌シャフト16aが回転可能に挿通され、第2短管15bには温度計17が挿通され、更に第3短管15cには疎水化剤を不活性ガスを導入する導入管18が挿通される。また撹拌シャフト16aの下端には撹拌羽根16bが取付けられる。この四つ口フラスコに親水性ゾルゲルシリカ粒子14を入れた後に、この親水性ゾルゲルシリカ粒子14を撹拌機16により撹拌すると同時に、導入管18から疎水化剤と不活性ガスを導入する。このとき温度計17を見ながら親水性ゾルゲルシリカ粒子14の温度を120〜350℃に保つように、また後述するシリカ粒子のかさ密度を調整するように不活性ガスの流量を調整する。また第4短管15dからは親水性ゾルゲルシリカ粒子14を疎水化した後の不活性ガスが排出される。なお第4短管15dには、親水性ゾルゲルシリカ粒子14が不活性ガスとともに排出されるのを防止するためのフィルタ(図示せず)を設けることが好ましい。
先ず、本発明で得られる疎水化シリカ粉末の乾燥減量は0.8質量%以下であることが好ましい。この乾燥減量は105℃、2時間加熱後の加熱前の重量変化から測定する。乾燥減量が0.8質量%を越えると、疎水化のための表面処理中の水分、溶媒が疎水性シリカ粉末中に残留していることになり、電荷の安定性、あるいはトナーの外添剤として使用した場合に揮,個発成分を発する等の不具合があり好ましくない。乾燥減量は更に0.6質量%以下であることが好ましい。上記不具合が更に防止されるからである。
次に、疎水性ゾルゲルシリカ粉末をトナーの外添剤にした静電荷現像用トナーについて説明する。
トナーには一般的に熱可塑性樹脂(トナー母体樹脂)の他、少量の顔料及び電荷制御剤、その他の外添剤が含まれているけれども、本発明では本発明の疎水性ゾルゲルシリカ粉末が配合されていれば、他の成分は従来と同様で良く、磁性、非磁性の一成分系トナー、二成分系トナーのいずれでも良い。また、負帯電性トナー、正帯電性トナーのいずれでも良く、モノクロ、カラーのどちらでも良い。またトナーの組成やその製造方法には特に制限はなく、公知の組成及び方法を採用することができる。
<実施例1>
実施例1では、図2に示すような、容積が3Lの四つ口フラスコの反応容器15を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。より具体的には、滴下ロート(2個)、撹拌機、温度計を備えた3L容量の四つ口フラスコに、メタノール700mL、イオン交換水40mL、28質量%濃度のアンモニア水50gを入れた。得られた溶液を35℃にて撹拌しながらテトラエトキシシラン1590g及び5質量%濃度の希釈アンモニア水420gを同時に添加し、テトラエトキシシランは5時間、希釈アンモニア水は4時間にわたりそれぞれ滴下した。滴下終了後、更に2間撹拌を継続した。ついで上記反応溶液をエバポレーターにて70℃に加熱しながら溶媒を減圧留去することにより粗ゾルゲルシリカ粉末を得た。ついで、この粗ゾルゲルシリカ粉末を800℃、3時間の熱処理を行うことにより、親水性ゾルゲルシリカ粒子450gを得た。
次に親水性ゾルゲルシリカ粒子の疎水化処理を行った。この親水性ゾルゲルシリカ粒子の特性とこの親水性ゾルゲルシリカ粒子の表面処理条件を表1に示す。
なお、表1に示す「疎水化剤仕込み量(部数」とは、反応容器に親水性ゾルゲルシリカ粒子の質量部を100とするときに添加された疎水化剤の質量部である。具体的には上記親水性ゾルゲルシリカ粒子300gを3L容量の四つ口フラスコに入れ、窒素ガス雰囲気下、疎水化剤としてヘキサメチルジシラザン(以下、HMDSという。)50gを窒素ガスとともに四つ口フラスコに導入し、次にこの反応混合物を250℃に昇温し2時間加熱しながら窒素ガスの線速度を8.7(m/s)に設定しかつ撹拌回転数800(rpm)で撹拌した。このようにして疎水性ゾルゲルシリカ粉末を得た。得られたシリカ粉末の粉末特性結果を表2に示す。
実施例2、4、5では、実施例1と同様に図2に示す反応容器15を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。また実施例2、4、5では、実施例1の親水性ゾルゲルシリカ粒子の代わりに平均一次粒子径が110nmの市販の親水性ゾルゲルシリカ粉末(A社製シリカ)を用い、また不活性ガスとして窒素ガスを用い、更に表1に示す疎水化剤を用いて、表1に示す表面処理条件でこのシリカ粉末を疎水化した。得られた疎水性ゾルゲルシリカ粉末の粉末特性結果を表2に示す。また実施例2で得られた疎水性ゾルゲルシリカ粉末とトナーとを混合した際のSEM観察像を図3に示す。実施例2、4、5では、親水性ゾルゲルシリカ粉末の疎水化処理に際し、撹拌回転数と窒素ガスの線速度とを変えながら、実施例1と同様の操作を行った。ただし、実施例5は事前に上記親水性ゾルゲルシリカ粒子Aの粉末を圧密することでかさ密度を上げた。このようにして実施例2、4、5の疎水性ゾルゲルシリカ粉末を得た。得られたシリカ粉末の粉末特性結果を表2に示す。
実施例3では、図1に示すような、容積が10Lの流動床の反応容器1を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。より詳細には原料導入管3から平均一次粒子径が110nmの市販の親水性ゾルゲルシリカ粉末(A社製シリカ)500gを導入した。この導入されたシリカ粉末は整流板4上に載った状態に保持された。反応容器1の底壁2aに形成されたガス導入管5から窒素ガスとともに表1に示す疎水化剤75gを反応容器1内に導入した。この窒素ガスは疎水化剤のキャリアガスとして用いられるとともに、シリカ粉末の流動化ガスとしても用いられる。窒素ガスにより搬送された疎水化剤がシリカ粉末に接触すると、化学反応によりシリカ粉末の表面が疎水化した。次に上記反応容器1に窒素ガスを導入しながら180℃で1時間保持した後に、上記酸化物粉末を手動バルブ8を開いて下側取出し管6から取出した。このようにして実施例3の疎水性ゾルゲルシリカ粉末を得た。得られたシリカ粉末の粉末特性結果を表2に示す。
実施例6は、実施例3と同様に図1に示す反応容器1を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。但し、実施例3の親水性ゾルゲルシリカ粒子の代わりに、実施例6では平均一次粒子径が75nmの市販の親水性ゾルゲルシリカ粉末(B社製シリカ)を用いた。
実施例7では、実施例1と同様に図2に示す反応容器15を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。実施例7では平均一次粒子径が220nmの市販の親水性ゾルゲルシリカ粉末(B社製シリカ)を用いた。また表1に示す疎水化剤を用いて、表1に示す表面処理条件で上記シリカ粒子を疎水化処理した。得られたシリカ粉末の粉末特性結果を表2に示した。実施例7では、親水性ゾルゲルシリカ粉末の疎水化処理に際し、撹拌回転数と窒素ガスの線速度とを変えながら、図2に示す反応容器15を用いて表1に示す表面処理条件で表面処理を行った。
比較例1では、実施例1と同様に図2に示す反応容器15を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。即ち実施例1と同様の方法で製造された親水性ゾルゲルシリカ粒子を疎水化処理した。この際、撹拌回転数と窒素ガスの線速度を変えた。他の表面処理条件は実施例1と同様の条件で行った。得られたシリカ粉末の粉末特性結果を表2に示す。
比較例2、4及び5では、実施例1と同様に図2に示す反応容器15を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。また比較例2、4及び5では、実施例2、4及び5で用いた市販の親水性ゾルゲルシリカ粒子をそれぞれ用いた。また、表1に示す疎水化剤を用いて、表1に示す表面処理条件で上記シリカ粒子を疎水化処理した。得られたシリカ粉末の粉末特性結果を表2に示す。実施例2〜5では親水性ゾルゲルシリカ粒子の疎水化処理に際し、撹拌回転数及び窒素ガスの線速度を変えた。他の条件は実施例2〜5と同様の条件で行った。
また比較例2の条件で得られた疎水性ゾルゲルシリカ粉末とトナーとを混合したSEM観察結果(10,000倍)を図4に示した。図4の中央に分散しなかったシリカ凝集体が観察された。
比較例3は、実施例3と同様に図1に示す反応容器1を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。但し、比較例3では、実施例2、4及び5で用いた市販の親水性ゾルゲルシリカ粒子をそれぞれ用いた。。
比較例6では、実施例1と同様に図2に示す反応容器15を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。但し、比較例6では、実施例1の親水性ゾルゲルシリカ粒子の代わりに平均一次粒子径が100nmの市販の親水性ゾルゲル粒子(A社製シリカ)を用いた。また表1に示す疎水化剤を用いて表1に示す表面処理条件で上記シリカ粒子を疎水化処理した。
比較例7では、実施例3と同様に図1に示す反応容器1を用い実施例3と同じ処理条件とした。但し、実施例3の親水性ゾルゲルシリカ粒子の代わりに、比較例7では平均一次粒子径が30nmの市販の親水性ゾルゲル粒子(A社製シリカ)を用いた。また表1に示す疎水化剤を用いて表1に示す表面処理条件で上記シリカ粒子を疎水化処理した。
比較例8では、実施例1と同様に図2に示す反応容器15を用いて表1に示す処理条件で表面処理を行った。但し、実施例1の親水性ゾルゲルシリカ粒子の代わりに平均一次粒子径が500nmの市販の親水性ゾルゲル粒子(A社製シリカ)を用いた。また表1に示す疎水化剤を用いて、表1に示す表面処理条件で上記シリカ粒子を疎水化処理した。得られたシリカ粉末の粉末特性結果を表2に示す。比較例8、9では親水性ゾルゲルシリカ粒子の疎水化処理に際し、撹拌回転数及び窒素ガスの線速度を変えた。
比較例9では、実施例3と同様に図1に示す反応容器1を用い実施例3と同じ処理条件とした。但し、実施例3の親水性ゾルゲルシリカ粒子の代わりに、比較例9では平均一次粒子径が500nmの市販の親水性ゾルゲル粒子(A社製シリカ)を用いた。また表1に示す疎水化剤を用いて表1に示す表面処理条件で上記シリカ粒子を疎水化処理した。
「かさ密度の比」は、表面処理時のかさ密度Yに対する静置時のかさ密度Xの比Y/Xである。
「撹拌回転数(rpm)」は、撹拌機を駆動するモータの回転数である。
「疎水性」は、疎水性ゾルゲルシリカ粉末のサンプル1gを200mLの分液ロートに計り採り、これに純水100mLを加えて栓をし、ターブラーミキサーで90rpmの撹拌回転数で10分間振盪し、振盪後、10分間静置する。静置後、下層の20〜30mLをロートから抜き取った後に、下層の混合液を10mm石英セルに分取し、純水をブランクとして、比色計にかけ、波長500nmでの光透過率(%)を疎水率(%)とする。
「乾燥減量」は、十分に乾燥した秤量瓶の重量を測定し(重量:A)、表面改質シリカ粉末をその秤量瓶にサンプリングし重量を測定する(重量:B)。恒温乾燥機を使用し105℃で2時間乾燥する。乾燥終了後、デシケータに移し、15分間放冷し、放冷後の重量を測定する(重量:C)。そして、次式により水分(質量%)を測定し、これを乾燥減量(質量%)する。
水分(質量%)={(B−C)/(B−A)}×100
SEM観察ではトナー表面のシリカ分散性の評価を評価した。重合法により製造された市販の負帯電ポリエステルトナー母体粉末(Sinonar社製)を使用し、このトナーを実施例及び比較例に示す表面改質シリカ粉末と97:3の重量比で混合し、ヘンシェル型ミキサーで600rpm、1分間予備混合を行った後、3000rpm、3分間混合させることによって、分散性評価用のサンプルを調整し、SEMにて10,000倍により観察した。観察結果を分散性の良い順に「優」、「可」、「不可」と評価した。
親水性ゾルゲルシリカ粒子を所定の不活性ガスの線速度及び/又は撹拌回転数の条件で乾式表面処理をすることにより、高い疎水率と低い乾燥減量を有し、かつ適度の炭素分量を含んだ乾式表面処理された疎水性ゾルゲルシリカ粉末を得ることができた。高い疎水率と適度の炭素分量を含んだ疎水性ゾルゲルシリカ粉末はトナーと混合した際、分散性が良く、また印刷テストにおいても画像の乱れのないトナー外添剤を得ることができた。
Claims (4)
- 下記の一般式(1)に示されるケイ素アルコキシド若しくはその部分加水分解縮合生成物又はそれらの組み合わせを加水分解及び縮合することによって得られた親水性ゾルゲルシリカ粒子を疎水化剤により表面処理する方法において、
前記表面処理は前記親水性ゾルゲルシリカ粒子を反応容器に入れた状態で不活性ガス及び前記疎水化剤を前記反応容器内に供給して前記親水性ゾルゲルシリカ粒子を流動させて行う乾式表面処理であって、
前記反応容器内に供給する前記不活性ガスの前記反応容器の横断面積当りの線速度を1〜12m/sの範囲に設定し、前記表面処理時の前記親水性ゾルゲル粒子のかさ密度を前記反応容器内に静置したときの前記親水性ゾルゲルシリカ粒子のかさ密度の0.6〜0.9倍の範囲に設定するとともに、前記反応容器内で表面処理時の親水性ゾルゲルシリカ粒子のかさ密度を150〜300g/Lの範囲に設定することにより表面が疎水化された疎水性ゾルゲルシリカ粉末を得ることを特徴とする親水性ゾルゲルシリカ粒子の表面処理方法。
Si(OR1)4 (1)
(但し、R 1 は同一又は異なる炭素数1〜4のアルキル基である。) - 前記表面処理前の親水性ゾルゲルシリカ粒子の平均一次粒子径が50〜300nmの範囲にある請求項1記載の表面処理方法。
- 乾燥減量が0.8質量%以下であり、疎水化率が70〜100%の範囲にあり、かつ有機溶剤抽出分の含有炭素分が単位面積当り0.001〜0.03質量%にある請求項1又は2に記載の方法により表面処理された疎水性ゾルゲルシリカ粉末を製造する方法。
- 請求項3記載の方法により製造された疎水性ゾルゲルシリカ粉末から静電荷像現像用トナー外添剤を製造する方法。
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