JP5865426B2 - 酸化物超電導線材の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導線材の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、酸化物超電導線材の製造方法に関し、特に、金属基板上に、中間層、超電導層、保護層が順に形成されたテープ状酸化物超電導線材の製造方法に関する。
酸化物超電導体は、従来のNbSnやNbAl等の金属系超電導体と比較して臨界温度(Tc)が高く、送電ケーブル、限流器、変圧器、マグネット、モーター等の電力機器を液体窒素温度で運用できる。このため、電力機器への応用を目指した酸化物超電導体の線材化の開発が、活発に行われている。
酸化物超電導体を上記の電力機器に適用するためには、臨界電流密度(Jc)が高く、かつ高い臨界電流値(Ic)を有する長尺の線材を製造する必要がある。一方、長尺の線材を得るためには、強度及び可撓性の観点から金属基体上に酸化物超電導体を形成する必要がある。また、従来の金属系超電導体と同等に実用レベルで使用可能とするためには、500[A/cm−width](77K、自己磁界中)程度のIc値が必要である。
酸化物超電導体のうち、ReBaCu(ここで、z=6.2〜7であり、Reは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd及びHoから選択された少なくとも1種以上の元素を示す。)酸化物超電導体は、高磁場領域における通電電流の減衰が小さく、磁場特性に優れていることから、次世代の超電導材料としてその線材化が期待されている。
このRE系酸化物超電導体を備える酸化物超電導線材は、一般に金属基板上に2軸配向した酸化物層を少なくとも1層若しくは複数層形成し、その上に酸化物超電導層を形成し、更に、超電導層の上に保護層を積層することで構成される。保護層は、水分や大きな電流によって劣化し易い超電導層の表面保護と電気的接触の向上及び過通電時の保護回路として機能し、超電導線材としての品質を保つ役割を担う層であり、例えば、良導電性を有する銀(Ag)等により構成されている。
この銀の保護層と超電導層との密着性を確保するために、例えば、特許文献1に示す酸化物超電導線材が知られている。
この特許文献1の酸化物超電導線材では、ナフテン酸銀を溶解させた原料溶液を基材に塗布し、基材を高速回転させることにより遠心力で薄膜を構成するスピンコート法を用いて銀を含有させた超電導層を成膜している。これにより、超電導層と、超電導層上に形成される銀の保護層との密着性の向上が図られる。
特開2012−230869号公報
ところで、上述した特許文献1では、酸化物超電導線材を製造する際に、スピンコート法によって超電導層を生成しており、単に銀粒子を含有させた超電導層をテープ状の長尺の基材に成膜するだけでは、長手方向に均一に分散されず、長手方向に対して保護層と超電導層との均一な剥離強度を有することができない。
よって、銀を含有した超電導層を成膜する際に、特許文献1よりも、超電導層に含まれる銀粒子を長尺方向に均一に分散して、長尺で、且つ、超電導層と超電導層上に形成される保護層との密着性が一層向上した、より安定した品質のテープ状の酸化物超電導線材を製造したいという要望がある。
本発明の目的は、長尺の超電導線材であっても、長手方向に亘る超電導層のどの部分でも超電導層から保護層が矧がれにくく、安定した品質を有するテープ状の酸化物超電導線材の製造方法を提供することである。
本発明の酸化物超電導線材の製造方法の一つの態様は、テープ状の基板に形成された中間層上に、REBaCu系(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選択された1又は2種以上の元素を示し、y≦2及びz=6.2〜7)超電導層を形成する超電導層形成工程と、前記超電導層上に保護層としての銀層を形成する保護層形成工程と、を有するテープ状酸化物超電導線材の製造方法であって、前記超電導層形成工程は、前記超電導層を構成する金属元素を含む原料溶液を、超電導層形成対象箇所に塗布した後、仮焼成熱処理を施して超電導層前駆体を形成する第1工程と、超電導層前駆体に本焼成熱処理を施して前記超電導層を形成する第2工程と、を有し、前記原料溶液は、前記金属元素であるRE、Ba、Cuをそれぞれ含む金属有機酸塩を混合した溶液であるとともに、銀錯体を含み、前記銀錯体は、前記原料溶液中の金属元素であるRE、Ba、Cuの有機酸塩のいずれかと同じ有機酸を使用した銀有機酸塩であるようにした。
本発明によれば、長尺の超電導線材であっても、長手方向に亘る超電導層のどの部分でも超電導層から保護層が矧がれにくく、安定した品質を有するテープ状の酸化物超電導線材を製造できる。
本発明に係る一実施の形態の酸化物超電導線材の説明に供する図 図1に示すテープ状酸化物超電導線材における超電導層と保護層の界面部分を模式的に示す要部拡大図 本発明に係る一実施の形態の酸化物超電導線材の変形例の説明に供する図 本発明に係る一実施の形態の酸化物超電導線材の実施例の説明に供する図
以下、本発明に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
<酸化物超電導線材>
図1は、本発明に係る実施の形態のテープ状の酸化物超電導線材の説明に供する図であり、詳細には、テープ状のテープ状酸化物超電導線材においてテープの軸方向に垂直な断面を模式的に示す図である。
テープ状の酸化物超電導線材(以下、「酸化物超電導線材」という)10は、テープ状の金属基板(以下、「基板」という)11上に、中間層12、超電導層13、保護層14が順に積層されることによって形成される。
基板11は、例えば、Ni−Cr系(具体的には、Ni−Cr−Fe−Mo系のハステロイ(登録商標)B、C、X等)、W−Mo系、Fe−Cr系(例えば、オーステナイト系ステンレス)、又は、Fe−Ni系(例えば、非磁性の組成系のもの)等の材料に代表される低磁性の結晶粒無配向・耐熱高強度金属基板である。基板11の厚さは、例えば、0.1mm以下である。
中間層12は、金属基板11からの元素の拡散が超電導層13に及ぶのを防止するための拡散防止層、超電導層13の結晶を一定の方向に配向させるための配向層等を含む複数の層を有する。例えば、中間層12は、金属基板11上に、第1中間層としてのAl層、第2中間層としてのY層、第3中間層としてのMgO層、第4中間層としてのLaMnO層、第5中間層としてのCeO層を順に積層した5層で構成する。
第1中間層としてのAl層は、基板11上にスパッタリング法で成膜される。この第1中間層は、耐熱性が高く、界面反応性を低減するための層であり、その上に配される膜の配向性を得るために用いられるベッド層としても機能する。第2中間層としてのY層は、Al層上に、例えば、PLD法により成膜される。第3中間層としてのMgO層は、Y層上にIBAD法により成膜される。第4中間層としてのLaMnO層は、MgO層上にスパッタリング法により成膜される。第4中間層としてのLaMnO層上には、第5中間層であるCeO層がスパッタリング法で成膜される。CeO層は、超電導層13との整合性がよく、且つ、超電導層13との反応性が小さいため最も優れた中間層の一つとして知られており、超電導層13の直下に配置される層として機能する。CeO層は、スパッタリング法に代えてPLD(Pulsed Laser Deposition:パルスレーザ蒸着法)法で、成膜されてもよい。なお、MgO層より上方の層は、超電導層13との反応を防止する反応防止層としても機能する。
中間層12の構成は、1層あるいは2層以上の複数層の2軸配向性を持つ無機材料薄膜層であってもよい。中間層12の厚さは、例えば、幅1〜150[mm]、厚さ0.01〜0.5[μm]とすることが好ましい。
中間層12は、テープ状の基板11とともに、超電導層13が形成される複合基板15を構成する。一般に、複合基板15の幅は、2〜30[mm]であり、長手方向の長さは、500[m]である。
超電導層13は、REBaCu系(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選択された1又は2種以上の元素を示し、y≦2及びz=6.2〜7である。)の高温超電導薄膜の層である。超電導層13は、YBaCuで表されるイットリウム系超電導体(YBCO層)が代表的なものである。
超電導層13は、複数の銀粒子を含有する。ここでは、銀粒子は、保護層14との界面である表面側部分に配置されている。銀粒子の粒子径(原料溶液中における銀の粒子径)は、5[nm]〜30[nm]である。なお、本実施の形態における「粒子径」は銀粒子が凝集している場合には、銀粒子凝集体の大きさを示す。銀粒子の粒子径が5[nm]より小さい場合、超電導層から保護層が剥離する際の剥離強度が所望の強度とならず、30[nm]より大きい場合、所望の超電導特性の低下を招く。
また、超電導層13に磁束ピンニング点を分散させた構成としても良い。超電導層13に磁束ピンニング点が分散されることで、磁場環境下で、酸化物超電導線材10が湾曲した状態で用いられても、磁場の影響を受けにくく、安定した超電導特性を発揮できる。
銀粒子を有する超電導層13上には、保護層14が接して形成されている。
保護層14は、主に、超電導層13が金、銀あるいは銀合金以外の材料と直接的な接触によって反応によって引き起こす性能低下を防止する。また、保護層14は、事故電流や交流通電により発生した熱を分散して発熱による破壊・性能低下を防止する。すなわち、保護層14は、超電導層13が銀あるいは銀合金以外の材料と直接的な接触によって反応によって引き起こす性能低下を防止する。なお、保護層14の厚みは、5〜20[μm]であることが好ましく、更に好ましくは、2〜30[μm]である。
保護層14は、銀あるいは銀合金等で構成され、超電導層13中の銀粒子の凝集体と結合して互いに密着している。
具体的には、図2に示す保護層14と超電導層13(詳細には、第2中間層122)との界面13aは、凹凸のある界面となっており、保護層14は超電導層13に対して積層方向で互いに入り込んで密着した形状となっている。
このように、酸化物超電導線材10によれば、超電導層13上に形成される保護層14は、超電導層13に含まれる銀粒子と密着している。これにより、超電導層13に対する保護層14の密着性が長手方向に亘るどの部分でも向上し、超電導層13から剥離しにくい。言い換えれば、酸化物超電導線材10において、長手方向に延在する超電導層13上に形成される保護層14の超電導層13に対する剥がれにくさ(剥離強度)の向上が図られている。
<酸化物超電導線材10の製造方法>
図1に示す酸化物超電導線材10は、MOD法により超電導層(YBCO層)を成膜することで、製造される(超電導層形成工程)。
超電導層13は、有機金属酸塩或いは有機金属化合物を原料とし、真空プロセスを使用せずに、超電導薄膜を製造するMOD法により製造される。
MOD法は、基板11上に中間層12を設けたテープ状の複合基板15上の金属有機酸塩を加熱して熱分解することでテープ状の複合基板15上に超電導層13である薄膜を形成する。
まず、ディップコート法により、テープ状の複合基板15に、超電導層13を構成する金属成分の有機化合物とともに銀錯体が均一に溶解された原料溶液を塗布する(塗布工程)。ディップコート法は、酸化物中間層が形成されたテープ状の基板を、超電導原料溶液(有機金属塩を有機溶媒に溶解させたもの)に浸して、引き上げることで、基板の表面に超電導膜としての塗布膜を付着させる方法である。
超電導原料溶液(「原料溶液」という)は、RE系超電導層を構成する金属元素を含む金属有機酸塩を混合した混合溶液に、銀錯体を溶解させたものである。
銀錯体を含む原料溶液としては、下記(a)〜(d)の混合溶液を用いてもよい。
(a)RE(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd及びHoから選択された1種以上の元素を示す)を含む有機金属錯体溶液:有機溶媒と、REを含むトリフルオロ酢酸塩、ナフテン酸塩、オクチル酸塩、レブリン酸塩、ネオデカン酸塩、酢酸塩のいずれか1種以上を含む溶液、特に、REを含むトリフルオロ酢酸塩溶液であることが望ましい。
(b)Baを含む有機金属錯体溶液:有機溶媒と、Baを含むトリフルオロ酢酸塩の溶液
(c)Cuを含む有機金属錯体溶液:有機溶媒と、Cuを含むナフテン酸塩、オクチル酸塩、レブリン酸塩、ネオデカン酸塩、酢酸塩のいずれか1種以上を含む溶液
(d)Baと親和性の大きい金属を含む有機金属錯体溶液:有機溶媒と、Zr、Sn、Ce、Ti、Hf、Nbから選択された少なくとも1種以上の金属を含むトリフルオロ酢酸塩、ナフテン酸塩、オクチル酸塩、レブリン酸塩、ネオデカン酸塩、酢酸塩のいずれか1種以上を含む溶液
本実施の形態では、原料溶液は、REとしてのイットリウム(Y)のトリフルオロ酢酸塩(Y−TFA)、バリウム(Ba)のトリフルオロ酢酸塩(Ba−TFA)及び銅(Cu)のナフテン酸塩を、Y:Ba:Cuのモル比が1:2:3で混合した混合溶液を用いている。なお、本発明はこれ以外の超電導原料溶液を用いた場合にも有効である。例えば、Re:Ba:Cuのモル比が1:b:3(但し、b<2)に調整された混合溶液を用いてもよい。
銀錯体は、RE、Ba、Cuの金属元素を含む有機酸塩のいずれかと同じ有機酸を用いた銀有機酸塩である。つまり、原料溶液における銀錯体(銀有機酸塩)の溶解度は、RE、Ba、Cuの金属元素を含む有機酸塩のいずれかと同じ溶解度となり、原料溶液中で均一に溶解されたものとなっている。すなわち、銀錯体を、RE、Ba、Cuの金属元素を含む有機酸塩のいずれかと合わせる、つまり、RE、Ba、Cuの金属元素を含む有機酸塩のいずれかと同じにして、銀の溶解度をRE、Ba、Cuのいずれかの溶解度に合わせたものにする。これにより、銀錯体を均一に原料溶液に溶解することができることから、この原料溶液をテープ状の基材11上の中間層12に対して塗布することで、中間層12上には、長手方向に均一に銀が分散された超電導層が形成されることになる。これにより、作製される酸化物超電導線材10では、長手方向に対して超電導層13と保護層14との均一な剥離強度を有することができるものと推測される。
銀有機酸塩としては、例えば、トリフルオロ酢酸銀(Cu以外で使用)、プロピオン酸銀、ヘキサン酸銀、ヘプタン酸銀、オクチル酸銀、ノナン酸銀、デカン酸銀、ウンデカン酸銀、ドデカン酸銀、トリデカン酸銀、安息香酸銀、ナフテン酸銀等が挙げられる。
また、銀錯体は、Cuを含む有機酸塩と同じ有機酸を用いることが好ましい。この理由は、Y:Ba:Cuのモル比が1:2:3であることから、量の多いCuを含む有機酸塩と同じ有機酸を用いることである。特に、Y、Baは、仮焼成熱処理及び本焼成熱処理で、中間層上に塗布された原料溶液あるいは形成された超電導前駆体を結晶化(HFも生成)する際に重要であり、各金属元素で使用する有機酸塩の減少は回避することが望まれる。
ここでは、銀有機酸塩をオクチル酸銀とし、Cuを含むオクチル酸塩の有機金属錯体溶液に溶解する。このように、銀錯体を、原料溶液中のRE、Ba、Cuの金属元素を含む有機酸塩のうちモル比が最も大きいCuを含むオクチル酸塩の有機金属錯体溶液に溶解させることで、RE、Baの有機金属錯体溶液よりも、一層均一に溶解させやすくしている。こうして、銀錯体は、外部から加熱等の処理を行うことなく、原料溶液中に容易に且つ均一に溶解される。なお、銀錯体をトリフルオロ酢酸(TFA)銀として、Cu以外のY、Baの有機酸塩と同じ有機酸を用いる銀有機酸塩とすると、後工程の焼成でFを除去するための条件を変更する煩雑さが発生する。この点を見ても、銀有機酸塩は、Cuを含む有機酸塩(例えば、オクチル酸塩)の有機酸を使用した有機酸塩とすることが好ましい。
ここで原料溶液における銀濃度は、1[wt%]〜10[wt%]とする。銀濃度が1[wt%]より少ない場合、製造する酸化物超電導線材10において超電導層13から保護層14が剥離する際の剥離強度が所望の強度とならず、10[wt%]より大きい場合、所望の超電導特性の低下を招く。
このように構成される原料溶液中に、複合基板15を浸して引き上げることで、複合基板15の中間層12上に、長手方向で均一な厚みで、銀錯体を含む超電導原料溶液を塗布する。また、銀錯体をテープ状の全面に亘って均一に分散できる。
次に、原料溶液を塗布した複合基板15に仮焼成熱処理を施してアモルファス状の前駆体を形成(仮焼成熱処理工程)する。
仮焼成熱処理は、例えば、仮焼成炉(図示省略)内に複合基板15を通過させることで行う。この場合、ヒータ炉での仮焼成熱処理は、内部を通過する複合基板15に対して、水蒸気を含む酸素気流となる雰囲気ガスを吹き付けつつ、所定の温度勾配(最高到達温度450[℃])で加熱する。
これら塗布工程及び仮焼成熱処理工程により、複合基板15上にアモルファス状の超電導前駆体を形成する。この塗布工程及び仮焼成熱処理工程が第1工程に相当する。ここでは、塗布工程及び仮焼成熱処理工程を複数回(例えば、計12回)繰り返して、複合基板15上に所定膜厚のアモルファス状の超電導前駆体を形成する。
次いで、アモルファス状の超電導層前駆体に対して、結晶化熱処理(本焼成熱処理)を施すことで超電導前駆体を結晶化させて、複合基板15上に超電導層13を形成する(本焼成熱処理工程)。本焼成熱処理工程が第2工程に相当する。
本焼熱処理では、アモルファス状の超電導層前駆体が形成された複合基板15に対して本焼成熱処理(例えば、水蒸気を含む減圧低酸素気流中、最高到達温度750[℃]の条件下において、3〜5時間加熱)を施す。
仮焼成熱処理及び本焼成熱処理の際に、超電導層13中における銀粒子は、超電導体を組成しない元素であるため、超電導層表面側(保護層14が接して形成される側)に移動する。これにより、本焼成熱処理後の超電導層の表面部分の銀粒子が多くなり、超電導層13全体において銀の濃度が高くなる。なお、表面部分における銀粒子は、単一元素ではなく、有機残渣、金属化合物等の他の物質との混合物として存在する。
その後、超電導層13上に真空蒸着法により、銀の保護層14を形成する。次いで、後処理工程で、複合基板15上に形成された超電導層13及び保護層14に対して、酸素雰囲気下で所定の温度(例えば500[℃])で後処理を施す。この後処理工程の熱処理によって、超電導層13における表面部分の銀粒子と、銀の単一元素からなる保護層14との結合性が増加する。これにより、保護層14において、超電導層13に接する面であり、凹凸のある界面が、超電導層13の界面13aと層を共有した形状(図1及び図2参照)となり、長手方向に亘る超電導層13と保護層14との密着性が、長手方向に亘るどの部分でも向上する。
酸化物超電導線材10によれば、銀粒子を含む超電導層13は、複合基板15に、銀錯体が均一に混合した原料溶液を塗布した後、各焼成熱処理を施すことで製造される。
これにより、超保護層との密着性を高める銀粒子は、超電導層13内で単手方向(幅方向)への分散は勿論のこと、長手方向にもほぼ均一に分散された状態になる。よって、超電導層中で長手方向に沿ったどの部分においても程同様の強さの剥離強度を得ることができる。
なお、本実施の形態の酸化物超電導線材10の製造方法を適用して、図3に示すように、銀の粒子を含む第2超電導層132を、銀の粒子を含まない第1超電導層131上に形成した超電導層13Aを有するテープ状酸化物超電導線材10Aを製造するようにしてもよい。なお、図3に示すテープ状酸化物超電導線材10Aにおいて、超電導層13A以外の構成要素は、テープ状酸化物超電導線材10と同様である。よって、同構成要素には同名称、同符号を付して説明は省略する。
酸化物超電導線材10Aは、上述の方法において、原料溶液を用いた塗布工程と仮焼成熱処理工程の一連の工程を複数回繰り返す際に、超電導前駆体の表面側部分を形成する際の一連の工程のみ、銀錯体を含む原料溶液を塗布して仮焼成熱処理を施すようにする。
すなわち、酸化物超電導線材10Aを製造する際に、まず、塗布工程にて、銀錯体を含まない原料溶液(混合溶液に相当)に、基板11上に中間層が形成された複合基板15を浸して引き上げ、その後、仮焼成熱処理工程で仮焼成熱処理を施す。これらを所定回数繰り返した後、複合基板15に対して、上述した銀錯体を含む原料溶液に浸して塗布し、その後、仮焼成熱処理を施す。銀錯体を含む原料溶液の塗布を含む一連の工程は、所望の膜厚になるまで行っても良い。
これにより、超電導層13において、保護層14が接して設けられる部分、つまり、超電導層13の表面側部分に銀の粒子が含まれることとなる。これにより、仮焼成熱処理及び本焼熱熱処理の際に、超電導層13の表面部分において長手方向に亘って銀の所望の濃度を確実に確保できる。よって、酸化物超電導線材10において、超電導層13の長手方向に亘って略均一な保護層14との密着性の向上、つまり、超電導層において長手方向に亘って略均一に剥離強度を増加できる。
<実施例1>
上述した酸化物超電導線材10の製造方法を用いて、図4に示す酸化物超電導線材10Bを製造した。金属基板としてのハステロイ(登録商標)テープ上に、スパッタリング法によりGdZrからなる第1中間層と、IBAD法によりMgOから成る第2中間層と、スパッタリング法によりLaMnOから成る第3中間層と、PLD方によりCeOから成る第4中間層を順次形成した複合基板15Bを用いた。複合基板15Bは全長500[m]とした。このテープ状の複合基板15B上に、銀錯体を含む原料溶液を塗布し、次いで、仮焼熱処理、本焼成熱処理を施してYBCO超電導層を形成した。このYBCO超電導層の形成の際に用いる原料溶液は、トリフルオロ酢酸イットリウム塩、トリフルオロ酢酸バリウム塩、オクチル酸銅塩及び、オクチル酸銀を混合した溶液とした。なお、銀錯体は、オクチル酸銀であり、Cuを含むオクチル酸塩の有機金属錯体溶液と同じ有機酸を用いて原料溶液中に溶解した。特に原料溶液中における銀粒子の粒子径を15[nm]とし、原料溶液中の銀の濃度5[wt%]とした。次いで、真空蒸着法により超電導層13に接して銀の保護層14を形成した。その後、後処理である酸素雰囲気下で熱処理(例えば、500[℃])を施して、超電導層13と保護層14との結合を強固にして、両層の密着性を向上させた。
このような実施例1の方法によって作製した酸化物超電導線材では、超電導特性Icは500[A/cm−width](77K、自己磁界中)[下記表1では「A/cm−width@77K,自己磁場中」で示す]であった。また、実施例1の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は80[MPa]であった。
<実施例2>
実施例1で酸化物超電導線材を製造する際に、銀錯体を、トリフルオロ酢酸銀とし、Baを含むトリフルオロ酢酸の有機金属錯体溶液と同じ有機酸塩を用いて原料溶液中に溶解した。特に原料溶液中における銀粒子の粒子径を15[nm]とし、原料溶液中の銀の濃度5[wt%]とした。このように製造された実施例2の酸化物超電導線材では、超電導特性Icは500[A/cm−width](77K、自己磁界中)であった。また、実施例1の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は75[MPa]であった。
<実施例3>
実施例1において超電導層の製造方法のみ異なり、その他の構成は実施例1と同様な層構成の酸化物超電導線材を作製した。
実施例3では、YBCO超電導層を形成する際に、図3に示すように、銀錯体を含まない原料溶液(混合溶液)の塗布処理及び仮焼成処理を所定回数繰り返した後、銀錯体を含む原料溶液の塗布及び仮焼成熱処理を行い、その後、本焼成熱処理及び後処理を施した。
銀錯体を含む原料溶液は、実施例1と同様の原料溶液とした。また、銀錯体を含まない原料溶液は、実施例1の原料溶液においてオクチル酸銀を添加しない溶液であり、トリフルオロ酢酸イットリウム塩、トリフルオロ酢酸バリウム塩及びオクチル酸銅塩の混合溶液とした。
このような実施例3の方法によって作製した酸化物超電導線材では、超電導特性Icは500[A/cm−width](77K、自己磁界中)であった。また、実施例3の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は76[MPa]であった。
<参照例1>
実施例1と同様の製造方法において、溶解される銀の粒子径を15[nm]から粒子径3[nm]に替えた原料溶液を用いて、酸化物超電導線材を作製した。
このように作製した参照例1の酸化物超電導線材では、超電導特性Icは500[A/cm−width](77K、自己磁界中)であった。また、参照例1の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は66[MPa]であった。
<参照例2>
実施例1と同様の製造方法において、銀の粒子径を15[nm]から粒子径40[nm]に替えた原料溶液を用いて、酸化物超電導線材を作製した。
このように作製した参照例2の酸化物超電導線材では、超電導特性Icは380[A/cm−width](77K、自己磁界中)であった。また、参照例2の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は86[MPa]であった。
<参照例3>
実施例1と同様の製造方法において、原料溶液における銀の濃度を5[wt%]から0.5[wt%]に替えて、酸化物超電導線材を作製した。
このように作製した参照例3の酸化物超電導線材では、超電導特性Icは510[A/cm−width](77K、自己磁界中)であった。また、参照例3の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は62[MPa]であった。
<参照例4>
実施例1と同様の製造方法において、原料溶液における銀の濃度を5[wt%]から15[wt%]に替えて、酸化物超電導線材を作製した。
このように作製した参照例4の酸化物超電導線材では、超電導特性Icは370[A/cm−width](77K、自己磁界中)であった。また、参照例3の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は85[MPa]であった。
<比較例1>
実施例1において、原料溶液中のオクチル酸銀をナフテン酸銀に替えて、酸化物超電導線材を作製した。つまり、原料溶液に含まれる銀有機酸塩は、超電導層を構成するRE、Ba、Cuの有機酸塩のいずれとも同じ有機酸を使用していない。
このような比較例1の方法によって作製した酸化物超電導線材において、超電導特性Icは300[A/cm−width](77K、自己磁界中)であった。また、比較例1の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は60[MPa]であった。
<比較例2>
実施例1において、原料溶液を、原料溶液中にオクチル酸銀を含まない、つまり銀を含まない溶液に替えて、酸化物超電導線材を作製した。
このような比較例2の方法によって作製した酸化物超電導線材において、超電導特性Icは500[A/cm−width](77K、自己磁界中)であった。また、比較例1の酸化物超電導線材において、両端部分と中央部分の剥離強度を測定した。両端部分及び中央部分における剥離強度の平均は10[MPa]であった。これら実施例1−3、参照例1−4及び比較例1、2で作製した酸化物超電導線材についての測定結果を表1で示す。
Figure 0005865426
表1により、超電導層に銀を含む実施例1−3、参照例1−4及び比較例1は、超電導層に銀を含まない比較例2と比較して、剥離強度が6倍以上となった。
また、実施例1−3及び参照例1−4と比較例1とを比較して、超電導層の原料溶液に銀を含むものの、銀を含む銀有機酸塩が、RE、Ba、Cuの有機酸塩の有機酸とは異なる場合を検証する。すると、剥離強度は、長尺の酸化物超電導線材の先端部分、中央部分、基端部分において偏差が大きくなり、ばらつくことわかった。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明に係る酸化物超電導線材の製造方法は、長尺の超電導線材であっても、長手方向に亘る超電導層のどの部分でも超電導層から保護層が矧がれにくく、安定した品質を有するテープ状酸化物超電導線材を製造でき、大容量電力を必要とする電力機器に応用できる酸化物超電導線材の製造方法として有用である。
10、10A、10B 酸化物超電導線材
11 基板
12 中間層
13 超電導層
13a 界面
14 保護層
15 複合基板
121 第1中間層
122 第2中間層
131 第1超電導層
132 第2超電導層

Claims (6)

  1. テープ状の基板に形成された中間層上に、REBaCu系(REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及びYbから選択された1又は2種以上の元素を示し、y≦2及びz=6.2〜7)超電導層を形成する超電導層形成工程と、前記超電導層上に保護層としての銀層を形成する保護層形成工程と、を有するテープ状酸化物超電導線材の製造方法であって、
    前記超電導層形成工程は、前記超電導層を構成する金属元素を含む原料溶液を、超電導層形成対象箇所に塗布した後、仮焼成熱処理を施して超電導層前駆体を形成する第1工程と、
    超電導層前駆体に本焼成熱処理を施して前記超電導層を形成する第2工程と、
    を有し、
    前記原料溶液は、前記金属元素であるRE、Ba、Cuをそれぞれ含む金属有機酸塩を混合した溶液であるとともに、銀錯体を含み、
    前記銀錯体は、前記原料溶液中の金属元素であるRE、Ba、Cuの有機酸塩のいずれかと同じ有機酸を使用した銀有機酸塩である、
    ことを特徴とする酸化物超電導線材の製造方法。
  2. 前記銀錯体は、前記原料溶液に含まれるCuの有機酸塩と同じ有機酸を使用した銀有機酸塩である、
    請求項1記載の酸化物超電導線材の製造方法。
  3. 前記銀錯体は、オクチル酸銀である、
    請求項1または2記載の酸化物超電導線材の製造方法。
  4. 銀粒子の粒子径は、5nm〜30nmである、
    請求項1から3のいずれか一項に記載の酸化物超電導線材の製造方法。
  5. 前記原料溶液中の銀濃度は1wt%〜10wt%である、
    請求項1から4のいずれか一項に記載の酸化物超電導線材の製造方法。
  6. 前記超電導層形成工程は、前記第1工程の前に、前記超電導層を構成する金属元素を含み、且つ、前記銀錯体を含まない前記原料溶液を前記中間層上に塗布した後、仮焼成熱処理を施して超電導層前駆体を形成する工程を有する、
    請求項1記載の酸化物超電導線材の製造方法。
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