JP5861580B2 - 半導体装置及び半導体装置製造方法 - Google Patents

Description

本願の開示する技術は、半導体装置及び半導体装置製造方法に関する。

基板上に半導体素子を搭載した半導体装置では、半導体素子からの放熱のための放熱部材を、金属製の熱接続部材（伝熱部材）で熱的に接続した構造が採られることがある。基板上には、半導体素子の他にも、キャパシタ等の電子部品が取り付けられている。この場合、熱接続部材としての金属材料が製造時等に溶融しても、電子部品に付着しないようにし、電子部品の短絡を抑制することが望まれる。

たとえば、半導体素子と電子部品との間に放熱部材から延在する隔離壁を設けた技術や、電子部品と離間した位置に付着防止部材を配置した技術が知られている。

特開２００７−２３４７８１号公報 国際公開第２００７／０９６９７５号パンフレット

ところで、半導体素子と電子部品との間に隔離壁を設けたり、電子部品と離間した位置に付着防止部材を配置したりすると、素子から離間した位置に電子部品を配置することになる。しかも、あらたに隔離壁や付着防止部材を設ける必要が生じ、構造の複雑化を招く。

本願の開示技術は、半導体装置において、電子部品の絶縁性を簡単な構造で確保しつつ電子部品の配置密度を高く確保できるようにすることが目的である。

本願の開示する技術では、放熱部材を基板に接着する絶縁性の接着部材が、基板上の電子部品を覆う。

本願の開示する技術によれば、半導体装置において、電子部品の絶縁性を簡単な構造で確保しつつ電子部品の配置密度を高く確保できる。

第１実施形態の半導体装置を示す平面図である。 第１実施形態の半導体装置を示す図１の２−２線断面図である。 第１実施形態の半導体装置を製造する半導体装置製造方法の途中の工程を示す断面図である。 第１実施形態の半導体装置を製造する半導体装置製造方法の途中の工程を示す断面図である。 第１実施形態の半導体装置の図２とは異なる形状で示す断面図である。 第２実施形態の半導体装置を示す平面図である。 第２実施形態の半導体装置を示す図６の７−７線断面図である。 第３実施形態の半導体装置を示す平面図である。

はじめに、第１実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。

図１及び図２に示すように、第１実施形態の半導体装置１２は、所定の絶縁性及び剛性を有する材料（たとえばエポキシ樹脂）によって平坦な板状に形成された基板１４を有している。基板１４には、必要に応じて、所望の回路パターンが銅箔等により形成されている。図１に示すように、本実施形態では、基板１４は平面視において四角形状とされているが、形状は特に限定されない。

基板１４の一方の面１４Ａ（図２の例では上側の面）には、素子１６が配置されている。素子１６は、内部に所定の回路等が設けられた半導体チップである。本実施形態の素子１６は、基板１４に対し、バンプ１８を用いて基板１４の回路パターン等に対し電気的に接続されると共に、アンダーフィル２０を用いて基板１４に封止されている。

基板１４の他方の面１４Ｂ（図２の例では下側の面）には、所望の位置に、他の部材との電気的接合用の半田ボール１５が形成されている。

基板１４には、基板１４との間に素子１６が位置するように、放熱部材２２が取り付けられている。放熱部材２２は、本実施形態では一例として、平面視にて基板１４と略同形状（四角形状）に形成されている。

放熱部材２２は、平板状の放熱板部２２Ｐと、この放熱板部２２Ｐの所定位置から基板１４に向かう複数本（本実施形態では、４つの角隅部から１本ずつ、合計で４本）の取付脚部２２Ｌと、を有している。

なお、放熱板部２２Ｐを平面視した形状は、本実施形態では上記したように基板１４と略同形状（四角形状）としているが、後述するように、素子１６から確実に放熱できれば、形状は特に限定されない。

放熱板部２２Ｐにおける、基板１４との対向面側には、放熱板部２２Ｐを部分的に凹ませて逃げ凹部２２Ｈが形成されている。逃げ凹部２２Ｈは、後述するように、伝熱部材２６の一部が溶融してはみ出し部２６Ｓが生じたときに、このはみ出し部２６Ｓの一部が収容される。本実施形態では、逃げ凹部２２Ｈを、放熱板部２２Ｐの対角線上で、且つ取付脚部２２Ｌに近接した位置に形成している。また、逃げ凹部２２Ｈは、キャパシタの少なくとも一部（図示の例では、後述する内側列２４Ｕ）よりも素子１６から離れた位置に形成されている。

基板１４の一方の面１４Ａにおいて、素子１６が配置されておらず、取付脚部２２Ｌも存在していない箇所には、電子部品の一例であるキャパシタ２４が複数配置されている。キャパシタ２４は、基板１４に対し電気的に接続されている。すなわち、キャパシタ２４は、図１から分かるように、素子１６及び取付脚部２２Ｌを避けた位置に配置されており、素子１６及び取付脚部２２Ｌとの不用意な接触が抑制されている。

図１から分かるように、本実施形態では、キャパシタ２４は、素子１６の４つの辺において、辺に沿って２列ずつ（便宜的に、内側列２４Ｕ及び外側列２４Ｓとして区別する）配置されている。内側列２４Ｕと外側列２４Ｓの間には、所定の間隙ＧＰが構成されている。キャパシタ２４を素子１６の周囲に配置することで、１枚の基板１４上に搭載できる素子１６の数を多くしている。

放熱板部２２Ｐと素子１６との間には、伝熱部材２６が配置されている。伝熱部材２６は所定の温度以上で溶融状態になる導電性の材料（本実施形態でははんだ等）とされている。この伝熱部材２６が、素子１６と放熱板部２２Ｐの双方に接触することで、素子１６から放熱部材２２へ効率的に伝熱される。

そして、素子１６の熱を、伝熱部材２６を介して放熱部材２２に効率的に伝えることができる。たとえば、発熱量の多い素子１６であっても、放熱部材２２から効率的に放熱することが可能である。

図１及び図２から分かるように、伝熱部材２６の一部は、素子１６と放熱板部２２Ｐの間からはみ出しており、はみ出し部２６Ｓが生じている。このはみ出し部２６Ｓは、後述するように、半導体装置１２の製造工程で、挟込部材により基板１４及び放熱部材２２を挟み込んで加圧することで生じる。

取付脚部２２Ｌは、本実施形態では放熱板部２２Ｐの４つの角部の近傍から延出されている。取付脚部２２Ｌの先端面と基板１４との間には、絶縁性を有する材料（たとえばポリイミド）によって薄膜状に形成された接着フィルム２８が配置されている。この接着フィルム２８の接着力によって、放熱部材２２は、取付脚部２２Ｌの先端において基板１４に接着され固定されている。

接着フィルム２８は、図１に示すように、平面視にて、外形が放熱板部２２Ｐと略同形状とされている。接着フィルム２８の中央には四角形状の孔部２８Ｈが形成されている。そして、孔部２８Ｈで切り残された部分の一部が、図２から分かるように、取付脚部２２Ｌの先端に接触する接着部２８Ｂになると共に、接着部２８Ｂから放熱板部２２Ｐの中心（図２では左側）へ延出された被覆部２８Ｃが形成されている。

被覆部２８Ｃは、接着部２８Ｂから連続しており、被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔがアンダーフィル２０に達している。そして、被覆部２８Ｃが伝熱部材２６とキャパシタ２４との間に位置することで、伝熱部材２６（はみ出し部２６Ｓ）とキャパシタ２４との接触を抑制している。

特に本実施形態では、被覆部２８Ｃが存在している部位では、この被覆部２８Ｃがキャパシタ２４の頂面２４Ｔに接触し、間隙ＧＰでは、被覆部２８Ｃが基板１４から離間している。また、接着部２８Ｂの近傍部分２８Ｎ（取付脚部２２Ｌとキャパシタ２４の外側列２４Ｓとの間）では、基板１４に接触している。

また、被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔは、アンダーフィル２０に接触している。特に本実施形態では、素子１６の周囲で全周にわたって、先端部分２８Ｔがアンダーフィル２０に接触している。

本実施形態の半導体装置１２では、このように、接着フィルム２８の一部である被覆部２８Ｃが、伝熱部材２６とキャパシタ２４との間でキャパシタ２４を覆っており、伝熱部材２６とキャパシタ２４との接触を抑制している。このため、たとえば、キャパシタ２４を素子１６に近接して配置しても、伝熱部材２６とキャパシタ２４との電気的な短絡が抑制されている。そして、伝熱部材２６に起因するキャパシタ２４の電気的な短絡が抑制される。たとえば、図示の例では、伝熱部材２６のはみ出し部２６Ｓの外縁部分２６Ｔよりも素子１６に近い位置にキャパシタ２４が配置されている。

次に、本実施形態の半導体装置１２を製造する半導体装置製造方法について説明する。

この半導体装置製造方法では、図３に示すように、あらかじめ素子１６及びキャパシタ２４が搭載され、半田ボール１５等も設けられた基板１４が用意される。

また、取付脚部２２Ｌの先端に接着フィルム２８の接着部２８Ｂが接着され、放熱板部２２Ｐにはシート状の伝熱部材２６が取り付けられた放熱部材２２が用意される。なお、図２において、キャパシタ２４の少なくとも一部（図示の例では、内側列２４Ｕ）は、半導体装置１２における放熱部材２２の逃げ凹部２２Ｈよりも素子１６に近い位置となるように、あらかじめ所定位置に配置されている。換言すれば、逃げ凹部２２Ｈは、キャパシタの少なくとも一部（図示の例では、内側列２４Ｕ）よりも素子１６から離れた位置となるように形成されている。

また、同じく図２において、接着フィルム２８は、最終的な半導体装置１２での形状を考慮して、あらかじめ所定箇所で曲げられた形状としているが、このように曲げられずに平板状に形成されていてもよい。

基板１４及び放熱部材２２は、それぞれ図示しない保持部材に保持されており、互いに接近及び離間させることが可能である。また、接近状態で炉内に投入することで、加熱により伝熱部材２６を溶融状態とすることが可能である。

この保持部材を用いて、図４に示すように、基板１４及び放熱部材２２を相対的に接近させ、伝熱部材２６を、素子１６と放熱部材２２との間に介在させる。そして、接着フィルム２８の接着部２８Ｂが基板１４の所定位置に接触した状態で、図示しないクリップ等の挟込部材で挟み込む。このとき、接着フィルム２８の被覆部２８Ｃの一部がキャパシタ２４の頂面２４Ｔに接触する。すなわち、被覆部２８Ｃは全体として、キャパシタ２４に被さる。

そして、基板１４と放熱部材２２とを、図示しない炉内に投入し、伝熱部材２６を、たとえば最高で１６０℃程度に加熱する。これにより、伝熱部材２６は溶融されるので、確実に素子１６及び放熱部材２２に接触する。

このとき、接着フィルム２８の被覆部２８Ｃが熱により軟化し、キャパシタ２４を被覆する（図１に示す接着フィルム２８の形状を参照）。特に、被覆部２８Ｃの先端は、アンダーフィル２０に接触しており、また、被覆部２８Ｃにおける接着部２８Ｂの近傍部分は、基板１４に接触している。これにより、接着フィルム２８の被覆部２８Ｃによって、キャパシタ２４が完全に覆われている。

ここで、伝熱部材２６は加熱により溶融状態になるため、一部が横方向に流動してはみ出し部２６Ｓが生じることがある（図１に示す伝熱部材２６の形状を参照）。本実施形態では、このようにはみ出し部２６Ｓが生じた状態で、放熱部材２２が接着フィルム２８によって基板１４に接着されると共に、素子１６と放熱部材２２とが伝熱部材２６によって熱的に接合されて、半導体装置１２が製造される。

次に、本実施形態の半導体装置１２の作用を説明する。

本実施形態の半導体装置１２では、上記したように、伝熱部材２６の一部がはみ出し部２６Ｓになっている。特に、クリップ等の挟込部材で基板１４及び放熱部材２２を挟み込むと、伝熱部材２６は溶融しているので、素子１６と放熱板部２２Ｐの間からはみ出しやすい。しかも、伝熱部材２６は加熱により体積膨張すると、はみ出し量が多くなる。

しかし、本実施形態では、接着フィルム２８の被覆部２８Ｃが、キャパシタ２４と素子１６との間に位置し、キャパシタ２４を覆っている。したがって、伝熱部材２６にはみ出し部２６Ｓが生じても、伝熱部材２６がキャパシタ２４に接触することが抑制される。伝熱部材２６のキャパシタ２４への接触が抑制されるため、キャパシタ２４が、伝熱部材２６によって電気的に短絡されることも抑制される。

換言すれば、伝熱部材２６に上記したはみ出し部２６Ｓが生じるように、基板１４と放熱部材２２とを挟み込んで加圧することが可能である。そして、基板１４と放熱部材２２とを強く加圧することで、素子１６と放熱部材２２との熱的な接合状態を良好にすることが可能である。さらに、素子１６と放熱部材２２との熱的な接合状態を良好にしつつ、伝熱部材２６のキャパシタ２４への接触を抑制できる。

また、本実施形態では、はみ出し部２６Ｓの一部が逃げ凹部２２Ｈに収容される。このため、このような逃げ凹部２２Ｈがない構造と比較して、はみ出し部２６Ｓの体積が多くても、このはみ出し部２６Ｓのうち、実質的にキャパシタ２４に接近する方向に移動するはみ出し部２６の体積は少なくなる。すなわち、基板１４と放熱部材２２とを強く加圧し、はみ出し部２６Ｓが逃げ凹部２２Ｈに収容されるようにすることで、素子１６と放熱部材２２との熱的な接合状態を良好にしつつ、伝熱部材２６のキャパシタ２４への接触を抑制できる。

特に本実施形態では、逃げ凹部２２Ｈは、キャパシタの少なくとも一部（図示の例では、内側列２４Ｕ）よりも素子１６から離れた位置にある。このため、逃げ凹部２２Ｈが素子１６に近い位置にある構成と比較して、はみ出し部２６Ｓの一部を間隙ＧＰの近傍へ誘導することが可能である。

本実施形態では、接着フィルム２８の被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔがアンダーフィルに接触し、接着部２８Ｂの近傍部分２８Ｎでは、基板１４に接触することで、キャパシタ２４を覆っている。このため、伝熱部材２６のはみ出し部２６Ｓの形状によらず、キャパシタ２４の短絡を抑制できる。たとえば、本実施形態では、伝熱部材２６として導電性の材料を用いているが、このように伝熱部材２６が導電性を有していても、キャパシタ２４の短絡を抑制できる。

加えて、被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔは、アンダーフィル２０に接触している。このため、先端部分２８Ｔは、アンダーフィル２０に接触していない構造と比較して、伝熱部材２６のキャパシタ２４への接触を抑制する効果が高い。特に、本実施形態では、被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔが、素子１６の周囲で全周にわたって、アンダーフィル２０に接触している。このため、素子１６の周囲での一部で、被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔがアンダーフィル２０に接触している構造と比較して、伝熱部材２６のキャパシタ２４への接触を抑制するさらに効果が高い。なお、被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔは、アンダーフィル２０ではなく、素子１６に接触していてもよい。さらに、基板１４（素子１６とキャパシタ２４の間の部分）に接触していてもよい。すなわち、被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔが素子１６又は基板１４に接触することで、接触していない構造と比較して、伝熱部材２６のキャパシタ２４への接触を抑制する効果が高い。

しかも、たとえば、伝熱部材２６の体積のばらつきや、各部材（素子１６や放熱部材２２等）の寸法公差のばらつき、さらに基板１４に放熱部材２２を接合するときの精度には、必然的にばらつきがある。本来的には、はみ出し部２６Ｓの位置や体積を予測することは、ある程度の誤差の範囲内では可能である。しかし、上記した各種のばらつきがあるため、はみ出し部２６Ｓの位置や体積を高精度で調整したり予測したりすることが難しい場合もある。

本実施形態では、すべてのキャパシタ２４を、被覆部２８Ｃが覆っている。このため、はみ出し部２６Ｓの位置や体積によらず、キャパシタ２４の絶縁性を維持することが可能である。

そして、本実施形態では、伝熱部材２６のキャパシタ２４への接触を抑制するために接着フィルム２８を用いており、たとえば、伝熱部材２６とキャパシタ２４との間の壁等が不要である。したがって、伝熱部材２６とキャパシタ２４との間に壁を設けた構成と比較して、本実施形態では、キャパシタ２４を素子１６に近づけて配置することが可能である。たとえば、図１及び図２に示したように、伝熱部材２６のはみ出し部２６Ｓの外縁部分２６Ｔよりも素子１６に近い位置にキャパシタ２４を配置しても、伝熱部材２６のキャパシタ２４への接触を抑制することが可能である。そして、キャパシタ２４を素子１６に近づけることで、キャパシタ２４を配置可能な部分が広く確保されている。これにより、本実施形態の半導体装置１２では、基板１４上により多くのキャパシタ２４が搭載できると共に、素子１６の動作特性の向上を図ることが可能となる。

しかも、基板１４に放熱部材２２を接着するための接着フィルム２８を用いて、伝熱部材２６がキャパシタ２４に接触することを抑制しており、素子１６とキャパシタ２４との絶縁性を確保するための新たな部材は不要である。これにより、簡単な構造で、素子１６とキャパシタ２４とを絶縁することが可能である。

なお、接着フィルム２８は熱によって軟化する性質を有している。したがって、溶融状態となった伝熱部材２６により、図５に示すように、間隙ＧＰにおいて接着フィルム２８が撓ませてキャパシタ２４の側面に接触させることも可能である。この場合、間隙ＧＰでは接着フィルム２８が伸びるので、図２に示した例よりも、伝熱部材２６の流動がさらに許容される。接着フィルム２８は、キャパシタ２４の側面にも密着しており、不用意に破断されないので、キャパシタ２４への伝熱部材２６の接触を抑制できる。接着フィルム２８の一部がキャパシタ２４の側面に接触しているため、間隙ＧＰにおいて、伝熱部材２６が入り込むスペースが広くなる。

なお、溶融状態で流動した伝熱部材２６（はみ出し部２６Ｓ）の量が多い場合には、図５から分かるように、間隙ＧＰにおいて接着フィルム２８がさらに撓み、基板１４に接触することがある。接着フィルム２８は、このように基板１４に接触した場合でも破断されないので、キャパシタ２４への伝熱部材２６の接触を抑制できる。

上記の半導体装置製造方法では、炉内で１回の加熱により、伝熱部材２６を溶融させ、さらに、接着フィルム２８を軟化させている。これらを、別々の加熱工程で行う方法と比較して、加熱の工程が少ない。

特に本実施形態では、１枚の接着フィルム２８を用いて、放熱部材２２の基板１４への接着と、伝熱部材１６とキャパシタ２４との絶縁の２つの作用を実現している。これらの作用を有する部材を別々に設けた構成と比較して、本実施形態では、部品点数が少ない。また、半導体装置１２を製造する工程においても、上記した接着のための部材と、絶縁のための部材とを別々に配置する必要がない、１枚の接着フィルム２８を基板１４の所定位置に配置すればよいので、少ない工程での半導体装置１２の製造が可能となる。

図６及び図７には、第２実施形態の半導体装置４２が示されている。第２実施形態において、第１実施形態と同一の構成要素、部材等については第１実施形態と同一符号を付して、詳細な説明を省略する。

第２実施形態の半導体装置４２では、素子１６に近い位置から３列、すなわち内側列２４Ｕと外側列２４Ｓとの間に中間列２４Ｃを配置して、キャパシタ２４が基板１４に複数搭載されている。

それぞれの列の間の隙間ＣＨは、第１実施形態の間隙ＧＰよりも狭くなっており、キャパシタ２４の配置密度が第１実施形態よりも高くなっている。なお、キャパシタ２４の各列が互いに接触して配置され、実質的に隙間ＣＨが生じていない構成でもよい。

したがって、第２実施形態では、第１実施形態よりもキャパシタ２４の配置密度が高くなり、基板１４上により多くのキャパシタ２４を搭載できる。

なお、第２実施形態において、キャパシタ２４の列間の隙間ＣＨは、第１実施形態におけるキャパシタ２４の列間の間隙ＧＰよりも狭いため、隙間ＣＨでの接着フィルム２８の撓み量は、第１実施形態よりも少なくなる。図７に示した例のように、隙間ＣＨにおいて、実質的に接着フィルム２８が撓まない場合もある。しかし、このように接着フィルム２８が撓まなくても、キャパシタ２４への伝熱部材２６の接触を接着フィルム２８によって抑制できる。

キャパシタ２４の配置の列数は特に限定されず、第２実施形態で示した３列より多くの列でキャパシタ２４を配置してもよい。

上記各実施形態では、接着フィルム２８としては、図１及び図６に示すように、平面視にて、外形が放熱部材２２の放熱板部２２Ｐと略同形状とされ、中央に孔部２８Ｈが形成された形状の接着フィルム２８を例示した。接着フィルムの形状は、これに限定されず、たとえば、図８に示すように、第３実施形態の接着フィルム４８と用いてもよい。なお、第３実施形態では、接着フィルムの形状が第１実施形態及び第２実施形態と異なっているが、半導体装置５２の全体的な構造は第２実施形態と同一である。第３実施形態において、第２実施形態と同一の構成要素、部材等については同一符号を付して、詳細な説明を省略する。

第３実施形態の接着フィルム４８の外形は、放熱部材２２の放熱板部２２Ｐと略同形状で、中央に孔部２８Ｈが形成されているが、さらに、接着部２８Ｂと孔部２８Ｈの間にも孔部４８Ｈが形成されている。図示の例では、４箇所の接着部２８Ｂのそれぞれに対応して、孔部４８Ｈも４つ形成されている。この孔部４８Ｈは、図８から分かるように、キャパシタ２４の搭載位置を避けて形成されており、被覆部２８Ｃがキャパシタ２４を被覆して、素子１６とキャパシタ２４との絶縁性を確保する点での影響が抑制されている。

このように、接着フィルム２８の接着部２８Ｂ及び被覆部２８Ｃの作用に影響がない範囲であれば、接着フィルム２８の形状は、特に限定されない。

また、接着フィルム２８の接着部２８Ｂと被覆部２８Ｃとは、接着フィルム２８の外周部分に沿った全範囲で連続して繋がっていてもよいが、全範囲では連続して繋がっていない構造でもよい。たとえば、図２における断面で、近傍部分２８Ｎと接着部２８Ｂとの間が部分的に繋がっていない部分がある形状の接着フィルムであってもよい。すなわち、他の部分で近傍部分２８Ｎと接着部２８Ｂとが繋がっていれば、１枚の接着フィルム２８を用いて、放熱部材２２の基板１４への接着と、伝熱部材１６とキャパシタ２４との絶縁の２つの作用を実現できる。それぞれの作用を奏する部材を別々に必要とする構成と比較して、部品点数が少なくなり、簡単な構造となる。また、半導体装置１２、４２を製造する場合にも、工程が少なくなる。

なお、第３実施形態において、第１実施形態と同様に、キャパシタ２４を２列で配置してもよい。

上記では、被覆部２８Ｃが基板１４あるいはアンダーフィル２０との間でキャパシタ２４を完全に覆っている例を挙げているが、このように覆っていない構成であっても、伝熱部材２６とキャパシタ２４との接触を抑制可能であればよい。たとえば、被覆部２８Ｃの先端部分２８Ｔがアンダーフィル２０からわずかに浮き上がった位置にある構造（アンダーフィル２０とは非接触）であってもよい。

上記では、電子部品の例としてキャパシタ２４を挙げているが、電子部品はキャパシタに限定されない。要するに、基板１４に設けられる（搭載される）と共に、伝熱部材１６に対し絶縁することが必要な電子部品であればよい。

上記では、接着部材として、フィルム状の部材である接着フィルムを挙げているが、必ずしもフィルム状に形成されている必要はない。たとえば、放熱部材を基板に接着する部分において、接着性に影響がなければ、フィルム状（薄膜状）とは言えない程度に厚みを有する形状でもよい。同様に、電子部品を覆う部分においても、電子部品の被覆性に影響がなければ、フィルム状でなくてもよい。

以上、本願の開示する技術の一実施形態について説明したが、本願の開示する技術は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。

本明細書は、以上の各実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
基板と、
前記基板上の素子と、
前記基板上の電子部品と、
前記素子上に配置された放熱部材と、
前記素子と前記放熱部材とを接合する伝熱部材と、
前記放熱部材を前記基板に接着すると共に、前記電子部品を覆う絶縁性の接着部材と、
を有する半導体装置。
（付記２）
前記伝熱部材が前記素子と前記放熱部材との間から前記素子の側方にはみ出すはみ出し部を有し、
前記接着部材が、前記はみ出し部と前記電子部品の間で前記電子部品を覆っている付記１に記載の半導体装置。
（付記３）
前記電子部品の少なくとも一部が、前記はみ出し部の外縁よりも前記素子に近い位置に配置されている付記２に記載の半導体装置。
（付記４）
前記放熱部材に、前記伝熱部材の前記はみ出し部の一部を収容する凹部が形成されている付記３に記載の半導体装置。
（付記５）
前記凹部が、前記電子部品の少なくとも一部よりも前記素子から離れた位置に形成されている付記４に記載の半導体装置。
（付記６）
前記放熱部材が、前記基板に向かって突出し、前記接着部材に接着される１又は複数の脚部を有し、
前記電子部品が前記脚部を避けた位置で前記素子の周囲に配置されている付記１〜付記５のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記７）
前記接着部材が、前記電子部品の前記基板と反対側の頂面及び前記電子部品の側面を覆っている請求項１〜付記６のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記８）
前記素子と前記基板との間に配置されるアンダーフィルを更に有し、前記素子、前記基板及び前記アンダーフィルのいずれかに前記接着部材が接触している付記１〜付記７のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記９）
前記電子部品が、前記素子の１辺あたり複数列配置されている付記１〜付記８のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１０）
前記電子部品がキャパシタである付記１〜９のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１１）
前記伝熱部材が導電性を有している付記１〜１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１２）
素子及び電子部品が取り付けられた基板に、放熱部材を絶縁性の接着部材により接着させ、伝熱部材を前記素子と前記放熱部材との間に介在させ、
前記接着部材が前記電子部品を覆った状態で、前記伝熱部材を溶融させて前記素子と前記放熱部材とを接合する半導体装置製造方法。
（付記１３）
溶融した前記伝熱部材の一部を前記素子と前記放熱部材との間から前記素子の側方にはみ出させてはみ出し部が形成されるように前記放熱部材を前記素子に押し付ける付記１２に記載の半導体装置製造方法。
（付記１４）
前記放熱部材として、前記はみ出し部の一部を収容可能な凹部が形成された放熱部材を用い、
前記はみ出し部の一部が前記凹部に収容されるように、前記放熱部材を前記素子に押し付ける付記１３に記載の半導体装置製造方法。
（付記１５）
前記はみ出し部により、前記接着部材の一部を前記電子部品の側面に接触させる付記１４に記載の半導体装置製造方法。
（付記１６）
前記電子部品の少なくとも一部が前記凹部よりも前記素子に近い位置となるよう配置された前記基板を用い、
前記基板に前記放熱部材を接着する付記１２〜付記１５のいずれか１つに記載の半導体装置製造方法。
（付記１７）
前記伝熱部材の溶融と共に前記接着部材を軟化させる付記１２〜付記１６のいずれか１つに記載の半導体装置製造方法）。
（付記１８）
前記基板として、前記電子部品が前記素子の１辺あたり複数列配置されている基板を用いる付記１２〜付記１７のいずれか１つに記載の半導体装置製造方法。
（付記１９）
前記電子部品がキャパシタである前記基板を用いる付記１２〜付記１８のいずれか１つに記載の半導体装置製造方法。
（付記２０）
前記放熱部材として、前記素子と前記放熱部材との間から前記素子の側方にはみ出すはみ出し部の一部を収容可能な凹部が形成されている放熱部材を用いる付記１２〜付記１９のいずれか１つに記載の半導体装置。

１２ 半導体装置
１４ 基板
１６ 素子
２２ 放熱部材
２２Ｐ 放熱板部
２２Ｌ 取付脚部
２２Ｈ 凹部
２４ キャパシタ（電子部品）
２４Ｔ 頂面
２６ 伝熱部材
２６Ｓ はみ出し部
２８Ｎ 近傍部分
２８ 接着フィルム（接着部材）
４２ 半導体装置
４８ 接着フィルム（接着部材）
５２ 半導体装置

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板上の素子と、
   前記基板上の電子部品と、
   前記素子上に配置された放熱部材と、
   前記素子と前記放熱部材とを接合する伝熱部材と、
   前記放熱部材を前記基板に接着すると共に、前記電子部品を覆う絶縁性の接着部材と、
   を有する半導体装置。
2. 前記伝熱部材が前記素子と前記放熱部材との間から前記素子の側方にはみ出すはみ出し部を有し、
   前記接着部材が、前記はみ出し部と前記電子部品の間で前記電子部品を覆っている請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記放熱部材に、前記伝熱部材の前記はみ出し部の一部を収容する凹部が形成されている請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記放熱部材が、前記基板に向かって突出し、前記接着部材に接着される１又は複数の脚部を有し、
   前記電子部品が前記脚部を避けた位置で前記素子の周囲に配置されている請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記接着部材が、前記電子部品の前記基板と反対側の頂面及び前記電子部品の側面を覆っている請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記素子と前記基板との間に配置されるアンダーフィルを更に有し、前記素子、前記基板及び前記アンダーフィルのいずれかに前記接着部材が接触している請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 素子及び電子部品が取り付けられた基板に、放熱部材を絶縁性の接着部材により接着させ、伝熱部材を前記素子と前記放熱部材との間に介在させ、
   前記接着部材が前記電子部品を覆った状態で、前記伝熱部材を溶融させて前記素子と前記放熱部材とを接合する半導体装置製造方法。
8. 溶融した前記伝熱部材の一部を前記素子と前記放熱部材との間から前記素子の側方にはみ出させてはみ出し部が形成されるように前記放熱部材を前記素子に押し付ける請求項７に記載の半導体装置製造方法。

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