JP5851872B2 - 化合物半導体太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図2に示すように、GaAs基板1上に、AlAsエッチング層2、厚さ50nmのp型InGaP窓層3、厚さ500nmのp型GaAsベース層4、厚さ50nmのn型InGaPエミッタ層5、厚さ200nmのn型GaAsコンタクト層7、および厚さ100nmのn+型GaAsコンタクト層8をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させた。
図12に示すように、AlyGa1-yAsからなる窓層106上に順次積層された、n型GaAsからなるベース層108と、p+型AlxGa1-xAsからなるエミッタ層110と、p+型GaAsからなる接触層116とを有しており、隣り合うエミッタ層110間の窪み114のベース層108の表面にn電極602が接しており、接触層116の表面にp電極604が接している構成の比較例の化合物半導体太陽電池を作製した。
Claims (5)
- 基板上に第2導電型の化合物半導体からなる窓層を形成する工程と、
前記窓層上に第2導電型の化合物半導体からなるベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に第1導電型の化合物半導体からなるエミッタ層を形成する工程と、
前記エミッタ層上に第1導電型の化合物半導体からなる第1のコンタクト層を形成する工程と、
前記第1のコンタクト層の一部を除去する工程と、
前記第1のコンタクト層の除去部分から第2導電型の不純物を拡散させることによって第2導電型の化合物半導体からなるヘテロ障壁層と第2導電型の化合物半導体からなる第2のコンタクト層とを形成する工程と、
前記第1のコンタクト層上に第1の電極を形成する工程と、
前記第2のコンタクト層上に第2の電極を形成する工程と、を含む、化合物半導体太陽電池の製造方法。 - 少なくとも前記ベース層まで前記第2導電型の不純物を拡散させる、請求項1に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。
- 前記ヘテロ障壁層のバンドギャップエネルギが、前記ベース層のバンドギャップエネルギよりも大きい、請求項2に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。
- 前記エミッタ層のバンドギャップエネルギが、前記ベース層のバンドギャップエネルギよりも大きい、請求項2または3に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。
- 前記窓層のバンドギャップエネルギが、前記ベース層のバンドギャップエネルギよりも大きい、請求項2から4のいずれか1項に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。
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