JP5823490B2 - 脆性材料のレーザシンギュレーションのための改良された方法及び装置 - Google Patents
脆性材料のレーザシンギュレーションのための改良された方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5823490B2 JP5823490B2 JP2013502858A JP2013502858A JP5823490B2 JP 5823490 B2 JP5823490 B2 JP 5823490B2 JP 2013502858 A JP2013502858 A JP 2013502858A JP 2013502858 A JP2013502858 A JP 2013502858A JP 5823490 B2 JP5823490 B2 JP 5823490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- parameter
- laser parameter
- parameters
- microns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0626—Energy control of the laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
Description
Howell、Eric G. Liniger、及びRonald L. Mendelsonによる米国特許第6,271,102号「METHOD AND SYSTEM FOR DICING WAFERS, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES
INCORPORATING THE PRODUCTS THEREOF」は、ダイ破断強さを改善するために、表面及び裏面からレーザ切断する前に鋸刃で縁部を面取りした切断ウェハについて記載している。この場合、レーザ又は鋸による直線状切断部に代えて面取りされた切断部が生成されている。2006年10月31日の発明者Salman Akramによる米国特許第7,129,114号「METHODS RELATING TO SINGULATING SEMICONDUCTOR WAFERS AND WAFER SCALE
ASSEMBLIES」は、レーザ切断部に隣接してトレンチをスクライブして、該トレンチを保護材料で覆うことによりダイ破断強さの問題を解決しようとしている。2006年11月9日の発明者Adrian Boyleによる米国特許公開第2006/0249480号「LASER
MACHINING USING AN ACTIVE ASSIST GAS」は、補助ガスを使用して切断部の縁部の損傷部をエッチングしてダイ破断強さを改善することについて記載している。2008年6月5日の発明者Kali Dunne及びFallon O’BriainによるWIPO特許公開第2008/064863「LASER MACHINING」は、複数のパスを有して切断される経路に沿って間隔を空けられたレーザパルスの特定のパターンを使用してデブリ群を避けることを述べている。
Claims (50)
- 脆性ワークピースをレーザ加工するための方法であって、
レーザパラメータを有するレーザを用意し、
第1のレーザパラメータを使用した前記レーザで第1の切断プロセスを行い、前記ワークピースに第1の切断部を形成し、
前記第1の切断プロセスを行った後、第2のレーザパラメータを使用した前記レーザで第2の切断プロセスを行い、前記ワークピースに第2の切断部を形成し、
前記第1のレーザパラメータ及び前記第2のレーザパラメータは、前記第1の切断プロセス中の前記ワークピースでの第1のレーザフルエンスが前記第2の切断プロセス中の前記ワークピースでの第2のレーザフルエンスよりも低くなるように選択され、
前記第2の切断プロセスは、前記第2の切断プロセス中に生じたデブリが前記第1の切断部によって作られた空間に逃げるように、前記空間と実質的に隣接する位置で行われる、
方法。 - 前記第1のレーザパラメータのレーザタイプは、Nd:YAG、Nd:YLF又はNd:YVO4又はファイバレーザのうちの1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータの波長は、約255nmから約2ミクロンの範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータのパルス持続時間は、約10フェムト秒から約100マイクロ秒である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータのパルス時間形状は、ガウス、特別調整又は方形のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータのレーザ出力は、約0.1マイクロジュールから約1.0ミリジュールの範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータのフルエンスは、0.1マイクロジュール/cm2から約200ジュール/cm2の範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータの繰り返し率は、約1kHz以上である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータの速度は、約10mm/秒から約10m/秒の範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータのピッチは、0ミクロンから約50ミクロンの範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータのスポットサイズは、約2ミクロン以上である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータのスポット形状は、ガウス、トップハット(円形)又はトップハット(方形)のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のレーザパラメータの焦点高さは、−10mmから+10mmの範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータのレーザタイプが、Nd:YAG、Nd:YLF又はNd:YVO4又はファイバレーザのうちの1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータの波長は、約255nmから約2ミクロンの範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータのパルス持続時間は、約10フェムト秒から約100マイクロ秒である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータのパルス時間形状は、ガウス、特別調整又は方形のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータのレーザ出力は、約0.1マイクロジュールから約1.0ミリジュールの範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータのフルエンスは、0.1マイクロジュール/cm2から約200ジュール/cm2の範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータの繰り返し率は、約1kHz以上である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータの速度は、約10mm/秒から約10m/秒の範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータのピッチは、0ミクロンから約50ミクロンの範囲である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータのスポットサイズは、約2ミクロン以上である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータのスポット形状は、ガウス、トップハット(円形)又はトップハット(方形)のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のレーザパラメータの焦点高さは、−10mmから+10mmの範囲である、請求項1に記載の方法。
- 脆性ワークピースをレーザ加工するための装置であって、
レーザパルス及びレーザパルスパラメータを有するレーザと、
前記レーザパルスを前記ワークピースに照射可能なレーザ光学系と、
前記コントローラの指令で前記レーザパルスに対して前記ワークピースを移動可能な運動ステージと、
前記レーザパルスパラメータと、前記運動ステージと、前記レーザ光学系とを制御可能なコントローラと、
を備え、
前記レーザ、前記レーザ光学系、及び前記運動ステージと協働する前記コントローラは、
第1のレーザパラメータを使用した第1の切断プロセスを行い前記ワークピースの第1の位置に第1の切断部を形成し、
前記第1の切断プロセスの後、第2のレーザパラメータを使用した第2の切断プロセスを行い前記第1の位置に隣接した第2の位置に第2の切断部を形成する
ように構成されており、
前記第1のレーザパラメータ及び前記第2のレーザパラメータは、前記第1の切断プロセス中の前記ワークピースでの第1のレーザフルエンスが前記第2の切断プロセス中の前記ワークピースでの第2のレーザフルエンスよりも低くなるように選択され、
前記第2の切断プロセスは、前記第2の切断プロセス中に生じたデブリが前記第1の切断部によって作られた空間に逃げるように、前記空間と実質的に隣接する位置で行われる
装置。 - 前記第1のレーザパラメータのレーザタイプは、Nd:YAG、Nd:YLF又はNd:YVO4又はファイバレーザのうちの1つを含む、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータの波長は、約255nmから約2ミクロンの範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータのパルス持続時間は、約10フェムト秒から約100マイクロ秒である、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータのパルス時間形状は、ガウス、特別調整又は方形のうちの1つである、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータのレーザ出力は、約0.1マイクロジュールから約1.0ミリジュールの範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータのフルエンスは、0.1マイクロジュール/cm2から約200ジュール/cm2の範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータの繰り返し率は、約1kHz以上である、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータの速度は、約10mm/秒から約10m/秒の範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータのピッチは、0ミクロンから約50ミクロンの範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータのスポットサイズは、約2ミクロン以上である、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータのスポット形状は、ガウス、トップハット(円形)又はトップハット(方形)のうちの1つである、請求項26に記載の装置。
- 前記第1のレーザパラメータの焦点高さは、−10mmから+10mmの範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータのレーザタイプが、Nd:YAG、Nd:YLF又はNd:YVO4又はファイバレーザのうちの1つを含む、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータの波長は、約255nmから約2ミクロンの範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータのパルス持続時間は、約10フェムト秒から約100マイクロ秒である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータのパルス時間形状は、ガウス、特別調整又は方形のうちの1つである、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータのレーザ出力は、約0.1マイクロジュールから約1.0ミリジュールの範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータのフルエンスは、0.1マイクロジュール/cm2から約200ジュール/cm2の範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータの繰り返し率は、約1kHz以上である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータの速度は、約10mm/秒から約10m/秒の範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータのピッチは、0ミクロンから約50ミクロンの範囲である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータのスポットサイズは、約2ミクロン以上である、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータのスポット形状は、ガウス、トップハット(円形)又はトップハット(方形)のうちの1つである、請求項26に記載の装置。
- 前記第2のレーザパラメータの焦点高さは、−10mmから+10mmの範囲である、請求項26に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/753,367 | 2010-04-02 | ||
US12/753,367 US8383984B2 (en) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | Method and apparatus for laser singulation of brittle materials |
PCT/US2011/030768 WO2011123673A2 (en) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | Improved method and apparatus for laser singulation of brittle materials |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013524521A JP2013524521A (ja) | 2013-06-17 |
JP2013524521A5 JP2013524521A5 (ja) | 2014-05-08 |
JP5823490B2 true JP5823490B2 (ja) | 2015-11-25 |
Family
ID=44708399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013502858A Active JP5823490B2 (ja) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | 脆性材料のレーザシンギュレーションのための改良された方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8383984B2 (ja) |
EP (1) | EP2553717B1 (ja) |
JP (1) | JP5823490B2 (ja) |
KR (1) | KR101754186B1 (ja) |
CN (1) | CN102844844B (ja) |
TW (1) | TWI532559B (ja) |
WO (1) | WO2011123673A2 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9346130B2 (en) | 2008-12-17 | 2016-05-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser processing glass with a chamfered edge |
US9669613B2 (en) * | 2010-12-07 | 2017-06-06 | Ipg Photonics Corporation | Laser lift off systems and methods that overlap irradiation zones to provide multiple pulses of laser irradiation per location at an interface between layers to be separated |
US20110287607A1 (en) * | 2010-04-02 | 2011-11-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for improved wafer singulation |
ES2398787B1 (es) * | 2010-12-16 | 2014-02-18 | BSH Electrodomésticos España S.A. | Procedimiento para fabricar una placa de campo de cocción para un campo de cocción |
US8976340B2 (en) * | 2011-04-15 | 2015-03-10 | Advanced Scientific Concepts, Inc. | Ladar sensor for landing, docking and approach |
US8950519B2 (en) | 2011-05-26 | 2015-02-10 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compacts with partitioned substrate, polycrystalline diamond table, or both |
US8863864B1 (en) | 2011-05-26 | 2014-10-21 | Us Synthetic Corporation | Liquid-metal-embrittlement resistant superabrasive compact, and related drill bits and methods |
US9297411B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-03-29 | Us Synthetic Corporation | Bearing assemblies, apparatuses, and motor assemblies using the same |
US9062505B2 (en) | 2011-06-22 | 2015-06-23 | Us Synthetic Corporation | Method for laser cutting polycrystalline diamond structures |
DE102011054891B4 (de) | 2011-10-28 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds |
US9828278B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby |
CN104136967B (zh) * | 2012-02-28 | 2018-02-16 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 用于分离增强玻璃的方法及装置及由该增强玻璃生产的物品 |
US10357850B2 (en) | 2012-09-24 | 2019-07-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining a workpiece |
WO2013130608A1 (en) | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and apparatus for machining strengthened glass and articles produced thereby |
TWI483802B (zh) * | 2012-12-14 | 2015-05-11 | Ind Tech Res Inst | 雷射加工裝置及其方法 |
US9919380B2 (en) * | 2013-02-23 | 2018-03-20 | Coherent, Inc. | Shaping of brittle materials with controlled surface and bulk properties |
DE102013005136A1 (de) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zurn Abtragen von sprödhartem Material mittels Laserstrahlung |
JP6162018B2 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-07-12 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6696897B2 (ja) * | 2013-10-29 | 2020-05-20 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光デバイスのウエハを分離する方法 |
US9653638B2 (en) * | 2013-12-20 | 2017-05-16 | Sunpower Corporation | Contacts for solar cells formed by directing a laser beam with a particular shape on a metal foil over a dielectric region |
WO2015168276A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-11-05 | Ipg Photonics Corporation | High speed laser cutting of amorphous metals |
US20160184926A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-06-30 | Suss Microtec Photonic Systems Inc. | Laser ablation system including variable energy beam to minimize etch-stop material damage |
JP6649705B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2020-02-19 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
CN107850554B (zh) | 2015-08-26 | 2021-09-07 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 相对于气流的镭射扫描定序及方向 |
MX2018006695A (es) * | 2015-12-18 | 2018-08-15 | Kimberly Clark Co | Metodo de corte con laser de una estructura de trama. |
TWI724282B (zh) * | 2018-03-02 | 2021-04-11 | 寬輔科技股份有限公司 | 測試晶粒的雷射切割方法 |
JP7072993B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2022-05-23 | 株式会社ディスコ | チップ製造方法 |
TWI678342B (zh) | 2018-11-09 | 2019-12-01 | 財團法人工業技術研究院 | 形成導角的切割方法 |
KR102158832B1 (ko) * | 2018-11-20 | 2020-09-22 | 한화정밀기계 주식회사 | 웨이퍼 절단 방법 및 절단 장치 |
CN114424323B (zh) | 2020-02-21 | 2022-08-09 | 新唐科技日本株式会社 | 单片化方法 |
CN113799277B (zh) * | 2021-08-10 | 2024-04-19 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种晶体多线切割方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2720669B2 (ja) | 1991-11-11 | 1998-03-04 | 株式会社大林組 | レーザービームによる厚板の溶断方法 |
DE4316012C2 (de) | 1993-05-13 | 1998-09-24 | Gehring Gmbh & Co Maschf | Verfahren zur Feinbearbeitung von Werkstück-Oberflächen |
JP3534807B2 (ja) | 1994-02-28 | 2004-06-07 | 三菱電機株式会社 | レーザ切断方法 |
US5747769A (en) * | 1995-11-13 | 1998-05-05 | General Electric Company | Method of laser forming a slot |
US6271102B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-08-07 | International Business Machines Corporation | Method and system for dicing wafers, and semiconductor structures incorporating the products thereof |
US6987786B2 (en) | 1998-07-02 | 2006-01-17 | Gsi Group Corporation | Controlling laser polarization |
JP3518405B2 (ja) | 1999-04-02 | 2004-04-12 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US6255621B1 (en) | 2000-01-31 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Laser cutting method for forming magnetic recording head sliders |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
KR20020047479A (ko) | 2000-12-13 | 2002-06-22 | 김경섭 | 비금속재료의 레이저 절단 방법 |
WO2002047863A1 (en) | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Xsil Technology Limited | Laser machining of semiconductor materials |
ATE282526T1 (de) | 2001-05-25 | 2004-12-15 | Stork Prints Austria Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer druckform |
SG108262A1 (en) | 2001-07-06 | 2005-01-28 | Inst Data Storage | Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation |
GB2399311B (en) | 2003-03-04 | 2005-06-15 | Xsil Technology Ltd | Laser machining using an active assist gas |
DK1656026T3 (da) * | 2003-08-22 | 2014-07-14 | Dupont Nutrition Biosci Aps | Sammensætning, der omfatter et bakteriocin og et ekstrakt fra en plante fra læbeblomstfamilien |
US7173212B1 (en) | 2004-02-13 | 2007-02-06 | Semak Vladimir V | Method and apparatus for laser cutting and drilling of semiconductor materials and glass |
US7129114B2 (en) | 2004-03-10 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Methods relating to singulating semiconductor wafers and wafer scale assemblies |
US8148211B2 (en) * | 2004-06-18 | 2012-04-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously |
US7633034B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-12-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure |
US7169687B2 (en) * | 2004-11-03 | 2007-01-30 | Intel Corporation | Laser micromachining method |
JP4684697B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-05-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハ破断方法 |
JP4751634B2 (ja) | 2005-03-31 | 2011-08-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7611966B2 (en) * | 2005-05-05 | 2009-11-03 | Intel Corporation | Dual pulsed beam laser micromachining method |
JP2006315017A (ja) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Canon Inc | レーザ切断方法および被切断部材 |
US7244906B2 (en) * | 2005-08-30 | 2007-07-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | Energy monitoring or control of individual vias formed during laser micromachining |
JP2007277636A (ja) | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Yamazaki Mazak Corp | レーザ焼入れ方法 |
US8624157B2 (en) * | 2006-05-25 | 2014-01-07 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultrashort laser pulse wafer scribing |
GB2444037A (en) | 2006-11-27 | 2008-05-28 | Xsil Technology Ltd | Laser Machining |
JP2008166445A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Enzan Seisakusho Co Ltd | 半導体基板の切断方法 |
US7817685B2 (en) | 2007-01-26 | 2010-10-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for generating pulse trains for material processing |
US9029731B2 (en) | 2007-01-26 | 2015-05-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for laser processing continuously moving sheet material |
JP2009049390A (ja) | 2007-07-25 | 2009-03-05 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
US8729427B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-20 | Electro Scientific Industries, Inc. | Minimizing thermal effect during material removal using a laser |
JP5573192B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2014-08-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-04-02 US US12/753,367 patent/US8383984B2/en active Active
-
2011
- 2011-03-31 CN CN201180017460.XA patent/CN102844844B/zh active Active
- 2011-03-31 EP EP11763453.5A patent/EP2553717B1/en active Active
- 2011-03-31 JP JP2013502858A patent/JP5823490B2/ja active Active
- 2011-03-31 WO PCT/US2011/030768 patent/WO2011123673A2/en active Application Filing
- 2011-03-31 KR KR1020127025413A patent/KR101754186B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-01 TW TW100111495A patent/TWI532559B/zh active
-
2013
- 2013-02-22 US US13/774,244 patent/US8679948B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI532559B (zh) | 2016-05-11 |
US20110240616A1 (en) | 2011-10-06 |
JP2013524521A (ja) | 2013-06-17 |
US8383984B2 (en) | 2013-02-26 |
EP2553717A4 (en) | 2017-08-16 |
WO2011123673A3 (en) | 2012-01-19 |
EP2553717B1 (en) | 2020-05-06 |
US8679948B2 (en) | 2014-03-25 |
US20130237035A1 (en) | 2013-09-12 |
EP2553717A2 (en) | 2013-02-06 |
CN102844844A (zh) | 2012-12-26 |
CN102844844B (zh) | 2015-11-25 |
WO2011123673A2 (en) | 2011-10-06 |
KR101754186B1 (ko) | 2017-07-19 |
KR20130051435A (ko) | 2013-05-20 |
TW201201945A (en) | 2012-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5823490B2 (ja) | 脆性材料のレーザシンギュレーションのための改良された方法及び装置 | |
JP5607138B2 (ja) | ガラス基板上のチップスケールパッケージのレーザ個別化のための方法 | |
KR101385675B1 (ko) | 초단파 레이저 펄스 웨이퍼 스크라이빙 | |
US20110287607A1 (en) | Method and apparatus for improved wafer singulation | |
US20120175652A1 (en) | Method and apparatus for improved singulation of light emitting devices | |
JP2012521889A (ja) | 脆性材料の加工のための改善された方法 | |
JP2018523291A (ja) | 半導体加工対象物のスクライブ方法 | |
CN111085786B (zh) | 使用激光脉冲进行的材料切割 | |
KR20130140706A (ko) | 최적화된 임시 파워 프로파일 및 편광을 갖는 레이저 펄스를 이용한 링크 처리 방법 및 시스템 | |
TWI726656B (zh) | 優化的鐳射切割 | |
Migliore | Enhancing silicon cutting performance by shaping the focused beam | |
KR20130142165A (ko) | 발광 소자의 개선된 싱귤레이션 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140317 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150421 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5823490 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |