JP5814328B2 - C/SiC傾斜コーティング膜の形成方法及び装置 - Google Patents
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- C/SiC傾斜コーティング膜を形成する基板を前記コーティング膜形成用の反応炉内部に配置するステップと、
前記反応炉を加熱するステップと、
炭素とケイ素とを含む反応物のガスを酸素ガスとともに前記反応炉内部に供給して、前記反応物のガスと酸素ガスとの反応を起こさせ、前記基板上にC/SiC傾斜コーティング膜を形成するステップと、
を含み、
前記コーティング膜の形成ステップにおいては、反応後期に比べて反応初期により多くの量の酸素ガスを投入して、前記基板の表面に実質的に純粋な炭素層を形成させてから、酸素ガスの量を徐々に減らしていき、前記基板の表面から遠くなるほどより高い濃度のSiC層が形成されるように反応条件を制御することを特徴とするC/SiC傾斜コーティング膜の形成方法。 - 前記反応初期においては、前記反応物のガス中の炭素及びケイ素の酸素ガスに対する割合が2となるように前記酸素ガスの流量を制御することを特徴とする請求項1に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成方法。
- 前記反応後期においては、前記酸素ガスの供給を遮断して、前記C/SiC傾斜コーティング膜の最上層にSiC膜が形成されることを特徴とする請求項2に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成方法。
- 前記反応炉内部の圧力は50torr未満に保持されることを特徴とする請求項3に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成方法。
- 前記コーティング膜形成ステップにおいては、前記反応物のガス中の炭素及びケイ素(C+Si)の酸素ガスに対する割合{(C+Si)/O 2 }が大きくなるほど前記反応炉内部の温度を減少させることを特徴とする請求項3に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成方法。
- 前記反応物のガスとして、メチルトリクロロシラン(MTS)を用いることを特徴とする請求項4に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成方法。
- 前記反応炉は1,100〜1,300℃の温度まで加熱されることを特徴とする請求項6に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成方法。
- 基板上にC/SiC傾斜コーティング膜を形成するための装置であって、
装着部上に載置された前記基板上に所定の物質を蒸着する蒸着工程を施すための蒸着チャンバと、前記蒸着チャンバに反応物のガスを供給するためのガス供給システムを含み、
前記ガス供給システムは、
前記蒸着チャンバに連結され、前記蒸着チャンバ内における蒸着に必要な反応物を供給する反応物ソースであって、前記反応物は炭素とケイ素を含む、前記反応物ソースと、
前記蒸着チャンバ及び前記反応物ソースに連結され、前記反応物のガスを蒸着チャンバ内に搬送する搬送ガスを供給する搬送ガスソースと、
前記蒸着チャンバに連結され、前記蒸着チャンバ内に供給される前記反応物のガスと反応する酸素ガスを供給する酸素ガスソースと、
前記反応物のガス及び前記酸素ガスの供給流量を制御する制御部と、
を含み、
前記蒸着チャンバは、
真空及び高温状態で保持でき、一端部には前記ガスを供給する前記ガスソース及び前記反応物ソースが連結され、他端部には真空ポンプが連結される反応炉と、
前記反応炉の周囲に配設され、前記反応炉を加熱するように構成される発熱体と、
を含み、
前記反応炉内部には、前記コーティング膜を形成する基板が配置され、
前記制御部は、前記コーティング膜を形成する過程で、反応後期に比べて反応初期により多くの量の酸素ガスを投入して、前記基板の表面に実質的に純粋な炭素層を形成させてから、酸素ガスの量を徐々に減らしていき、前記基板の表面から遠くなるほどより高い濃度のSiC層が形成されるように前記酸素ガスの供給流量を制御するように構成されることを特徴とするC/SiC傾斜コーティング膜の形成装置。 - 前記制御部は、前記反応初期において、前記反応物のガス中の炭素及びケイ素の酸素ガスに対する割合が2となるように前記酸素ガスの流量を制御するように構成されることを特徴とする請求項8に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成装置。
- 前記制御部は、前記反応後期において、前記酸素ガスの供給を遮断して、前記C/SiC傾斜コーティング膜の最上層にSiC膜が形成されるように構成されることを特徴とする請求項9に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成装置。
- 前記反応炉内部の圧力は50torr未満に保持されることを特徴とする請求項10に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成装置。
- 前記コーティング膜を形成する過程で、前記反応物のガス中の炭素及びケイ素の酸素ガスに対する割合が大きくなるほど前記反応炉内部の温度が減少するように前記反応炉が構成されることを特徴とする請求項10に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成装置。
- 前記反応物のガスとして、メチル卜リクロロシラン(MTS)を用いることを特徴とする請求項11に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成装置。
- 前記反応炉は、1,100〜1,300℃の温度まで加熱されることを特徴とする請求項13に記載のC/SiC傾斜コーティング膜の形成装置。
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