JP5805115B2 - 単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る単結晶製造装置の主要部の構成を示す断面図である。図1のように、単結晶製造装置は、基板1を載置するグラファイト製のサセプタ2と、サセプタ2の上面を覆うサセプタ対向板5を備えている。サセプタ2の周囲には、サセプタ2から周囲への熱輻射を抑えて、基板1を効率良く加熱させるために、サセプタ用断熱材3が配設される。これら基板1、サセプタ2、サセプタ用断熱材3およびサセプタ対向板5は、石英管の中に置かれ、誘導加熱装置を用いてサセプタ2に誘導電流を流すことによりサセプタ2が発熱し、基板1が加熱される。
図2は、本発明の実施の形態2に係る単結晶製造装置の主要部の構成を示す断面図である。実施の形態1(図1)とはサセプタ2に設けられる断熱材用凹部2bおよび基板用断熱材4の形状が異なっているが、基板用凹部2aの直径寸法は同一である。
Claims (10)
- CVD法により基板上に単結晶をエピタキシャル成長させる単結晶の製造装置であって、
前記基板が載置される載置面に円形の凹部を有するサセプタと、
前記凹部の中央部に配設され、当該凹部と同心の円盤状であり前記基板の直径以下の直径を有する断熱材と
を備え、
前記サセプタの載置面において、前記凹部の中央部以外の箇所には前記断熱材が配設されていない
ことを特徴とする単結晶の製造装置。 - 前記断熱材は、前記サセプタに前記基板を載置したときに前記基板と接触する位置に配設されている
請求項1記載の単結晶の製造装置。 - 前記サセプタはグラファイト製であり、
前記断熱材の熱輻射率は、単結晶のエピタキシャル成長時の温度において0.6未満である
請求項1または請求項2記載の単結晶の製造装置。 - 前記サセプタはグラファイト製であり、
前記断熱材の前記サセプタから前記基板への方向における熱伝導率が、単結晶のエピタキシャル成長時の温度において20W/m・K以下である
請求項1または請求項2記載の単結晶の製造装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項記載の単結晶の製造装置を用いる炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記基板は、シリコン面が凹型になるように反った4H−SiC基板である
請求項5記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記基板上に成長させるエピタキシャル膜の厚さが20μm以上であり、
前記基板上に成長させるエピタキシャル膜の窒素のドーピング濃度が1×10 16 /cm 3 以下である
請求項6記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記基板の直径は100mm以上である
請求項5または請求項6記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記断熱材はグラファイトシートである
請求項1から請求項4のいずれか一項記載の単結晶の製造装置。 - 前記断熱材の厚さは、前記基板との接触部で最も厚くなっている
請求項2記載の単結晶の製造装置。
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