JP5791904B2 - 光散乱層を持つ隠れた有機光電子デバイス - Google Patents

光散乱層を持つ隠れた有機光電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP5791904B2
JP5791904B2 JP2010548223A JP2010548223A JP5791904B2 JP 5791904 B2 JP5791904 B2 JP 5791904B2 JP 2010548223 A JP2010548223 A JP 2010548223A JP 2010548223 A JP2010548223 A JP 2010548223A JP 5791904 B2 JP5791904 B2 JP 5791904B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cover layer
optoelectronic
oled
electrode
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010548223A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011513907A (ja
JP2011513907A5 (ja
Inventor
クリスティナ タナセ
クリスティナ タナセ
ヘルベルト リフカ
ヘルベルト リフカ
ミハエラ アイ ポポヴィチ
ミハエラ アイ ポポヴィチ
ホルスト グライネル
ホルスト グライネル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2011513907A publication Critical patent/JP2011513907A/ja
Publication of JP2011513907A5 publication Critical patent/JP2011513907A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5791904B2 publication Critical patent/JP5791904B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/88Passivation; Containers; Encapsulations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80Constructional details
    • H10K10/88Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/331Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50Photovoltaic [PV] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本発明は、間に有機光電子材料が挟まれる後部電極と前部電極を少なくとも有し、該後部電極が反射性である、少なくとも1つの光電子活性領域と、該前部電極の前に配置されるカバー層とを有する、光電子デバイスに関する。
OLED(有機発光ダイオード)及びOPV(有機太陽光発電)技術が、異なるタイプの照明/再充電用途に代わるものとして出現している。OLED及びOPVは有機光電子デバイスと総称される。一般的に、有機光電子デバイスは2つの電極を有し、この間に有機光電子材料が挟まれる。
OLEDにおいて、有機光電子材料はエレクトロルミネセンス材料である。電流が電極間に流されると、有機エレクトロルミネセンス材料は発光する。
OPVデバイスにおいて、光電子材料は有機太陽光発電材料であり、これは、電極間に電圧を生じるために、光子を集めてそれを負と正の電荷に変える。
有機光電子デバイスの柔軟性のために、これらは柔軟性用途において、すなわちデバイスが通常動作中に曲げられ得るか、又は曲面上にあり、例えばOLEDの場合には曲面ディスプレイデバイス若しくは照明システムをもたらす用途において、有利に使用され得る。
この文脈において、少なくとも今日の技術の欠点は、高い光利用を得るために、光電子材料を挟む陽極電極及び陰極電極のうちの一方が高反射性であることである。従ってデバイスはミラー状の外観を持ち、これは用途によっては望ましくない。例えば、オフ状態におけるOLEDの外観が重要であり、これを改良するために異なる解決法が提案されている。
Duggal et al.のUS 6 501 218は、OLED技術を利用する屋外標識用のデバイス構造を記載している。ここで、文字又は数字などの標識にパターン化されるOLEDは、発光OLED領域を覆う高散乱性で非吸収性のコーティングと、非発光領域を覆う高吸収性コーティングと組み合わされる。その結果、標識(文字、数字)を形成する高散乱性材料と、標識の輪郭を形成する高吸収性コーティングの組み合わせのおかげで、低周辺光レベル条件下でもOLED光によって見ることができる標識が得られる。
US 6 501 218はOLEDの上部の散乱性エナメルコーティングの使用を開示している。しかしながら、エナメルはプラスチックフィルム又はスライドガラス上に噴霧される必要があり、それからOLEDデバイスに転写される。中間コーティング段階の必要無く、OLED表面に直接適用されることができるコーティングに対する需要がある。
US 6 501 218のエナメルコーティングは、これが噴霧されている基板がストレスを受けるか又は曲げられると、割れるか又ははがれてしまうというさらなる欠点を持つ。
また、装飾及び情報目的の発光パターンを含む大きな表面を得ることに高い関心があり、OLED表面が発光するときにのみパターンが目に見えるならば、多くの場合望ましい。
さらに、例えばOPVから電圧を供給されるデバイスの外観を妨げないように、ユーザに見えないようにすることができるOPVデバイスを提供することに関心がある。
本発明の目的は、従来技術の問題のうちの少なくともいくつかを少なくとも部分的に排除すること、及び、動作状態でない限り観察者から実質的に隠される改良された有機光電子デバイスを提供することである。
従って、第一の態様において、本発明は、間に有機光電子材料が挟まれる後部電極と前部電極を少なくとも有し、該後部電極が反射性である、少なくとも1つの光電子活性領域と、該前部電極の前に配置されるカバー層とを有する、光電子デバイスを提供する。該カバー層は、少なくとも部分的に加水分解されたシリカゾルの透明マトリクスに分散された第一の材料の光散乱粒子を有する材料を有する。
カバー層は散乱粒子のために高散乱特性を持つ。従ってこれは、カバー層の向こう側に配置された構造が見えないように、高い隠蔽力を持つ。しかしながら、光はこの層を通過することができる。
少なくとも部分的に加水分解されたシリカゾルは、ストレス下において強い耐亀裂性を持ち、それ故、光電子デバイスがストレスを受けやすいときに有利に使用されることができる。
少なくとも部分的に加水分解されたゾルは、前加水分解されたシリカゾルの乾燥を通して便利に得られることができ、これは室温でなされることができる。このカバー層材料は、さもなければOLED機能に対して悪影響を及ぼす溶媒及び/又は高い温度無しに得られることができる。さらに、これは基本的に非吸収性であり、散乱粒子を含むことはカバー層を高散乱性にする。
本発明の実施形態において、光電子材料はエレクトロルミネセンス材料であり得る。
光電子材料がエレクトロルミネセンス材料である場合、本発明の光電子デバイスはOLED(有機発光ダイオード)デバイスである。OLEDはカバー層を通して周囲へ発光する。
OLEDによって発光される光はカバー層によって受光され、この光の一部分(T)はカバー層を通して透過される。光の別の部分(1−T)はOLEDの方へ戻って反射される。この光のこの部分(R(1−T))は、Rは反射電極の反射率であるが、OLEDの反射電極における反射後にカバー層によってもう一度受光される。この第二の光T(1−T)Rの部分はカバー層を通して透過されるが、別の部分T(1−T)RはOLEDの方へ戻って反射される。これはカバー層を通して透過される光が無くなるまで続く。結果として、OLEDによって発光され、カバー層を通して透過される光の部分は、カバー層の透過率に基づいて予想されるよりも著しく高くなる。従って、動作中、OLEDによって発光される光はカバー層を通してはっきりと見える。しかし非動作状態においては、OLED構造は基本的にカバー層を通して目に見えない。
本発明の他の実施形態において、有機光電子材料は有機太陽光発電材料であり得る。
光電子材料が有機太陽光発電材料である場合、本発明のデバイスは光を電圧に変換することができるOPV(有機太陽光発電デバイス)である。
本発明に従ってOPVをカバー層の後ろに配置することは、こうしたOPVが必要とされる異なるデバイスにおいてこれらが隠されることができるように、OPVの構造を観察者に見えないようにする。OPVは散光とうまく機能するので、カバー層の散乱特性はOPVの機能を妨げることがない。
本発明に従うデバイスは有機エレクトロルミネセンス材料と有機太陽光発電材料の両方を有してもよく、例えばデバイスの1つの領域は有機ベースの発光デバイスとしてはたらき、デバイスの別の領域は有機ベースの太陽電池としてはたらくことが留意される。
本発明の実施形態において、上記カバー層は、上記少なくとも1つの光電子活性領域に重ね合わされ、上記少なくとも1つの光電子活性領域の全表面を少なくとも覆う。
光電子表面全体をカバー層で覆うことで、光電子デバイスを隠す、すなわち、基本的に観察者に見えないようにする。OLEDデバイスにおいて、これはデバイスが動作状態になるまで隠されたままであり得る。
本発明の実施形態において、デバイスは少なくとも第一及び第二の光電子活性領域を有し得、該領域は並んで配置され、その間に間隙領域を形成するために相互に間隙を介し、上記カバー層は上記第一及び第二の光電子活性領域に重ね合わされ、上記第一及び第二の光電子活性領域と上記間隙領域の複合表面を少なくとも覆う。
2つ以上のOLED及びOLED間の間隙を1つの同じカバー層で覆うことで、上述のように発光デバイスが動作状態になるまで隠されていても、カバー層の表面に表示されることができる光パターンを提供する。太陽光発電デバイスの場合、カバー層の表面はその後ろに配置される複数のデバイスの存在を明らかにしない。
本発明の実施形態において、上記透明マトリクスはシリカゾルゲルである。
ゾルゲルは部分的に加水分解されたシリカゾルのさらなる乾燥によって得られ得る。これは室温、又は少なくとも光電子部品を損傷しない温度でなされることができ、また、光電子部品に有害な溶媒などの化合物を使用せずになされることができる。シリカゾルゲルはさらに、引っかきなどの機械的影響に良い耐性を持つガラス状材料である。
本発明の実施形態において、上記カバー層は50乃至95%の範囲の反射率を持ち得る。
好ましくは、光電子デバイスの構造を隠す能力と、十分な光を発光する能力の折衷を維持するために、カバー層の反射率は上記範囲内である。OLEDデバイスの場合、OLEDは非動作状態において隠されているが、カバー層はOLEDによって発光される光を通過させる。
本発明の実施形態において、上記第一の材料の上記粒子の屈折率は透明マトリクスの屈折率よりも高い。
低屈折率の材料の中に高屈折率の粒子を分散させることによって、良い散乱効果が得られる。
本発明の実施形態において、上記第一の材料の上記粒子は、上記カバー層材料の約10乃至約80重量%、好ましくは15乃至70重量%を占める。
カバー層に良い散乱効果を与えるために、光散乱粒子は上記の濃度でカバー層に含まれる。
第二の態様において、本発明は、デバイスの外側縁を少なくとも部分的に囲むフレームに配置される本発明の第一の態様のデバイスを有する装置に関し、上記カバー層は上記少なくとも1つのデバイスと、上記フレームの少なくとも一部分を覆う。
光電子デバイスとその周囲のフレームの両方を同じカバー材料で覆うことで、光電子デバイスが効果的に隠されることを可能にする。これは、フレームからOLEDへの移行部が、(OLEDの)非動作状態において単なる目視検査によって外側から容易に検出されないためである。
第三の態様において、本発明は、本発明に従う光電子デバイスの製造のための方法に関し、該方法は光電子デバイスを提供するステップと、上記第一の材料の粒子が中に分散された、任意に前加水分解されたシリカゾルを提供するステップと、上記光電子デバイスの上記前部電極の前に上記シリカゾルの層を配置するステップと、上記層を乾燥させるステップとを有する。
本発明は添付の請求項の全ての可能な組み合わせに関することがさらに留意される。
本発明のこれらの及び他の態様は、本発明の現在好適な実施形態を示す添付の図面を参照して、より詳細に記載される。
図1は本発明の発光デバイスを断面図で概略的に図示する。 図2aはオフ状態における本発明のOLEDベースの装置を平面図で概略的に図示する。 図2bはオン状態における図2aの装置を平面図で概略的に図示する。
本発明は、一対の電極、後部電極と前部電極を有する有機光電子デバイスに関し、これらの電極の間に有機光電子材料が挟まれ、後部電極は反射性で、一方前部電極の前にカバー層が配置される。
発光デバイス100、すなわち、有機光電子材料が本発明に従うエレクトロルミネセンス材料である有機光電子デバイスが図1に概略的に図示され、2つのOLED活性領域101及び101'を有する。各OLED活性領域101,101'は、後部電極102と前部電極103の間に配置された、すなわち挟まれた有機エレクトロルミネセンス材料104を有する。OLED活性領域101は、エレクトロルミネセンス材料104が2つの電極102,103の間に挟まれる領域と定義される。隣接するOLED活性領域101,101'の間の領域は、以下、間隙領域106と示される。
本明細書で使用される、カバー層が前部電極の前に配置されるという文脈における"〜の前に配置される"という用語は、カバー層がデバイスの前部電極とデバイスの外部環境との間に配置されることを意味する。OLEDデバイスの場合、これはカバー層がOLEDによって発光される光を受光し、これを周囲へ伝えることを意味する。OPVデバイスの場合、これは周辺光が前部電極を通過する前にカバー層を通過し、太陽光発電層に到達することを意味する。
図1の実施形態において、前部電極103はOLEDデバイスの発光側(前側)をあらわすように透明であり、一方後部電極102は反射性である。
電極、及び有機エレクトロルミネセンス材料又は有機太陽光発電材料に適した材料は当業者に周知であり、本明細書では詳細に論じられない。しかし典型的には、透過性前部電極はITO(インジウム‐スズ酸化物)などの透明な導電性材料から作られ、反射性後部電極は金属又は金属被覆材料などの反射性導電性材料から作られ得る。
有機光電子材料は、当技術分野で周知の通り、高分子材料又は有機小分子を有する材料であり得る。
当技術分野で周知の通り、光電子デバイスは通常はさらに、障壁層、一様な電流分布のための金属シャント、緩衝層、及び基板などの追加層を有し得る。しかしながら便宜上、こうした層の記載は、その位置及び使用が当業者に周知であるため省略される。発光デバイス100などの光電子デバイスはさらに、典型的には当技術分野で慣行の駆動電子機器(図示せず)を有する。
カバー層105は、OLED活性領域101,101'の上面に、前部電極103の前に配置され、これらの活性領域の間に位置する間隙領域106も覆う。
カバー層105は、前部電極とカバー層105の間に位置する基板107上に配置される。基板は、例えばガラス又はプラスチックであってもよく、例えば活性層を水及び/又は酸素から保護する緩衝層を有してもよい。
カバー層は、少なくとも部分的に加水分解されたシリカゾルゲルの基本的に非吸収性のマトリクス111を有し、この中に散乱粒子110が分散される。
典型的には、マトリクス111はシリカゾルゲルであり、これは透明で、硬質で、傷がつきにくく、ガラス状材料であるという利点を持つ。
散乱粒子110は通常、周囲のマトリクス111よりも高い屈折率を持つ材料である。例えば、散乱粒子の屈折率は好ましくは少なくとも2.0である。周囲のマトリクスは典型的には約1.3乃至1.6の屈折率を持つ。
散乱粒子110は通常、TiOアナターゼ、TiOルチル、ZrO、Ta、ZnS、ZnSe、又はこれらの2つ以上の混合物から成る群から選択される材料から作られる。
これらの材料は、上記マトリクスに分散される基本的に非吸収性の散乱粒子に適した材料の良い例である。
散乱粒子は通常、上記カバー層材料の約10乃至約80重量%、好ましくは15乃至70重量%を占める。
光散乱粒子は、カバー層において良い散乱効果をもたらすために上記の範囲内の濃度でカバー層に含まれる。
散乱粒子110の粒径は、最大散乱効果を得るためにOLEDによって発光される光の色に一致するように選択されることができる。このため平均粒径は発光された光の波長に近くなければならない。従って、散乱粒子の平均粒径は100乃至1000nm、好ましくは200乃至800nm(すなわちUVから可視光までの波長範囲)に及ぶ。
マトリクス中の散乱粒子110の濃度、及びカバー層105の厚みは、通常、OLED活性領域が非動作(オフ)状態であるときにOLED構造を隠すが、OLED活性領域によって発光される光がカバー層105を透過することを可能にするコーティングを得るために選ばれる。
典型的にはパスあたり50%を超える反射率を持つコーティング層が望ましく、好ましくは75%を超え、例えば85%を超え、これによって良い隠蔽力が得られる。
カバー層の厚みは通常、良い隠蔽特性と所望の透過率をもたらすために1μm乃至50μmである。
理想的な場合、非吸収性のカバー層と仮定すれば、カバー層を通るOLEDによって発光される光の全透過率は次のように計算されることができる。
Figure 0005791904
Tはカバー層を通るパスあたりの透過率(1−反射率)であり、RはOLED活性領域の反射電極の反射率である。
本発明のデバイスの代表値である、Tが20%(80%反射)及びRが80%の値の場合、Ttotは0.6に等しい。
従って、OLED活性領域によって発光される光はカバー層を通してはっきりと見えるが、OLED構造はオフ状態においてカバー層を通して実質的に目に見えない。カバー層105は例えば次のように得られ得る。
アルコキシシランの水溶液を、例えば触媒としてはたらく酸で前加水分解することによって、シリカ前駆体ゾルゲルが得られる。
シリカ粒子の懸濁液が前加水分解ゾルに加えられる。そして散乱粒子110がこの混合物に加えられる。
得られる混合物は、ローラーベンチなどの当業者に既知の手段によって均質化されることができる。その結果安定な懸濁液が得られる。冷凍庫に入れておけば、懸濁液は少なくとも2カ月の保存期間を持つ。
そして懸濁液は、例えばスピンコーティング、スプレーコーティング、又はドクターブレードコーティングなど、任意の従来使用されるコーティング法を用いてOLED表面にコーティングされ得る。
被膜は室温で乾燥させられ、透過率と隠蔽特性の所望の折衷を有する硬質の保護カバー層を得るために、さらなる熱処理は必要ない。
使用されるOLEDは一様なタイルであってもよく、又はコーティング前に目に見えるパターン化された絵若しくは他の雰囲気を創り出すデザインを有してもよい。
上記の実施形態は、有機エレクトロルミネセンス材料が有機太陽光発電材料に置き換えられる場合は、有機太陽光発電デバイス(OPV)にも適用され得ることが当業者に明らかであろう。
典型的には、OPV(有機太陽電池としても知られる)は、日光又は室内光などの光を電気エネルギーへ変換することによって、何らかの電子デバイス(例えばOLED)を駆動するために使用される。観察者から隠される本発明のOPVは、例えばOPVが電圧を供給するデバイスの外観をOPVが妨げるべきではないことが望まれる場合など、多くの用途において有利である。OPVはもう目に見えないので、デザインの観点からこの方法の適用性が高められる。このような応用の実施例は、太陽電池駆動時計、PDA、携帯電話など、OPVが太陽電池としてはたらく場合を含むが、これらに限定されない。
OPVの機能のために、デバイスの光変換効率に大きく影響しないように、利用される光は非常に良く散乱され得る。従って、OPVは本発明のようにカバー層の後ろに有利に位置し得る。
しかしながら、本発明の光電子デバイスがOPVである場合、カバー層の透過率は好ましくはOLEDの実施形態における上記のように限定されない。代わりに、カバー層は通常、パスあたり少なくとも50%など、パスあたり少なくとも20%の透過率(パスあたり80%未満の反射率)を持つように選択される。しかしながら、カバー層は通常、良い隠蔽特性を持つように、すなわち高散乱性であるように選択される。
本発明のデバイスは表面に埋め込まれてもよく、表面材料のフレームによって少なくとも部分的に囲まれ、ここでデバイス及びフレーム材料の両方が同じカバー層材料によって覆われる。従って、デバイスの位置は観察者から隠される(OLEDデバイスの場合、少なくともデバイスがオン状態になって発光するまで)。これは、情報を素早く表示するため、警告標識のため、又は壁の芸術的パターンのために、必要に応じて多数の用途で使用され得る。
普通の壁200に埋め込まれる本発明の発光デバイス100を有するかかる装置が、図2a及び図2bに図示される。図2aにおいて発光デバイスはオフ状態であり、破線は発光デバイス100の位置のみを示す。中に発光デバイス100が配置されるフレームを形成するために、開口部が壁200に切り込まれる。カバー層105は発光デバイス100を覆うだけでなく、壁200を覆うためにも使用される。
図2bにおいて、発光デバイス100がオンになるとき、"FIRE EXIT"の文字、及び所望の方向を指す矢印が壁で点灯される。これは当然、周囲材料のフレームに配置される発光デバイスの装置の1つの可能な使用をあらわすに過ぎない。
本発明において使用されるようなシリカゾルゲルに基づくカバー層材料は、OLED表面だけでなく、限定はされないが、例えばガラス、金属、セラミック、プラスチック、又は木の表面などの他の表面にも付着する。従って、本発明の発光デバイスは事実上いかなる材料のフレームにも配置されることができる。OLED発光デバイスは柔軟な/曲げられる実施形態で作られることができ、本発明の発光デバイスは例えば柱などの曲面に配置され得る。
当業者は、デバイス及びフレーム材料の両方が同じカバー層材料で覆われる、フレームによって部分的に囲まれる光電子デバイスのこうした装置が、OPVデバイスにも適用可能であることがわかるだろう。
上記の実施形態において、カバー層は光電子デバイスの活性領域以上を覆う。しかしながら本発明の他の実施形態(図示せず)において、カバー層は、光電子デバイスの実際の層構造がカバー層によって隠されていても活性領域の形状又はパターンがはっきりと目に見えるように、活性領域のみを覆うか、又は基本的に活性領域のみを覆う。例えば、カバー層は染料又は色素の導入によってはっきりと目に見えるようにされてもよい。
当業者は、本発明が上記の好ましい実施形態に決して限定されないことがわかるだろう。逆に、多くの改良及び変更が添付の請求項の範囲内で可能である。
例えば、カバー層に所望の色を与えるために、カバー層材料が色素又は染料を含んでもよい。

Claims (13)

  1. 少なくとも第一及び第二の光電子活性領域を有し、これらの領域は、並んで配置され前記第一及び第二の光電子活性領域は、後部電極と前部電極とを少なくとも有し、これらの間には、有機光電子材料が挟まれており、前記第一の光電子活性領域の後部電極、有機光電子材料、前部電極が、前記第二の光電子活性領域の後部電極、有機光電子材料、前部電極と、間隙領域によって分離され、前記後部電極が反射性であり、前記第一及び第二の光電子活性領域に重ね合わされたカバー層が、前記第一及び第二の光電子活性領域と前記間隙領域との複合表面を少なくとも覆い、前記カバー層は、少なくとも部分的に加水分解されたシリカゾルから成る透明マトリクスに分散された第一の材料の光散乱粒子を有する材料を有し、前記カバー層は、50乃至95%の範囲の反射率を持つ、光電子デバイス。
  2. 前記光電子材料がエレクトロルミネセンス材料である、請求項1に記載のデバイス。
  3. 前記有機光電子材料が有機太陽光発電材料である、請求項1に記載のデバイス。
  4. 前記カバー層が前記少なくとも1つの光電子活性領域に重ね合わされ、前記少なくとも1つの光電子活性領域の全表面を少なくとも覆う、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のデバイス。
  5. 前記透明マトリクスがシリカゾルゲルである、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のデバイス。
  6. 前記第一の材料の前記粒子の屈折率が前記透明マトリクスの屈折率よりも高い、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のデバイス。
  7. 前記第一の材料の前記粒子の屈折率が少なくとも2.0である、請求項6に記載のデバイス。
  8. 前記第一の材料が、TiOアナターゼ、TiOルチル、ZrO、Ta、ZnSe、ZnS、及びこれらの2つ以上の混合物から成る群から選択される、請求項7に記載のデバイス。
  9. 前記粒子が前記カバー層材料の10乃至約80重量%を占める、請求項5乃至8のいずれか一項に記載のデバイス。
  10. 前記第一の材料の前記粒子の平均粒径が100乃至1000nmの範囲にある、請求項5乃至9のいずれか一項に記載のデバイス。
  11. 前記透明マトリクスが色染料を有する、請求項1乃至10のいずれか一項に記載のデバイス。
  12. フレームに配置される請求項1乃至11のいずれか一項に記載のデバイスを有する装置であって、前記フレームが前記デバイスの外側縁を少なくとも部分的に囲み、前記カバー層が、少なくとも1つの前記デバイスと、前記フレームの少なくとも一部分を覆う、装置
  13. 光電子デバイスを提供するステップと、
    前記第一の材料の粒子が中に分散された、任意に前加水分解されたシリカゾルを提供するステップと、
    前記光電子デバイスの前記前部電極の前に前記シリカゾルの層を配置するステップと、
    前記層を乾燥させるステップとを有する、請求項5に記載のデバイスの製造のための方法。
JP2010548223A 2008-02-27 2009-02-19 光散乱層を持つ隠れた有機光電子デバイス Active JP5791904B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08152016.5 2008-02-27
EP08152016 2008-02-27
PCT/IB2009/050686 WO2009107043A1 (en) 2008-02-27 2009-02-19 Hidden organic optoelectronic devices with a light scattering layer

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011513907A JP2011513907A (ja) 2011-04-28
JP2011513907A5 JP2011513907A5 (ja) 2015-08-13
JP5791904B2 true JP5791904B2 (ja) 2015-10-07

Family

ID=40718804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010548223A Active JP5791904B2 (ja) 2008-02-27 2009-02-19 光散乱層を持つ隠れた有機光電子デバイス

Country Status (9)

Country Link
US (2) US8552446B2 (ja)
EP (1) EP2248391B1 (ja)
JP (1) JP5791904B2 (ja)
CN (2) CN103824960A (ja)
AT (1) ATE535028T1 (ja)
ES (1) ES2377598T3 (ja)
RU (1) RU2480967C2 (ja)
TW (1) TW200945645A (ja)
WO (1) WO2009107043A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102137258B1 (ko) * 2020-01-13 2020-07-22 부경대학교 산학협력단 양면 망점인쇄를 이용한 가변컬러태양광모듈, 그리고 이의 제조방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2669960B1 (en) * 2011-01-24 2016-04-27 LG Chem, Ltd. Photovoltaic cell module
TWI463717B (zh) * 2011-07-29 2014-12-01 Au Optronics Corp 有機發光元件及其製造方法及使用其之照明裝置
CN102299266A (zh) * 2011-09-15 2011-12-28 四川虹视显示技术有限公司 有机电致发光器件的基板及制造方法
KR101353434B1 (ko) * 2011-10-17 2014-01-21 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
CN103311332A (zh) * 2012-03-12 2013-09-18 杜邦太阳能有限公司 太阳能模组及其制造方法
KR20130111155A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
WO2013173740A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Brookhaven Science Associates, Llc Thin film photovoltaic device optical field confinement and method for making same
KR101475331B1 (ko) * 2013-02-22 2014-12-22 주식회사 창강화학 산란 부재 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
WO2015047049A1 (ko) * 2013-09-30 2015-04-02 주식회사 엘지화학 유기전자장치
DE102013222702A1 (de) 2013-11-08 2015-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Anordnung, Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
EP3034548A1 (en) * 2014-12-18 2016-06-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Barrier film laminate comprising submicron getter particles and electronic device comprising such a laminate
DE102015101683A1 (de) * 2015-02-05 2016-08-11 Osram Oled Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung
US10340844B2 (en) * 2016-05-05 2019-07-02 Washington State University High-performance planar solar concentrators based on nanoparticle doping
CN109844975A (zh) * 2016-07-20 2019-06-04 华为技术有限公司 有机发光显示器以及用于制造有机发光显示器的方法
CN106292074B (zh) * 2016-10-17 2020-03-31 纳晶科技股份有限公司 光致发光器件及具有其的发光器件
EP3421278B1 (de) * 2017-06-29 2022-10-19 PLASMAN Europe AB Beleuchtete zierleiste
CN110277503A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 江苏三月光电科技有限公司 有机发光器件及其制备方法
CN108987382A (zh) * 2018-07-27 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及其制作方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3151350A1 (de) * 1981-12-24 1983-07-07 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Mit einem 3-schichtueberzug ausgeruestete kunststofformkoerper und ein verfahren zur herstellung der ausruestung
JPH0529641A (ja) * 1991-10-04 1993-02-05 Seikosha Co Ltd 太陽電池装置
BE1007282A3 (nl) * 1993-07-12 1995-05-09 Philips Electronics Nv Opto-electronische halfgeleiderinrichting met een array van halfgeleiderdiodelasers en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
US6181062B1 (en) * 1995-04-25 2001-01-30 Citizen Watch Co., Ltd. Multiple layered organic electroluminescent device structure with plural transparent electrode, color filters and organic/inorganic transparent coating to enhance light diffusion effects
JP3394718B2 (ja) * 1995-04-25 2003-04-07 シチズン時計株式会社 有機エレクトロルミネセンス装置
GB9522135D0 (en) 1995-10-30 1996-01-03 John Mcgavigan Holdings Limite Display panels
CN1263354A (zh) * 1999-02-12 2000-08-16 同济大学 用于玻璃显示屏宽带减反射纳米涂层和生产方法
US20020003403A1 (en) 2000-04-25 2002-01-10 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US6501218B1 (en) 2000-06-12 2002-12-31 General Electric Company Outdoor electroluminescent display devices
JP4230170B2 (ja) * 2001-06-08 2009-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003004916A (ja) * 2001-06-20 2003-01-08 Dainippon Printing Co Ltd 表示装置の窓材、その製造方法、及び表示装置
EP1435762A4 (en) 2001-09-13 2010-03-24 Nissan Chemical Ind Ltd TRANSPARENT SUBSTRATE USING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
ITTO20020033A1 (it) * 2002-01-11 2003-07-11 Fiat Ricerche Dispositivo elettro-luminescente.
CN1503009A (zh) * 2002-11-20 2004-06-09 力特光电科技股份有限公司 抗眩膜
GB0302550D0 (en) * 2003-02-05 2003-03-12 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectronic device
CN100463578C (zh) * 2003-03-12 2009-02-18 三菱化学株式会社 电致发光元件
WO2004089042A1 (ja) * 2003-03-12 2004-10-14 Mitsubishi Chemical Corporation エレクトロルミネッセンス素子
DE102004026730A1 (de) 2004-05-28 2005-12-15 Manfred Kluth Fläche mit elektrischen Verbrauchern, insbesondere Leuchtmitteln
US20060066586A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Gally Brian J Touchscreens for displays
US8125128B2 (en) * 2005-03-11 2012-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence element and lighting apparatus
US20060290276A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-28 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
US8414494B2 (en) 2005-09-16 2013-04-09 University Of Washington Thin-profile therapeutic ultrasound applicators
JP2007180014A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Alps Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
GB0602678D0 (en) * 2006-02-09 2006-03-22 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film and manufacturing process
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
WO2007107903A1 (en) 2006-03-23 2007-09-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based lighting device with colour control
US8328375B2 (en) * 2006-09-29 2012-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic lighting device and lighting equipment
TWI326923B (en) * 2007-03-07 2010-07-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode
CN101578714B (zh) * 2007-08-03 2011-02-09 松下电器产业株式会社 发光装置
JP2009070515A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 光記録媒体
KR101318072B1 (ko) * 2008-06-04 2013-10-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102137258B1 (ko) * 2020-01-13 2020-07-22 부경대학교 산학협력단 양면 망점인쇄를 이용한 가변컬러태양광모듈, 그리고 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011513907A (ja) 2011-04-28
US20100326519A1 (en) 2010-12-30
RU2480967C2 (ru) 2013-04-27
ATE535028T1 (de) 2011-12-15
US9040970B2 (en) 2015-05-26
CN101960919A (zh) 2011-01-26
CN103824960A (zh) 2014-05-28
RU2010139474A (ru) 2012-04-10
WO2009107043A1 (en) 2009-09-03
ES2377598T3 (es) 2012-03-29
TW200945645A (en) 2009-11-01
EP2248391B1 (en) 2011-11-23
US20140054573A1 (en) 2014-02-27
EP2248391A1 (en) 2010-11-10
US8552446B2 (en) 2013-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5791904B2 (ja) 光散乱層を持つ隠れた有機光電子デバイス
JP4370142B2 (ja) 平坦な光源からの光抽出用照明具
US8125145B2 (en) OLEDs with increased light yield
JP5624061B2 (ja) 直列接続されたoled
CN102290533B (zh) 有机发光组件及其制造方法及使用其的照明装置
KR20100132001A (ko) 복사 방출 장치
JP2011513907A5 (ja)
TWI314025B (en) Method for fabricating active illumination apparatus
TWI261298B (en) Composite optical destructive electrode for high contrast electroluminescent devices
WO2009053890A2 (en) A colored organic electronic device
US9118034B2 (en) Metal oxide thin film substrate for OLED and method of fabricating the same
JP6428599B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP6079133B2 (ja) 電界発光素子およびこれを備えた照明装置
WO2015083484A1 (ja) 面発光ユニット
KR100773935B1 (ko) 유기 발광 소자 패널
WO2015093784A1 (ko) 대면적 유기발광 패널
JP2016201323A (ja) 発光装置および表示装置
TWM484121U (zh) 具有光取出結構之有機發光元件
JP2016162591A (ja) 面発光モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130405

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140326

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140415

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20140523

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20150625

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150805

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5791904

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250