JP5789659B2 - 工作物プラズマ処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、工作物を受容する少なくとも１つの真空化可能なプラズマチャンバーを有している工作物プラズマ処理装置であって、前記プラズマチャンバーが処理ステーションの領域に配置され、前記プラズマチャンバーがチャンバー底部とチャンバーカバーと側部のチャンバー壁とによって画成され、前記プラズマチャンバーが処理ガスを制御可能に供給および／または排出させるための装置と連結されている前記工作物プラズマ処理装置に関するものである。
この種の方法および装置は、たとえば、プラスチックに表面被膜を備えさせるために使用される。特に、液体をパックするために設けられている容器の内表面または外表面をコーティングするためのこの種の装置もすでに公知である。さらに、プラズマ殺菌するための装置も知られている。
特許文献１には、ＰＥＴから成るボトルを内面コーティングするためのプラズマチャンバーが記載されている。コーティングされるボトルは可動な底部によってプラズマチャンバー内へ装入され、ボトル口部の領域でアダプタと結合される。アダプタを通じてボトル内部空間の真空化を行うことができる。さらに、アダプタを通じて中空のガス導入槍状部材をボトルの内部空間内へ挿入して、処理ガスを供給する。プラズマの点火はマイクロ波を使用して行われる。
上記特許文献１からは、複数のプラズマチャンバーを１つの回転ホイール上に配置することもすでに知られている。これによって単位時間当たりのボトルの高生産率が支援される。
特許文献２には、ボトル内部空間を真空化して処理ガスを供給するための供給装置が説明されている。特許文献３には、ボトルを、前もってボトルの口部領域と結合された可動カバーによって挿入するためのプラズマチャンバーが記載されている。
特許文献４も複数のプラズマステーションを１つの回転ホイール上に配置する点を開示しており、このような配置構成のために負圧ポンプおよびプラズマステーションをグループごとに割り当てて、チャンバーおよびボトルの内部空間の好ましい真空化を補助することを記載している。さらに、複数個の容器を１つの共通のプラズマステーションまたは１つの共通のキャビティでコーティングすることが説明されている。
ボトルの内面コーティングを実施するための他の装置は特許文献５に記載されている。ここでは特に、プラズマチャンバーの上方にマイクロ波発生器が配置され、プラズマチャンバーの底部を通じて真空管および作動媒体管を設けることが記載されている。
特許文献６では、コーティングすべきプレフォームの内部空間に挿入可能で、処理ガスの供給に用いるガス導入槍状部材がすでに記載されている。ガス導入槍状部材は容器の長手方向に位置決め可能である。
上記の公知の装置のほとんどは、熱可塑性材料のバリヤー特性を改善するため、酸化珪素（一般的な化学式ＳｉＯｘ）から成る容器層をプラズマによって生成させている。この種のバリヤー層は容器詰めされた液体への酸素の侵入を阻止するとともに、ＣＯ２を含んだ液体において二酸化炭素の流出を阻止する。
複数個のプラズマステーションは、典型的には、負圧の大きさが異なる複数個の負圧源に接続され、さらに、異なる処理ガスを供給する必要がある。処理ガスのこのような供給および排出の制御は、典型的には、制御弁を使用して行われる。制御弁は出力側でプラズマチャンバーに連通し、入力側で連通管を介して付設の処理ガス源に連通している。処理ガス源との適当な連通部は、プラズマチャンバーが弁とともに回転プラズマホイール上に配置されていれば、比較的複雑に構成される。このケースでは、弁はまず管を介して回転分配器と結合され、回転分配器は他の連通管を介して定置の処理ガス源と結合される。
上述の連通技術は多数の連結部および連通要素を必要とするが、これら連結部および連通要素は長時間の作動で非密封状態になることがある。さらに、プラズマチャンバーと負圧源との結合に関しては、流動損失を回避するには、比較的大きな管横断面を必要とする。
国際公開第９５／２２４１３号パンフレット 欧州特許公開第１０１０７７３号明細書 国際公開第０１／３１６８０号パンフレット 国際公開第００／５８６３１号パンフレット 国際公開第９９／１７３３４号パンフレット 独国特許公開第１０２００４０２０１８５Ａ１号明細書
本発明の課題は、冒頭で述べた種類の装置において、プラズマチャンバーへの効率的な処理ガス供給が可能であるように構成することである。
この課題は、本発明によれば、プラズマチャンバーが、定置の台座によって支持されている回転可能なプラズマホイール上に配置されていること、前記台座の領域に少なくとも１つの処理ガス通路が配置され、該処理ガス通路が少なくとも部分的にカバーによって画成され、該カバーがプラズマホイールの一部として形成されていること、カバーが処理ガス通路に対する少なくとも１つの連通穴を有し、該連通穴が連通通路と少なくとも１つの制御弁とを介してプラズマチャンバーの内部空間と連通可能であることによって解決される。
処理ガス通路を台座の領域に定置に配置することと、制御弁を、プラズマホイールとともに回転するカバーの領域に配置することとにより、極めてコンパクトな構成が可能になる。処理ガス通路は空間的にプラズマチャンバーのすぐ近くに延在することができ、大きな横断面を備えさせることができる。これにより、プラズマチャンバーへの供給はわずかな流動抵抗で行われる。さらに、技術水準に比べて、互いに結合させる弁構成要素の数量がかなり減少し、よって漏れの危険が少なくなる。継続的な作動に関しては、必要なサービス作業、保守作業が少なくなる。
本発明による装置は、特に、プラスチックから成るボトルのためのコーティング方法の経過を支援するために適している。この場合、ＳｉＯｘから成る層を備えたボトルの内面コーティングが行われ、その際プラスチック上でのＳｉＯｘから成る層の保持は、表面処理材として形成された中間層によって改善することができる。コーティング方法は、好ましくは、ＰＩＣＶＤ(Plasma impuls induced chemical vapour deposition)として実施される。このような方法では、プラズマはマイクロ波のパルスを使用して点火される。パルスはそのパルス幅、パルス間隔、パルス高に関し制御することができる。
カバーと処理ガス通路の壁との間の密封は、処理ガス通路がプラズマホイールの回転軸線に対し実質的に同心に延在していることによって容易になる。
コンパクトな構成は、制御弁が弁ブロックの領域に配置されていることによって支援される。
同様に、装置のコンパクトな構成は、弁ブロックの内部に、制御弁をプラズマステーションとして形成された処理ステーションと連通させる少なくとも１つの通路が延在していることによって可能になる。
複数個のキャビティへの同時供給のため、前記通路は制御弁を少なくとも２つのキャビティと連通させるために少なくとも１つの通路分岐部を有している。
処理すべき工作物の供給と排出とは、キャビティがプラズマホイールの周に沿って列状に配置されていることによって達成される。
工作物の搬送経路を実質的に水平方向にのみ延在させるため、プラズマステーションとして形成された処理ステーションの１つのチャンバー壁は鉛直方向に位置決め可能に配置されている。
マイクロ波発生器を長期的に作動させるため、プラズマステーションとして形成された処理ステーションのステーションフレームに対し相対的に不動にマイクロ波発生器が設けられている。
プラズマホイールのコンパクトな構成と、容易なアクセスとのため、処理ガス通路はプラズマステーションとして形成された処理ステーションに対し相対的に内側に位置するようにプラズマホイール上に配置されている。
同様に、コンパクトな構成と、容易なアクセスとのため、処理ガス通路は、実質的に長方形の横断面を有し、且つ鉛直方向上側をカバーによって画成されている。
図面には、本発明のいくつかの実施形態が図示されている。
複数個のプラズマチャンバーが１つの回転プラズマホイール上に配置され、該プラズマホイールが装入ホイールおよび搬出ホイールとに連結されている実施形態の基本構成図である。 複数個のプラズマステーションがそれぞれ２つのプラズマチャンバーを備えている、図１と類似の装置を示す図である。 複数個のプラズマチャンバーを備えた１つのプラズマホイールの斜視図である。 １つのキャビティを備えた１つのプラズマステーションの斜視図である。 図４の装置を、プラズマチャンバーが閉じた状態で示した前面図である。 図５の切断線ＶＩ−ＶＩによる横断面図である。 処理ガス通路と制御弁との付設態様を説明するための、定置の台座と加工ステーションとの部分鉛直断面図である。 ４つのキャビティを備えた１つのプラズマステーションの斜視図である。 クリーニングのために開けた板状弁保持部の斜視図である。
図１の図示から認められるプラズマモジュール（１）は、回転するプラズマホイール（２）を備えている。プラズマホイール（２）の周に沿って処理ステーションとしての複数個のプラズマステーション（３）が配置されている。プラズマステーション（３）は、処理すべき工作物（５）を受容するためにキャビティ（４）またはプラズマチャンバー（１７）を備えている。
処理すべき工作物（５）は装入部（６）の領域でプラズマモジュール（１）に供給され、個別化ホイール（７）を介して受け渡しホイール（８）へ転送される。受け渡しホイールは位置決め可能な担持アーム（９）を備えている。担持アーム（９）は受け渡しホイール（８）の台座（１０）に対し相対的に回動可能に配置され、その結果工作物（５）同士の間隔を変化させることができる。これにより、個別化ホイール（７）における工作物（５）同士の間隔を大きくして受け渡しホイール（８）から装入ホイール（１１）への工作物（５）の受け渡しが行われる。装入ホイール（１１）は処理すべき工作物（５）をプラズマホイール（２）へ受け渡す。工作部（５）は処理後に搬出ホイール（１２）によってプラズマホイール（２）の領域から取りだされて搬出区間（１３）の領域へ移送される。
図２の実施形態では、プラズマステーション（３）はそれぞれ２つキャビティ（４）またはプラズマチャンバー（１７）を備えている。これによってそれぞれ２つの工作物（５）を同時に処理することができる。この場合、基本的には、キャビティ（４）を互いに完全に仕切って構成することが可能であり、他方１つの共通のキャビティ空間内で一部のみを互いに境界づけることで、すべての工作物（５）の最適なコーティングが保証されるようにすることも可能である。特にこの場合、別個のマイクロ波カップリングによって部分キャビティを互いに境界づけることが考えられる。
図３は、一部分にプラズマホイール（２）を構築させた１つのプラズマモジュール（１）の斜視図である。プラズマステーション（３）は担持リング（１４）上に配置され、該担持リングは、回転結合部の一部として形成され、機台１５の領域で支持されている。プラズマステーション（３）はそれぞれ１つのステーションフレーム（１６）を有し、該ステーションフレームはプラズマチャンバー（１７）を保持している。プラズマチャンバー（１７）は筒状のチャンバー壁（１８）とマイクロ波発生器（１９）とを有している。
プラズマホイール（２）の中央には回転分配器（２０）が配置され、該回転分配器を介してプラズマステーション（３）に作動媒体またはエネルギーが供給される。作動媒体を分配するため、特にリングパイプ（２１）を使用することができる。
処理すべき工作物（５）は筒状のチャンバー壁（１８）の下方に図示されている。プラズマチャンバー（１７）の下部部分は、図面を簡単にするためにそれぞれ図示していない。
図４は１つのプラズマステーション（３）の斜視図である。ステーションフレーム（１６）を案内棒（２３）を備え、該案内棒で、筒状のチャンバー壁（１８）を保持するための往復台（２４）が案内されているのがわかる。図４は往復台（２４）とチャンバー壁（１８）とを持ちあげ状態で示したものであり、その結果工作物（５）は解放されている。
プラズマステーション（３）の上部領域には、マイクロ波発生器（１９）が配置されている。マイクロ波発生器（１９）は、転向部（２５）とアダプタ（２６）とを介して、プラズマチャンバ（１７）に開口している連結チャネル（２７）に接続されている。基本的には、マイクロ波発生器（１９）をチャンバーすバー（３１）の領域にダイレクトに連結することも、間隔要素を介してチャンバーカバー（３１）に連結してもよく、後者の場合には、チャンバーカバー（３１）に対し所定の距離で配置され、従ってチャンバーカバー（３１）の比較的大きな周領域に配置される。アダプタ（２６）はトランジション要素の機能を有し、連結チャネル（２７）は同軸導体として形成されている。連結チャネル（２７）の、チャンバーカバー（３１）に臨む開口部の領域には、石英ガラス窓が配置されている。転向部（２５）は中空導体として形成されている。
工作物（５）は、チャンバー底部（２９）の領域に配置されている保持要素（２８）によって保持される。チャンバー底部（２９）はチャンバー台座（３０）の一部として形成されている。位置調整を容易にするため、チャンバー台座（３０）を案内棒（２３）の領域に固定することが可能である。他の変形実施形態によれば、チャンバー台座（３０）をステーションフレーム（１６）にダイレクトに固定する。この種の配置構成では、たとえば、案内棒（２３）を鉛直方向において２分割に実施することも可能である。
図５は、図３のプラズマステーション（３）を、プラズマチャンバー（１７）が閉じている状態で示した正面図である。ここでは、筒状のチャンバー壁（１８）を備えた往復台（２４）は図４の位置に比べて降下しており、その結果チャンバー壁（１８）はチャンバー底部（２９）に対し移動している。この位置決め状態でプラズマコーティングを実施することができる。
図６は図５の配置構成の鉛直断面図である。これから特に認められるように、連結通路（２７）はチャンバーカバー（３１）内に開口し、該チャンバーカバーは側方に突出しているフランジ（３２）を有している。フランジ（３２）の領域にはパッキン（３３）が配置され、該パッキンはチャンバー壁（１８）の内側フランジ（３４）の作用を受ける。これにより、チャンバー壁（１８）の降下状態で、チャンバーカバー（３１）に対するチャンバー壁（１８）の密封が行われる。他のパッキン（３５）がチャンバー壁（１８）の下部領域に配置されて、ここでもチャンバー底部（２９）に対する密封が保証されている。
図６に図示した位置では、チャンバー壁（１８）がキャビティ（４）を取り囲んでおり、その結果キャビティ（４）の内部空間も工作物（５）の内部空間も真空にさせることができる。処理ガスの導入を補助するため、チャンバーカバー（３０）の領域には中空のガス導入槍状部材（３６）が配置され、該ガス導入槍状部材は工作物（５）の内部空間内に走入可能である。ガス導入槍状部材（３６）の位置決めを行うため、ガス導入槍状部材を、案内棒（２３）に沿って位置決め可能なガス導入槍状部材用往復台（３７）によって保持させる。ガス導入槍状部材用往復台（３７）の内部には処理ガス通路（３８）が延在、該処理ガス通路は、図６に図示した持ち上げ位置において、チャンバー台座（３０）のガス接続部（３９）と連結されている。このような配置により、ガス導入槍状部材用往復台（３７）にチューブ状の結合要素を設ける必要がなくなる。
上述したプラズマステーションの構成とは択一的に、本発明によれば、工作物（５）を付設の担持構造部に対し不動なプラズマチャンバー（１７）に挿入することも可能である。同様に、図示したような、工作物（５）の口部を鉛直方向下向きにして該工作物をコーティングする代わりに、口部を鉛直方向上向きにして工作物のコーティングを実施してもよい。特に、ボトル状の工作物（５）のコーティングを実施することが考えられる。この種のボトルも同様に熱可塑性プラスチックから形成されている。好ましくは、ＰＥＴまたはＰＰの使用が考えられる。他の有利な実施形態によれば、コーティングしたボトルは飲料物の受容に用いられる。
次に、コーティング工程を例にして典型的な処理工程について説明する。まず、装入ホイール（１１）を使用して工作物（５）をプラズマホイール（２）へ搬送し、スリーブ状のチャンバー壁（１８）を持ちあげた状態で、プラズマステーション（３）への工作物（５）の挿入を行う。
挿入工程の終了後、チャンバー壁（１８）をその密封位置へ降下させ、時間的にずらして保持要素（２８）を変位させ、その結果キャビティ（４）の内部空間に対する工作物（５）の内部空間の密封が生じる。次に、ガス導入槍状部材（３６）を工作物（５）の内部空間内へ挿入させる。ガス導入槍状部材（３６）をすでにキャビティ（４）の降下開始と同期させて工作物（５）の内部空間内へ挿入させてもよい。これと同時に、または、時間的にずらして、キャビティ（４）および工作物（５）の内部空間の真空化を行う。キャビティ（４）の内部空間を十分に真空化した後、次に工作物（５）の内部空間の圧力をさらに降下させる。また、ガス導入槍状部材（３６）の位置決め運動をすでに少なくとも部分的にチャンバー壁（１８）の位置決めに並行して実施することも考えられる。
十分に低い負圧の達成後、処理ガスを工作物（５）の内部空間内へ導入し、マイクロ波発生器（１９）を用いてプラズマに点火する。特に、プラズマを用いて工作物（５）の内表面に表面処理材を析出させるとともに、酸化珪素から成る本来のバリアー層を析出させることが考えられる。
コーティング工程の終了後、プラズマチャンバー（１７）と工作物（５）の内部空間とを通気する。キャビティ（４）の内部および工作物（５）の内部空間が周囲圧に達した後、チャンバー壁（１８）を再び持ち上げ、ガス導入槍状部材（３６）を再び工作物（５）の内部空間から除去する。この時点で、コーティングした工作物（５）の取り出しと、コーティングすべき新たな工作物（５）の装入とを実施することができる。
チャンバー壁（１８）、発禁要素（２８）および／またはガス導入槍状部材（３６）の位置決めは、種々の駆動アッセンブリを使用して行うことができる。基本的には、空気圧駆動および／または電気駆動、特に１実施形態ではリニアモータが考えられる。しかし、特に、プラズマホイール（２）の回転との正確な運動同期を補助するため、カム制御を実現することが考えられる。カム制御は、たとえば、プラズマホイール（２）の周に沿って制御カムが配置され、該制御カムに沿ってカムローラが案内されるように実施されていてよい。カムローラは位置決めすべきそれぞれの構成要素と連結されている。
図７は、機台（１５）の領域における複数個の処理ガス通路（４０）を説明する図である。これらの処理ガス通路（４０）はそれぞれ底部（４１）と側壁（４２）とを有し、側壁（４２）は機械台座（１５）と結合されている。底部（４１）とは反対側にはカバー（４３）が配置され、該カバーはプラズマホイール（２）の一部として形成されている。カバー（４３）は側壁（４２）に対し密封して案内されている。
カバー（４３）の領域には、処理ガス通路（４０）に開口している連通穴（４４）が配置されている。連通穴（４４）はそれぞれ連通通路（４５）を介して制御弁（４６）と連結されている。
制御弁（４６）はプラズマステーション（３）と処理ガス通路（４０）との連通を制御し、従って付設の処理ガス供給部との連通をも制御する。特に、制御弁（４６）を、チャンバー台座（３０）と結合されている弁ブロック（４７）の領域に配置することが考えられる。
プラズマステーション（３）の領域に複数のキャビティ（４）を配置する場合、特定の処理ガスをそれぞれ１つの制御弁（４６）のみを介して複数のキャビティ（４）に供給するため、または、負圧供給部への接続を実現するため、弁ブロック（４７）の領域に複数の通路枝部が配置されている。
典型的には、処理ガス通路（４０）はプラズマホイール（２）の中心に対し同心に延在している。図示した実施形態では、処理ガス通路（４０）は上側が開口しており、その上部膨出部にカバー（４３）を備えている。しかし、基本的には、処理ガス通路（４０）の他のどのような空間的配向も考えられ、たとえばカバー（４３）が処理ガス通路下方に配置され、或いは、処理ガス通路の横に配置されていてよい。
図８は、４つのキャビティ（４）を備えた１つのプラズマステーション（３）を説明する図である。マイクロ波発生器（１９）は典型的には複数のマイクロ波モジュール（４８）を有し、その数量はキャビティ（４）の数量に対応している。これによって、キャビティ（４）のそれぞれに１つの別個のマイクロ波モジュール（４８）を付設することができる。
チャンバー壁（１８）の位置決めは、有利な実施形態によれば、カム制御部を使用して機械的に行う。この場合、適当なカム軌道部に沿って、チャンバー壁（１８）と結合されているカムローラ（４９）が案内される。
ガス導入槍状部材用往復台（３７）を位置決めするため、有利には、同様に機械的なカム制御部を使用する。このためのガス導入槍状部材用往復台（３７）はカムローラ（５０）を備えている。
図８には認められないガス導入槍状部材（３６）をガス導入槍状部材往復台（３７）に対し相対的に位置決めするため、有利には、空気圧シリンダ（５１）を使用する。機械的制御と空気圧による制御との組み合わせにより、キャビティ（４）および工作物（５）を密封する工程と、ガス導入槍状部材（３６）を工作物（５）内へ導入する本来の工程とを切り離すことができる。
図９は弁ブロック（４７）の斜視図である。制御弁（４６）を担持する担持板（５２）は、ベース要素（５３）に対し相対的に回動可能に配置されている。このため、回動枢着部（５４）が使用される。回動枢着部（５４）は、好ましくは、ベース要素（５３）の、プラズマホイール（２）の半径方向内側にある片側に配置されている。これにより、図９に図示した高く開いた作動状態では、制御弁（５６）の下側とベース要素（５３）の領域に配置されている弁座とがアクセスしやすくなって、クリーニングを行うことができる。
担持板（５２）を閉じ位置へ戻し回動させた後、固定要素（５５）により担持板（５２）をべース要素（５３）に対し相対的にロックさせる。固定要素（５５）はねじとして形成されていてよい。
プラズマホイール（２）の半径方向における個々の処理ガス通路（４０）の配置は、好ましくはその都度重要な流動技術的なコンダクタンスに依存して行う。流動技術的なコンダクタンスとは、体積流と圧力との商である。コンダクタンスが大きければ大きいほど、真空技術上の要請が厳しくなる。すなわち、体積流が増えるに伴って、または、圧力が降下するに従って、真空技術上の要請が高度になる。
相対的に最大の負圧を備えた処理ガス通路（４０）は半径方向内側に配置され、従ってプラズマステーション（３）から最も離れた位置に配置される。ここでの真空技術上のコンダクタンスは小さい。処理ガスの供給は、考慮すべきコンダクタンスを大きくしながら、プラズマホイール（２）の半径方向外側において、よってプラズマステーション（３）に対する距離が短い位置で行う。

Claims (10)

  1. 工作物を受容する少なくとも１つの真空化可能なプラズマチャンバーを有している工作物プラズマ処理装置であって、前記プラズマチャンバーが処理ステーションの領域に配置され、前記プラズマチャンバーがチャンバー底部とチャンバーカバーと側部のチャンバー壁とによって画成され、前記プラズマチャンバーが処理ガスを制御可能に供給および／または排出させるための装置と連結されている前記工作物プラズマ処理装置において、
    前記プラズマチャンバー（１７）が、定置の台座（１５）によって支持されている回転可能なプラズマホイール（２）上に配置されていること、
    前記台座（１５）の領域に少なくとも１つの処理ガス通路（４０）が配置され、該処理ガス通路が少なくとも部分的にカバー（４３）によって画成され、該カバーが前記プラズマホイール（２）の一部として形成されていること、
    前記カバー（４３）が前記処理ガス通路（４０）に対する少なくとも１つの連通穴（４４）を有し、該連通穴が連通通路（４５）と少なくとも１つの制御弁（４６）とを介して前記プラズマチャンバー（１７）の内部空間と連通可能であること、
    を特徴とする工作物プラズマ処理装置。
  2. 前記処理ガス通路（４０）が前記プラズマホイール（２）の回転軸線に対し実質的に同心に延在していることを特徴とする、請求項１に記載の工作物プラズマ処理装置。
  3. 前記制御弁（４６）が弁ブロック（４７）の領域に配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の工作物プラズマ処理装置。
  4. 前記弁ブロック（４７）の内部に、前記制御弁（４６）をプラズマステーション（３）として形成された前記処理ステーションと連通させる少なくとも１つの通路が延在していることを特徴とする、請求項３に記載の工作物プラズマ処理装置。
  5. 前記通路が前記制御弁（４６）を少なくとも２つのキャビティ（４）と連通させるために少なくとも１つの通路分岐部を有していることを特徴とする、請求項４に記載の工作物プラズマ処理装置。
  6. 前記キャビティ（４）が前記プラズマホイール（２）の周に沿って列状に配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の工作物プラズマ処理装置。
  7. プラズマステーション（３）として形成された前記処理ステーションの１つのチャンバー壁が鉛直方向に位置決め可能に配置されていることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。
  8. プラズマステーション（３）として形成された前記処理ステーションのステーションフレーム（１６）に対し相対的に不動にマイクロ波発生器（１９）が設けられていることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。
  9. 前記処理ガス通路（４０）がプラズマステーション（３）として形成された前記処理ステーションに対し相対的に内側に位置するように前記プラズマホイール（２）上に配置されていることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。
  10. 前記処理ガス通路（４０）が、実質的に長方形の横断面を有し、且つ鉛直方向上側を前記カバー（４３）によって画成されていることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか一つに記載の工作物プラズマ処理装置。
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