JP5788538B2 - 絶縁劣化検出機能を備えたモータ駆動装置及びモータの絶縁抵抗検出方法 - Google Patents

絶縁劣化検出機能を備えたモータ駆動装置及びモータの絶縁抵抗検出方法 Download PDF

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Description

本発明は、モータ駆動装置及びモータの絶縁抵抗検出方法に関し、特にインバータの半導体スイッチング素子を経由して流れる漏れ電流の影響を取り除いた正確なモータの絶縁抵抗測定機能および絶縁劣化検出機能を備えたモータ駆動装置及びモータの絶縁抵抗検出方法に関する。
これまでに、DCリンク部の平滑用コンデンサに充電された電圧をモータ巻線(コイル)と大地との間に印加してモータ巻線の絶縁劣化を検出する機能を備えたモータ駆動装置が知られている(例えば、特許文献1)。従来のモータ駆動装置においては、交流電源をスイッチで遮断した後に、インバータに接続される直流電源(DCリンク部)の平滑用コンデンサに充電された電圧を、モータコイルと大地との間に印加してモータコイルと大地との間に流れる漏れ電流を測定することによりモータの絶縁劣化を検出している。
また、複数のモータを駆動する複数のインバータ部を備えたモータ駆動装置であって、かつ、それぞれのモータについて、共通のコンバータ部の1つの電圧検出部と、各インバータ部の複数の電流検出部を使って、同一のタイミングで一斉に電圧と電流を検出し、それぞれのモータについて絶縁抵抗を算出するモータ駆動装置が知られている(例えば、特許文献2)。
上記の従来技術は、いずれもインバータに元々備わっている平滑用コンデンサに充電された高い電圧を測定用の電源として利用している。そのため、測定のための専用の電源を別途設ける必要がなく構成がシンプルで、かつ、高い測定電圧が得られるために精度の良い測定結果が得られるという点で優れた方式である。
高い絶縁抵抗値を高精度に測定するには、印加電圧を高くして測定電流値を大きくすることが有利である。この点については、絶縁抵抗計やメガオームテスターと呼ばれる絶縁抵抗を測定するための測定器の多くが、250[V]、500[V]、1000[V]といった高い測定電圧を設定している点からも明らかである。
図1に特許文献2に開示されている従来技術を使用したモータ駆動装置の構成の一例を示す。
従来のモータ駆動装置1000を利用したモータの絶縁抵抗の測定手順は以下のとおりである。まず、インバータ1005の半導体スイッチング素子1051〜1056を全てオフ状態にしておいて、スイッチ1(1001)をオフして交流電源1002を切り離す。次に、スイッチ2(1009)とスイッチ3(1010)をオンしてDCリンク部1004の平滑用のコンデンサ1041のプラス側端子1042を大地に接続する。その結果、DCリンク部1004のコンデンサ1041の充電電圧がモータ1006のコイル1061〜1063と大地との間に印加される。このとき、コンデンサ1041、モータコイル(例えば、1062)、大地で形成された点線(図1参照)で示す閉回路に流れる電流を、モータコイル1062とDCリンク部1004のコンデンサ1041のマイナス側端子1043との間に設けた電流測定回路1007で測定する。これと同時に、この時のDCリンク部1004のコンデンサ1041の端子間電圧もDCリンク部1004に並列に接続した電圧測定回路1008で測定する。以上の測定で得られた電圧値と電流値からモータ1006と大地との間の絶縁抵抗値を求める。
図2に、従来のモータ駆動装置に関する図1の構成における、絶縁抵抗測定時の閉回路と半導体スイッチング素子との接続関係を表した等価回路を示す。測定時においてはスイッチ1(1001)がオフ状態であるため、交流電源1002は切り離される。また、スイッチ2(1009)とスイッチ3(1010)がオン状態であるため、DCリンク部1004のプラス側端子1042が大地に接続され、電流測定回路1007はDCリンク部1004のマイナス側端子1043に接続される。RU−IGBTはインバータの上アームの半導体スイッチング素子1051、1053、1055のオフ時の等価絶縁抵抗値、RD−IGBTは下アームの半導体スイッチング素子1052、1054、1056のオフ時の等価絶縁抵抗値、Rmは測定対象であるモータのコイルと大地との間の絶縁抵抗値、RCは電流測定回路1007の分圧抵抗1072と電流検出抵抗1071の直列接続を1個の抵抗器で表した抵抗値をそれぞれ表している。
従来技術においては、測定用電源として平滑用コンデンサ1041に充電された高い電圧を利用するが故に、インバータ1005のオフ状態の半導体スイッチング素子1051〜1056を経由して流れる漏れ電流が発生し、これが測定電流に重畳するため、特に半導体スイッチング素子の漏れ電流が増加する高温時において測定精度が低下するという問題があった。
上記において、「オフ状態の半導体スイッチング素子を経由して流れる漏れ電流」とは、IGBTの例では、IGBTがオフしている状態において、コレクタからエミッタに流れる漏れ電流のことである。
このオフ時の漏れ電流は、IGBTにおいては記号ICESで表される電気的特性として規定されており、「コレクタ−エミッタ間漏れ電流」と呼ばれている。コレクタ−エミッタ間漏れ電流(ICES)はゲート−エミッタ間を短絡した状態、即ちIGBTを完全にオフした状態で、コレクタ−エミッタ間に指定の電圧(通常は最大定格電圧)を印加した時に、コレクタからエミッタに流れる漏れ電流で規定されている。
このIGBTのコレクタ−エミッタ間漏れ電流(ICES)は強い温度依存性を持ち、漏れ電流ICESは温度が上昇すると指数関数的に増大するという特性を持っている。
また、このように温度の上昇に伴いオフ時の漏れ電流が増加する特性は、IGBTに限らず、MOS−FETなど他の半導体スイッチング素子においても同様の特性が見られることが知られている。例えば、MOS−FETの場合はオフ時のドレイン−ソース間の漏れ電流として記号IDSSで表される電気的特性として規定されている。
一般的にモータ駆動用のインバータ用途のIGBTにおいて高温時の漏れ電流ICESの増大が問題視されるのは、主に損失増加の観点からである。しかしながら、モータ駆動装置としては漏れ電流ICESが損失の点で問題とならない数十[μA]レベルであっても、従来技術のモータの絶縁抵抗測定においては測定精度を低下させる要因となる。
具体的には、図2から明らかなように、従来技術の問題点は、本来測定したいモータ1006(図1参照)と大地との間の絶縁抵抗Rmを通じて流れる電流(図2の点線矢印で示した電流I参照)に重畳して、オフ状態の半導体スイチング素子1051〜1056を通して流れる漏れ電流の一部が、電流測定回路1007に直接流れ込んでしまう(図2の一点鎖線の矢印で示したILEAK参照)ため、半導体スイチング素子1051〜1056を通して流れる漏れ電流が、測定誤差を直接発生させる要因になっている点である。
なお、従来技術においても、半導体スイッチング素子1051〜1056を経由して流れる電流が測定電流と比較して無視できるほど十分小さければ、モータ1006の絶縁抵抗測定の測定精度が実用上問題となるほど低下することはない。
オフ時の半導体スイッチング素子1051〜1056の等価絶縁抵抗値が、モータの絶縁抵抗測定の測定精度に影響を与えるか否かの目安は次のように考えられる。即ち、オフ時の半導体スイッチング素子1051〜1056の等価絶縁抵抗値が、測定対象であるモータ1006の絶縁抵抗値に比べて十分大きい値であれば問題となるほどの影響は生じないと考えられる。しかしながら、半導体スイッチング素子1051〜1056の等価絶縁抵抗値が、測定対象であるモータ1006の絶縁抵抗値と同等、またはそれ以下の場合は、実質的に精度の高い絶縁抵抗測定は困難となる。このことは、図2の等価回路からも明らかである。
図3は産業用のインバータに使用される典型的な耐圧1200[V]のIGBTのオフ時の漏れ電流であるコレクタ−エミッタ間漏れ電流ICES[μA]と接合温度Tj[℃]との関係(温度依存性)を示したグラフである。
図3は、IGBTを3相インバータに使用する場合を想定して、上アーム同士の3つのIGBTのコレクタ同士とエミッタ同士を接続した並列接続で測定した漏れ電流を測定したグラフである。同様に下アーム同士の3つのIGBTを並列接続して測定したグラフは上アームのグラフとぴったり重なるため図3では1本のグラフで示している。
なお測定時のコレクタとエミッタとの間の印加電圧1200[V]を、図3のグラフから読み取ったコレクタからエミッタに流れる漏れ電流ICES[μA]で除算して得られた値が、IGBTの各温度におけるコレクタとエミッタとの間の等価絶縁抵抗値である。図3のグラフを基に、各温度においてIGBTの漏れ電流が従来技術の絶縁抵抗測定にどの程度、影響を与えるかについて以下に説明する。
常温(25[℃])ではIGBTのオフ時の漏れ電流は0.3[μA]程度と小さく、IGBTの等価絶縁抵抗値に換算すると約4[GΩ]となる。これは測定対象のモータの絶縁抵抗値(100[MΩ]〜1[MΩ])と比べて十分大きい値であるため、常温ではIGBTの漏れ電流はモータの絶縁抵抗の測定精度には大きな影響は与えないと考えられる。
しかしながら、IGBTの温度が高くなるとIGBTの漏れ電流は指数関数的に大きくなる。接合温度Tjが80[℃]の場合ではIGBTの漏れ電流は約40[μA]となり、IGBTの等価絶縁抵抗値に換算すると約30[MΩ]まで下がる。この場合、従来技術でモータの絶縁抵抗値を測定する際にIGBTの漏れ電流により測定精度に影響が出るレベルまで等価絶縁抵抗が低下してしまうといえる。
更に、接合温度Tjが100[℃]まで上がると、IGBTのオフ時の漏れ電流は200[μA]程度まで増大し、IGBTの等価絶縁抵抗値に換算すると約6[MΩ]となる。この場合は測定対象のモータの絶縁抵抗値と同等か、またはそれ以下の抵抗値にまで下がってしまうため実質的に高精度の絶縁抵抗測定は困難となる。
以上の説明の通り、図3に示すような特性のIGBTを使用した場合には、従来技術では精度が高いモータの絶縁劣化検出が可能であるのは常温付近かそれ以下の温度範囲に限定され、温度が高い状態(例えば、インバータでモータを運転した直後など)においては、半導体スイッチング素子の漏れ電流の影響を受けて、モータの絶縁抵抗測定および絶縁劣化検出の精度が大幅に悪化するという問題が生じることが分かる。
特許第4554501号公報 特許第4565036号公報
以上説明したように、モータ巻線(コイル)とDCリンク部の両方に接続されているインバータの半導体スイッチング素子を経由して流れる漏れ電流が測定電流に重畳するために、特に半導体スイッチング素子の漏れ電流が増加する高温時において、半導体スイッチング素子の漏れ電流の影響を受けてモータの絶縁抵抗測定の精度が低下するという問題があった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、インバータに元々備わっているDCリンク部の平滑用コンデンサの高い充電電圧を、絶縁抵抗測定用の電源として使用しながら、高い温度においてもインバータに備わっている半導体スイッチング素子を経由して流れる漏れ電流の影響を確実に取り除くことにより、正確なモータの絶縁抵抗値の測定、および絶縁劣化検出を簡素な構成によって実現するモータ駆動装置及びモータの絶縁抵抗検出方法を提供することにある。
本発明のモータ駆動装置は、第1のスイッチを介して交流電源から供給される交流電圧を直流電圧に整流する整流回路と、整流回路によって整流された直流電圧をコンデンサで平滑化する電源部と、電源部によって平滑化された直流電圧を半導体スイッチング素子のスイッチング動作により交流電圧に変換してモータを駆動するインバータ部と、モータのコイルに一端を接続し、コンデンサの一方の端子に他端を接続した抵抗器に流れる電流値を測定する電流検出部と、コンデンサの両端の電圧値を測定する電圧検出部と、コンデンサの他方の端子を接地する第2のスイッチと、モータの運転を停止し、第1のスイッチをオフし、かつ、第2のスイッチをオフした状態とオンした状態の2つの状態において測定された2組の電流値及び電圧値を用いて、モータのコイルと大地との間の抵抗であるモータの絶縁抵抗値を検出する絶縁抵抗検出部と、を有することを特徴とする。
本発明のモータの絶縁抵抗検出方法は、整流回路が、第1のスイッチを介して交流電源から供給される交流電圧を直流電圧に整流するステップと、電源部が、整流回路によって整流された直流電圧をコンデンサで平滑化するステップと、インバータ部が、電源部によって平滑化された直流電圧を半導体スイッチング素子のスイッチング動作で交流電圧に変換してモータを駆動するステップと、電流検出部が、モータのコイルに一端を接続し、コンデンサの一方の端子に他端を接続した抵抗器に流れる電流値を測定するステップと、電圧検出部が、コンデンサの両端の電圧を測定するステップと、コンデンサの他方の端子を接地する第2のスイッチを設けるステップと、モータの運転を停止し、第1のスイッチをオフするステップと、第2のスイッチをオフし、電流値及び電圧値を測定するステップと、第2のスイッチをオンし、電流値及び電圧値を測定するステップと、第2のスイッチをオフした状態とオンした状態の2つの状態において測定された2組の電流値及び電圧値を用いて、モータのコイルと大地との間の抵抗であるモータの絶縁抵抗値を検出するステップと、を有することを特徴とする。
本発明によれば、従来技術に比べて、モータの絶縁抵抗の劣化状態を高精度に検出することができる。
従来のモータ駆動装置の構成図である。 従来のモータ駆動装置の絶縁抵抗測定時の閉回路と半導体スイッチング素子の等価回路である。 IGBTのオフ時のコレクタ−エミッタ間漏れ電流の温度依存性を示したグラフである。 本発明の実施例1に係るモータ駆動装置の構成図である。 本発明の実施例1に係るモータ駆動装置を用いた絶縁劣化検出方法の処理手順を示すフローチャートである。 本発明の実施例1に係るモータ駆動装置を用いた第2のスイッチをオフした場合(1回目)の測定時の等価回路図である。 本発明の実施例1に係るモータ駆動装置を用いた第2のスイッチをオンした場合(2回目)の測定時の等価回路図である。 本発明の実施例2に係るモータ駆動装置の構成図である。 図8のコンバータ部の電圧検出部の回路とインバータ部の電流検出部の回路の具体的な構成図である。 上位コントローラの構成図である。
以下、図面を参照して、本発明に係るモータ駆動装置及びモータの絶縁抵抗検出方法について説明する。ただし、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態には限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。
[実施例1]
図4に本発明の実施例1に係るモータ駆動装置の構成を示す。
本発明の実施例1に係るモータ駆動装置101は、第1のスイッチ1を介して交流電源2から供給される交流電圧を直流電圧に整流する整流回路3と、整流回路3によって整流された直流電圧をコンデンサ41で平滑化する電源部4と、電源部4によって平滑化された直流電圧を半導体スイッチング素子51〜56のスイッチング動作により交流電圧に変換してモータ6を駆動するインバータ部5と、モータ6のコイル61〜63に一端を接続し、コンデンサ41の一方の端子43に他端を接続した抵抗器71,72に流れる電流値を測定する電流検出部7と、コンデンサ41の両端の電圧値を測定する電圧検出部8と、コンデンサ41の他方の端子42を接地する第2のスイッチ9と、モータ6の運転を停止し、第1のスイッチ1をオフし、かつ、第2のスイッチ9をオフした状態とオンした状態の2つの状態において測定された2組の電流値及び電圧値を用いて、モータのコイル61〜63と大地との間の抵抗であるモータの絶縁抵抗値を検出する絶縁抵抗検出部10と、を有することを特徴とする。
モータの絶縁抵抗測定は以下のようにして行う。図5に本発明の第1の実施例に係るモータ駆動装置を用いた絶縁劣化検出方法の処理手順を説明するためのフローチャートを示す。まず、ステップS101において、モータ6の運転を停止し、モータの絶縁抵抗の測定のためにインバータ5の全半導体スイッチング素子51〜56をオフ状態にする。
次に、ステップS102において、第1のスイッチ1をオフして、交流電源2を遮断する。次に、ステップS103において、コンデンサ41の一端であるプラス側端子42を大地に接続する第2のスイッチ9をオフした状態で、電圧検出部8がコンデンサ41の両端の電圧を測定し、電流検出部7がモータコイルの一端とコンデンサ41の他端であるマイナス側端子43との間を接続した検出抵抗71を介して流れる電流を測定する。このとき、電圧検出部8と電流検出部7を同一のタイミングで動作させて同一のタイミングで電圧と電流を測定する1回目の測定を行う。このようにして、コンデンサ41の両端の電圧値と電流検出部7の電流値を同一のタイミングで測定することにより、半導体スイッチング素子を通って流れる漏れ電流、及び、半導体スイッチング素子の等価絶縁抵抗値を求めるための1回目の測定を行う。次に、ステップS104において、1回目の測定結果をメモリ11に記憶する処理を行う。
従来技術では図1のスイッチ3(1010)のように、電流測定回路1007を接続したり切り離したりするスイッチが設けられていたが、実施例1に係るモータ駆動装置101では電流検出部7の分圧抵抗72の抵抗値を大きくして、モータ6の運転時に電流検出部7に流れる電流をモータ6の運転に影響を与えない程度に小さくすることで、電流検出部7を切り離すスイッチは設けずに電流検出部7は常時接続している。
この1回目の測定は第2のスイッチ9をオフした状態での測定であるため、大地に電流は流れずに、コンデンサ41のプラス側端子42からマイナス側端子43に、半導体スイッチング素子51〜56と電流検出部7の抵抗器71,72を流れるだけである。従って、1回目の測定時の等価回路は図6のように表すことが出来る。
図6において、上下に2個直列接続されている抵抗R−IGBTは、それぞれインバータ5の上アームの半導体スイッチング素子51,53,55と下アームの半導体スイッチング素子52,54,56のオフ時の絶縁抵抗値、RCは電流検出部7の分圧抵抗72と検出抵抗71の直列接続を1個の抵抗器で表したものである。
半導体スイッチング素子51〜56のオフ時の絶縁抵抗とは、半導体スイッチング素子としてIGBTを用いた場合においては、IGBTがオフした状態でIGBTのコレクタとエミッタとの間に印加されている電圧を、オフ状態でコレクタからエミッタに流れる漏れ電流で除算して得られた、オフ状態のIGBTのコレクタとエミッタとの間の等価絶縁抵抗を意味する。
図4においては、モータ6として3相モータを使用した例を示している。3相モータを駆動するインバータの場合は、コンデンサ41の両端に接続される上アームと下アームの2組の半導体スイッチング素子の直列接続が3つ存在することとなる。しかしながら、それぞれの上アームと下アームの半導体スイッチング素子の接続点はモータ各相の端子間に接続されており、モータ各相の端子間はモータコイル61〜63を通じて3つとも互いに接続されている。このため、上下のR−IGBTは、それぞれ上アーム同士、または下アーム同士のパワースイッチング素子を3つ並列接続した合成抵抗と考えることができる。
また、直列接続されている上アームと下アームの2組の半導体スイッチング素子は、インバータ5においては通常は同じ電気的特性のものが使用される。そのため、図3を用いて説明した通り、上アームと下アームの半導体スイッチング素子は等価絶縁抵抗値も共に等しい値と考えることができる。
図6の等価回路において、電圧検出部8で測定されるコンデンサ41の両端のDCリンク電圧Vdc1と、電流検出部7で測定される電流検出用抵抗器RCを流れる電流I1、及び、RCの両端の電圧Vin1が測定の結果から分かれば、RCの抵抗値は既知であるから、あとはP点に出入りする電流に注目して、キルヒホッフの法則を適用すれば、演算部12による計算で半導体スイチング素子の等価絶縁抵抗値R−IGBTを求めることが出来る。
具体的には、図6に示すように、節点(node)Pについてキルヒホッフの第一法則を適用して、等価絶縁抵抗値R−IGBTを算出することができる。まず、電流測定回路のRCを流れる電流をI1、上アームのIGBTを流れる電流をI1a、下アームのIGBTを流れる電流をI1bとする。接点Pについてキルヒホッフの第1法則を適用すると、1つの接点に接続している全ての枝から流れ込む電流の和は0であるから、以下の関係式が得られる。
I1a−I1b−I1=0 (1)
上記の式(1)におけるI1a,I1b,I1を測定電圧Vdc1及びVin1、各抵抗値R−IGBT及びRCを用いて表すと、以下の式(2)が得られる。
Figure 0005788538
式(2)を整理すると、R−IGBTを計算する式(3)が得られる。
Figure 0005788538
1回目の測定で得られたコンデンサ41の両端の電圧Vdc1、電流検出部7で測定される電流検出用抵抗器RCを流れる電流I1、RCの両端の電圧Vin1、及び演算部12による計算の結果得られたR−IGBTの絶縁抵抗値は、後でモータの絶縁抵抗を求めるのに使用するのでメモリ11に記憶しておく。
次に、ステップS105において、コンデンサ41の一端であるプラス側端子42を大地に接続する第2のスイッチ9をオンにした状態にして、コンデンサ41の充電電圧をモータのコイル61〜63と大地との間に印加し、コンデンサ41、モータのコイル61〜63、及び大地で形成された閉回路に流れる電流を発生させておく。この状態で、コンデンサ41の両端の電圧を測定する電圧検出部8と、モータのコイル61〜63の一端とコンデンサの他端であるマイナス側端子43との間を接続した検出抵抗71に流れる電流を測定する電流検出部7とを用いて、コンデンサ41の両端の電圧値と電流検出部7の電流値を同一のタイミングで測定することにより、モータのコイル61〜63と大地との間の絶縁抵抗値を求めるための2回目の測定を行う。ここで、2回目の測定は、電圧検出部8と電流検出部7を同一のタイミングで動作させて同一のタイミングで電圧と電流を測定する。なお、ステップS106において、2回目の測定後は第2のスイッチ9をオフ状態に戻す。
この2回目の測定時の等価回路は図7のように表すことができる。図7のRmは求めるべきモータのコイル61〜63と大地との間の絶縁抵抗を表している。図6と同様にR−IGBTは半導体スイッチング素子51〜56のオフ時の等価絶縁抵抗値、RCは電流検出部7の検出抵抗71と分圧抵抗72の直列接続を一つの抵抗器で表現したものである。図7は図6の等価回路に大地とモータコイルとの間の絶縁抵抗Rmの接続が追加された回路となっている。2回目の測定時において、電流検出部7では、コンデンサ41、モータのコイル61〜63、及び大地で形成される閉回路に流れる電流値と、オフ状態の半導体スイッチング素子51〜56を経由して流れる漏れ電流の一部を合成した電流値が測定されることが分かる。
次に、ステップS107において、2回目の測定結果をメモリに記憶し、メモリに記憶した1回目と2回目のそれぞれの測定結果から絶縁抵抗値を演算する処理を行う。図7の等価回路において、電圧検出部8で測定されるコンデンサ41の両端のDCリンク電圧Vdc2と、電流検出部7で測定される電流検出用抵抗器RCを流れる電流I2、及び、RCの両端の電圧Vin2が測定の結果から分かれば、RCの抵抗値は既知であり、前回の測定結果より演算で求めた半導体スイチング素子51〜56の等価絶縁抵抗値R−IGBTも分かっているので、4つの抵抗がHブリッジに接続されている図7の等価回路のなかで1つだけ未知なモータと大地との間の絶縁抵抗Rmも計算により求めることが出来る。
絶縁抵抗Rmは、節点Pについてキルヒホッフの第一法則を適用し、R−IGBTの値に1回目の測定結果から求めた計算式を代入することで、以下の様に計算することができる。まず、図7に示すように、電流測定回路のRCを流れる電流をI2、上アームのIGBTを流れる電流をI2a、下アームのIGBTを流れる電流をI2b、モータの絶縁抵抗Rmを流れる電流をI2cとする。接点Pについてキルヒホッフの第1法則を適用すると、1つの接点に接続している全ての枝から流れ込む電流の和は0であるから、以下の関係式が得られる。
I2a+I2c−I2b−I2=0 (4)
上記の式(4)におけるI2a,I2b,I2c,I2を測定電圧Vdc2及びVin2、各抵抗値R−IGBT及びRm、RCを用いて表すと、以下の式(5)が得られる。
Figure 0005788538
式(5)を整理すると、以下の式(6)が得られる。
Figure 0005788538
上記の式(6)に1回目の測定で求めたR−IGBTを求める式(3)を代入して整理すると、以下の式(7)が得られる。
Figure 0005788538
式(7)を整理すると、以下の式(8)が得られる。
Figure 0005788538
式(8)から1回目の測定結果Vdc1,Vin1、及び2回目の測定結果Vdc2,Vin2からなる2組の電流値及び電圧値と、既知の電流検出抵抗の抵抗値RCから、モータの絶縁抵抗Rmを求める式(9)が得られる。
Figure 0005788538
以上の一連の処理を順次実行することにより、モータの絶縁抵抗値Rmを検出できる。さらに、ステップS108において、得られたモータの絶縁抵抗値を基準値と比較して、得られた絶縁劣化の程度を知らせる通知(ウォーニング)や警報(アラーム)を発する処理を絶縁劣化判定部14によって実行するステップを追加することも可能である。さらに、ステップS109において、測定完了毎に得られたモータの絶縁抵抗値を、測定を完了した時の日付時刻情報と一緒に、モータ毎に記録し表示する処理を追加することも可能である。
なお、図5のフローチャートにおいて1回目の測定(ステップS103)と、2回目の測定(ステップS105)の順序を入れ替えてもよい。
以上のようにして、2回目の測定で得られたVdc2、I2、Vin2、メモリ11に記憶されている1回目の測定結果Vdc1、I1、Vin1、及び、1回目の測定結果から演算で求めたR−IGBTを使って、正確なモータの絶縁抵抗値Rmを演算部12での計算により求め、求めたモータの絶縁抵抗値Rmを絶縁劣化判定部14にて基準値と比較して、その結果によりモータの絶縁抵抗値の低下の度合いに応じてウォーニングやアラームなどの通知や表示を行う。
なお、演算部12においてモータの絶縁抵抗値Rmを求める計算について、上記の説明では1回目の測定結果から半導体スイチング素子の等価絶縁抵抗値R−IGBTを一旦求めておいて、そのR−IGBTの値を使って2回目の測定結果からモータの絶縁抵抗値Rmを計算する方法について説明した。しかしながら、R−IGBTの値を求める計算を行わずに、R−IGBTの値を1回目の測定値Vdc1、I1、Vin1の変数と看做して、1回目の測定値Vdc1、I1、Vin1と2回目の測定値Vdc2、I2、Vin2からモータと大地との間の絶縁抵抗Rmを直接計算で求めてもよい。
また、測定の順番については、以上の説明では、コンデンサ41の一端であるプラス側端子42を大地に接続する第2のスイッチ9をオフした状態で1回目の測定を行い、次に第2のスイッチ9をオンした状態で2回目の測定を行う例を示した。しかしながら、上記の説明とは逆の順番で測定を行っても構わない。即ち、2回の測定で得られた測定結果をそれぞれ記憶しておいて、最後に2回分の測定値を使って演算すればよいので測定の順番はどちらでも構わない。
さらに、演算部12での計算で求めたモータの絶縁抵抗値は、絶縁劣化判定部14の絶縁劣化検出の判定に使用される他に、モータの絶縁抵抗の測定結果として絶縁抵抗検出部10を経由して上位コントローラ15に渡される。
いずれにせよ、コンデンサ41の一端であるプラス側端子42を大地に接続する第2スイッチ9をオフした状態とオンした状態で2回測定することにより、オフ時の半導体スイッチング素子の等価絶縁抵抗、言い換えると半導体スイッチング素子の漏れ電流の影響を2回の測定結果から計算で正確に求めて、半導体スイッチング素子の漏れ電流の影響を完全に取り除いた正確なモータの絶縁抵抗値を計算によって求める点が本発明の特徴である。
また、求めた絶縁抵抗値を予め設定された基準値と比較した絶縁劣化判定結果を表示する表示器13をさらに有していてもよい。また、モータの絶縁抵抗値の測定が完了する毎に、各モータの絶縁抵抗値の測定結果と測定した日付時刻情報を一緒に記録し、記録した日付時刻とモータの絶縁抵抗値の履歴を表示器13に表示するようにしてもよい。
さらに、図4に示す通り、絶縁抵抗検出部10からモータ6の絶縁抵抗値の測定結果と、測定が完了したタイミングを示す測定完了信号と、絶縁劣化判定結果を上位コントローラ15に送信するようにしてもよい。
上位コントローラ15の構成例を図10に示す。上位コントローラ15は各インバータ5にモータ6を駆動する指令を与える数値制御装置である。上位コントローラ15は、各インバータ5と通信するためのシリアル通信回路246と、日付時刻情報を計時する機能を内蔵したマイクロコンピュータ17と、不揮発性のROM16と、表示器13と、を具備している。また、上位コントローラ15は、それぞれのモータについて絶縁抵抗検出部10から測定完了信号を受信した時の日付時刻情報と、測定した絶縁抵抗値とを1対1に対応させた情報としてROM16に記録すると共に、ROM16に記録された過去のモータ毎の絶縁抵抗の測定結果と日付時刻情報の履歴を表示器13に表示する。
ユーザは上位コントローラ15を操作することにより、各モータ6の絶縁抵抗値の過去から現在に至るまでの測定日時ごとの絶縁抵抗値の推移を上位コントローラ15の表示器13に表示させることができる。若しくは、上位コントローラ15内のROM16からデータを読み出して確認することができるため、モータ駆動装置101を使用した機械の予防保全に役立てることができる。
[実施例2]
次に、実施例2に係るモータ駆動装置について説明する。図8に実施例2に係るモータ駆動装置102の構成を示す。第2の実施例では、モータ駆動装置102は複数のモータ6a、6bを駆動し、半導体スイッチング素子51a〜56a及び51b〜56bを通じて流れる漏れ電流の影響を取り除いた正確なモータの絶縁抵抗測定および絶縁劣化検出を可能とする。
第1及び第2モータ6a,6b毎に接続されている第1及び第2インバータ5a,5b毎のそれぞれの半導体スイッチング素子51a〜56a、51b〜56bを通って流れる漏れ電流の影響、及び、半導体スイッチング素子の等価絶縁抵抗値をモータ毎に求めるための1回目の測定と、第1及び第2モータのコイル61a〜63a、61b〜63bと大地との間の絶縁抵抗値を求めるための2回目の測定を行い、この2回の測定結果から半導体スイッチング素子51a〜56a、51b〜56bを経由して流れる漏れ電流の影響を取り除いた正確なモータの絶縁抵抗値を、第1及び第2モータ6a,6bそれぞれについて求めることができる。
なお、第2の実施例では、1回目の測定と2回目の測定は、共通の電圧検出部8と第1及び第2インバータ部5a,5bそれぞれの第1及び第2電流検出部7a,7bにおいて、同一のタイミングで一斉に行われる。
モータが複数ある場合でも測定回数は変わらず、第2のスイッチ9をオフした状態とオンした状態の2回測定を行うだけで、全てのモータの絶縁抵抗値と絶縁劣化検出をモータ毎に得ることができる。
図8に示した第2の実施例に係るモータ駆動装置102においては、1つの電源部(コンバータ部)20に、第1モータ6aを駆動する第1インバータ部5aと、第2モータ6bを駆動する第2インバータ部5bが接続されている。Rm1とRm2はそれぞれ第1モータ6aと第2モータ6bのモータのコイル61a〜63a、61b〜63bと大地との間の絶縁抵抗値である。図8の例では第1インバータ部5aと第2インバータ部5bにそれぞれ平滑用のコンデンサ41a、41bを設けているが、この2つのコンデンサ41a、41bは並列接続されているので、2つのコンデンサの合計の静電容量を有する1つのコンデンサとして動作する。
なお、図8は2台のモータ6a,6bを駆動するモータ駆動装置の例を示しているが、第2の実施例においては、モータの台数はこれには限られないことは勿論である。
第2の実施例では、図8に示す通り、第1のスイッチ1を介して交流電源2から供給された交流電圧を直流電圧に整流する整流回路3と、整流回路3の出力を平滑化するコンデンサ41a,41bの一端であるプラス側端子42a,42bを大地に接続する第2のスイッチ9と、コンデンサ41a,41bの両端の電圧を測定する電圧検出部8(およびその出力をデジタル値に変換するADコンバータ21)は、第1及び第2インバータ5a,5bで共用できるため、モータ毎に複数もつ必要はなく1つあればよい。
これに対して、第1及び第2電流検出部7a,7b(および、その出力をデジタル値に変換するADコンバータ73a,73b)は第1及び第2モータ6a,6bの各々とモータを駆動する第1及び第2インバータ部5a,5bのペア毎に複数あって、電流値には各モータそれぞれに対応する第1及び第2電流検出部7a,7bでの測定値が使用され、電圧値は全モータ共通の1つの電圧検出部8の測定値が使用される。この構成によって各モータとモータを駆動する第1及び第2インバータ5a,5bのペア毎に、オフ時の半導体スイッチング素子51a〜56a、51b〜56bを通って流れる漏れ電流の影響、および、半導体スイッチング素子の等価絶縁抵抗値をモータ毎に正確に求めることができる。
なお、上述のように、従来技術では図1のスイッチ3(1010)のように、各インバータ1005の電流測定回路を接続したり切り離したりするスイッチが設けられていた。これに対して、本発明では図8に示す通り、第1及び第2電流検出部7a,7bの分圧抵抗72a,72bの抵抗値を大きくしてモータの運転時に第1及び第2電流検出部7a,7bに流れる電流をモータの運転に影響を与えない程度に小さくすることで、第1及び第2電流検出部7a,7bを切り離すスイッチは設けずに第1及び第2電流検出部7a,7bは常時接続したままにしている。これにより、従来技術ではインバータの数だけ必要であった電流検出部のスイッチを無くし、シンプルで低コストな絶縁抵抗検出部を実現している。
図9に図8のコンバータ部20の電圧検出部8の回路と第1及び第2インバータ部5a,5bの第1及び第2電流検出部7a,7bの回路の具体的な構成例を示す。いずれも検出抵抗の端子間に生じる電圧Vsを測定する回路であって、検出抵抗81(あるいは、71a,71b)と分圧抵抗82(72a,72b)の抵抗値は既知であるので、第1及び第2インバータ部5a,5bでは測定結果から検出抵抗81(あるいは、71a,71b)を流れる電流値Idを求める電流測定回路として使用し、コンバータ部20では抵抗の分圧比から分圧抵抗82と検出抵抗81の直列接続の両端の電圧を求める電圧測定回路として使用している。
なお、コンバータ部20の電圧検出部8の回路と第1及び第2インバータ部5a,5bの第1及び第2電流検出部7a,7bの回路の検出抵抗は、どちらも1次側の回路に接続されている。そのため、絶縁アンプ22を使用して2次電位に変換した検出電圧をADコンバータ21(あるいは、73a、73b)に入力してデジタル値に変換している。
図8における「A/D」は「A/Dコンバータ」を示しており、図9における「A/Dコンバータ」と同じものである。
図8においては、図4の「絶縁抵抗検出部」をマイクロコンピュータA〜C(23,74a,74b)で実現している。マイクロコンピュータA〜C(23,74a,74b)が図5の例に示すようなフローチャートに従って適切なタイミングで指令を出すことにより、第1及び第2インバータ部5a,5bの半導体スイッチング素子51a〜56a、51b〜56bをオフする動作、第1のスイッチ1と第2のスイッチ9のオン/オフする動作、電圧検出部8および第1及び第2電流検出部7a,7bの測定値を取り込むためのADコンバータ21,73a,73bのAD変換動作など、測定に必要な処理を実現している。
図8では、図4の「メモリ11」、「演算部12」、及び「絶縁劣化判定部14」もマイクロコンピュータA〜C(23,74a,74b)で実現している。マイクロコンピュータA〜C(23,74a,74b)は、電圧検出部8と第1及び第2電流検出部7a,7bの測定結果をそれぞれのADコンバータ21、73a、73bからデジタル値として読み込む。本発明では2回測定を行うが、それぞれの測定値はマイクロコンピュータA〜C(23,74a,74b)の内部で最後の演算が終わるまで保持され、2回目の測定後に保持された測定値を使ってモータの絶縁抵抗値をマイクロコンピュータB,C(74a,74b)の演算により求める。求めたモータの絶縁抵抗値を基準値と比較して絶縁劣化を判定し、判定結果を外部に通知する処理もマイクロコンピュータB,C(74a,74b)で実行される。
図8では、マイクロコンピュータA(23)を共通のコンバータ部20に1つ、第1インバータ部5aと第2インバータ部5bにそれぞれ1つずつ設けて、それぞれのマイクロコンピュータ間を相互にシリアル通信で接続している。この構成はコンバータ部と第1インバータ部5aと第2インバータ部5bがそれぞれ別々の筐体である場合に適した構成例である。
コンバータ部20と第1及び第2インバータ部5a,5bが全て同じ1つの筐体内にある場合は、1つのマイクロコンピュータで処理するようにして、コンピュータ間のシリアル通信回路を省いてもよい。あるいは、第1及び第2インバータ部5a,5bだけが同じ1つの筐体内にある場合には、同じ筐体内の第1及び第2インバータ部5a,5bを1つのマイクロコンピュータで処理してもよい。
図8の実施例のように、第1及び第2モータ6a,6bの絶縁抵抗測定に複数のマイクロコンピュータを使用する場合は、どれか1つのマイクロコンピュータが第1及び第2モータ6a,6bの絶縁抵抗測定動作のマスターとして働き、それ以外のマイクロコンピュータがスレーブとして働き、マスターのマイクロコンピュータがスレーブのマイクロコンピュータに動作を指令することで、絶縁抵抗測定を実現できる。
本実施例では、コンバータ部20のマイクロコンピュータA(23)をマスターとした場合について説明する。コンバータ部20のマイクロコンピュータA(23)は、シリアル通信回路241,242,244を介して第1及び第2インバータ部5a,5bの全てに対して第1及び第2インバータ部5a,5bの全IGBT51a〜56a、51b〜56bをオフするように指令を出す。この指令を受信したマイクロコンピュータB(74a)とマイクロコンピュータC(74b)は自身のインバータのIGBTをオフする。次にマイクロコンピュータA(23)が第1のスイッチ1をオフする。
次に、マイクロコンピュータA(23)は第2のスイッチ9をオフした状態にして1回目の測定を行う。具体的にはマイクロコンピュータA(23)がシリアル通信回路241,242,244を介して第1及び第2インバータ部5a,5bの全てに対して第1及び第2電流検出部7a,7bで測定を実行するタイミングを通知する指令を出す。この通知を受信した第1及び第2インバータ部5a,5bのマイクロコンピュータB(74a)とマイクロコンピュータC(74b)は第1電流検出部7aと第2電流検出部7bの測定値をそれぞれADコンバータ73a,73bから取得する。また、第1及び第2インバータ部5a,5bのマイクロコンピュータB,C(74a,74b)がADコンバータ73a,73bから測定値を取得するタイミングと同一のタイミングで、マイクロコンピュータA(23)自身もコンバータ部20の電圧検出部8の測定値をADコンバータ21から取得する。マイクロコンピュータA〜C(23,74a,74b)の各々はADコンバータ21,73a,73bから取得した測定値を1回目の測定結果として保持して記憶しておくようにする。
次に、マイクロコンピュータA(23)は第2のスイッチ9をオンした状態にして2回目の測定を行う。1回目の測定と同様にマイクロコンピュータA(23)がシリアル通信回路241,242,244を介して第1及び第2インバータ部5a,5bの全てに対して第1及び第2電流検出部7a,7bで測定を実行するタイミングを通知する指令を出す。この通知を受信した第1及び第2インバータ部5a,5bのマイクロコンピュータB(74a)とマイクロコンピュータC(74b)は、第1電流検出部7aと第2電流検出部7bの測定値をそれぞれADコンバータ73a,73bから取得する。また、第1及び第2インバータ部5a,5bのマイクロコンピュータB,C(74a,74b)がADコンバータ73a,73bから測定値を取得するタイミングと同一のタイミングで、マイクロコンピュータA(23)自身もコンバータ部20の電圧検出部8の測定値をADコンバータ21から取得する。マイクロコンピュータA〜C(23、74a,74b)の各々はADコンバータ21、73a,73bから取得した測定値を2回目の測定結果として保持して記憶しておくようにする。2回目の測定が完了したらマイクロコンピュータA(23)は第2のスイッチ9をオフの状態に戻しておく。
2回目の測定が完了したら、マイクロコンピュータA(23)はシリアル通信回路241,242,244を介して第1及び第2インバータ5a,5bの全てに対してコンバータ部20の電圧検出部8で測定した1回目と2回目の測定値を送信する。
第1及び第2インバータ部5a,5bのマイクロコンピュータB(74a)とマイクロコンピュータC(74b)は、シリアル通信回路241,242,244経由でコンバータ部20の電圧検出部8の1回目と2回目の測定値を受信したら、それ自体が保持している第1電流検出部7aと第2電流検出部7bの1回目と2回目の測定値と、シリアル通信回路241,242,244経由で受信したコンバータ部20の電圧検出部8の1回目と2回目の測定値とを使って、マイクロコンピュータB(74a)は第1モータ6aの絶縁抵抗値Rm1を演算で算出し、マイクロコンピュータC(74b)は第2モータ6bの絶縁抵抗値Rm2を演算で算出する。
マイクロコンピュータB(74a)とマイクロコンピュータC(74b)は、それぞれ演算で得られたモータの絶縁抵抗値と測定が完了したタイミングを示す測定完了信号をシリアル通信回路243,245,246経由で上位コントローラ15に通知する。また、得られたモータの絶縁抵抗値を予め設定された基準値と比較して、絶縁劣化の程度を判定した絶縁劣化判定結果についてもシリアル通信回路243,245,246経由で上位コントローラ15に通知する。
上位コントローラ15の構成例は図10の説明の通りである。上位コントローラ15はシリアル通信回路243,245,246経由で受信した絶縁劣化判定結果を表示器13に表示する他に、第1及び第2モータ6a,6bのそれぞれについて測定完了信号を受信した時の日付時刻情報と絶縁抵抗値の測定結果を1対1に対応させた情報としてROM16に記録する。またROM16に記録されたモータ毎の過去の絶縁抵抗測定結果と日付時刻情報を表示器13に表示する。
上記の基準値については、モータ毎に複数の基準値をマイクロコンピュータB(74a)とマイクロコンピュータC(74b)に対して、任意の値を外部から設定できるようにしておく。例えば、使用する機械または装置等に合わせて、20[MΩ]をウォーニングレベル、2[MΩ]をアラームレベルとした2つの基準値を予め外部から設定しておき、測定の結果得られたモータの絶縁抵抗値が20[MΩ]以下であればウォーニングを、2[MΩ]であればアラームをそれぞれ通知するようにしておけば、機械等の使用者が絶縁劣化の程度を判断する専門知識を持っていなくても通知内容からモータの絶縁劣化の程度を判断することができる。
また、モータによって、ウォーニングレベルやアラームレベルを変更したい場合には、モータ毎に設定する基準値を変更することで対応できる。
この演算部と判定部は、図8のようにモータ毎に第1及び第2インバータ5a,5bの各々のマイクロコンピュータB,C(74a,74b)に設けても構わないし、複数モータ分の演算と判定を1つの演算部と判定部で行っても構わない。
なお、コンバータ部20のマイクロコンピュータA(23)がシリアル通信回路241,242,244経由で第1及び第2インバータ部5a,5bの全てに対して送信する、測定前に第1及び第2インバータ部5a,5bの全IGBT51a〜56a、51b〜56bをオフさせる指令と、2回の測定において第1及び第2インバータ部5a,5bで電流測定を動作させるタイミングを示す指令と、2回目の測定完了後に第1及び第2インバータ部5a,5bに送るコンバータ部20での電圧測定値は、第1及び第2インバータ5a,5bの全てが共通に受信できるようにしておく。また、第1及び第2インバータ部5a,5bはコンバータ側20からシリアル通信回路241,242,244経由で第1及び第2インバータ5a,5bの全てに共通の指令やデータを受信したら、第1及び第2インバータ部5a,5bの全てが前述の決められた動作を決められたタイミングで行うようにしておく。
特に、複数のインバータ部(5a,5b,…)とコンバータ部20が、別々の筐体で構成されているモータ駆動装置の場合には、1つのコンバータ部20に接続されるインバータ部(5a,5b,…)の数や、インバータ部を介して接続されるモータ(6a,6b,…)の数は様々な組み合わせが考えられる。しかしながら、上記の仕組みを利用することにより、コンバータ部20に接続されるインバータ部の数やモータの数が、どの様な組み合わせになろうとも、特別な設定や接続の変更なしに、同一コンバータ部に複数のインバータ部を介して接続される全てのモータの絶縁抵抗測定と絶縁劣化検出が可能となる。
1 第1のスイッチ
2 交流電源
3 整流回路
4 電源部
41 コンデンサ
5 インバータ部
51〜56 半導体スイッチング素子
6 モータ
61〜63 コイル
7 電流検出部
8 電圧検出部
9 第2のスイッチ
10 絶縁抵抗検出部

Claims (4)

  1. 第1のスイッチを介して交流電源から供給される交流電圧を直流電圧に整流する整流回路と、
    前記整流回路によって整流された直流電圧をコンデンサで平滑化する電源部と、
    前記電源部によって平滑化された直流電圧を半導体スイッチング素子のスイッチング動作により交流電圧に変換してモータを駆動するインバータ部と、
    前記モータのコイルに一端を接続し、前記コンデンサの一方の端子に他端を接続した抵抗器に流れる電流値を測定する電流検出部と、
    前記コンデンサの両端の電圧値を測定する電圧検出部と、
    前記コンデンサの他方の端子を接地する第2のスイッチと、
    モータの運転を停止し、前記第1のスイッチをオフし、かつ、前記第2のスイッチをオフした状態とオンした状態の2つの状態において測定された2組の前記電流値及び前記電圧値を用いて、モータのコイルと大地との間の抵抗であるモータの絶縁抵抗値を検出する絶縁抵抗検出部と、
    を有することを特徴とするモータ駆動装置。
  2. モータの絶縁抵抗値の基準値を記憶したメモリと、
    前記絶縁抵抗検出部が検出した前記絶縁抵抗値と予め設定された基準値とを比較する演算部と、
    前記演算部が比較した結果を表示する表示器と、
    をさらに有する、請求項1に記載のモータ駆動装置。
  3. 絶縁抵抗値を測定する毎に、前記絶縁抵抗検出部で検出した絶縁抵抗値を、絶縁抵抗を測定した時の日付及び時刻に関する情報と共に記録する、請求項1に記載のモータ駆動装置。
  4. 整流回路が、第1のスイッチを介して交流電源から供給される交流電圧を直流電圧に整流するステップと、
    電源部が、前記整流回路によって整流された直流電圧をコンデンサで平滑化するステップと、
    インバータ部が、前記電源部によって平滑化された直流電圧を半導体スイッチング素子のスイッチング動作で交流電圧に変換してモータを駆動するステップと、
    電流検出部が、前記モータのコイルに一端を接続し、前記コンデンサの一方の端子に他端を接続した抵抗器に流れる電流値を測定するステップと、
    電圧検出部が、前記コンデンサの両端の電圧値を測定するステップと、
    前記コンデンサの他方の端子を接地する第2のスイッチを設けるステップと、
    モータの運転を停止し、前記第1のスイッチをオフするステップと、
    前記第2のスイッチをオフし、前記電流値及び前記電圧値を測定するステップと、
    前記第2のスイッチをオンし、前記電流値及び前記電圧値を測定するステップと、
    前記第2のスイッチをオフした状態とオンした状態の2つの状態において測定された2組の前記電流値及び前記電圧値を用いて、モータのコイルと大地との間の抵抗であるモータの絶縁抵抗値を検出するステップと、
    を有することを特徴とするモータの絶縁抵抗検出方法。
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