JP5783975B2 - 半導体製造処理システムおよび方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、半導体製造処理システムおよび方法に関する。

半導体製造処理システムとしてのＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理システムでは、所定の枚数の処理を行うごとにＣＭＰ装置の部材交換を行い、部材交換を行った後、ＣＭＰ装置内の異物（ごみ、コンタミネーション）の数などが所定の範囲内に収まっているかを確認するＱＣ（Quality Control）作業を行っている。

ところで、従来のＣＭＰ処理システムでは、一般的に、部材交換とＱＣ作業とは別々の作業者によって行われる。そのため、部材交換を行う作業者は、作業終了後にＱＣ作業を行う作業者へと連絡を行うので、ＱＣ作業に入るまでに待ち時間が発生するという問題点があった。また、ＱＣ作業を行った後に装置を稼働させるには、ＱＣ作業の処理結果が稼働させるのに十分な条件を満たしているかについての専門の作業者による判定を待たなければならない。そのため、ＱＣ作業後のこの作業者による判定の前後にも、一般的には待ち時間が発生してしまうという問題点があった。

特開２０００−１５０６０８号公報

本発明の一つの実施形態は、ＣＭＰ処理システムなどの半導体製造処理システムでの部材交換時において、ＱＣ作業後の稼働状態までに要する時間を従来に比して短縮することができる半導体製造処理システムおよび方法を提供することを目的とする。

本発明の一つの実施形態によれば、収納容器と、ウェハ処理装置と、ＱＣ情報測定装置と、ウェハ準備装置と、搬送装置と、を備え、レシピにしたがって前記各装置の動作が制御される半導体製造処理システムが提供される。前記収納容器は、所定の数のウェハを収納する。前記ウェハ処理装置は、ポートに載置される前記収納容器から前記ウェハを取り出して所定の処理を施す装置であり、処理した前記ウェハの枚数を積算して計測する処理枚数計測手段と、前記ウェハ処理装置でのメンテナンス処理が終了すると、ダミーランニング用のウェハを前記収納容器に収納したダミーロットを用いたダミーロット処理と、ＱＣ情報測定用のウェハを収納したＱＣロットを用いたＱＣロット処理と、を行うメンテナンス後処理手段と、を有する。前記ウェハ準備装置は、前記ウェハ処理装置に供給するウェハを前記収納容器に入れて準備する装置であり、第１の処理枚数が前記ウェハ処理装置の前記処理枚数計測手段で計測されると、前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを準備する。前記搬送装置は、前記各装置間で前記収納容器を搬送する装置であり、前記処理枚数計測手段で前記第１の処理枚数より多い第２の処理枚数が計測されると、前記ウェハ準備装置で準備された前記ダミーロットと前記ＱＣロットを所定の位置で待機させ、前記メンテナンス処理と並行して前記メンテナンス処理が終了するまでの間に、前記ウェハ処理装置の前記ポートまで搬送する。

図１は、一般的なＣＭＰ処理システムの構成を模式的に示す図である。 図２は、一般的なＣＭＰ装置の構成の一例を模式的に示す図である。 図３は、ＱＣ情報測定装置の構成の一例を模式的に示すブロック図である。 図４は、制御装置の構成の一例を模式的に示すブロック図である。 図５は、ＣＭＰ処理システムでの一般的な研磨パッド交換時の処理の流れを模式的に示す図である。 図６は、第１の実施形態によるＣＭＰ装置の構成の一例を模式的に示す図である。 図７は、第１の実施形態によるＣＭＰ処理システムを構成するＱＣ情報測定装置の構成の一例を模式的に示すブロック図である。 図８−１は、第１の実施形態によるＣＭＰ処理方法の手順の一例を示すフローチャートである（その１）。 図８−２は、第１の実施形態によるＣＭＰ処理方法の手順の一例を示すフローチャートである（その２）。 図９は、第２の実施形態によるメンテナンス処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図１０は、第３の実施形態によるメンテナンス処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図１１は、第４の実施形態によるＣＭＰ装置の一例を模式的に示す図である。 図１２は、第４の実施形態によるメンテナンス処理の手順の一例を示すフローチャートである。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造処理システムおよび方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。なお、ここでは、半導体製造処理システムとしてＣＭＰ処理システムを例に挙げる。また、一般的なＣＭＰ処理システムでのパッド交換作業時の処理とその問題点について説明した後、実施形態によるＣＭＰ処理システムについて説明する。

図１は、一般的なＣＭＰ処理システムの構成を模式的に示す図である。ＣＭＰ処理システムは、ウェハ準備装置１０と、ストッカ２０と、ＣＭＰ装置３０と、ＱＣ情報測定装置４０と、搬送装置５０と、制御装置６０と、を備える。

ウェハ準備装置１０は、通常時は、処理対象であり製品となるウェハをＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）などの収納容器７０に収め、ＣＭＰ装置３０の研磨パッド交換後のダミーロット処理時にはダミーウェハを収納容器７０に収め、ＱＣロット処理時にはＱＣ処理用ウェハを収納容器７０に収める処理を行う。収納容器７０は、複数のウェハを収納し、各装置間の搬送の際に使用される。

ストッカ２０は、ＣＭＰ装置３０の近辺に配置され、ＣＭＰ装置３０で処理されるウェハを格納する収納容器７０を載置する装置である。収納容器７０は、ＯＨＴ（Over Head Hoist Transport）などの搬送方式を用いた図示しない搬送装置によって、ウェハ準備装置１０とストッカ２０との間を搬送される。

ＣＭＰ装置３０は、ストッカ２０から搬送される収納容器７０内のウェハを研磨しつつ平坦化する装置であり、外部には収納容器７０を載置するロードポート３５を有する。図２は、一般的なＣＭＰ装置の構成の一例を模式的に示す図である。ＣＭＰ装置３０は、ウェハ７１の研磨処理を行う研磨部３１と、研磨部３１での処理を制御する制御部３２と、作業者からの指示を制御部３２に伝える指示入力部３３と、を備える。

研磨部３１は、回転可能な研磨テーブル３１１と、研磨テーブル３１１上に図示しない接着層を介して貼付された研磨パッド３１２と、研磨パッド３１２の上方に配置され、ウェハ７１を保持する研磨ヘッド３１３と、研磨時に研磨スラリー３１５などの薬液を供給するための薬液供給ノズル３１４と、研磨パッド３１２の上方に配置され、研磨パッド３１２の目立てを行うたとえばダイヤモンドディスクからなるドレッサ３１６と、を備える。

制御部３２は、研磨パッド３１２の交換時に、非製品ウェハ（Non-Product Wafer：以下、ＮＰＷという）を使用して位置決め処理や研磨パッド３１２の高さ調整などを行うパッドサーチ処理（初期設定処理）を研磨部３１に実行させるパッドサーチ処理部３２１と、パッドサーチ処理後にＮＰＷを用いてダミー運転を研磨部３１に実行させるＮＰＷ処理部３２２と、ダミーロット処理時やＱＣロット処理時、通常ロット処理時にロードポート３５の収納容器７０からウェハ７１を取り出して研磨処理を研磨部３１に実行させるロット処理部３２３と、を備える。

指示入力部３３は、研磨パッド３１２の交換時にパッドサーチ処理を実行させる指示を与えるパッドサーチ開始ボタン３３１を備えている。このパッドサーチ開始ボタン３３１を押すことによって、制御部３２のパッドサーチ処理部３２１はパッドサーチ処理を開始する。

なお、ＣＭＰ装置３０は、研磨パッド３１２の交換後に、研磨ヘッド３１３がウェハ７１を研磨パッド３１２に押し付ける圧力などを補正したり、慣らし運転をしたりする際に使用するＮＰＷを格納するＮＰＷ格納部と、ＮＰＷをＮＰＷ格納部と研磨ヘッド３１３との間で搬送するＮＰＷ搬送部も図示しないが備えている。

このようなＣＭＰ装置３０での研磨処理について、簡単に説明する。研磨時には、ロードポート３５に載置された収納容器７０からウェハ７１を取り出し、研磨ヘッド３１３にウェハ７１を真空チャックホルダなどの手段で保持させる。そして、この状態で、研磨パッド３１２にウェハ７１を押し付け、研磨パッド３１２を保持する研磨テーブル３１１と研磨ヘッド３１３とを回転させながら、研磨スラリー３１５を薬液供給ノズル３１４から供給して、ウェハ７１表面の膜の研磨を行う。研磨を行うと研磨パッド３１２表面の品質が変化するので、研磨パッド３１２にドレッサ３１６を押し付けて研磨パッド３１２の目立てを行う。しかし、目立てを行っても、ウェハ７１の研磨枚数が所定の枚数に達すると、所望の研磨特性を得られず、研磨パッド３１２の寿命となる。その結果、研磨パッド３１２が交換される。以下では、この研磨パッド３１２の交換時のＣＭＰ処理システムでの処理について主に説明を行う。

ＱＣ情報測定装置４０は、研磨パッド３１２の交換処理後にＣＭＰ装置３０を稼働できる稼働基準を満たしているかを判定するためのＱＣ情報を測定する装置である。ＱＣ情報は、ＣＭＰ装置３０での研磨処理の品質を維持する指標となる情報、またはその指標を算出する基となる情報であり、たとえばＣＭＰ装置３０内での異物（ごみ、コンタミネーション）の数と研磨レートとを例示することができる。

図３は、ＱＣ情報測定装置の構成の一例を模式的に示すブロック図である。ＱＣ情報測定装置４０は、異物数をカウントする異物カウント部４１と、ウェハ７１上の膜厚を測定する膜厚測定部４２と、を有する。

異物カウント部４１として、たとえばレーザ顕微鏡を用いたウェハ表面検査装置などを用いることができる。異物カウント部４１では、研磨で削れた膜がウェハ７１に残っていないか、メンテナンス処理後の所定の部位に異物がないかが確認される。また、異物カウント部４１は、ＱＣロット処理を行う前に異物数の測定を行うイニシャル測定と、ＱＣロット処理終了後に異物数の測定を行うアフター測定と、を制御装置６０からの指示によって実行する。

膜厚測定部４２は、レシピにしたがってＣＭＰ装置３０で研磨処理されたウェハ７１上の酸化膜や窒化膜の膜厚を、複数の位置で測定するものである。膜厚測定部４２として、たとえばエリプソメータ等の光学式の膜厚測定装置を使用することができる。また、膜厚測定部４２は、イニシャル測定でＱＣロット処理前の膜厚を測定し、アフター測定でＱＣロット処理後の膜厚を測定する。

搬送装置５０は、ストッカ２０とＣＭＰ装置３０とＱＣ情報測定装置４０との間で、収納容器７０を搬送する装置である。

制御装置６０は、予め作成されたＣＭＰ処理の内容を記述したレシピにしたがってＣＭＰ処理システム内での各装置の動作を制御する装置である。図４は、制御装置の構成の一例を模式的に示すブロック図である。制御装置６０は、レシピ記憶部６１と、レシピ実行処理部６２と、を備える。

レシピ記憶部６１は、ＣＭＰ処理システムを構成する各装置の動作を制御するレシピを記憶する。通常のウェハの処理手順などが規定されている。レシピ実行処理部６２は、レシピ記憶部６１中のレシピに基づいて、ＣＭＰ処理システムを構成する各装置に対して、処理を指令する信号を送信する。

なお、制御装置６０と、ウェハ準備装置１０、ストッカ２０、ＣＭＰ装置３０、ＱＣ情報測定装置４０および搬送装置５０の間は、通信回線８０を介して接続され、制御装置６０からレシピに従った指令が通信回線８０を介して各装置に伝達され、また各装置から制御に必要な情報が制御装置６０に送信される。

つぎに、このような構成のＣＭＰ処理システムでの一般的な研磨パッド３１２交換時の処理について説明する。図５は、ＣＭＰ処理システムでの一般的な研磨パッド交換時の処理の流れを模式的に示す図である。まず、ＣＭＰ装置３０は、製品用のウェハ７１を研磨処理している稼働状態にあるものとする（ステップＳ１１）。ＣＭＰ装置３０でのウェハ７１の処理枚数が所定の枚数になると、そのウェハ７１のＣＭＰ処理が終了した後、メンテナンス作業者による研磨パッド３１２の交換を含むメンテナンス処理が行われる（ステップＳ１２）。このメンテナンス処理では、研磨パッド３１２が交換された後に、ＮＰＷを用いたパッドサーチ処理、ＮＰＷの洗浄処理およびＮＰＷを用いた慣らし運転が行われる。

メンテナンス処理が終了すると、メンテナンス作業者は、ＣＭＰ装置３０のオペレータにメンテナンス処理が終了したことを連絡する。オペレータは、メンテナンス処理終了の連絡を受けると、ダミーロット処理をＣＭＰ装置３０に実行させる（ステップＳ１３）。ダミーロット処理では、オペレータがダミーロットの準備の指示を出すと、ウェハ準備装置１０でダミーロットが準備され、ストッカ２０へと搬送される。その後、搬送装置５０によってストッカ２０からＣＭＰ装置３０のロードポート３５へと収納容器７０が搬送され、ＣＭＰ装置３０では、内部のウェハ搬送機構によって、収納容器７０から研磨ヘッド３１３へとウェハ７１が搬送され、研磨パッド３１２交換後のＣＭＰ装置３０のコンディションを整えるダミーランニングが実行される。

ダミーロット処理が終了すると、オペレータはＱＣロット処理を実行させる（ステップＳ１４）。ＱＣロット処理では、オペレータがＱＣロットの準備の指示を出すと、ウェハ準備装置１０でＱＣロットが準備され、ストッカ２０へと搬送される。ここでは、ＱＣロット用の収納容器７０には、異物のカウントに使用されるウェハ（以下、異物カウント用ウェハという）と、研磨レートの測定に使用されるウェハ（以下、研磨レート測定用ウェハという）の２枚の測定用ウェハが収納されているものとする。その後、収納容器７０が、搬送装置５０によってＱＣ情報測定装置４０へと搬送され、イニシャル測定が行われる。イニシャル測定では、異物カウント部４１で、異物カウント用ウェハ表面の異物数がカウントされ、膜厚測定部４２で、所定の膜厚の酸化膜や窒化膜などが形成された研磨レート測定用ウェハの所定の位置での膜厚が測定される。ついで、収納容器７０は、搬送装置５０によってＣＭＰ装置３０のロードポート３５へと搬送される。ＣＭＰ装置３０では、研磨レート測定用ウェハがレシピにしたがって研磨される。また、異物カウント用ウェハもＣＭＰ装置３０内を通過される。その後、搬送装置５０によって収納容器７０がＱＣ情報測定装置４０へと搬送され、アフター測定が行われる。アフター測定では、異物カウント部４１で、異物カウント用ウェハ表面の異物数がカウントされ、膜厚測定部４２で、研磨レート測定用ウェハの所定の位置における膜厚が測定される。膜厚測定部４２での膜厚測定は、研磨レート測定用ウェハの複数の位置で行われるようにしてもよい。その後、収納容器７０が搬送装置５０によってストッカ２０へと搬送される。

ついで、オペレータは、ＱＣロット処理の結果を用いて検査を行い（ステップＳ１５）、検査結果を作成する。たとえば、異物数については、アフター測定での測定結果とイニシャル測定での測定結果との差から、ＣＭＰ装置３０内で付着した異物数を算出する。また、研磨レートについては、イニシャル測定での測定結果とアフター測定での測定結果との差から所定の位置での研磨された膜厚を求め、レシピでの研磨時間を用いて研磨レートを算出する。

ついで、オペレータは、検査結果を検査結果判定作業者に渡す。そして、検査結果判定作業者は、検査結果がＣＭＰ装置３０を稼働させる条件（規格）を満たすか否か判定し、その結果をオペレータに返す（ステップＳ１６）。たとえば、異物数については、検査結果が所定の範囲内に収まっているかを判定し、また、研磨レートについては、レシピ通りの研磨レートとなっているか、ウェハ７１の面内での研磨レートのばらつきは所定の範囲内に収まっているかについて判定する。異物数が所定の範囲内に収まっており、レシピ通りの研磨レートとなり、かつウェハ７１面内での研磨レートのばらつきが所定の範囲内に収まっているのであれば、ＣＭＰ装置３０を稼働してよいと判断される。そして、稼働条件を満たすと判定された場合には、ＣＭＰ装置３０では、通常ロットでの研磨処理が実行される（ステップＳ１７）。

なお、ステップＳ１６の判定で、異物数が稼働条件を満たしていない場合には、ステップＳ１３からの処理が再度実行され、ステップＳ１５で異物数が稼働条件を満たしている場合には、稼働開始となり、それでも異物数が稼働条件を満たしていない場合には、ステップＳ１２のメンテナンス処理からのやり直しとなる。また、研磨レートが稼働条件を満たしていない場合には、ステップＳ１４のＱＣロット処理の膜厚測定処理が実行され、その結果が稼働条件を満たす場合には稼働開始となり、稼働条件を満たさない場合にはステップＳ１２のメンテナンス処理からのやり直しとなる。

ここで、一般的なＣＭＰ処理システムでは、ステップＳ１２のメンテナンス処理とステップＳ１３のダミーロット処理との間には、メンテナンス作業者がＣＭＰ装置３０のオペレータに対してメンテナンス処理に関する連絡を行うために、待ち時間ｔ１が発生していた。また、ステップＳ１５の検査処理とステップＳ１６の検査結果判定処理との間、ステップＳ１６の検査結果判定処理とステップＳ１７の通常ロットの稼働処理との間にも、検査結果を人手で判定していることによる待ち時間ｔ２，ｔ３が発生していた。

このように、一般的なＣＭＰ処理システムでの研磨パッド３１２の交換処理では、メンテナンス作業者、ＣＭＰ装置３０のオペレータ、検査結果判定作業者と複数の人が関わっており、それらの人の間で情報のやり取りをする際に待ち時間ｔ１＋ｔ２＋ｔ３が発生していた。つまり、研磨パッド３１２を交換してから再稼働するまでの間に無駄な時間がロスされていた。そこで、以下に示す実施形態では、この無駄な時間を削減することができるＣＭＰ処理システムについて説明する。

（第１の実施形態）
第１の実施形態によるＣＭＰ処理システムは、図１と同様に、ウェハ準備装置１０と、ストッカ２０と、ＣＭＰ装置３０と、ＱＣ情報測定装置４０と、搬送装置５０と、制御装置６０と、を備えるが、ＣＭＰ装置３０とＱＣ情報測定装置４０の構成が図１の場合と異なっている。以下では、一般的なＣＭＰ処理システムと異なる部分について説明する。

図６は、第１の実施形態によるＣＭＰ装置の構成の一例を模式的に示す図である。ＣＭＰ装置３０は、図２のＣＭＰ装置の制御部３２に、処理枚数計測部３２４と収納容器搬送予約部３２５とをさらに有し、指示入力部３３に、パッド交換開始ボタン３３２をさらに有する。

処理枚数計測部３２４は、ＣＭＰ装置３０の研磨パッド３１２を交換してから研磨処理したウェハ７１の枚数を積算して計測する。また、処理枚数計測部３２４は、所定の処理枚数のウェハ７１を計測すると、ＣＭＰ処理システム内の各装置に対して信号を通知し、また、研磨部３１の研磨パッド３１２が交換されると、ウェハ７１の処理枚数の積算値をリセットする。収納容器搬送予約部３２５は、指示入力部３３のパッド交換開始ボタン３３２が押されるとダミーロットとＱＣロットの自動搬送制御を行う。パッド交換開始ボタン３３２は、メンテナンス作業者によって押し下げられると、制御部３２に対してパッド交換処理の開始を通知する。

また、パッドサーチ処理部３２１は、パッド交換開始ボタン３３２が押し下げられた後、ＣＭＰ装置３０の状態を監視し、ＮＰＷを用いたパッドサーチ処理が終了すると、パッドサーチ完了信号をＣＭＰ処理システム内に通知する機能を有する。なお、図２と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。

図７は、第１の実施形態によるＣＭＰ処理システムを構成するＱＣ情報測定装置の構成の一例を模式的に示すブロック図である。ＱＣ情報測定装置４０は、図３のＱＣ情報測定装置に、検査結果取得部４３と、検査結果格納部４４と、判定部４５と、をさらに備える。

検査結果取得部４３は、異物カウント部４１と膜厚測定部４２での測定結果から、ＣＭＰ装置３０の稼働の可否の判定に使用する検査結果を算出する。たとえば、異物カウント部４１でのアフター測定で異物カウント値とイニシャル測定での異物カウント値との差である異物数を検査結果として算出する。また、膜厚測定部４２でのイニシャル測定での膜厚値とアフター測定での膜厚値との差である研磨膜厚を測定されたウェハ７１上の所定の位置ごとに算出し、この研磨膜厚とレシピで規定される研磨時間からウェハ７１上の所定の位置での研磨レートを検査結果として算出する。さらに、ウェハ７１上の各位置での研磨レートを平均した平均研磨レートを算出する。

検査結果格納部４４は、検査結果取得部４３で取得した検査結果を格納する。所定の数（たとえば過去１００点分）の検査結果を格納する。

判定部４５は、異物カウント部４１と膜厚測定部４２によるアフター測定の終了をトリガーとして、検査結果取得部４３で取得した検査結果が、ＣＭＰ装置３０を稼働してもよい条件を満たすかを判定する。異物数と研磨レートのそれぞれについて、稼働条件を満たすかについての判定を行い、両方とも稼働条件を満たす場合には、ＣＭＰ装置３０の通常ロットによる処理を認め、いずれか一方でも稼働条件を満たさない場合には、通常ロットを用いた稼働処理を認めない。

また、判定部４５では、検査結果格納部４４に格納されている過去の検査結果（異物数と研磨レート）からそれぞれの値の変動の傾向を取得し、検査結果の動向がＣＭＰ装置３０の稼働を許可するのにふさわしくない所定の傾向を示しているかを判断し、この結果に基づいてＣＭＰ装置３０の稼働の可否を判定する機能も有する。この処理は、異物カウント部４１と膜厚測定部４２で得られたデータをＱＤＣ加工したものを、統計的品質管理することによって行われる。

このような構成のＣＭＰ処理システムでのＣＭＰ処理方法について説明する。図８−１〜図８−２は、第１の実施形態によるＣＭＰ処理方法の手順の一例を示すフローチャートである。まず、ＣＭＰ装置３０の処理枚数計測部３２４で、ウェハ７１の処理枚数が、ＣＭＰ装置３０での処理枚数の上限値（第２警告値）に比して所定の枚数少ない（たとえば、１ロットでの処理枚数分少ない）値である警告値（第１警告値）を計測すると（ステップＳ３０）、処理枚数計測部３２４は警告値に到達したことを示す信号をＣＭＰ処理システム内に通知する。ウェハ準備装置１０は、警告値信号を受信すると、ダミーロットとＱＣロットとを準備する（ステップＳ３１）。また、ＱＣロットに関しては、ＱＣ情報測定装置４０でＱＣロット測定処理（イニシャル測定）が行われる（ステップＳ３２）。

ついで、ＣＭＰ装置３０の処理枚数計測部３２４で、ウェハ７１の処理枚数が上限値を計測すると（ステップＳ３３）、処理枚数計測部３２４は上限値に到達したことを示す信号をＣＭＰ処理システム内に通知する。上限値信号を受信すると、ダミーロットとＱＣロットとがウェハ準備装置１０からストッカ２０へと搬送され、ストッカ２０ではダミーロットとＱＣロットとをホールドし、待機状態とする（ステップＳ３４）。また、制御装置６０は、上限値信号を受信すると、メンテナンス作業者に対してＣＭＰ装置３０のメンテナンス処理の時期が来たことを通知する（ステップＳ３５）。この通知は、たとえばメンテナンス作業者が保持する携帯情報端末などにメールを送信したり、携帯情報端末を鳴動させたりなどの方法で行うことができる。

その後、メンテナンス作業者は、ＣＭＰ装置３０のメンテナンス処理を行う（ステップＳ３６）。メンテナンス処理は、上述した図５のステップＳ１２と同様の処理が行われる。また、メンテナンス処理と並行して、搬送装置５０は、ストッカ２０に待機状態にあるダミーロットとＱＣロットをＣＭＰ装置３０まで搬送する（ステップＳ３７）。この搬送処理は、メンテナンス作業者によるメンテナンス処理が終了するまでの間に完了される。より詳細には、メンテナンス処理が終了するまでの間に、ダミーロットとＱＣロットのＣＭＰ装置３０への搬送が完了するように、ダミーロットとＱＣロットの搬送開始時間が設定される。

メンテナンス処理が終了すると、メンテナンス処理の終了までにＣＭＰ装置３０のロードポート３５まで搬送されたダミーロットを用いてダミーロット処理が行われ（ステップＳ３８）、続けてＣＭＰ装置３０のロードポート３５まで搬送されたＱＣロットを用いてＱＣロット処理が行われる（ステップＳ３９）。なお、ダミーロット処理が開始されるまでに、ダミーロットとＱＣロットはＣＭＰ装置３０まで搬送されているので、メンテナンス処理の終了からダミーロット処理へは、待ち時間なしに移行することができる。また、ダミーロットとＱＣロットとは同時にＣＭＰ装置３０まで搬送されているので、ダミーロット処理の終了後に、待ち時間なしでＱＣロット処理へと移行することができる。ダミーロット処理とＱＣロット処理は、図５のステップＳ１３，Ｓ１４で説明したものと同様の処理が行われる。

ついで、ＱＣ情報測定装置４０の異物カウント部４１と膜厚測定部４２で、ＱＣ情報測定用ウェハを用いたＱＣロット測定処理が行われ（ステップＳ４０）、検査結果取得部４３によって、異物カウント部４１と膜厚測定部４２での測定結果から検査結果を算出し、ＱＣ情報を生成する（ステップＳ４１）。

その後、判定部４５によってＱＣ情報（検査結果）からＣＭＰ装置３０を稼働してもよいかの判定が行われる。ここでは、異物数と研磨レートがＣＭＰ装置３０の稼働条件を満たすか否かについて判定を行うものとする。

まず、判定部４５は、異物数が稼働条件を満たすかを判定する（ステップＳ４２）。異物数が稼働条件を満たさない場合（ステップＳ４２でＮｏの場合）には、ＣＭＰ装置３０でダミーロット処理を行い（ステップＳ４３）、続けてＱＣロット処理を行った後（ステップＳ４４）、ＱＣ情報測定装置４０でＱＣロット測定処理を行う（ステップＳ４５）。このＱＣロット測定処理では、異物カウント部４１で異物数のカウント処理が行われる。そして、異物数が稼働条件を満たすか再び判定し（ステップＳ４６）、異物数が稼働条件を満たさない場合（ステップＳ４６でＮｏの場合）には、ステップＳ３６へと処理が戻る。

ステップＳ４６で異物数が稼働条件を満たす場合（ステップＳ４６でＹｅｓの場合）、またはステップＳ４２で異物数が稼働条件を満たす場合（ステップＳ４２でＹｅｓの場合）には、判定部４５は、研磨レートが稼働条件を満たすかを判定する（ステップＳ４７）。ここでは、研磨レートとして、平均研磨レートと研磨レートのばらつきを検査しているものとする。研磨レートが稼働条件を満たさない場合（ステップＳ４７でＮｏの場合）には、メンテナンス作業者によるＣＭＰ装置３０の再調整処理が行われた後（ステップＳ４８）、ＣＭＰ装置３０でダミーロット処理（ステップＳ４９）とＱＣロット処理（ステップＳ５０）とを行う。その後、ＱＣ情報測定装置４０でＱＣロット測定処理を行う（ステップＳ５１）。このＱＣロット測定処理では、膜厚測定部４２で膜厚測定処理が行われる。そして、検査結果取得部４３では、ＱＣロット測定処理の結果を用いて研磨レートの算出を行い、研磨レートが稼働条件を満たすか再び判定し（ステップＳ５２）、研磨レートが稼働条件を満たさない場合（ステップＳ５２でＮｏの場合）には、ステップＳ３６へと処理が戻る。

ステップＳ４７またはステップＳ５２で研磨レートが稼働条件を満たす場合（ステップＳ４７またはＳ５２でＹｅｓの場合）には、判定部４５は、ＣＭＰ装置３０を稼働可能と判定し（ステップＳ５３）、通常ロットの準備指示をウェハ準備装置１０に対して行う。その後、ウェハ準備装置１０は、通常ロットを生成し（ステップＳ５４）、通常ロットの収納容器がストッカ２０へと搬送され（ステップＳ５５）、搬送装置５０によってさらにストッカ２０からＣＭＰ装置３０へと搬送される（ステップＳ５６）。そして、ＣＭＰ装置３０で通常ロット処理が実行され（ステップＳ５７）、処理が終了する。以上で、ＣＭＰ装置３０のメンテナンス処理時における処理方法が終了する。

なお、ステップＳ３９のＱＣロット処理は、ステップＳ３８のダミーロット処理の後に実行されるようになっているが、イニシャル処理については、ステップＳ３２でＱＣロットを準備した後に、実行するようにしてもよく、ＱＣロット処理については、任意のタイミングで行うことができる。また、ステップＳ４４，Ｓ５０のＱＣロット処理でのイニシャル測定についても、ステップＳ４３，Ｓ４９のダミーロット処理の前に実行するようにしてもよい。

また、たとえば制御装置６０のレシピ記憶部６１に記憶されているレシピには、図８のような手順が規定されており、これにしたがって、制御装置６０が各装置に対して処理を実行するように指示を出す。

図８−１〜図８−２に示されるように、メンテナンス処理が終了するまでの間にダミーロットとＱＣロットとをＣＭＰ装置３０のロードポート３５へと搬送し、待機状態にする。これによって、メンテナンス処理終了後、すぐにダミーロット処理に移行することができ、図３で説明したメンテナンス処理とダミーロット処理との間に人が介在することによる待ち時間をなくすことができる。

また、ダミーロット処理のつぎにＱＣロット処理を連続的に行い、ＱＣロット処理後のＱＣロット測定処理で得られた結果に基づいて、ＣＭＰ装置３０の稼働条件を満たしているかについてＱＣ情報測定装置４０の判定部４５で自動的に判定を行い、稼働可能な場合には、その後直ちに通常ロットでのＣＭＰ処理を実行する。これによって、ＱＣロット処理による検査結果を、検査結果判定作業者に渡し、その判定承認を得てからＣＭＰ装置３０を稼働するという一般的な場合（図５の場合）に比して、稼働までの時間を短縮化することができる。

第１の実施形態では、メンテナンス処理が終了する処理の前までに、ＣＭＰ装置３０のロードポート３５へのダミーロットとＱＣロットの搬送が完了するようにし、メンテナンス処理の終了と同時にダミーロット処理へと移行させるようにした。また、ダミーロットとＱＣロットの処理を連続して行うようにし、ＱＣロット処理で得られた情報を用いてＣＭＰ装置３０を稼働してよいか否かの判断を、人を介さずに自動で判断するようにした。これによって、ＣＭＰ処理システムのメンテナンス時において、製品ロットの処理を止めてからメンテナンス後に製品ロットの処理を稼働させるまでの時間を従来に比して短縮化することができるという効果を有する。そして、短縮化することができた時間の分だけ、所定期間内に処理することができる製品ロットの数を増加させることができるという効果を有する。

（第２の実施形態）
以下の実施形態では、図８−１のステップＳ３６のメンテナンス処理時における処理の詳細とダミーロットとＱＣロットのＣＭＰ装置までの搬送処理の詳細について説明する。

図９は、第２の実施形態によるメンテナンス処理の手順の一例を示すフローチャートである。第２の実施形態によるメンテナンス処理では、メンテナンス作業者がＣＭＰ装置３０の指示入力部３３のパッド交換開始ボタン３３２を押すことによってメンテナンス処理が開始される（ステップＳ７１）。パッド交換開始ボタン３３２の押し下げによって、制御部３２の収納容器搬送予約部３２５への収納容器搬送の自動予約が入る（ステップＳ７２）。

ついで、メンテナンス作業者によって研磨パッド３１２の交換処理が行われる（ステップＳ７３）。その後、メンテナンス作業者は、制御部３２の処理枚数計測部３２４での処理枚数の積算値をリセットし（ステップＳ７４）、指示入力部３３のパッドサーチ開始ボタン３３１を押す（ステップＳ７５）。これによって、ＣＭＰ装置３０内でＮＰＷの格納位置から研磨ヘッド３１３へＮＰＷの搬送が開始され（ステップＳ７６）、パッドサーチ処理が実行される（ステップＳ７７）。パッドサーチ処理では、ＮＰＷを用いて位置決め処理や研磨パッド３１２の高さ調整が行われる。その後、パッドサーチ処理が完了すると（ステップＳ７８）、ＮＰＷを用いた慣らし運転（ブレイク・イン）が実行される（ステップＳ７９）。

上記ステップＳ７２で、収納容器搬送の自動予約が入ると、ステップＳ７２〜Ｓ７７までの処理と並行して、ストッカ２０でのダミーロットとＱＣロットの待機が解除され、ストッカ２０からＣＭＰ装置３０のロードポート３５へのダミーロットとＱＣロットの自動搬送が開始される（ステップＳ８０）。そして、ＣＭＰ装置３０のロードポート３５まで搬送され、そこで待機状態となる（ステップＳ８１）。その後、ステップＳ７８でパッドサーチ処理が完了し、ＣＭＰ装置３０のパッドサーチ処理部３２１によって完了信号がシステム内の装置に出力される（上がる）と、ロードポート３５でのダミーロットとＱＣロットの待機が解除される（ステップＳ８２）。その後、ロードポート３５に載置されているダミーロットとＱＣロットについて処理が開始される。

ステップＳ７９のＮＰＷを用いた慣らし運転が終了すると、ＮＰＷの洗浄処理が行われる（ステップＳ８３）。この洗浄処理は、ＮＰＷを元の格納位置に収納するために行うクリーニング処理である。ＮＰＷの洗浄処理が終了すると、ＣＭＰ装置３０内でＮＰＷを元の格納位置に収納するＮＰＷ搬送処理が行われる（ステップＳ８４）。これによって、ＮＰＷの収納が完了する。以上によって、メンテナンス処理が終了し、図８−１へと処理が戻る。

ここで、ステップＳ７２の収納容器搬送の自動予約が入ってからステップＳ７９のＮＰＷの慣らし運転が終了するまでの処理に要する時間は、ダミーロットとＱＣロットとをストッカ２０からロードポート３５へと搬送するのに要する時間に比して長いので、ＮＰＷの慣らし運転完了までの処理の間に、ダミーロットとＱＣロットとはロードポート３５にて待機している状態となる。そして、ＮＰＷ洗浄処理終了後のＮＰＷの収納が完了すると、ＣＭＰ装置３０は、第１の実施形態の図８−１のステップＳ３８以降の処理を実行する。

第２の実施形態では、メンテナンス処理の収納容器搬送の自動予約が入ったときに、ダミーロットとＱＣロットとをストッカ２０からＣＭＰ装置３０のロードポート３５への移動を開始させるようにしたので、メンテナンス処理が終了するまでの間にダミーロットとＱＣロットとをメンテナンス処理の終了前にロードポート３５へと移動させることができる。その結果、メンテナンス処理後のダミー処理とＱＣロット処理を待ち時間なく実行することができるという効果を有する。

（第３の実施形態）
第２の実施形態では、パッド交換開始ボタンが押されると、ウェハ準備装置からＣＭＰ装置のロードポートへダミーロットとＱＣロットとが搬送されるようになっていたが、ダミーロットとＱＣロットとをストッカ２０で待機させるようにしてもよい。第３の実施形態では、ダミーロットとＱＣロットとをストッカ２０へと搬送してそこで待機させる場合について説明する。

図１０は、第３の実施形態によるメンテナンス処理の手順の一例を示すフローチャートである。第３の実施形態によるメンテナンス処理では、ＣＭＰ装置３０で実行される処理については、第２の実施形態の図９のステップＳ７１〜Ｓ７９，Ｓ８３〜Ｓ８４と同様であり（ステップＳ９１〜Ｓ９９，Ｓ１０３〜Ｓ１０４）、ダミーロットとＱＣロットの搬送手順が第２の実施形態とは異なる。以下では、第２の実施形態とは異なる部分について説明する。

ステップＳ９２で、収納容器搬送の自動予約が入ると、ステップＳ９２〜Ｓ９７までの処理と並行して、ストッカ２０で待機状態のダミーロットとＱＣロットの自動搬送のＣＭＰ装置３０のロードポート３５への開始待ち状態となる（ステップＳ１００）。その後、ステップＳ９８でパッドサーチ処理が完了し、ＣＭＰ装置３０のパッドサーチ処理部３２１によって完了信号がシステム内の装置に出力される（上がる）と、ダミーロットとＱＣロットのストッカ２０での待機が解除され（ステップＳ１０１）、搬送装置５０によるダミーロットとＱＣロットのＣＭＰ装置３０のロードポート３５への自動搬送が開始される（ステップＳ１０２）。その後、ステップＳ１０３のＮＰＷ洗浄処理とステップＳ１０４のＮＰＷの搬送が完了すると、ロードポート３５に運ばれたダミーロットとＱＣロットについて処理が開始される。

第３の実施形態でも、第２の実施形態と同様の効果を得ることができるという効果を有する。

なお、上記の例では、ステップＳ９８でＮＰＷを用いたパッドサーチ処理が完了したときに、ダミーロットとＱＣロットのストッカ２０での待機を解除して（ステップＳ１０１）、ストッカ２０からダミーロットとＱＣロットとをＣＭＰ装置３０のロードポート３５へと搬送する（ステップＳ１０２）ようにしているが、ステップＳ９５でＮＰＷパッドサーチ開始ボタンが押されたときに、ダミーロットとＱＣロットのストッカ２０での待機を解除して（ステップＳ１０１）、ストッカ２０からダミーロットとＱＣロットとをＣＭＰ装置３０のロードポート３５へと搬送する（ステップＳ１０２）ようにしてもよい。

（第４の実施形態）
第３の実施形態では、ステップＳ９５のＮＰＷを用いたパッドサーチ開始ボタン３３１の押し下げからステップＳ９７のパッドサーチ処理実行までの間にトラブルが発生してしまった場合に、自動搬送着工されたダミーロットとＱＣロットのマニュアルでの回収作業が必要となってしまう。そこで、第４の実施形態では、上記のような場合でも、自動搬送着工されたダミーロットとＱＣロットのマニュアルでの回収作業を必要としないＣＭＰ処理システムについて説明する。

図１１は、第４の実施形態によるＣＭＰ装置の一例を模式的に示す図である。ＣＭＰ装置３０は、第１の実施形態の図６のＣＭＰ装置の指示入力部３３に、リトライボタン３３３をさらに有する。なお、図２と図６と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。

リトライボタン３３３は、ＮＰＷを用いたパッドサーチ開始ボタン３１１の押し下げからＮＰＷの搬送の間にトラブルが発生した場合に、ＣＭＰ装置３０内のＮＰＷを回収した後、処理枚数の積算値をリセットする処理からやり直しをさせるためのボタンである。

図１２は、第４の実施形態によるメンテナンス処理の手順の一例を示すフローチャートである。第４の実施形態によるメンテナンス処理では、メンテナンス作業者がＣＭＰ装置３０の指示入力部３３のパッド交換開始ボタン３３を押すことによってメンテナンス処理が開始される（ステップＳ１１１）。パッド交換開始ボタン３３２の押し下げによって、制御部３２の収納容器搬送予約部３２５への収納容器搬送の自動予約が入る（ステップＳ１１２）。

ついで、メンテナンス作業者によって研磨パッド３１２の交換処理が行われる（ステップＳ１１３）。その後、メンテナンス作業者は、制御部３２の処理枚数計測部３２４での処理枚数の積算値をリセットし（ステップＳ１１４）、指示入力部３３のパッドサーチ開始ボタン３３１を押す（ステップＳ１１５）。これによって、ＣＭＰ装置３０内でＮＰＷの格納位置から研磨ヘッド３１３へＮＰＷの搬送が開始される（ステップＳ１１６）。

ついで、メンテナンス作業者によって指示入力部３３のリトライボタン３３４が押されたかを判定する（ステップＳ１１７）。ＮＰＷの搬送処理までの間に何らかのトラブルが発生し、リトライボタン３３４が押された場合（ステップＳ１１７でＹｅｓの場合）には、処理枚数の積算値をリセットし、ＣＭＰ装置３０内のＮＰＷを回収し（ステップＳ１１８）、ステップＳ１１５へと処理が戻る。

一方、リトライボタン３３４が押されなかった場合（ステップＳ１１７でＮｏの場合）には、パッドサーチ処理が実行される（ステップＳ１１９）。パッドサーチ処理では、ＮＰＷを用いて位置決め処理や研磨パッド３１２の高さ調整が行われる。その後、パッドサーチ処理が完了すると（ステップＳ１２０）、ＮＰＷを用いた慣らし運転（ブレイク・イン）が実行される（ステップＳ１２１）。

上記ステップＳ１１２で、収納容器搬送の自動予約が入ると、ステップＳ１１２〜Ｓ１１９までの処理と並行して、ストッカ２０で待機状態のダミーロットとＱＣロットのＣＭＰ装置３０のロードポート３５への自動搬送の開始待ち状態となる（ステップＳ１２２）。その後、ステップＳ１２０でパッドサーチ処理が完了し、ＣＭＰ装置３０のパッドサーチ処理部３２１によって完了信号がシステム内の装置に出力される（上がる）と、ダミーロットとＱＣロットのストッカ２０での待機が解除され（ステップＳ１２３）、搬送装置５０によるダミーロットとＱＣロットのＣＭＰ装置３０のロードポート３５への自動搬送が開始される（ステップＳ１２４）。その後、ロードポート３５に運ばれたダミーロットとＱＣロットについて処理が開始される。

ステップＳ１２１のＮＰＷを用いた慣らし運転が終了すると、ＮＰＷの洗浄処理が行われる（ステップＳ１２５）。この洗浄処理は、ＮＰＷを元の格納位置に収納するために行うクリーニング処理である。ＮＰＷの洗浄処理が終了すると、ＣＭＰ装置３０内でＮＰＷを元の格納位置に収納するＮＰＷ搬送処理が行われ（ステップＳ１２６）、ＮＰＷの収納が完了する。以上によって、メンテナンス処理が終了し、図８−１へと処理が戻る。

第４の実施形態では、パッドサーチ処理前でＮＰＷの搬送処理が完了するまでの間に、ＣＭＰ装置３０にトラブルが発生した場合に、搬送中のＮＰＷを回収した後、ステップＳ１１５のパッドサーチ開始ボタン３３１の押し下げからやり直すことができるリトライボタン３３３を設けるようにした。これによって、トラブルが発生した場合に、図１２に示される処理を止めることなく、トラブルが発生した箇所の対処を実行することができるという効果を有する。

なお、上記した説明では、パッドサーチ処理が完了した後に、ＮＰＷを用いた慣らし運転を実行し、ＮＰＷの洗浄処理を続けて行っているが、パッドサーチ処理の完了後に、ＮＰＷの洗浄処理を行い、その後にＮＰＷを用いた慣らし運転を実行してもよい。このとき、ＮＰＷの洗浄処理の後に、一度ＮＰＷを元の格納位置に収納した後、再びＮＰＷを研磨ヘッド３１３へと搬送するようにしてもよい。

なお、上記した説明では、ＣＭＰ処理システムを例に挙げたが、処理装置としてウェハのエッチングを行うドライエッチング装置を用いたドライエッチング処理システムにも上記の実施形態を適用することができる。

また、上記した説明では、ウェハ準備装置１０で準備されたウェハ７１を有する収納容器７０が一度ストッカ２０に配置されるようにしているが、ストッカ２０を省略し、直接にＣＭＰ装置３０などの処理装置のロードポート３５へと搬送するようにしてもよい。この場合には、各処理装置間は収納容器７０を搬送する図示しないＯＨＴなどを用いて搬送されるが、収納容器７０はストッカ２０での待機の代わりにＯＨＴで待機する形となる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…ウェハ準備装置、２０…ストッカ、３０…ＣＭＰ装置、３１…研磨部、３２…制御部、３３…指示入力部、３５…ロードポート、４０…ＱＣ情報測定装置、４１…異物カウント部、４２…膜厚測定部、４３…検査結果取得部、４４…検査結果格納部、４５…判定部、５０…搬送装置、６０…制御装置、６１…レシピ記憶部、６２…レシピ実行処理部、７０…収納容器、７１…ウェハ、８０…通信回線、３１１…研磨テーブル、３１２…研磨パッド、３１３…研磨ヘッド、３１４…薬液供給ノズル、３１５…研磨スラリー、３１６…ドレッサ、３２１…パッドサーチ処理部、３２２…ＮＰＷ処理部、３２３…ロット処理部、３２４…処理枚数計測部、３３１…パッドサーチ開始ボタン、３３２…収納容器搬送予約ボタン、３３３…リトライボタン

Claims (17)

1. 所定の数のウェハを収納する収納容器と、
   ポートに載置される前記収納容器から前記ウェハを取り出して所定の処理を施すウェハ処理装置と、
   前記ウェハ処理装置での処理品質となるパラメータであるＱＣ情報を測定するＱＣ情報測定装置と、
   前記ウェハ処理装置に供給するウェハを前記収納容器に入れて準備するウェハ準備装置と、
   前記各装置間で前記収納容器を搬送する搬送装置と、
   を備え、レシピにしたがって前記各装置の動作が制御される半導体製造処理システムであって、
   前記ウェハ処理装置は、
   処理した前記ウェハの枚数を積算して計測する処理枚数計測手段と、
   前記ウェハ処理装置でのメンテナンス処理が終了すると、ダミーランニング用のウェハを前記収納容器に収納したダミーロットを用いたダミーロット処理と、ＱＣ情報測定用のウェハを収納したＱＣロットを用いたＱＣロット処理と、を連続して行うメンテナンス後処理手段と、
   前記収納容器を一時的に載置するストッカで待機している前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを前記ウェハ処理装置へ搬送させる第１ボタンと、
   を有し、
   前記ウェハ準備装置は、第１の処理枚数が前記ウェハ処理装置の前記処理枚数計測手段で計測されると、前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを準備し、
   前記搬送装置は、前記処理枚数計測手段で前記第１の処理枚数より多い第２の処理枚数が計測されると、前記ウェハ準備装置で準備された前記ダミーロットと前記ＱＣロットを前記ストッカで待機させ、前記ウェハ処理装置の前記第１ボタンが押されると、前記ダミーロットと前記ＱＣロットの前記ストッカから前記ウェハ処理装置への搬送を開始し、前記メンテナンス処理と並行して前記メンテナンス処理が終了するまでの間に、前記ウェハ処理装置の前記ポートまで搬送し、
   前記ＱＣ情報測定装置は、
   前記ウェハ処理装置の前記メンテナンス後処理手段で処理される前後の前記ＱＣロットの前記ウェハを用いて前記ＱＣ情報を測定する測定手段と、
   前記ＱＣ情報の測定結果を用いて前記ウェハ処理装置を稼働可能かの判定処理を行う判定手段と、
   を有し、
   前記第１の処理枚数は、前記ウェハ処理装置での前記メンテナンス処理の実行まで所定の枚数であることを示す第１警告値であり、前記第２の処理枚数は、前記ウェハ処理装置の処理枚数の上限値である第２警告値であり、
   前記ウェハ処理装置は、前記メンテナンス処理が終了すると、前記ダミーロット処理と前記ＱＣロット処理とを連続して行い、前記ＱＣ情報測定装置での判定結果が稼働可能の場合に、前記ＱＣロット処理の後に通常のロット処理を実行することを特徴とする半導体製造処理システム。
2. 所定の数のウェハを収納する収納容器と、
   ポートに載置される前記収納容器から前記ウェハを取り出して所定の処理を施すウェハ処理装置と、
   前記ウェハ処理装置での処理品質となるパラメータであるＱＣ情報を測定するＱＣ情報測定装置と、
   前記ウェハ処理装置に供給するウェハを前記収納容器に入れて準備するウェハ準備装置と、
   前記各装置間で前記収納容器を搬送する搬送装置と、
   を備え、レシピにしたがって前記各装置の動作が制御される半導体製造処理システムであって、
   前記ウェハ処理装置は、
   処理した前記ウェハの枚数を積算して計測する処理枚数計測手段と、
   前記ウェハ処理装置でのメンテナンス処理が終了すると、ダミーランニング用のウェハを前記収納容器に収納したダミーロットを用いたダミーロット処理と、ＱＣ情報測定用のウェハを収納したＱＣロットを用いたＱＣロット処理と、を行うメンテナンス後処理手段と、
   を有し、
   前記ウェハ準備装置は、第１の処理枚数が前記ウェハ処理装置の前記処理枚数計測手段で計測されると、前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを準備し、
   前記搬送装置は、前記処理枚数計測手段で前記第１の処理枚数より多い第２の処理枚数が計測されると、前記ウェハ準備装置で準備された前記ダミーロットと前記ＱＣロットを所定の位置で待機させ、前記メンテナンス処理と並行して前記メンテナンス処理が終了するまでの間に、前記ウェハ処理装置の前記ポートまで搬送することを特徴とする半導体製造処理システム。
3. 前記メンテナンス後処理手段は、前記ダミーロット処理と前記ＱＣロット処理と、を連続して行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体製造処理システム。
4. 前記ＱＣ情報測定装置は、
   前記ウェハ処理装置の前記メンテナンス後処理手段で処理される前後の前記ＱＣロットの前記ウェハを用いて前記ＱＣ情報を測定する測定手段と、
   前記ＱＣ情報の測定結果を用いて前記ウェハ処理装置を稼働可能かの判定処理を行う判定手段と、
   を有し、
   前記ウェハ処理装置は、前記メンテナンス処理が終了すると、前記ダミーロット処理と前記ＱＣロット処理とを連続して行い、前記ＱＣ情報測定装置での判定結果が稼働可能の場合に、前記ＱＣロット処理の後に通常のロット処理を実行することを特徴とする請求項２または３に記載の半導体製造処理システム。
5. 前記第１の処理枚数は、前記ウェハ処理装置での前記メンテナンス処理の実行まで所定の枚数であることを示す第１警告値であり、前記第２の処理枚数は、前記ウェハ処理装置の処理枚数の上限値である第２警告値であることを特徴とする請求項２から４のいずれか１つに記載の半導体製造処理システム。
6. 前記搬送装置は、前記第２警告値が計測されると、前記所定の位置として前記収納容器を一時的に載置するストッカまで前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを搬送することを特徴とする請求項５に記載の半導体製造処理システム。
7. 前記ウェハ処理装置は、前記ストッカで待機している前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを前記ウェハ処理装置へ搬送させる第１ボタンをさらに有し、
   前記搬送装置は、前記ウェハ処理装置の前記第１ボタンが押されると、前記ダミーロットと前記ＱＣロットの前記ストッカから前記ウェハ処理装置への搬送を開始し、前記メンテナンス処理が完了するまでに前記ダミーロットと前記ＱＣロットとの搬送を完了することを特徴とする請求項６に記載の半導体製造処理システム。
8. 前記ウェハ処理装置は、前記メンテナンス処理の際に非製品ウェハを用いた前記ウェハ処理装置の初期設定を行う初期設定手段をさらに有し、
   前記搬送装置は、前記ウェハ処理装置の前記初期設定手段によって初期設定完了信号が出力されると、前記ダミーロットと前記ＱＣロットの前記ストッカから前記ウェハ処理装置への搬送を開始することを特徴とする請求項６に記載の半導体製造処理システム。
9. 前記ウェハ処理装置は、ＣＭＰ装置またはドライエッチング装置であることを特徴とする請求項２から８のいずれか１つに記載の半導体製造処理システム。
10. 所定の数のウェハを収納する収納容器と、
    ポートに載置される前記収納容器から前記ウェハを取り出して所定の処理を施すウェハ処理装置と、
    前記ウェハ処理装置での処理品質となるパラメータであるＱＣ情報を測定するＱＣ情報測定装置と、
    前記ウェハ処理装置に供給するウェハを前記収納容器に入れて準備するウェハ準備装置と、
    前記各装置間で前記収納容器を搬送する搬送装置と、
    を備える半導体製造処理システムでの半導体製造処理方法であって、
    前記ウェハ処理装置での前記ウェハの処理枚数が第１の処理枚数になると、前記ウェハ準備装置が、ダミーランニング用のウェハを前記収納容器に収納したダミーロットと、ＱＣ情報測定用のウェハを収納したＱＣロットと、を準備するダミー・ＱＣロット準備工程と、
    前記ウェハ処理装置での前記ウェハの処理枚数が前記第１の処理枚数よりも多い第２の処理枚数になると、前記ウェハ処理装置でメンテナンス処理が行われるメンテナンス工程と、
    前記ウェハ処理装置での前記ウェハの処理枚数が前記第２の処理枚数になると、前記搬送装置が、前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを所定の位置まで搬送して、待機させ、前記メンテナンス工程と並行して前記メンテナンス工程が終了するまでの間に、前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを前記ウェハ処理装置の前記ポートまで搬送するダミー・ＱＣロット搬送工程と、
    前記ウェハ処理装置は、前記メンテナンス処理終了後すぐに、前記ダミーロットを用いたダミーロット処理を行うダミーロット処理工程と、
    前記ダミーロット処理工程の後、前記ウェハ処理装置が前記ＱＣロットを用いてＱＣロット処理を行うＱＣロット処理工程と、
    を含むことを特徴とする半導体製造処理方法。
11. 前記ダミーロット処理工程と前記ＱＣロット処理工程とは連続して行われることを特徴とする請求項１０に記載の半導体製造処理方法。
12. 前記ＱＣ情報測定装置が、前記ＱＣロット処理工程の前後で前記ＱＣロットを用いて前記ウェハ処理装置の稼働の可否を判断する基となるＱＣ情報の測定を行うＱＣロット測定工程と、
    前記ＱＣ情報測定装置が、前記ＱＣ情報を用いて、前記ウェハ処理装置の稼働の可否を判定する判定工程と、
    稼働可能の場合に、前記判定工程に引き続いて通常ロット処理を行う通常ロット処理工程と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体製造処理方法。
13. 前記第１の処理枚数は、前記ウェハ処理装置での前記メンテナンス処理の実行まで所定の枚数であることを示す第１警告値であり、前記第２の処理枚数は、前記ウェハ処理装置の処理枚数の上限値である第２警告値であることを特徴とする請求項１０から１２に記載の半導体製造処理方法。
14. 前記ダミー・ＱＣロット搬送工程では、前記ウェハの処理枚数が前記第２警告値になると、前記所定の位置として、前記ウェハ処理装置の近傍に配置され、前記収納容器を一時的に載置するストッカまで、前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを搬送し、待機させることを特徴とする請求項１３に記載の半導体製造処理方法。
15. 前記メンテナンス工程は、
    前記ウェハ処理装置中の部品を交換する部品交換工程と、
    前記部品を交換した後、非製品ウェハを用いて前記ウェハ処理装置の初期設定を行う初期設定工程と、
    前記非製品ウェハの洗浄処理を行う洗浄工程と、
    前記非製品ウェハを用いたダミーランニング処理を行うダミー処理工程と、
    を含み、
    前記ダミー・ＱＣロット搬送工程では、前記部品交換工程の前に、前記ダミーロットと前記ＱＣロットとを前記ストッカから前記ウェハ処理装置への搬送を開始することを特徴とする請求項１０から１４のいずれか１つに記載の半導体製造処理方法。
16. 前記メンテナンス工程は、
    前記ウェハ処理装置中の部品を交換する部品交換工程と、
    前記部品を交換した後、非製品ウェハを用いて前記ウェハ処理装置の初期設定を行う初期設定工程と、
    前記非製品ウェハを用いたダミーランニング処理を行うダミー処理工程と、
    前記非製品ウェハの洗浄処理を行う洗浄工程と、
    を含み、
    前記ダミー・ＱＣロット搬送工程では、前記初期設定工程の終了時に前記ウェハ処理装置から初期設定終了信号が出力されると、前記ダミーロットと前記ＱＣロットの前記ストッカから前記ウェハ処理装置への搬送を開始することを特徴とする請求項１０から１４のいずれか１つに記載の半導体製造処理方法。
17. 前記初期設定工程は、
    前記ウェハの処理枚数をリセットするリセット工程と、
    前記非製品ウェハを前記ウェハ処理装置内の格納位置から処理位置まで搬送する非製品ウェハ搬送工程と、
    前記非製品ウェハを用いて前記初期設定を行う設定工程と、
    をさらに含み、
    前記ウェハ処理装置に不具合が発生した場合に、前記リセット工程から前記非製品ウェハ搬送工程までを繰り返し実行することを特徴とする請求項１６に記載の半導体製造処理方法。

Images