JP5776832B1 - 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用部品及び端子 - Google Patents
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- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 74
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 6
- 101000718623 Bacillus subtilis (strain 168) RNA polymerase sigma-K factor Proteins 0.000 claims 2
- 101001062993 Escherichia coli (strain K12) RNA polymerase sigma factor FliA Proteins 0.000 claims 2
- 101001023209 Vibrio parahaemolyticus serotype O3:K6 (strain RIMD 2210633) RNA polymerase sigma factor for flagellar operon Proteins 0.000 claims 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 52
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 68
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 45
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 39
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 28
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 9
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 5
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 description 4
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 4
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 4
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005324 grain boundary diffusion Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 235000020985 whole grains Nutrition 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
以上のように、従来から提案されている方法では、コルソン系合金において耐応力緩和特性と曲げ加工性、強度を兼ね備えることができなかった。このため、上述した構造のコネクタ等においては、優れた曲げ加工性、強度と耐応力緩和特性を兼ね備えたコルソン合金が強く望まれている。
Lσ/(LLB+LHB)≧29%
LLB/(LLB+LHB)≧30%
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)≧50%
Lσ/(LLB+LHB)≧29%
LLB/(LLB+LHB)≧30%
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)≧50%
一方、ランダム粒界とは、Σ値が29以下の対応方位関係があってかつDq≦15°/Σ1/2 を満たす特殊粒界以外、の粒界である。
Lσ/(LLB+LHB)≧29%
LLB/(LLB+LHB)≧30%
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)≧50%
また、隣接する測定間の方位差が2°以上15°以下となる測定点間である小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーの長さをLLB、隣接する測定間の方位差が15°を超える測定点間である大傾角粒界の長さをLHB、Σ3、Σ9、Σ27a、Σ27b粒界の長さをLσとしたときに、以下の式が成り立つ場合、耐応力緩和性、曲げ加工性及び強度の向上を図ることができる。
Lσ/(LLB+LHB)≧29%
LLB/(LLB+LHB)≧30%
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)≧50%
一方、{220}面は、圧延集合組織によるものであり、圧延方向に対して曲げ軸が平行になるように曲げ加工を行った場合に、曲げ加工の応力方向に対して滑り系が活動しにくい方位関係となる。よって、曲げ加工時に局所的な変形が生じてクラックが発生しやすくなる。そこで、材料表面における{220}面からのX線回折強度の割合R{220}を0.7以下と規定することにより、曲げ加工性を向上させることが可能となる。
Ti,Cr,Zr,P,Bといった元素は、析出物を形成することによって強度を向上させる作用を有する。よって、これらの元素を適宜添加することにより、さらに強度を向上させることが可能となる。
Mg,Sn,Zn,Al,Agといった元素は、銅の母中に固溶して強度を向上させる作用を有する。よって、これらの元素を適宜添加することにより、さらに強度を向上させることが可能となる。
0.2%耐力が400MPa以上である場合には、容易に塑性変形しなくなるため、コネクタ等の端子、リレー、リードフレーム等の電子・電気機器用部品に特に適している。
このような構成の電子・電気機器用銅合金薄板は、優れた耐応力緩和特性、曲げ加工性及び強度を兼ね備えているので、コネクタ、その他の端子、電磁リレーの可動導電片、リードフレームなどに好適に使用することができる。
さらに、本発明の電子・電気機器用部品は、上述の電子・電気機器用銅合金薄板からなることを特徴とする。
なお、本発明における電子・電気機器用部品とは、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等を含むものである。
さらに、本発明の端子は、上述の電子・電気機器用銅合金薄板からなることを特徴とする。
なお、本発明における端子は、コネクタ等を含むものである。
本実施形態である電子・電気機器用銅合金は、Niを1.0mass%以上5.0mass%以下、Siを0.1mass%以上1.5mass%以下含有し、残りがCuおよび不可避不純物からなる組成とされ、さらにNi/Si(質量比)が2.0以上6.0以下の範囲内とされている。
また、本実施形態である電子・電気機器用銅合金は、Mg,Sn,Zn,Al,Agのうちのいずれか1種または2種以上を合計で0.01mass%以上1.1mass%以下の範囲内で含んでいてもよい。
Lσ/(LLB+LHB)≧29%
LLB/(LLB+LHB)≧30%
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)≧50%
なお、本実施形態である電子・電気機器用銅合金を圧延板とした場合には、圧延板の板表面(圧延面)において、上述のX線回折強度を測定することになる。
Niは、Siと共添されることにより、銅の母相中に分散する微細な析出物を形成する元素であり、導電率を維持したまま強度を大幅に向上させる作用効果を有する。
ここで、Niの含有量が1.0mass%未満の場合には、析出物の個数が不足し、強度を十分に向上させることができないおそれがある。一方、Niの含有量が5.0mass%を超える場合には、熱間加工時に割れが発生するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Niの含有量を1.0mass%以上5.0mass%以下の範囲内に設定している。なお、析出物の個数を確保して強度を確実に向上させるためには、Niの含有量を1.5mass%以上とすることが好ましい。また、熱間加工時の割れを確実に抑制するためには、Niの含有量を4.0mass%以下とすることが好ましい。
Siは、Niと共添されることにより、銅の母相中に分散する微細な析出物を形成する元素であり、導電率を維持したまま強度を大幅に向上させる作用効果を有する。
ここで、Siの含有量が0.1mass%未満の場合には、析出物の個数が不足し、強度を十分に向上させることができないおそれがある。一方、Siの含有量が1.5mass%を超える場合には、熱間加工時に割れが発生するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Siの含有量を0.1mass%以上1.5mass%以下の範囲内に設定している。なお、析出物の個数を確保して強度を確実に向上させるためには、Siの含有量を0.3mass%以上とすることが好ましい。また、熱間加工時の割れを確実に抑制するためには、Siの含有量を1.3mass%以下とすることが好ましい。
NiとSiは、上述のように銅の母相中に分散する微細な析出物を形成する。この析出物は、Ni2Siを主とする金属間化合物からなる。
ここで、NiとSiの質量比Ni/Siが2.0未満の場合には、析出物の個数が不足し、強度を十分に向上させることができないおそれがある。また、過剰なSiによって導電率が低下してしまうおそれがある。一方、NiとSiの質量比Ni/Siが6.0を超える場合には、析出物の個数が不足して強度を十分に向上させることができないおそれがある。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、NiとSiの質量比:Ni/Siを3.0以上5.0以下の範囲内とすることが好ましい。
Co,Mn,Feといった元素は、Niと同様に、Siとともに金属間化合物からなる微細な析出物を形成し、導電率を維持したまま強度を大幅に向上させる作用効果を有する。よって、Niの一部をCo,Mn,Feを代替することができる。
ここで、Niの含有量が1.0mass%未満、Ni,Co,Mn,Feの含有量の合計が1.0mass%以下である場合には、微細な析出物の個数が不足し、強度を十分に向上させることができないおそれがある。一方、Ni,Co,Mn,Feの含有量の合計が5.0mass%を超える場合には、熱間加工時に割れが発生するおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Niの含有量を1.0mass%以上、Ni,Co,Mn,Feの含有量の合計を1.0mass%超え5.0mass%以下の範囲内に設定している。なお、熱間加工時の割れを確実に抑制するためには、Ni,Co,Mn,Feの含有量の合計を4.0mass%以下とすることが好ましい。
Ni,Co,Mn,FeとSiは、上述のように銅の母相中に分散する微細な析出物を形成する。この析出物は、Ni2SiのNiが一部、Co,Mn,Feに置換した金属間化合物からなる。
ここで、Ni,Co,Mn,FeとSiの質量比:(Ni+Co+Mn+Fe)/Siが2.0未満の場合には、析出物の個数が不足し、強度を十分に向上させることができないおそれがある。また、過剰なSiによって導電率が低下してしまうおそれがある。一方、Ni,Co,Mn,FeとSiの質量比:(Ni+Co+Mn+Fe)/Siが6.0を超える場合には、析出物の個数が不足して強度を十分に向上させることができないおそれがある。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ni,Co,Mn,FeとSiの質量比:(Ni+Co+Mn+Fe)/Siを3.0以上5.0以下の範囲内とすることが好ましい。
Ti,Cr,Zr,P,Bといった元素は、Cu,Ni,Siとともに金属間化合物からなる析出物を形成し、導電率を維持したまま強度を大幅に向上させる作用効果を有する。よって、さらなる強度向上を図る場合には、適宜添加することが好ましい。
ここで、Ti,Cr,Zr,P,Bのうちのいずれか1種または2種以上の含有量の合計が0.01mass%未満の場合には、上述した作用効果を確実に奏功せしめることができないおそれがある。一方、Ti,Cr,Zr,P,Bのうちのいずれか1種または2種以上の含有量の合計が2.0mass%を超える場合には、導電率が大幅に低下するおそれがある。
以上のことから、Ti,Cr,Zr,P,Bといった元素を添加する場合には、Ti,Cr,Zr,P,Bのうちのいずれか1種または2種以上の含有量の合計を0.01mass%以上0.2mass%以下の範囲内とすることが好ましい。
Mg,Sn,Zn,Al,Agといった元素は、銅の母相中に固溶し、強度を大幅に向上させる作用効果を有する。よって、さらなる強度向上を図る場合には、適宜添加することが好ましい。
ここで、Mg,Sn,Zn,Al,Agのうちのいずれか1種または2種以上の含有量の合計が0.01mass%未満の場合には、上述した作用効果を確実に奏功せしめることができないおそれがある。一方、Mg,Sn,Zn,Al,Agのうちのいずれか1種または2種以上の含有量の合計が2.0mass%を超える場合には、導電率が大幅に低下するおそれがある。
以上のことから、Mg,Sn,Zn,Al,Agといった元素を添加する場合には、Mg,Sn,Zn,Al,Agのうちのいずれか1種または2種以上の含有量の合計を0.01mass%以上1.1mass%以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、上述した元素以外の不可避不純物としては、Ca,Sr,Ba,Sc,Y,希土類元素,Hf,V,Nb,Ta,Mo,W,Re,Ru,Os,Se,Te,Rh,Ir,Pd,Pt,Au,Cd,Ga,In,Ge,As,Sb,Tl,Pb,Bi,Be,N,Hg等が挙げられる。これらの不可避不純物は、総量で0.3mass%以下であることが望ましい。
特殊粒界は結晶性の高い粒界(原子配列の乱れが少ない粒界)であるため、加工時の破壊の起点となりにくくなる。よって、全ての粒界長さ(LLB+LHB)対するΣ3、Σ9、Σ27a、Σ27bの各粒界長さの和Lσの比率である特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)を高くすると、曲げ加工時の破壊の起点となる粒界の割合を少なくすることができ、曲げ加工性を向上させることができる。さらに、特殊粒界はランダム粒界に比べて粒界の拡散が遅いことから、特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)を高くすることで耐応力緩和特性を向上させることが出来る。
そこで、本実施形態においては、特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)が以下の式を満たすように設定している。
Lσ/(LLB+LHB)>≧29%
特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)が高くなると、強度が低くなる傾向があるため、強度と曲げ加工性、耐応力緩和特性を兼ね備えるためには特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)を一定以下の値に抑える必要がある。そのため、本実施形態では特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)を80%未満に設定している。
なお、EBSD装置の解析ソフトOIMにより解析したときのCI値(信頼性指数)は、測定点の結晶パターンが明確ではない場合にその値が小さくなり、CI値が0.1以下ではその解析結果を信頼することが難しい。よって、本実施形態では、CI値が0.1以下である信頼性の低い測定点を除いた。
小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーは加工時に導入された転位密度の高い領域であるため、全粒界中の小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率LLB/(LHB+LLB)が以下の式を満たすように制御することで、転位密度の増加に伴う加工硬化により、強度(耐力)を向上させることが出来る。
LLB/(LLB+LHB)≧30%
なお、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率LLB/(LHB+LLB)は好ましくは40%以上である。
ここで、強度(耐力)を維持したまま、十分な曲げ加工性を持たせるために全粒界中の小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率LLB/(LHB+LLB)を80%以下とすることが好ましい。さらに好ましくは75%以下とすることが望ましい。
なお、EBSD装置の解析ソフトOIMにより解析したときのCI値(信頼性指数)は、測定点の結晶パターンが明確ではない場合にその値が小さくなり、CI値が0.1以下ではその解析結果を信頼することが難しい。よって、本実施形態では、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーの評価においてCI値が0.1以下である信頼性の低い測定点を除いた。
上記の特殊粒界と小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーを同時に高めることにより、強度(耐力)と耐応力緩和特性、曲げ加工性を十分に達成することが可能となる。また加工時に破壊の起点となる大傾角粒界が相対的に減少するため、曲げ加工性は大幅に向上することが可能となる。そこで、本実施形態においては、(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)が以下の式を満たすように設定している。
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)>≧50%
{200}面は、曲げ加工の応力方向に対して、滑り系が活動し易い方位関係となるため、局所的な変形を抑制することができ、曲げ加工時のクラックの発生を抑制することが可能となる。また、上述した特殊粒界比率の高い組織において{200}面割合を高めることで、相乗効果により曲げ加工時の破壊の起点は大幅に減少し、曲げ加工性は飛躍的に上昇する。
このため、材料表面における{200}面からのX線回折強度の割合R{200}を0.2以上とすることにより、曲げ加工性を向上させることが可能となる。ここで、{200}面からのX線回折強度の割合R{200}は、上記の範囲内でも0.25以上が好ましく、0.3以上がさらに好ましい。
なお、{200}面からのX線回折強度の割合R{200}の上限には、特に規定はないが、0.9以下とすることが好ましい。
材料表面における{220}面は、圧延集合組織によるものであり、この{220}面の割合が高くなると、圧延方向に対して垂直方向に曲げ加工を行った場合に、曲げ加工の応力方向に対して滑り系が活動しにくい方位関係となる。これにより、曲げ加工時に変形が局所的に発生し、クラックの原因となる。
このため、材料表面における{220}面からのX線回折強度の割合R{220}を0.7以下に抑制することにより、クラックの発生を抑制でき、曲げ加工性が向上するものと考えられる。ここで、{220}面からのX線回折強度の割合R{220}は、上記の範囲内でも0.65以下が好ましく、0.6以下がさらに好ましい。
なお、{220}面からのX線回折強度の割合R{220}の下限には、特に規定はないが、0.1以上とすることが好ましい。
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。銅原料としては、スクラップを原料として用いてもよいが、純度が99.99mass%以上の4NCu(無酸素銅等)を使用することが好ましく、純度が99.999mass%以上とされたいわゆる5NCuを用いることがさらに好ましい。また、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、各種元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、リサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
原料の溶解には、大気雰囲気炉を用いてもよいが、添加元素の酸化を抑制するために、真空炉、不活性ガス雰囲気又は還元性雰囲気とされた雰囲気炉を用いてもよい。
次いで、成分調整された銅合金溶湯を、適宜の鋳造法、例えば金型鋳造などのバッチ式鋳造法、あるいは連続鋳造法、半連続鋳造法などによって鋳造して鋳塊を得る。
その後、必要に応じて、鋳塊の偏析を解消して鋳塊組織を均一化するために均質化熱処理を行う。または晶出物、析出物を固溶させるために溶体化熱処理を行う。この熱処理の条件は特に限定しないが、通常は700〜1100℃において5分〜24時間加熱すればよい。熱処理温度が700℃未満、あるいは熱処理時間が5分未満では、十分な均質化効果または溶体化効果が得られないおそれがある。一方、熱処理温度が1100℃を超えれば、偏析部位が一部溶解してしまうおそれがあり、さらに熱処理時間が24時間を超えることは製造コストの増加を招くだけである。熱処理後の冷却条件は、適宜定めればよいが、通常は水焼入れすればよい。なお、熱処理後には、必要に応じて面削を行う。
次いで、後述する粗加工の効率化と組織の均一化のために、鋳塊に対して熱間加工を行ってもよい。この熱間加工の条件は特に限定されないが、通常は、開始温度600〜1100℃、終了温度300〜850℃、加工率10〜99%程度とすることが好ましい。なお、熱間加工開始温度までの鋳塊加熱は、前述の加熱工程S02と兼ねてもよい。熱間加工後の冷却条件は、適宜定めればよいが、通常は水焼入れすればよい。なお、熱間加工後には、必要に応じて面削を行う。熱間加工の加工方法については、特に限定されないが、最終形状が板や条の場合は熱間圧延を適用すればよい。また最終形状が線や棒の場合には、押出や溝圧延を、また最終形状がバルク形状の場合には、鍛造やプレスを適用すればよい。
次に、加熱工程S02で均質化処理を施した鋳塊、あるいは熱間圧延などの熱間加工S03を施した熱間加工材に対して、粗加工を施す。この粗加工工程S04における温度条件は特に限定はないが、冷間又は温間加工となる−200℃から+200℃の範囲内とすることが好ましい。粗加工の加工率も特に限定されないが、通常は10〜99%程度とし、好ましくは50〜99%とする。加工方法は特に限定されないが、最終形状が板や条の場合は、圧延を適用すればよい。また最終形状が線や棒の場合には、押出や溝圧延、さらに最終形状がバルク形状の場合には、鍛造やプレスを適用する事ができる。なお、溶体化の徹底のために、S02〜S04を繰り返してもよい。
冷間もしくは温間での粗加工工程S04の後に、溶体化の徹底、再結晶処理のため中間熱処理を施す。中間熱処理の好ましい加熱温度、加熱時間は、次に説明するように、具体的な熱処理の手法によっても異なる。すなわち、中間熱処理工程S05の具体的手法としては、バッチ式の加熱炉を用いても、あるいは連続焼鈍ラインを用いて連続的に加熱してもよい。バッチ式の加熱炉を使用する場合は、300〜800℃の温度で、5分〜24時間加熱することが望ましく、また連続焼鈍ラインを用いる場合は、加熱到達温度を500〜900℃とし、かつその範囲内の温度で、保持なし、もしくは1秒〜5分程度保持することが好ましい。また、中間熱処理の雰囲気は、非酸化性雰囲気(窒素ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性雰囲気)とすることが好ましい。
中間熱処理後の冷却条件は、特に限定しないが、通常は水焼入れすればよい。
なお、必要に応じて、上記の粗加工工程S04と中間熱処理工程S05を、複数回繰り返してもよい。
次に、中間熱処理工程S05を施した中間熱処理材に対して、中間加工を施す。この中間加工工程S06は、後述する仕上熱処理工程S07で、ひずみ誘起粒界移動により特殊粒界を形成させるために実施される工程であり、結晶回転させない状態で結晶方位毎にひずみ差を生じさせることで駆動力を蓄えるため、加工率は40%未満とすることが好ましい。加工率が40%以上であると、次工程の仕上熱処理工程S07において、ひずみ誘起粒界移動が起こりにくく、一般的な(核生成・成長機構による)再結晶が生じ、ランダム粒界の割合が増加し、特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)を十分に向上させることができないおそれがある。より好ましい加工率は30%以下である。
一方、加工率が3%未満であると上記のひずみ誘起粒界移動が過剰に起こり、特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)が高くなりすぎるため、加工率は3%以上とすることが好ましい。より好ましい加工率は5%以上である。
ここで、加工方法は特に限定されないが、最終形態が板や条である場合、圧延を採用する。他には鍛造やプレス、溝圧延を採用しても良い。温度も特に限定されないが、析出が起こらないように、冷間または温間となる−200〜+200℃が好ましい。
中間加工工程S06の後に、再結晶処理のための仕上熱処理を施す。この仕上熱処理を実施することで、ひずみ誘起粒界移動が起こり多数の特殊粒界が形成される。このとき、保持温度、到達温度は一般的な再結晶温度と比較して低温のときにひずみ誘起粒界移動が起こり易いが、低温すぎるとひずみ誘起粒界移動が生じないため好ましくない。
仕上熱処理工程S07の具体的手法としては、Ni及びSiを含有する金属間化合物を析出させるために、バッチ式の加熱炉を用いてもよい。あるいは連続焼鈍ラインを用いて連続的に加熱してもよい。バッチ式の加熱炉を使用する場合は、300〜800℃の温度で、5分〜24時間加熱することが好ましく、400〜700℃の温度で、5分〜24時間加熱することがさらに好ましい。また連続焼鈍ラインを用いる場合は、加熱到達温度500〜800℃とし、かつその範囲内の温度で、保持なし、もしくは1秒〜5分程度保持することが好ましい。
また、仕上熱処理の雰囲気は、非酸化性雰囲気(窒素ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性雰囲気)とすることが好ましい。
さらに、昇温速度が遅い場合には、ひずみの回復が活発に行われる低温域に長時間存在することになり、ひずみ誘起粒界移動の駆動力となるひずみが消費されてしまうおそれがある。そこで、昇温過程でのひずみの解放を抑制してひずみ誘起粒界移動を生じ易くし、特殊粒界を十分に形成させるためには、200℃から400℃の間の昇温速度を、200℃/min.以上とすることが好ましく、600℃/min.以上とすることがさらに好ましい。
一方、中間加工工程S06と仕上熱処理工程S07とを7回以上繰り返すと上記のひずみ誘起粒界移動が過剰に起こり、特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)が高くなりすぎる。また製造コストの増加につながる。このため、中間加工工程S06と仕上熱処理工程S07の繰り返し回数は6回以下とすることが好ましく、5回以下とすることがさらに好ましい。ここまでの工程で特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)を大幅に高めることにより、後述の小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーを高める工程を経た後も高い特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)を維持することが可能となる。
仕上熱処理工程S07においてNi、Siを含有する金属間化合物の析出物が十分に形成されなかった場合には、Ni、Siを含有する金属間化合物の更なる析出のため、時効熱処理を施してもよい。この時効熱処理の条件は特に限定されないが、通常は、熱処理温度200〜600℃の温度で、5分〜48時間加熱することが望ましい。
次に、仕上熱処理工程S07を施した材料、あるいは時効熱処理S08を施した材料に対して、最終寸法、最終形状まで仕上加工を行う。仕上加工工程S09における加工方法は特に限定されないが、最終製品形態が板や条である場合には、圧延(冷間圧延)を適用すればよい。その他、最終製品形態に応じて、鍛造やプレス、溝圧延などを適用してもよい。なお、本実施形態では、仕上加工工程S09として冷間圧延を実施し、圧延材を製出している。
加工率は最終板厚や最終形状に応じて適宜選択すればよい。ここで、加工率が20%以下では、特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)は高くなる。一方、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率:LLB/(LHB+LLB)を十分に高められず、耐力を向上させる効果が十分に得られなくなるおそれがある。
一方、加工率が60%を超えれば、特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)が減少するため、曲げ加工性、耐応力緩和特性が低下してしまうおそれがある。以上のことから、仕上加工工程S09における加工率は20%以上、60%以下とすることが好ましく、25以上、55%以下とすることがさらに好ましい。仕上加工工程S09後は、これをそのまま製品として用いてもよいが、通常は、さら低温焼鈍を施すことになる。
仕上加工工程S09後には、必要に応じて、耐応力緩和特性の向上および低温焼鈍硬化のために、または残留ひずみの除去のために、低温焼鈍を行う。この低温焼鈍工程S10においては、200〜500℃の範囲内の温度で、0.1秒〜24時間行うことが望ましい。
ここで、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率LLB/(LHB+LLB)を高めるためには、前工程の仕上加工工程S09の加工率が低い場合には、低温焼鈍工程S10の低温焼鈍温度を低く設定する必要がある。具体的には仕上加工率が25%以下の場合、200〜300℃の範囲内の温度で低温焼鈍を行うことが好ましい。
熱処理温度が低い場合は長時間、熱処理温度が高い場合は短時間の熱処理をすればよい。低温焼鈍工程S10の温度が150℃未満、または低温焼鈍工程S10の時間が0.1秒未満では、所望の効果が得られなくなるおそれがあり、一方、低温焼鈍工程S10の温度が300℃を超える場合は小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率LLB/(LHB+LLB)の大幅な減少のおそれがあり、さらに低温焼鈍工程S10の時間が24時間を超えることは、製造コストの増加を招くだけである。
また、中間加工工程S07または仕上加工工程S09における加工方法として圧延を適用した場合、板厚0.05〜1.0mm程度の電子・電気機器用銅合金薄板(条材)を得ることができる。このような薄板は、これをそのまま電子・電気機器用部品に使用してもよいが、板面の一方、もしくは両面に、膜厚0.1〜10μm程度のSnめっきを施し、Snめっき付き銅合金条として、コネクタその他の端子などの電子・電気機器用部品に使用するのが通常である。この場合のSnめっきの方法は特に限定されない。また、場合によっては電解めっき後にリフロー処理を施してもよい。
さらに、本実施形態である電子・電気機器用部品及び端子は、上述の電子・電気機器用銅合金の薄板等に対して、打ち抜き加工、曲げ加工等を施すことによって製造される。
よって、銅の母相中に、Ni2Siを主とする金属間化合物からなる微細な析出物粒子を分散させることができ、高い導電率を確保できるとともに、強度の大幅な向上を図ることができる。
Lσ/(LLB+LHB)≧29%
LLB/(LLB+LHB)≧30%
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)≧50%
本実施形態である電子・電気機器用銅合金において、さらにMg,Sn,Zn,Al,Agのうちのいずれか1種または2種以上を合計で0.01mass%以上1.1mass%以下の範囲内で添加した場合には、銅の母相中にこれらの元素を固溶させることにより、強度をさらに向上させることが可能となる。
例えば、上述の実施形態では、電子・電気機器用銅合金の製造方法の一例について、図1のフロー図を参照して説明したが、製造方法は本実施形態に限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
具体的には、粗加工工程S04および中間熱処理工程S05をそれぞれ1回実施する場合には、圧延率約90%以上の冷間圧延(粗加工)を行った後、再結晶のための中間熱処理として、300〜800℃で5分〜24時間、もしくは500〜900℃で1秒〜5分の熱処理を実施し、水焼入れした。その後、圧延材を切断し、酸化被膜を除去するために表面研削を実施した。
一方、粗加工工程S04および中間熱処理工程S05をそれぞれ2回実施する場合には、圧延率約50〜90%の一次冷間圧延(一次粗加工)を行った後、一次中間熱処理として、300〜800℃で5分〜24時間、もしくは500〜900℃で1秒〜5分の熱処理を実施して水焼入れした後、圧延率約50〜90%の二次冷間圧延(二次粗加工)を施し、300〜800℃で5分〜24時間、もしくは500〜900℃で1秒〜5分の二次中間熱処理を実施し、水焼入れした。その後、圧延材を切断し、酸化被膜を除去するために表面研削を実施した。
なお、この中間加工工程S06(中間圧延)と仕上熱処理工程S07とを繰り返し実施した。表4〜6に、中間加工工程S06(中間圧延)と仕上熱処理工程S07との繰り返し回数を記載した。
その後、仕上加工工程S09として、表4〜6に記載された圧延率で冷間圧延を実施した。
そして、最後に、表4〜6に記載された温度、時間で低温焼鈍を実施した後に水焼入れし、切断および表面研磨を実施した後、厚さ0.20mm×幅約160mmの特性評価用条材を製出した。
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちTD面(Transverse direction)を観察面として、EBSD測定装置及びOIM解析ソフトによって、次のように結晶粒界(特殊粒界とランダム粒界)および結晶方位差分布を測定した。
耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った後、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、EBSD測定装置(FEI社製Quanta FEG 450,EDAX/TSL社製(現 AMETEK社) OIM Data Collection)と、解析ソフト(EDAX/TSL社製(現 AMETEK社)OIM Data Analysis ver.5.3)によって、電子線の加速電圧20kV、測定間隔0.1μmステップで1000μm2以上の測定面積で、CI値が0.1以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が2°以上15°以下となる測定点間を小傾角粒界とし、その長さをLLB、15°以上となる測定点間を大傾角粒界とし、その長さをLHBとした。
また隣接する結晶粒の界面が特殊粒界を構成する結晶粒界の位置を決定するとともに、特殊粒界のうちΣ3、Σ9、Σ27a、Σ27b粒界の各長さの和Lσとして、特殊粒界長さ比率Lσ/(LLB+LHB)、小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率LLB/(LLB+LHB)、(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)を求めた。
なお、粒界の解析を行う場合、試料表面のコンタミ、異物、ピットの影響を取り除くため、CI値の低い測定点などを、周囲の点の方位関係から補正して置き換える、いわゆるクリーンアップ処理が行われることがあるが、本実施例では小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さを正しく評価するため、クリーンアップ処理は行わずに解析を行っている。
板表面における{111}面からのX線回折強度をI{111}、{200}面からのX線回折強度I{200}、{220}面からのX線回折強度I{220}、{311}面からのX線回折強度I{311}、{331}面からのX線回折強度I{331}、{420}面からのX線回折強度I{420}を、積分強度法を用いて、次のような手順で測定した。
特性評価用条材から測定試料を採取し、反射法で、測定試料に対して1つの回転軸の回りのX線回折強度を測定した。ターゲットにはCuを使用し、KαのX線を使用した。管電流40mA、管電圧40kV、測定角度40〜150°、測定ステップ0.02°の条件で測定し、回折角とX線回折強度のプロファイルにおいて、X線回折強度のバックグラウンドを除去後、各回折面からのピークのKα1とKα2を合わせた積分X線回折強度Iを求めた。
そして、R{220}=I{220}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311}+I{331}+I{420})から、板表面における{220}面からのX線回折強度の割合R{220}を算出した。
さらに、R{200}=I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311}+I{331}+I{420})から、板表面における{200}面からのX線回折強度の割合R{200}を算出した。
なお、X線回折強度の測定部位は試料板幅方向の中心部とした。
特性評価用条材から幅10mm×長さ150mmの試験片を採取し、4端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して垂直になるように採取した。
特性評価用条材からJIS Z 2201に規定される13B号試験片を採取し、JIS Z 2241のオフセット法により、ヤング率E、0.2%耐力σ0.2を測定した。なお、試験片は、圧延方向に垂直な方向で採取した。
日本伸銅協会技術標準JCBA−T307:2007の4試験方法に準拠して曲げ加工を行った。
圧延方向と試験片の長手方向が垂直になるように、特性評価用条材から幅10mm×長さ30mmの試験片を複数採取し、曲げ角度が90度、曲げ半径0.4のW型の治具を用い、W曲げ試験を行った。
そして、曲げ部の外周部を目視で確認し割れが観察された場合は×、大きなしわが観察された場合は△、破断や微細な割れ、大きなしわを確認できない場合を○として判定を行った。なお、△までを許容できる曲げ加工性と判断した。
耐応力緩和特性試験は、日本伸銅協会技術標準JCBA−T309:2004の片持はりねじ式に準じた方法によって応力を負荷し、下記に示す条件(温度、時間)で保持した後の残留応力率を測定した。
試験方法としては、各特性評価用条材から圧延方向に対して平行な方向に試験片(幅10mm)を採取し、試験片の表面最大応力が耐力の80%となるよう、初期たわみ変位を2mmと設定し、スパン長さを調整した。上記表面最大応力は次式で定められる。
表面最大応力(MPa)=1.5Etδ0/Ls 2
ただし、
E:ヤング率(MPa)
t:試料の厚み(t=0.20mm)
δ0:初期たわみ変位(2mm)
Ls:スパン長さ(mm)
である。耐応力緩和特性の評価は、150℃の温度で、1000h保持後の曲げ癖から、残留応力率を測定し、耐応力緩和特性を評価した。なお、残留応力率は次式を用いて算出した。
残留応力率(%)=(1−δt/δ0)×100
ただし、
δt:150℃で1000h保持後の永久たわみ変位(mm)−常温で24h保持後の永久たわみ変位(mm)
δ0:初期たわみ変位(mm)
である。
残留応力率が、70%以上のものを○、70%未満ものを×と評価した。
Niの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例102においては、熱間圧延時に大きな耳割れが発生したため、その後の工程及び評価を中止した。
Ni、Co、Mn、Feの含有量の合計が本発明の範囲よりも多い比較例103においては、熱間圧延時に大きな耳割れが発生したため、その後の工程及び評価を中止した。
NiとSiの質量比Ni/Siが本発明の範囲よりも大きい比較例104においては、強度が低かった。
NiとSiの質量比Ni/Siが本発明の範囲よりも小さい比較例105においては、熱間圧延時に大きな耳割れが発生したため、その後の工程及び評価を中止した。
小傾角粒界およびサブグレインバウンダリー長さ比率LLB/(LLB+LHB)が本発明の範囲よりも低い比較例107においては、強度が低かった。
Claims (9)
- Niを1.0mass%以上5.0mass%以下、Siを0.1mass%以上1.5mass%以下含有し、残りがCuおよび不可避不純物からなり、Ni/Si(質量比)が2.0以上6.0以下の範囲内となる組成を有し、
EBSD法により1000μm2以上の測定面積を測定間隔0.1μmステップで測定して、データ解析ソフトOIMにより解析されたCI値が0.1以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定間の方位差が2°以上15°以下となる測定点間である小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーの長さをLLB、隣接する測定間の方位差が15°を超える測定点間である大傾角粒界の長さをLHB、Σ3、Σ9、Σ27a、Σ27b粒界の長さをLσとしたときに、以下の式が成り立つことを特徴とする電子・電気機器用銅合金。
Lσ/(LLB+LHB)≧29%
LLB/(LLB+LHB)≧30%
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)≧50% - Niを1.0mass%以上含有するとともに、Co,Mn,Feのうちのいずれか1種または2種以上を含有し、Ni,Co,Mn,Feの含有量の合計が1.0mass%超え5.0mass%以下とされ、Siを0.1mass%以上1.5mass%以下含有し、残りがCuおよび不可避不純物からなり、(Ni+Co+Mn+Fe)/Si(質量比)が2.0以上6.0以下の範囲内となる組成を有し、
EBSD法により1000μm2以上の測定面積を測定間隔0.1μmステップで測定して、データ解析ソフトOIMにより解析されたCI値が0.1以下である測定点を除いて解析し、隣接する測定間の方位差が2°以上15°以下となる測定点間である小傾角粒界およびサブグレインバウンダリーの長さをLLB、隣接する測定間の方位差が15°を超える測定点間である大傾角粒界の長さをLHB、Σ3、Σ9、Σ27a、Σ27b粒界の長さをLσとしたときに、以下の式が成り立つことを特徴とする電子・電気機器用銅合金。
Lσ/(LLB+LHB)≧29%
LLB/(LLB+LHB)≧30%
(LLB+Lσ)/(LLB+LHB)≧50% - 材料表面における{111}面からのX線回折強度をI{111}、{200}面からのX線回折強度をI{200}、{220}面からのX線回折強度をI{220}、{311}面からのX線回折強度をI{311}、{331}面からのX線回折強度をI{331}、{420}面からのX線回折強度をI{420}とした場合に、
{200}面からのX線回折強度の割合R{200}=I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311}+I{331}+I{420})が0.2以上とされるとともに、
{220}面からのX線回折強度の割合R{220}=I{220}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311}+I{331}+I{420})が0.7以下とされていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子・電気機器用銅合金。 - さらに、Ti,Cr,Zr,P,Bのうちのいずれか1種または2種以上を合計で0.01mass%以上0.2mass%以下の範囲内で含んでいることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電子・電気機器用銅合金。
- さらに、Mg,Sn,Zn,Al,Agのうちのいずれか1種または2種以上を合計で0.01mass%以上1.1mass%以下の範囲内で含んでいることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電子・電気機器用銅合金。
- 0.2%耐力が400MPa以上の機械特性を有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電子・電気機器用銅合金。
- 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の電子・電気機器用銅合金の圧延材からなり、厚みが0.01mm以上2.0mm以下の範囲内にあることを特徴とする電子・電気機器用銅合金薄板。
- 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の電子・電気機器用銅合金からなることを特徴とする電子・電気機器用部品。
- 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の電子・電気機器用銅合金からなることを特徴とする端子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014173131A JP5776832B1 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用部品及び端子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014173131A JP5776832B1 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用部品及び端子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5776832B1 true JP5776832B1 (ja) | 2015-09-09 |
JP2016047945A JP2016047945A (ja) | 2016-04-07 |
Family
ID=54192587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014173131A Active JP5776832B1 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金薄板、電子・電気機器用部品及び端子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5776832B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101627696B1 (ko) | 2015-12-28 | 2016-06-07 | 주식회사 풍산 | 자동차 및 전기전자 부품용 동합금재 및 그의 제조 방법 |
JP6680041B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-04-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバー |
US11319615B2 (en) | 2016-03-30 | 2022-05-03 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper alloy for electronic and electrical equipment, copper alloy plate strip for electronic and electrical equipment, component for electronic and electrical equipment, terminal, busbar, and movable piece for relay |
WO2017170699A1 (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、及び、リレー用可動片 |
JP6378819B1 (ja) | 2017-04-04 | 2018-08-22 | Dowaメタルテック株式会社 | Cu−Co−Si系銅合金板材および製造方法並びにその板材を用いた部品 |
JP7145847B2 (ja) * | 2017-04-26 | 2022-10-03 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金板材およびその製造方法 |
JP6780187B2 (ja) | 2018-03-30 | 2020-11-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバー |
EP3778941A4 (en) * | 2018-03-30 | 2021-11-24 | Mitsubishi Materials Corporation | COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC / ELECTRIC DEVICE, SHEET / STRIP MATERIAL COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC / ELECTRIC DEVICE, ELECTRONIC / ELECTRIC DEVICE COMPONENT, TERMINAL AND OMNIBUS BAR |
-
2014
- 2014-08-27 JP JP2014173131A patent/JP5776832B1/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016047945A (ja) | 2016-04-07 |
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