JP5776586B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
前記黒鉛ルツボに前記石英ルツボを内挿する前に、前記黒鉛ルツボの分割面の隙間を覆うように前記分割面に沿って、帯状の保護シートを配置する工程と、前記シリコン単結晶の成長終了後、前記黒鉛ルツボから前記石英ルツボと共に前記保護シートを取り除く工程とを有し、
2バッチ目以降の前記保護シートを配置する工程において、前バッチのシリコン単結晶成長の際の前記保護シートの端部の位置とは異なる位置に、端部の位置がなるようにずらして前記保護シートを配置することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法を提供する。
保護シートを配置する工程において、保護シートの中心線が分割面に沿うように配置した中央位置、該中央位置に対し保護シートの中心線が分割片A側に20mm以上、40mm以下の範囲でずれたA側位置、及び中央位置に対し保護シートの中心線が分割片B側に20mm以上、40mm以下の範囲でずれたB側位置の3つの位置に順に、バッチ毎に保護シートを配置することが好ましい。
保護シートを配置する工程において、幅の違う2種類の保護シートを交互に、または3種類以上の保護シートを順番に使用することも好ましい。
内径26インチ(約66cm)の2分割の黒鉛ルツボにおいて、分割面全体を覆う長さを有し、かつ幅100mm、厚さ0.4mmの帯状の膨張黒鉛製保護シートを、各バッチで使用してシリコン単結晶を製造した。その際、2分割の黒鉛ルツボの分割片を分割片A、及び分割片Bとして、保護シートの配置位置が、保護シート中央が分割面に沿う中央位置、中央位置に対し、分割片A側に25mm±5mmずらしたA側位置、及び分割片B側に25mm±5mmずらしたB側位置の3通りの位置をバッチ毎に順に繰り返して使用した。
内径26インチ(約66cm)の2分割の黒鉛ルツボにおいて、分割面全体を覆う長さを有し、かつ幅80mmと幅120mmの2種類、厚さ0.4mmの帯状の膨張黒鉛製保護シートを各バッチで使用してシリコン単結晶を製造した。その際、バッチ毎に、保護シートの中央が同じ位置で保護シートを配置し、保護シートの端部が前バッチの端部位置とは異なるようにした。
内径26インチ(約66cm)の2分割の黒鉛ルツボにおいて、分割面全体を覆う長さを有し、かつ幅100mm、厚さ0.4mmの帯状の膨張黒鉛製保護シートを、バッチ毎に使用してシリコン単結晶を製造した。この際、2分割の黒鉛ルツボの分割片を分割片A、及び分割片Bとして、保護シートの配置位置が、保護シート中央が分割面に沿う中央位置、中央位置に対し、分割片A側に10mm±5mmずらしたA側位置、及び分割片B側に10mm±5mmずらしたB側位置の3通りの位置を順に繰り返して使用した。
内径26インチ(約66cm)の2分割の黒鉛ルツボにおいて、分割面全体を覆う長さを有し、かつ幅100mmの帯状の膨張黒鉛製の保護シートを、保護シートの中央が分割面に沿う中央位置とし、毎バッチ、保護シートの端部が前バッチの端部位置と同じ位置となるように使用した。保護シートの厚みは、0.4mmとした(特許文献2)。図6に帯状の保護シートを同じ位置に使用し、保護シートの端部で減耗による窪みが黒鉛ルツボ1に生じた状態を示す。斜線部はSiC化したSiC層5である。
Claims (5)
- 分割式の黒鉛ルツボに石英ルツボを内挿し、該石英ルツボ内に多結晶シリコンを充填し、ヒーターで前記多結晶シリコンを加熱溶融して、シリコン融液とし、該シリコン融液に種結晶を浸漬し、該種結晶を上方に引上げてシリコン単結晶を成長させ、該シリコン単結晶の成長終了後、前記黒鉛ルツボから前記石英ルツボを取り除くことをバッチ式に繰返し行うシリコン単結晶の製造方法であって、
前記黒鉛ルツボに前記石英ルツボを内挿する前に、前記黒鉛ルツボの分割面の隙間を覆うように前記分割面に沿って、帯状の保護シートを配置する工程と、前記シリコン単結晶の成長終了後、前記黒鉛ルツボから前記石英ルツボと共に前記保護シートを取り除く工程とを有し、
2バッチ目以降の前記保護シートを配置する工程において、前バッチのシリコン単結晶成長の際の前記保護シートの端部の位置とは異なる位置に、端部の位置がなるようにずらして前記保護シートを配置し、
前記保護シートとして、前記黒鉛ルツボの内径の10%以上、25%以下の幅を有する保護シートを用い、
前記保護シートを配置する工程において、幅の違う2種類の前記保護シートを交互に、または3種類以上の前記保護シートを順番に使用することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記2バッチ目以降の前記保護シートを配置する工程において、前バッチのシリコン単結晶成長の際の前記保護シートの端部の位置より幅方向に20mm以上40mm以下の範囲で端部の位置をずらして前記保護シートを配置することを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記保護シートを配置する工程において、前記分割面から20mm以上100mm以下の範囲が前記保護シートによってカバーされるように前記保護シートを配置することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記保護シートを配置する工程において、前記シリコン単結晶成長の際に前記黒鉛ルツボ内表面の前記保護シートの端部近傍に生じる窪みの深さが、2mmを超えないように、前記端部の位置をずらして前記保護シートを配置することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶成長の際に前記黒鉛ルツボ内表面の前記保護シートの端部近傍に生じる窪みの深さが2mmを超えたときに、前記黒鉛ルツボを廃棄することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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