JP5767467B2 - 最適化されたチャンネル領域を有するmosトランジスタを具備する半導体素子 - Google Patents
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Description
一般的に、CMOS集積回路は様々なチャンネル幅を有するMOSトランジスタを含むことができる。例えば、NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタはフォトリソグラフィ工程の解像限界度と係わる最小大きさと同一の狭いチャンネル幅を有することができる。
一方、CMOS集積回路の動作特性を改善させるためにはNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの電流駆動力(current drivability)を向上しなければならない。電流駆動力はMOSトランジスタのスレッショルド電圧を低めることによって改善することができる。最近、NMOSトランジスタのスレッショルド電圧を低めるために、ゲート電極とチャンネル領域との間にランタンを含有する物質膜を形成する技術が使われている。それにもかかわらず、ランタンを含有する物質膜を狭いチャンネル幅を有するNMOSトランジスタに適用する場合に、狭いチャンネルのNMOSトランジスタは広いチャンネルのNMOSトランジスタに比較して高いスレッショルド電圧を示す。したがって、これら狭いチャンネルのNMOSトランジスタを含む半導体素子の電気的特性を改善させるのに限界があり得る。
請求項2に記載の発明によると、半導体基板は(100)面の主表面を有することができる。
第2活性領域は第1活性領域に隣接し、素子分離膜によって区画され、第2半導体パターンは第2活性領域上に順に積層された下部半導体パターン及び上部半導体パターンを有することができる。下部半導体パターン及び上部半導体パターンは互いに異なるバンドギャップエネルギーを有することができる。また、第2ゲートパターンは上部半導体パターンの上部を横切るように配置することができる。
また、ゲートパターンは順に積層されたゲート絶縁膜及びゲート電極を含むことができる。
また、ゲート絶縁膜はランタンを含有する物質膜でありうる。
本発明の半導体素子は、傾斜エッジ面は(110)面を含むことができる。
また、第1及び第2半導体パターンを形成するとき、第1活性領域及び第2活性領域上にそれぞれ選択的に第1シリコンパターン及び第2シリコンパターンを形成し、第1シリコンパターンを覆うマスクパターンを形成し、第2活性領域上に選択的にシリコンゲルマニウムパターンを形成し、マスクパターンを除去することを含むことができる。
また、第1及び第2半導体パターンを形成するとき、第1活性領域を覆うマスクパターンを形成し、第2活性領域上に選択的にシリコンゲルマニウムパターンを形成し、マスクパターンを除去し、第1活性領域及びシリコンゲルマニウムパターン上にそれぞれ第1シリコンパターン及び第2シリコンパターンを形成することを含むことができる。
本発明により、(100)面と異なる面方位を有する傾斜エッジ面を含む活性領域上に(100)面の平坦な上面を具備する半導体パターンが配置され、半導体パターン上にゲートパターンが配置される。その結果、ゲートパターンは傾斜エッジ面との直接的な接触なしに半導体パターンの(100)面の平坦な上面と直接接触する。したがって、傾斜エッジ面に起因するスレッショルド電圧の不安定性を解決することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体素子の一部分を示す平面図である。図2Aは、本発明の一実施形態に係る半導体素子を説明するために図1のI−I’に沿って切断した断面図である。
図1及び図2Aを参照すると、第1領域A及び第2領域Bを有する半導体基板1が提供される。半導体基板1は(100)面の主表面を有する単結晶シリコン基板でありうる。第1領域AはNMOSトランジスタ領域であり、第2領域BはPMOSトランジスタ領域でありうる。半導体基板1の所定領域に素子分離膜14が配置され、素子分離膜14は第1領域A及び第2領域B内にそれぞれ第1活性領域9a及び第2活性領域9bを区画する。第1活性領域9a及び第2活性領域9bはそれぞれ第1幅Wn及び第2幅Wpを有するように区画することができる。
図2Aに示さないが、第1領域Aの半導体基板1内に第1ウェルを提供することができ、第2領域Bの半導体基板1内に第2ウェルを提供することができる。第1ウェル及び第2ウェルはそれぞれP型ウェル及びN型ウェルでありうる。
傾斜エッジ面9eは正の傾いたプロファイル(positivesloped profile)を有することができる。すなわち、中心上面9tと傾斜エッジ面9eとの接触部の位置は傾斜エッジ面9eと素子分離膜14との接触部の位置より高くすることができる。傾斜エッジ面9eは(110)面を含むことができる。
図2Aに示したように傾斜エッジ面9eは、平面形状を有することができる。これとは異なり、傾斜エッジ面9eは曲面形状を有することもできる。
上部半導体パターン19は下部半導体パターン15bと異なるバンドギャップエネルギーを有する物質膜でありうる。上部半導体パターン19は下部半導体パターン15bより小さいバンドギャップエネルギーを有する物質膜でありうる。
例えば、下部半導体パターン15bが単結晶シリコンパターンの場合、上部半導体パターン19は単結晶シリコンゲルマニウムパターンでありうる。
他の実施形態において、素子分離膜14の上面の位置は第1活性領域9aおよび第2活性領域9bの中心上面9tの位置より低くすることができる。この場合にも、第1半導体パターン15a及び下部半導体パターン15bは第1活性領域9a及び第2活性領域9bの中心上面9tに平行な(100)面の平坦な上面15tと、平坦な上面15tに実質的に垂直な側壁15sとを有することができる。すなわち、素子分離膜14の上面の位置が第1活性領域9aおよび第2活性領域9bの中心上面9tの位置より低くしても、第1半導体パターン15a及び下部半導体パターン15bは(110)面を有する傾いた表面を含まないことができる。
第1ゲートパターン26aは順に積層された第1ゲート絶縁膜24a及び第1ゲート電極25aを含むことができ、第2ゲートパターン26bも順に積層された第2ゲート絶縁膜24b及び第2ゲート電極25bを含むことができる。第1ゲート絶縁膜24aは順に積層された第1高誘電膜21a及び第1キャッピング膜23aを含むことができる。第2ゲート絶縁膜24bは第1ゲート絶縁膜24aと同一の物質膜である第2高誘電膜21b及び第2キャッピング膜23bを含むことができる。他の実施形態において、第1キャッピング膜23a及び第2キャッピング膜23bは第1高誘電膜21a及び第2高誘電膜21bの下部に配置することもできる。第1キャッピング膜23a及び第2キャッピング膜23bはランタンを含有する物質膜でありうる。例えば、第1キャッピング膜23a及び第2キャッピング膜23bはランタン酸化膜でありうる。
これと同様に、第2ゲート電極25bの両側に位置した第2活性領域9b内にP型ソース領域SP及びP型ドレイン領域DPが提供される。したがって、第2ゲート電極25b及びP型ソース/ドレイン領域SP、DPはPMOSトランジスタを構成する。第2幅WpはPMOSトランジスタのチャンネル幅に相応する。
図2Bは、本発明の第2実施形態に係る半導体素子を説明するために図1のI−I’に沿って切断した断面図である。第2実施形態は半導体パターンの位置において図2Aの第1実施形態と異なる。したがって、説明の便宜のために、図2Aの第1実施形態に示したものと同一の構成要素に対する詳細な説明は省略する。
第1半導体パターン55aも図2Aに示す第1実施形態の第1半導体パターン15aと同一の形態を有することができる。すなわち、第1半導体パターン55aは図2Bに示したように、第1活性領域9aの中心上面9tに平行な(100)面の平坦な上面55tと、平坦な上面55tに実質的に垂直な側壁55sとを具備することができる。すなわち、第1半導体パターン55aの側壁55sも(100)面を有することができる。結果的に、第1半導体パターン55aの上面55t及び側壁55sは第1活性領域9aとは異なり、傾いた表面を含まない。
一方、第2実施形態に係るPMOSトランジスタのチャンネル領域は順に積層されたシリコンゲルマニウムパターン及びシリコンパターンを含むことができる。たとえシリコンゲルマニウムパターンがシリコンパターンの下部に位置しても、シリコンゲルマニウムパターンもPMOSトランジスタのスレッショルド電圧を低めるのに寄与することができる。
一方、PMOSトランジスタのスレッショルド電圧は上部半導体パターン19、すなわちシリコンゲルマニウムパターンによって減少することができる。これは上述のようにシリコンゲルマニウムがシリコンに比べて小さいバンドギャップエネルギーを有するからである。
上述のように、上部半導体パターン55bはシリコン膜で形成することができ、下部半導体パターン53はシリコンより小さいバンドギャップエネルギーを有するシリコンゲルマニウム膜で形成することができる。したがって、下部半導体パターン53も第2領域Bに形成されるPMOSトランジスタのスレッショルド電圧を減少させるのに寄与することができる。
9a ・・・第1活性領域、
9b ・・・第2活性領域、
9t ・・・中心上面、
9e ・・・傾斜エッジ面、
14 ・・・素子分離膜、
15t ・・・平坦な上面、
15s ・・・側壁、
15a ・・・第1半導体パターン(半導体パターン)、
15b ・・・第2半導体パターン(半導体パターン)、
24a ・・・第1ゲート絶縁膜(ゲート絶縁膜)、
24b ・・・第2ゲート絶縁膜(ゲート絶縁膜)、
25a ・・・第1ゲート電極(ゲート電極)、
25b ・・・第2ゲート電極(ゲート電極)、
26a ・・・第1ゲートパターン(ゲートパターン)、
26b ・・・第2ゲートパターン(ゲートパターン)、
Claims (10)
- 半導体基板の所定領域に形成される素子分離膜と、
(100)面の中心上面、前記中心上面から前記素子分離膜に向かって延びる傾斜エッジ面、及び、前記傾斜エッジ面から前記半導体基板に向かって延びる第一側壁を有し、前記素子分離膜に区画される活性領域と、
前記活性領域の前記中心上面及び前記傾斜エッジ面を覆うよう設けられ、前記中心上面に平行な(100)面の平坦な上面、及び、前記上面に垂直な第二側壁を有する半導体パターンと、
前記半導体パターンの上部を通り前記第二側壁に交差する方向に延びるゲートパターンと、
を備え、
前記第一側壁と前記第二側壁とは同一平面上に位置することを特徴とする半導体素子。 - 前記半導体基板は(100)面の主表面を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記中心上面と前記傾斜エッジ面との接触部の位置は、前記傾斜エッジ面と前記素子分離膜との接触部の位置より高いことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記傾斜エッジ面は(110)面を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記傾斜エッジ面は曲面形状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第二側壁は(100)面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記ゲートパターンは順に積層されたゲート絶縁膜及びゲート電極を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記ゲート絶縁膜はランタンを含有する物質膜であることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子。
- 前記活性領域、前記ゲートパターン及び前記半導体パターンはそれぞれ第1活性領域、第1ゲートパターン及び第1半導体パターンであり、
前記第1活性領域に隣接し、前記素子分離膜によって区画される第2活性領域と、
前記第2活性領域上に順に積層された下部半導体パターン及び上部半導体パターンを有する第2半導体パターンと、
前記下部半導体パターンと前記上部半導体パターンとは互いに異なるバンドギャップエネルギーを有し、前記上部半導体パターンの上部を通り前記第二側壁に交差する方向に延びる第2ゲートパターンと、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。 - 前記下部半導体パターン及び前記上部半導体パターンのうちのいずれか1つは前記第1半導体パターンと同一のシリコンパターンであり、他の1つはシリコンゲルマニウムパターンであることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。
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