JP5766184B2 - X線管の中で使用されるグラファイト後方散乱電子シールド - Google Patents
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Description
本願は、優先権主張のために2009年6月3日に出願された米国特許仮出願第61/183,591号を基礎とする。
Claims (16)
- 電子ビームと対向する面を有するリニアマルチプルターゲットX線アノードと、前記面を包囲するように構成されたシールドとを有し、
前記シールドは、複数の開口を有し、
前記シールドは、前記アノードの面と対向する内面を有し、
前記シールドの内面及び前記アノードの面は、間隙によって分離されて、前記開口を通過する電子の後方散乱を最小にし、
前記シールドは、X線フォトンの通過を許容しながらも電子を吸収する材料からなり、後方散乱の電子をブロックして吸収すると共に、X線の透過を許容するように構成されていることを特徴とする遮蔽アノード。 - 前記間隙は、1mmから10mmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
- 前記間隙は、1mmから2mmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
- 前記間隙は、5mmから10mmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
- 前記シールドはグラファイトからなることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
- 前記シールドは、前記アノードに対し着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
- 前記シールドは、X線フォトンに対し少なくとも95%の透過を呈する材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
- 前記シールドは、X線フォトンに対し少なくとも98%の透過を呈する材料を含む請求項1に記載の遮蔽アノード。
- 長手方向の長さと、電子ビームと対向する面とを有するリニアマルチプルターゲットX線アノードと、前記面を包囲するように構成されたシールドとを有し、
前記シールドは、複数の開口を有し、
前記シールドは、前記アノードの面に対向する内面を有し、
前記シールドの内面及び前記アノードの面は、距離を介して分離されて、前記開口を通過する電子の後方散乱を最小にし、
前記距離は、前記長手方向の長さと直交する前記アノードの長さにそって変化し、
前記シールドは、X線フォトンの通過を許容しながらも電子を吸収する材料からなり、後方散乱の電子をブロックして吸収すると共に、X線の透過を許容するように構成されていることを特徴とする遮蔽アノード。 - 前記距離は、1mmから10mmの範囲内であることを特徴とする請求項9に記載の遮蔽アノード。
- 前記距離は、1mmから2mmの範囲内であることを特徴とする請求項9に記載の遮蔽アノード。
- 前記距離は、5mmから10mmの範囲内であることを特徴とする請求項9に記載の遮蔽アノード。
- 前記シールドはグラファイトからなることを特徴とする請求項9に記載の遮蔽アノード。
- 前記シールドは、前記アノードに対し着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項9に記載の遮蔽アノード。
- 前記シールドは、X線フォトンに対し少なくとも95%の透過を呈する材料を含むことを特徴とする請求項9に記載の遮蔽アノード。
- 前記シールドは、X線フォトンに対し少なくとも98%の透過を呈する材料を含む請求項9に記載の遮蔽アノード。
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