JP2012529151A - X線管の中で使用されるグラファイト後方散乱電子シールド - Google Patents

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Abstract

【解決手段】 本発明は、電子ビームに対向する面を備えたアノードと、アノード面を包囲するように構成されたシールドと、からなる遮蔽アノードである。シールドは、少なくとも1つの開口と、アノードの面と対向する内面とを有する。シールドの内面及びアノードの面は、1mmから10mmの範囲の間隙によって分離されている。本発明のシールドは、X線フォトンに対して実質的に透過性を呈するグラファイトなどの材料から組み立てられている。

Description

[関連出願の記載]
本願は、優先権主張のために2009年6月3日に出願された米国特許仮出願第61/183,591号を基礎とする。
本願は、2009年6月16日に出願された米国特許出願第.12/485,897号の一部継続出願でもある。これは、2005年10月25日に出願された米国特許出願第10/554,656号の継続出願であり、現在米国特許第7,564,939号であり。これは、2004年4月23日に出願されたPCT/GB04/01729の371条による国内移行出願であり、これは、優先権主張のために、2003年4月25日に出願された英国出願第0309387.9を基礎とする。
本願は、2009年2月16日に出願された米国特許出願第12/371,853号の一部継続出願でもある。これは、2005年10月25日に出願された米国特許出願第10/554,975の継続出願であり、現在米国特許第7,512,215号として発行され、これは、2004年4月23日に出願されたPCT/GB2004/01741の371条による国内移行出願であり、これは、優先権のために、2003年4月25日に出願された英国出願第0309383.8号を基礎とする。
本願は、2010年1月3日に出願された米国特許出願第12/651,479号の一部継続出願でもある。これは、2005年10月25日に出願された米国特許出願第10/554,654号の継続出願であり、現在米国特許第7,664,230号として発行されている。これは、2004年4月23日に出願されたPCT/GB2004/001731の371条による国内移行出願であり、これは、優先権主張のために、2003年4月25日に出願された英国特許出願第0309371.3号を基礎とする。
本願は、2009年2月2日に出願された米国特許出願第12/364,067号の一部継続出願でもある。これは、2008年2月19日に出願された米国特許出願第12/033,035号の継続出願であり、現在米国特許第7,505,563号として発行されている。これは、2005年10月25日に出願された米国特許出願第10/554,569号の継続出願であり、現在米国特許第7,349,525号として発行され、これは、2004年4月23日に出願されたPCT/GB04/001732の371条による国内移行出願であり、これは、優先権主張のために、2003年4月25日に出願された英国特許出願第0309374.7号を基礎とする。
本発明は、2010年4月12日に出願された米国特許出願第12/758,764号の一部継続出願であり、これは、2008年9月16日に出願された米国特許出願第12/211,219号の継続出願であり、現在,米国特許第7,724,868号として発行されている。これは、2005年10月25日に出願された米国特許第10/554,655号の一部継続出願であり、現在米国特許第7,440,543号として発行され、これは、2004年4月23日に出願されたPCT/GB2004/001751の371条による国内移行出願であり、優先権主張のために、2003年4月25日に出願された英国特許出願第0309385.3号を基礎とする。
本願は、2010年1月29日に出願された米国特許出願第12/697,073の一部継続出願でもあり、これは、2005年10月25日に出願された米国特許出願第10/554,570号の継続出願であり、現在米国特許第7,684,538号として発行され、これは、2004年4月23日に出願されたPCT/GB2004/001747の371条による国内移行出願であり、これは、優先権主張のために、2003年4月25日に出願された英国特許出願第0309379.6号を基礎とする。
本願は、2008年6月13日に出願された米国特許出願第12/097,422号及び2008年6月19日に出願された米国特許出願第12/142,005号の一部継続出願でもあり、いずれも、2006年12月15日に出願されたPCT/GB2006/004684の371条による国内移行出願であり、優先権主張のために、2005年12月16日に出願された英国特許出願第0525593.0号を基礎とする。
本願は、2009年6月4日に出願された米国特許出願第12/478,757号の一部継続出願であり、これは、2009年2月2日に出願された米国特許出願第12/364,067号の継続出願であり、これは、2008年2月19日に出願された米国特許出願第12/033,035号の継続出願であり、現在米国特許第7,505,563号として発行され、これは、2005年10月25日に出願された米国特許出願第10/554,569号の継続出願であり,現在米国特許第7,349,525号として発行され、これは、2004年4月23日に出願されたPCT/GB04/001732の371条による国内移行出願であり、優先権主張のために、2003年4月25日に出願された英国特許出願第0309374.7号を基礎とする。さらに、米国特許出願は、優先権主張のために、2008年7月15日に出願された英国特許出願第0812864.7号を基礎とする。
本願は、2010年2月25日に出願された米国特許出願第12/712,476号の一部継続出願であり、2009年2月26日に出願された米国仮特許出願第61/155,572号を基礎とし、優先権主張のために、2009年2月25日に出願された英国特許出願第0903198.0号を基礎とする。
上記PCT、外国及び米国出願、並びにこれらに関係する出願は、本願発明に関連出願として全体が取り込まれている。
本発明は、X線管の分野に関する。特に、本発明は、X線管において使用される後方散乱電子シールドであってグラファイトから作成されるシールドに関する。
X線管において、電子は、印加電圧によってカソードから加速され、その後アノードに衝突する。衝突の間、電子はアノードと相互に作用し、衝突したところにX線を発生する。X線の発生に加え、電子は、アノードからX線管内の真空へと後方散乱される。入射電子の50%までは、後方散乱される。この後方散乱の結果によって、電荷が、管内の面に帯電することになり、電荷が消失しなければ、高電圧の不安定性と潜在的な管の故障につながる。
このように、必要なことは、電子がアノードに留まってX線管内の真空へと入ることを防止する装置及び方法である。必要なことは、アノード領域に留まる後方散乱電子の量を減らして、入射電子のアノードへのフリーアクセスを許容し且つその結果であるX線束に衝突しない装置及び方法である。
一実施例において、本発明は、電子ビームと対向する面を有するアノードと、前記面を包囲するように構成されたシールドとを有するシールドされたアノードを対象とする。前記シールドは、少なくとも1つの開口を有し、前記シールドは、前記アノードの面と対向する内面を有し、前記シールドの内面及びアノードの面は、間隙によって分離されている。間隙は、1mmから10mm、1mmから2mm、又は5mmから10mmの範囲である。シールドはグラファイトからなる。シールドは、前記アノードに対して着脱自在に取り付けられている。シールドは、X線フォトンの少なくとも95%の透過率を有する材料からなる。シールドは、X線フォトンの少なくとも98%の透過率を有する材料からなる。シールドは、後方散乱された電子をブロックし且つ吸収する材料からなる。シールドされたアノードは、さらに、複数の開口を有する。
他の実施例において、本発明は、電子ビームと対向する面及び長さを有するアノードと、前記面を包囲するように構成されたシールドとを有するシールドされたアノードを対象とする。前記シールドは、少なくとも1つの開口を有し、前記シールドは、前記アノードの面と対向する内面を有し、前記シールドの内面及びアノードの面は、距離を隔てて分離されている。距離は、アノードの長さに沿って変化する。間隙は、1mmから10mm、1mmから2mm、又は5mmから10mmの範囲である。シールドはグラファイトからなる。シールドは、前記アノードに対して着脱自在に取り付けられている。シールドは、X線フォトンの少なくとも95%の透過率を有する材料からなる。シールドは、X線フォトンの少なくとも98%の透過率を有する材料からなる。シールドは、後方散乱された電子をブロックし且つ吸収する材料からなる。シールドされたアノードは、さらに、複数の開口を有する。
線形多重ターゲットX線管に対しフィットする電子後方散乱シールドを示す。 本発明による後方散乱電子シールドの動作を示す図である。
本発明は、X線管の内部で発生した電子が、アノードに留まりX線管内の真空へと侵入することを防止する装置及び方法である。
本発明は、アノード領域に残る後方散乱された電子の量を減らす装置及び方法に関する。このアノード領域は、a)入射電子のアノードへのフリーアクセスを許容し、b)結果であるX線束に衝突しない。
一実施例において、本発明は、アノードへの入射電子のフリーアクセスを許容しながらも、アノードに取り付けることが可能であるシールドを目的とする。当該シールドは、X線フォトンの通過を許容しながらも後方散乱された電子を吸収し又は跳ね返す適宜の材料からなる。
一実施例において、本発明は、入射電子のアノードへのフリーアクセスを許容しながらもアノードに取り付け可能なパイロリティックグラファイトを目的とする。
このように、一実施例において、本発明は、結果として生じるX線束に対してほとんど衝突せず、アノード領域に残る後方散乱電子量の減少に対して相当な硬化を有するアノードシールドを目的とする。
一実施例において、グラファイトシールドは、アノードに対して固定的に取り付けられる。他の実施例において、グラファイトシールドは、アノードに対して着脱自在に取り付けられている。一実施例において、パイロリティックグラファイトシールドは、リニアアノードに取り付けられている。リニアアノードは、多数の電子源と関係して動作して、走査X線源を生成する。他の実施例において、パイロリティックグラファイトシールドは、リニアアノードに取り付けられて、リニアアノードは、単一のX線源と関係して動作する。
本発明は、複数の実施例に適用される。以下の開示は、当業者には本発明を実施可能とするように提供されている。本明細書にて使用される言語は、特定の実施例を一般的に否定するものとして解釈すべきではなく、本明細書において使用されている技術用語の意味を超えてクレームを限定するために使用すべきではない。本明細書にて定義される一般的な原理は、本発明の権利範囲を逸脱せずに、他の実施例や適用例に対して適用される。このように、本発明は、開示された原理及び特徴と一致する多数の変形例、変更例及び等価な例を包囲する最も広い権利範囲によるものである。明確化のために、本発明に関する技術分野において周知の技術的な材料に関する詳細は、本発明を不必要に不明瞭としないために、詳細には記載しない。
図1は、リニアマルチプルターゲットX線アノードにフィットする電子後方散乱シールドを示す。図1を参照すると、グラファイトシールド105は、リニアマルチプルターゲットX線アノード110を包むように嵌合されている。一実施例において、グラファイトシールドは、アノードに固着されている。他の実施例において、グラファイトシールドは、アノードに対し着脱自在に取り付けられている。
一実施例において、グラファイトシールド105は、リニアマルチプルターゲットX線アノード110の長手方向の長さ106に亘って嵌合するように構成され、好ましくは、前面120によって切断され且つ画定された複数の開口115を有し、入射電子ビームの自由な影響を許容している。X線は、リニアマルチプルターゲットX線アノード110への入射電子の影響によって発生され、本質的に妨げられていないグラファイトシールド105を通過する。後方散乱された電子は、グラファイトシールド105を通過できず、故に、シールドによって収集され、一実施例において、シールドは、リニアマルチプルターゲットX線アノード110の本体に電気的に接続されている。
一実施例において、リニアマルチプルターゲットX線アノード110は、面111を有し、面111は、故に、電子ビームに直接的に露出される。一実施例において、グラファイトシールド105は、面111に対向する内面112を有する。一実施例において、内面112及び面111は、間隙125によって分離されている。リニアマルチプルターゲットX線アノード110の面111とグラファイトシールド105の内面112との間の間隙125は、1mmから10mmの範囲内である。一実施例において、リニアマルチプルターゲットX線アノード110の面111とグラファイトシールド105の内面112との間の間隙125は、1mmから2mmの範囲内である。一実施例において、リニアマルチプルターゲットX線アノード110の面111とグラファイトシールド105の内面112との間の間隙125は、5mmから10mmの範囲内である。
図2は、別の角度から見た、アノードの面111とシールドの内面112との間の間隙125である。図2に示すように、内部のシールド面とアノード面との間の距離は、アノードの面の長手に沿って変化することを理解すべきである。
図1を再び参照すると、一実施例において、グラファイトシールド105における(入射電子又は後方散乱電子のいずれかによる)X線の発生は、グラファイトの低い原子数(Z=6)によって小さくされる。少なくとも1つの開口115に向けて直接後方散乱される電子は、シールドから出ることができる。一実施例において、電子の放出は、シールドがアノードの面から離れて立っており、故に、開口がX線の焦点で画定する立体角を減らすことによって、低減される。
図2は、後方散乱電子シールドの機能を示す図である。アノード210は、電子シールド205によってカバーされている。電子シールド205は、入射電子225の通過を妨げない(故にX線を生じる)。電子シールド205によってX線のフォトンのシールド材料を通過する透過が可能となるが、電子シールド205は、後方散乱された電子240は遮断して吸収し、故に、後方散乱された電子のX線管の真空への入り込みが防止される。
一実施例において、電子シールド205は、グラファイトから形成されている。グラファイトは、後方散乱電子を止める点で有効であるが、グラファイト中でX線を生成することもなく(さもなければ、グラファイトは焦点、最終的には画像を不鮮明にする)、アノードの正しい部分(焦点)から生じるX線を減衰させることもない。160kVのエネルギを備えた電子は、グラファイトの中の0.25mmの範囲であり、故に、シールドの1mmの厚みは、グラファイトを通過する適宜の電子を回避する。しかしながら、一実施例において、160kVのエネルギを有するX線フォトンに対するX線フォトンの透過率は、90%よりも大きい。他の実施例において、160kVのエネルギを有するX線フォトンの透過率は、好ましくは95%よりも大きい。他の実施例において、160kVのエネルギを有するX線フォトンの透過率は、好ましくは少なくとも98%である。
グラファイトは、導電性を呈し、故に、電荷は、アノード210に対して消散する。また、グラファイトは耐熱性を呈し、操作や処理のいずれかの間に到達する可能性がある適宜の温度に耐えることができる。一実施例において、シールドは、所望のサイズにレーザにより切断された開口及び型の上に成長させることができる。
他の実施例において、導電性を呈し且つ製造温度に耐えうる適宜の材料を、使用することができ、当該材料は、ステンレス鋼、銅、又はチタンなどの金属材料を含むが、これらに限定されない。材料選択に対する検討は、コストや製産性も含むことに留意すべきであり、これを当業者は理解すると考える。
本発明の一実施例として現時点で考えられるものを図示し且つ記載したが、当業者においては、本発明の権利範囲から逸脱せずに様々な変形例や変更例があり、また、いくつかの構成要素を置換可能とする等価な例があることを理解すべきである。さらに、本発明の中心となる権利範囲から逸脱せずに、多くの変更例が、本発明の教示に対して、特定の状況や材料を採用することができる。故に、本発明は、本発明を実施するために検討された最良のモードで開示された特定に実施例に限定されず、本発明は、添付の請求項の権利範囲内に含まれるすべての実施例を含むことを意図する。

Claims (20)

  1. 電子ビームと対向する面を有するアノードと、前記面を包囲するように構成されたシールドとを有し、
    前記シールドは、少なくとも1つの開口を有し、
    前記シールドは、前記アノードの面と対向する内面を有し、
    前記シールドの内面及び前記アノードの面は、間隙によって分離されていることを特徴とする遮蔽アノード。
  2. 前記間隙は、1mmから10mmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
  3. 前記間隙は、1mmから2mmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
  4. 前記間隙は、5mmから10mmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
  5. 前記シールドはグラファイトからなることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
  6. 前記シールドは、前記アノードに対し着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
  7. 前記シールドは、X線フォトンに対し少なくとも95%の透過を呈する材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
  8. 前記シールドは、X線フォトンに対し少なくとも98%の透過を呈する材料を含む請求項1に記載の遮蔽アノード。
  9. 前記シールドは、後方散乱の電子をブロックし且つ吸収する材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
  10. 複数の開口をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の遮蔽アノード。
  11. 長さと、電子ビームと対向する面とを有するアノードと、前記面を包囲するように構成されたシールドとを有し、
    前記シールドは少なくとも1つの開口を有し、
    前記シールドは、前記アノードの面に対向する内面を有し、
    前記シールドの内面及び前記アノードの開口は、拒理を介して分離査、前記拒理は、前記アノードの長さにそって変化することを特徴とする遮蔽アノード。
  12. 前記間隙は、1mmから10mmの範囲内であることを特徴とする請求項11に記載の遮蔽アノード。
  13. 前記間隙は、1mmから2mmの範囲内であることを特徴とする請求項11に記載の遮蔽アノード。
  14. 前記間隙は、5mmから10mmの範囲内であることを特徴とする請求項11に記載の遮蔽アノード。
  15. 前記シールドはグラファイトからなることを特徴とする請求項11に記載の遮蔽アノード。
  16. 前記シールドは、前記アノードに対し着脱可能に取り付けられていることを特徴とする請求項11に記載の遮蔽アノード。
  17. 前記シールドは、X線フォトンに対し少なくとも95%の透過を呈する材料を含むことを特徴とする請求項11に記載の遮蔽アノード。
  18. 前記シールドは、X線フォトンに対し少なくとも98%の透過を呈する材料を含む請求項11に記載の遮蔽アノード。
  19. 前記シールドは、後方散乱の電子をブロックし且つ吸収する材料を含むことを特徴とする請求項11に記載の遮蔽アノード。
  20. 複数の開口をさらに有することを特徴とする請求項11に記載の遮蔽アノード。
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