JP5753364B2 - 半導体基板のクリーニング方法および装置 - Google Patents
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Description
本発明は、添付の請求項に開示されたような方法および装置に関する。
・クリーニングされる表面を有する基板を保持するための手段と、
・洗浄液と接触した状態で、泡形成のための核生成(nucleation)部位を有する核生成表面を含む核生成構造と、
・核生成表面が、クリーニングされる前記表面に面するように、前記核生成構造を搭載するための手段と、
・洗浄液を供給し、クリーニングされる表面と核生成表面の間のスペースに充分に充填するための手段と、
・前記液を、前記スペースに存在している状態で、振動音響力に曝すための手段と、を備える。
・前記洗浄液で充填可能なタンクと、
・前記基板および前記核生成構造を前記タンク内に搭載するための手段と、
・前記タンクの底面または側壁に配置され、前記音響力を生成するためのトランスデューサと、を備える。
・クリーニングされる表面を有する単一の基板を保持するための手段と、
・洗浄液を、クリーニングされる表面に供給するための供給手段と、
・核生成表面とクリーニングされる表面との間に液体膜が形成できように、前記核生成構造を搭載するための手段と、
・核生成構造と接触して配置され、前記音響力を生成するためのトランスデューサと、を備える。
・クリーニングされる表面を備えた基板を用意し保持するステップと、
・前記洗浄液と接触した状態での泡形成用の核生成部位を有する核生成表面を備える核生成構造を用意するステップと、
・核生成表面が、クリーニングされる表面に面するように、前記核生成構造を搭載するステップと、
・基板と核生成表面の間のスペースに充分に充填することによって、前記核生成表面およびクリーニングされる前記表面を前記洗浄液と接触させるステップと、
・前記洗浄液を振動音響力に曝して、前記液体中に泡を生じさせ、前記泡は、核生成構造の表面に核生成を生じさせ、前記泡は、クリーニングされる表面に作用する抗力を生じさせるようにしたステップと、を含む。
Claims (11)
- 1つ又はそれ以上の半導体基板(1)をクリーニングする装置であって、
・クリーニングされる表面を有する基板(1)を保持するための手段と、
・洗浄液と接触した状態で、キャビテーション泡形成のための核生成部位を有する核生成表面を含む核生成構造(2)と、
・核生成表面が、クリーニングされる前記表面に面するように、前記核生成構造を搭載するための手段と、
・洗浄液を供給し、クリーニングされる表面と核生成表面の間のスペースに充分に充填するための手段と、
・前記核生成部位から離隔して配置されたトランスデューサ(6)であって、前記洗浄液を、前記スペースに存在している状態で、振動音響力に曝して、核生成部位において過渡的キャビテーションを発生するためのトランスデューサ(6)と、を備え、
前記核生成部位は、非貫通空洞(3)である装置。 - 1つ又はそれ以上の半導体基板(1)をクリーニングする装置であって、
・クリーニングされる表面を有する基板(1)を保持するための手段と、
・洗浄液と接触した状態で、キャビテーション泡形成のための核生成部位を有する核生成表面を含む核生成構造(20)と、
・核生成表面が、クリーニングされる前記表面に面するように、前記核生成構造を搭載するための手段と、
・洗浄液を供給し、クリーニングされる表面と核生成表面の間のスペースに充分に充填するための手段と、
・前記核生成部位から離隔して配置されたトランスデューサ(6)であって、前記洗浄液を、前記スペースに存在している状態で、振動音響力に曝して、核生成部位において過渡的キャビテーションを発生するためのトランスデューサ(6)と、を備え、
前記核生成部位は、多孔性膜(20)の開口(22)である装置。 - 該装置を特定の洗浄液との組合せで使用した場合、少なくとも核生成部位は、前記洗浄液と接触した状態で、クリーニングされる表面より大きな接触角を示すようにした請求項1または2記載の装置。
- 前記核生成部位は、電極(10)を備え、前記電極は、前記空洞(3)の底部を形成したり、あるいは前記空洞の底部と電気接続されており、
該装置は、前記電極とクリーニングされる表面との間に電位差を供給するように、電圧源(11)または該装置を電圧源と接続する手段をさらに備え、前記スペースは前記液で充填されている請求項1記載の装置。 - ・前記洗浄液(5)で充填可能なタンク(4)と、
・前記基板(1)および前記核生成構造(2)を前記タンク(4)内に搭載するための手段と、を備え、
前記トランスデューサ(6)は、前記タンク(4)の底面または側壁に配置されている、請求項1または2記載の装置。 - 前記核生成構造(2)は、前記基板(1)に対して静止した状態で構成され、前記基板は前記音響力に曝されるようにした請求項1記載の装置。
- 前記核生成構造(2)を前記基板に対して移動させるための手段(8)をさらに備え、前記液体は前記音響力に曝されるようにした請求項1記載の装置。
- 洗浄液を用いて半導体基板(1)をクリーニングする方法であって、
・クリーニングされる表面を備えた基板(1)を用意し保持するステップと、
・前記洗浄液と接触した状態でのキャビテーション泡形成用の核生成部位を有する核生成表面を備える核生成構造(2,20)を用意するステップと、
・核生成表面が、クリーニングされる表面に面するように、前記核生成構造を搭載するステップと、
・基板と核生成表面の間のスペースに充分に充填することによって、前記核生成表面およびクリーニングされる前記表面を前記洗浄液と接触させるステップと、
・前記核生成部位から離隔して配置されたトランスデューサ(6)を用いて、前記洗浄液を振動音響力に曝して、前記洗浄液中に過渡的キャビテーションによる泡(7)を生じさせ、前記泡は、核生成構造の表面に核生成を生じさせ、前記泡は、クリーニングされる表面に作用する抗力を生じさせるようにしたステップと、を含み、
前記核生成部位は、非貫通空洞(3)または多孔性膜(20)の開口(22)である方法。 - 少なくとも前記核生成部位(3,22)は、前記洗浄液と接触した場合、クリーニングされる表面より大きな接触角を示すようにした請求項8記載の方法。
- クリーニングされる前記基板(1)および前記核生成構造(2,20)は、前記洗浄液(5)で充填されたタンク内に浸漬され、続いて液体を前記音響力に曝すようにした請求項8または9記載の方法。
- 前記トランスデューサ(6)は、トランスデューサ表面に対して垂直な伝搬方向に液体中を伝搬する音響波を生成するものであり、
前記基板および核生成構造は、前記伝搬方向に対してある角度で配置され、前記角度は、クリーニングされる基板を通る音響エネルギーの伝送を最大化するように選択されるようにした請求項10記載の方法。
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