JP5752849B2 - 高められた効率性および出力電力を有するrf電力増幅器 - Google Patents
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Description
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
装置であって、
増幅器を具備し、前記増幅器は、
スタックで結合され、入力信号を受信および増幅して出力信号を提供するように構成された少なくとも3つのトランジスタと、
前記スタック内の少なくとも2つのトランジスタの各々に関して、関連したトランジスタのドレインとソースとの間に結合された少なくとも1つのキャパシタと
を具備する、装置。
[C2]
少なくとも1つのキャパシタは、前記スタック内の最も下のトランジスタを除き、前記スタック内の各トランジスタの前記ドレインと前記ソースとの間に結合されている、C1に記載の装置。
[C3]
前記少なくとも1つのキャパシタは、前記関連したトランジスタの隣に位置付けられている、C1に記載の装置。
[C4]
前記スタック内の前記少なくとも2つのトランジスタの各々に関する前記少なくとも1つのキャパシタは、前記少なくとも2つのトランジスタのゲート−ソース寄生キャパシタからのエネルギを前記出力信号にリサイクルする、C1に記載の装置。
[C5]
前記スタック内の前記少なくとも2つのトランジスタの各々に関する前記少なくとも1つのキャパシタは、寄生金属キャパシタンスを具備する、C1に記載の装置。
[C6]
前記少なくとも3つのトランジスタは、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、および第3のトランジスタを具備し、前記第1のトランジスタは、回路接地に結合されたソースと、前記第2のトランジスタのソースに結合されたドレインとを有し、前記第2のトランジスタは、前記第3のトランジスタのソースに結合されたドレインを有しうる、C1に記載の装置。
[C7]
前記第1のトランジスタは、前記入力信号を受信し、前記第3のトランジスタは、前記出力信号を提供する、C6に記載の装置。
[C8]
前記少なくとも3つのトランジスタは、金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタを具備する、C1に記載の装置。
[C9]
前記増幅器はさらに、前記スタック内の前記少なくとも2つのトランジスタの各々について、関連したトランジスタのゲートに結合された少なくとも1つのバイパスキャパシタを具備する、C1に記載の装置。
[C10]
前記増幅器は、入力無線周波数(RF)信号を受信して、出力RF信号を提供するために電力増幅器を具備する、C1に記載の装置。
[C11]
前記電力増幅器に結合され、前記出力RF信号を送信するためのアンテナをさらに具備する、C10に記載の装置。
[C12]
前記増幅器はさらに、
第2のスタックで結合され、第2の入力信号を受信および増幅して第2の出力信号を提供するように構成された少なくとも3つの第2のトランジスタと、
前記第2のスタック内の少なくとも2つの第2のトランジスタの各々に関して、第2の関連したトランジスタのドレインとソースとの間に結合された少なくとも1つの第2のキャパシタと
を具備する、C1に記載の装置。
[C13]
前記増幅器は、差動増幅器を具備し、前記入力信号および前記第2の入力信号は、差動入力信号を形成し、前記出力信号および前記第2の出力信号は、差動出力信号を形成する、C12に記載の装置。
[C14]
前記スタック内の最も上のトランジスタと、前記第2のスタック内の最も上の第2のトランジスタとに結合され、シングルエンド出力信号を提供するための変換器をさらに具備する、C12に記載の装置。
[C15]
集積回路であって、
増幅器を具備し、前記増幅器は、
スタックで結合され、入力無線周波数(RF)信号を受信および増幅して出力RF信号を提供するように構成された少なくとも3つの金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタと、
前記スタック内の少なくとも2つのMOSトランジスタの各々に関して、関連したMOSトランジスタのドレインとソースとの間に結合された少なくとも1つのキャパシタと
を具備する、集積回路。
[C16]
少なくとも1つのキャパシタは、前記スタック内の最も下のMOSトランジスタを除き、前記スタック内の各MOSトランジスタの前記ドレインと前記ソースとの間に結合される、C15に記載の集積回路。
[C17]
前記少なくとも3つのMOSトランジスタは、N型MOS(NMOS)トランジスタを具備する、C15に記載の集積回路。
[C18]
信号増幅を実行する方法であって、
出力信号を得るために、スタックで結合された少なくとも3つのトランジスタを用いて入力信号を増幅することと、
前記少なくとも2つのトランジスタの各々に関して、関連したトランジスタのドレインとソースとの間に結合された少なくとも1つのキャパシタを用いて、前記スタック内の少なくとも2つのトランジスタをバイパスすることと
を具備する方法。
[C19]
前記バイパスすることは、前記スタック内の最も下のトランジスタを除いて、前記スタック内の前記少なくとも3つのトランジスタの各々を、前記少なくとも1つのキャパシタを用いてバイパスすることを具備する、C18に記載の方法。
[C20]
装置であって、
出力信号を取得するために、入力信号を増幅するための手段と、なお、前記増幅するための手段は、スタックで結合された少なくとも3つのトランジスタを具備する、および
前記スタック内の少なくとも2つのトランジスタをバイパスするための手段と、なお、前記バイパスするための手段は、前記少なくとも2つのトランジスタの各々に関して、関連したトランジスタのドレインとソースとの間に結合された少なくとも1つのキャパシタを具備する、
を具備する装置。
[C21]
前記バイパスするための手段は、前記スタック内の最も下のトランジスタを除く、前記スタック内の前記少なくとも3つのトランジスタの各々に関して、少なくとも1つのキャパシタを具備する、C20に記載の装置。
Claims (16)
- 装置であって、
増幅器を具備し、前記増幅器は、
スタックで結合され、入力信号を受信および増幅して出力信号を提供するように構成された少なくとも3つのトランジスタ、ここにおいて、前記スタックにおける第1のトランジスタは、前記入力信号のために信号増幅を提供し、および回路接地に結合されたソースと前記スタックにおける第2のトランジスタのソースに結合されたドレインとを有し、前記第2のトランジスタは、前記スタックにおける第3のトランジスタのソースに結合されたドレインを有す、と、
前記第2のトランジスタのドレインとソースとの間に結合された第1のキャパシタと、前記第3のトランジスタのドレインとソースとの間に結合された第2のキャパシタ、ここにおいて、前記第1のトランジスタは、前記第1のトランジスタのドレインとソースとの間キャパシタを有しない、と、
を具備する、装置。 - 前記少なくとも1つのキャパシタは、関連したトランジスタの隣に位置付けられている、請求項1に記載の装置。
- 前記スタック内の前記少なくとも2つのトランジスタの各々に関する前記少なくとも1つのキャパシタは、前記少なくとも2つのトランジスタのゲート−ソース寄生キャパシタからのエネルギを前記出力信号にリサイクルする、請求項1に記載の装置。
- 前記スタック内の前記少なくとも2つのトランジスタの各々に関する前記少なくとも1つのキャパシタは、寄生金属キャパシタンスを具備する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のトランジスタは、前記入力信号を受信し、前記第3のトランジスタは、前記出力信号を提供する、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも3つのトランジスタは、金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタを具備する、請求項1に記載の装置。
- 前記増幅器はさらに、前記スタック内の前記少なくとも2つのトランジスタの各々について、関連したトランジスタのゲートに結合された少なくとも1つのバイパスキャパシタを具備する、請求項1に記載の装置。
- 前記増幅器は、入力無線周波数(RF)信号を受信して、出力RF信号を提供するために電力増幅器を具備する、請求項1に記載の装置。
- 前記電力増幅器に結合され、前記出力RF信号を送信するためのアンテナをさらに具備する、請求項8に記載の装置。
- 前記増幅器はさらに、
第2のスタックで結合され、第2の入力信号を受信および増幅して第2の出力信号を提供するように構成された少なくとも3つの第2のトランジスタと、
前記第2のスタック内の少なくとも2つの第2のトランジスタの各々に関して、第2の関連したトランジスタのドレインとソースとの間に結合された少なくとも1つの第2のキャパシタと
を具備する、請求項1に記載の装置。 - 前記増幅器は、差動増幅器を具備し、前記入力信号および前記第2の入力信号は、差動入力信号を形成し、前記出力信号および前記第2の出力信号は、差動出力信号を形成する、請求項10に記載の装置。
- 前記スタック内の最も上のトランジスタと、前記第2のスタック内の最も上の第2のトランジスタとに結合され、シングルエンド出力信号を提供するための変換器をさらに具備する、請求項10に記載の装置。
- 集積回路であって、
増幅器を具備し、前記増幅器は、
スタックで結合され、入力無線周波数(RF)信号を受信および増幅して出力RF信号を提供するように構成された少なくとも3つの金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタ、ここにおいて、前記スタックにおける第1のMOSトランジスタは、入力信号のために信号増幅を提供し、および回路接地に結合されたソースと前記スタックにおける第2のMOSトランジスタのソースに結合されたドレインとを有し、前記第2のMOSトランジスタは、前記スタックにおける第3のMOSトランジスタのソースに結合されたドレインを有す、と、
前記第2のMOSトランジスタのドレインとソースとの間に結合された第1のキャパシタと、前記第3のMOSトランジスタのドレインとソースとの間に結合された第2のキャパシタ、ここにおいて、第1のトランジスタは、前記第1のトランジスタのドレインとソースとの間キャパシタを有しない、と、
を具備する、集積回路。 - 前記少なくとも3つのMOSトランジスタは、N型MOS(NMOS)トランジスタを具備する、請求項13に記載の集積回路。
- 信号増幅を実行する方法であって、
出力信号を得るために、スタックで結合された少なくとも3つのトランジスタを用いて入力信号を増幅すること、ここにおいて、前記スタックにおける第1のトランジスタは、前記入力信号のために信号増幅を提供し、および回路接地に結合されたソースと前記スタックにおける第2のトランジスタのソースに結合されたドレインとを有し、前記第2のトランジスタは、前記スタックにおける第3のトランジスタのソースに結合されたドレインを有す、と、
前記第2のトランジスタのドレインとソースとの間に結合された第1のキャパシタを用いて前記第2のトランジスタをバイパスすること、および前記第3のトランジスタのドレインとソースとの間に結合された第2のキャパシタを用いて前記第3のトランジスタをバイパスすること、ここにおいて、前記第1のトランジスタは、前記第1のトランジスタのドレインとソースとの間キャパシタを有しない、と、
を具備する方法。 - 装置であって、
出力信号を取得するために、入力信号を増幅するための手段と、なお、前記増幅するための手段は、スタックで結合された少なくとも3つのトランジスタ、ここにおいて、前記スタックにおける第1のトランジスタは、前記入力信号のために信号増幅を提供し、および回路接地に結合されたソースと前記スタックにおける第2のトランジスタのソースに結合されたドレインとを有し、前記第2のトランジスタは、前記スタックにおける第3のトランジスタのソースに結合されたドレインを有す、
を具備する、および
前記第2のトランジスタのドレインとソースとの間に結合された第1のキャパシタを用いて前記第2のトランジスタをバイパスする手段、および前記第3のトランジスタのドレインとソースとの間に結合された第2のキャパシタを用いて前記第3のトランジスタをバイパスする手段、ここにおいて、前記第1のトランジスタは、前記第1のトランジスタのドレインとソースとの間キャパシタを有しない、と、
を具備する装置。
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