JP5739075B2 - チューナブル負荷整合を用いたマルチモードバイパスドライバ増幅器 - Google Patents
チューナブル負荷整合を用いたマルチモードバイパスドライバ増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5739075B2 JP5739075B2 JP2014553544A JP2014553544A JP5739075B2 JP 5739075 B2 JP5739075 B2 JP 5739075B2 JP 2014553544 A JP2014553544 A JP 2014553544A JP 2014553544 A JP2014553544 A JP 2014553544A JP 5739075 B2 JP5739075 B2 JP 5739075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- matching circuit
- tunable
- driver amplifier
- impedance matching
- transmission path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 107
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 72
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 208000032369 Primary transmission Diseases 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011545 laboratory measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/213—A variable capacitor being added in the input circuit, e.g. base, gate, of an amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/318—A matching circuit being used as coupling element between two amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/378—A variable capacitor being added in the output circuit, e.g. collector, drain, of an amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21136—An input signal of a power amplifier being on/off switched
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21175—An output signal of a power amplifier being on/off switched
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7233—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier, switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by one or more switch(es), being impedance adapted by switching an adapted passive network
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7239—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers and shunting lines by one or more switch(es)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
[1]装置であって、該装置は以下を備える、
入力無線周波数(RF)信号を増幅し、増幅されたRF信号を与えるように構成されたドライバ増幅器と、
前記ドライバ増幅器に結合され、前記ドライバ増幅器の出力インピーダンスを整合させるように構成された、チューナブルインピーダンス整合回路。
[2][1]の装置であって、
前記ドライバ増幅器が、複数のモードのための複数の設定を含む、
前記装置。
[3][2]の装置であって、
前記複数のモードが、複数の送信電力レベル、複数の周波数帯域、または複数の無線技術のうちの少なくとも1つに関連する、
前記装置。
[4][2]の装置であって、
前記ドライバ増幅器の前記複数の設定が、前記ドライバ増幅器のための異なるバイアス電圧または異なるバイアス電流のうちの少なくとも1つに関連する、
前記装置。
[5][2]の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
前記ドライバ増幅器の前記複数の設定を記憶し、選択されたモードを受信し、前記選択されたモードに対応する前記複数の設定のうちの1つを与えるように構成されたルックアップテーブル。
[6][1]の装置であって、
前記チューナブルインピーダンス整合回路が、複数のモードのための複数の設定を含む、
前記装置。
[7][1]の装置であって、
前記チューナブルインピーダンス整合回路が、調整可能なキャパシタンス値を有するチューナブルキャパシタを備える、
前記装置。
[8][7]の装置であって、
前記チューナブルキャパシタが、少なくとも1つのスイッチに結合された少なくとも1つのキャパシタを備え、前記少なくとも1つのキャパシタの各々が、関連するスイッチに基づいて選択されるかまたは選択されない、
前記装置。
[9][1]の装置であって、
前記チューナブルインピーダンス整合回路が以下を備える、
前記チューナブルインピーダンス整合回路の入力と出力との間に結合されたチューナブルキャパシタと、および
前記チューナブルインピーダンス整合回路の前記入力と電源または回路接地との間に結合されたインダクタ。
[10][1]の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
前記ドライバ増幅器に結合され、前記ドライバ増幅器のための入力インピーダンス整合を実行するように構成された、第2のチューナブルインピーダンス整合回路。
[11][10]の装置であって、
前記第2のチューナブルインピーダンス整合回路が以下を備える、
前記第2のチューナブルインピーダンス整合回路の入力と中間ノードとの間に結合された第1のキャパシタと、
前記中間ノードと前記第2のチューナブルインピーダンス整合回路の出力との間に結合されたインダクタと、
前記中間ノードと回路接地との間に結合されたチューナブルキャパシタ。
[12][1]の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
前記ドライバ増幅器と、前記チューナブルインピーダンス整合回路とを備え、電力増幅器を備えない、バイパス送信経路と、
第2のドライバ増幅器と電力増幅器とを備える主送信経路。
[13][12]の装置であって、
前記主送信経路が、しきい値レベルよりも高い送信電力レベルのために選択され、前記バイパス送信経路が、前記しきい値レベルよりも低い送信電力レベルのために選択される、
前記装置。
[14][12]の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
前記主送信経路と前記バイパス送信経路とに結合され、前記ドライバ増幅器または前記第2のドライバ増幅器のための入力インピーダンス整合を実行するように構成された、第2のチューナブルインピーダンス整合回路。
[15]方法であって、該方法は以下を備える、
増幅された無線周波数(RF)信号を取得するためにドライバ増幅器を用いて入力RF信号を増幅することと、
前記ドライバ増幅器に結合されたチューナブルインピーダンス整合回路で前記ドライバ増幅器の出力インピーダンスを整合させること。
[16][15]の方法であって、該方法はさらに以下を備える、
前記ドライバ増幅器に結合された第2のチューナブルインピーダンス整合回路で前記ドライバ増幅器の入力インピーダンスを整合させること。
[17][15]の方法であって、該方法はさらに以下を備える、
前記ドライバ増幅器を複数のモードに関連する複数の設定のうちの1つに設定すること。
[18][15]の方法であって、該方法はさらに以下を備える、
前記チューナブルインピーダンス整合回路を複数のモードに関連する複数の設定のうちの1つに設定すること。
[19]装置であって、該装置は以下を備える、
増幅された無線周波数(RF)信号を取得するために入力RF信号を増幅するための手段と、
増幅するための前記手段の出力インピーダンスを整合させるための手段であって、前記出力インピーダンスを整合させるための前記手段がチューナブルである、整合させるための手段。
[20][19]の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
増幅するための前記手段の入力インピーダンスを整合させるための手段であって、入力インピーダンス整合を実行するための前記手段がチューナブルである、整合させるための手段。
Claims (18)
- 装置であって、 入力無線周波数(RF)信号を増幅し、増幅されたRF信号を与えるように構成されたマルチモードバイパス送信経路における第1のドライバ増幅器であって、前記マルチモードバイパス送信経路は電力増幅器を含まない、と、
前記第1のドライバ増幅器に結合され、前記第1のドライバ増幅器の複数のモードのそれぞれに関して前記第1のドライバ増幅器の出力インピーダンスを整合させるように構成された、チューナブルインピーダンス整合回路と、
第2のドライバ増幅器と電力増幅器とを備える主送信経路と、
を備え、
前記主送信経路が、第1のしきい値レベルよりも高い送信電力レベルのために選択され、前記マルチモードバイパス送信経路が、第2のしきい値レベルよりも低い送信電力レベルのために選択される、ここにおいて、前記第1のしきい値と前記第2のしきい値は異なるしきい値レベルに基づいて選択される、
前記装置。 - 請求項1の装置であって、
前記第1のドライバ増幅器が、前記複数のモードのための複数の設定を含む、
前記装置。 - 請求項2の装置であって、
前記複数のモードが、複数の送信電力レベル、複数の周波数帯域、または複数の無線技術のうちの少なくとも1つに関連する、
前記装置。 - 請求項2の装置であって、
前記第1のドライバ増幅器の前記複数の設定が、前記第1のドライバ増幅器のための異なるバイアス電圧または異なるバイアス電流のうちの少なくとも1つに関連する、
前記装置。 - 請求項2の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
前記第1のドライバ増幅器の前記複数の設定を記憶し、選択されたモードを受信し、前記選択されたモードに対応する前記複数の設定のうちの1つを与えるように構成されたルックアップテーブル。 - 請求項1の装置であって、
前記チューナブルインピーダンス整合回路が、前記複数のモードのための複数の設定を含む、
前記装置。 - 請求項1の装置であって、
前記チューナブルインピーダンス整合回路が、調整可能なキャパシタンス値を有するチューナブルキャパシタを備える、
前記装置。 - 請求項7の装置であって、
前記チューナブルキャパシタが、少なくとも1つのスイッチに結合された少なくとも1つのキャパシタを備え、前記少なくとも1つのキャパシタの各々が、関連するスイッチに基づいて選択されるかまたは選択されない、
前記装置。 - 請求項1の装置であって、
前記チューナブルインピーダンス整合回路が以下を備える、
前記チューナブルインピーダンス整合回路の入力と出力との間に結合されたチューナブルキャパシタと、および
前記チューナブルインピーダンス整合回路の前記入力と電源または回路接地との間に結合されたインダクタ。 - 請求項1の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
前記第1のドライバ増幅器に結合され、前記第1のドライバ増幅器のための入力インピーダンス整合を実行するように構成された、第2のチューナブルインピーダンス整合回路。 - 請求項10の装置であって、
前記第2のチューナブルインピーダンス整合回路が以下を備える、
前記第2のチューナブルインピーダンス整合回路の入力と中間ノードとの間に結合された第1のキャパシタと、
前記中間ノードと前記第2のチューナブルインピーダンス整合回路の出力との間に結合されたインダクタと、
前記中間ノードと回路接地との間に結合されたチューナブルキャパシタ。 - 請求項1の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
前記主送信経路と前記マルチモードバイパス送信経路とに結合され、前記第1のドライバ増幅器または前記第2のドライバ増幅器のための入力インピーダンス整合を実行するように構成された、第2のチューナブルインピーダンス整合回路。 - 方法であって、
増幅された無線周波数(RF)信号を取得するためにマルチモードバイパス送信経路における第1のドライバ増幅器を用いて入力RF信号を増幅することであって、前記マルチモードバイパス送信経路は電力増幅器を含まない、と、
前記第1のドライバ増幅器の複数のモードのそれぞれに関して、前記第1のドライバ増幅器に結合されたチューナブルインピーダンス整合回路で前記第1のドライバ増幅器の出力インピーダンスを整合させることと、
主送信経路において第2のドライバ増幅器と電力増幅器とを用いて前記入力RF信号を増幅することと、
を備え、
前記主送信経路が、第1のしきい値レベルよりも高い送信電力レベルのために選択され、前記マルチモードバイパス送信経路が、第2のしきい値レベルよりも低い送信電力レベルのために選択される、ここにおいて、前記第1のしきい値と前記第2のしきい値は異なるしきい値レベルに基づいて選択される、
前記方法。 - 請求項13の方法であって、該方法はさらに以下を備える、
前記第1のドライバ増幅器に結合された第2のチューナブルインピーダンス整合回路で前記第1のドライバ増幅器の入力インピーダンスを整合させること。 - 請求項13の方法であって、該方法はさらに以下を備える、
前記第1のドライバ増幅器を前記複数のモードに関連する複数の設定のうちの1つに設定すること。 - 請求項13の方法であって、該方法はさらに以下を備える、
前記チューナブルインピーダンス整合回路を前記複数のモードに関連する複数の設定のうちの1つに設定すること。 - 装置であって、
増幅された無線周波数(RF)信号を取得するためにマルチモードバイパス送信経路における入力RF信号を増幅するための手段であって、前記マルチモードバイパス送信経路は電力増幅手段を含まない、と、
増幅するための前記手段の出力インピーダンスを整合させるための手段であって、増幅するための前記手段の複数のモードのそれぞれに関する増幅するための前記手段に結合された前記出力インピーダンスを整合させるための前記手段と、
主送信経路において電力増幅手段を用いて前記入力RF信号を増幅する手段と、
を備え、
前記主送信経路が、第1のしきい値レベルよりも高い送信電力レベルのために選択され、前記マルチモードバイパス送信経路が、第2のしきい値レベルよりも低い送信電力レベルのために選択される、ここにおいて、前記第1のしきい値と前記第2のしきい値は異なるしきい値レベルに基づいて選択される、
前記装置。 - 請求項17の装置であって、該装置はさらに以下を備える、
増幅するための前記手段の入力インピーダンスを整合させるための手段であって、入力インピーダンス整合を実行するための前記手段がチューナブルである、整合させるための手段。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/356,492 US8666338B2 (en) | 2012-01-23 | 2012-01-23 | Multi-mode bypass driver amplifier with tunable load matching |
US13/356,492 | 2012-01-23 | ||
PCT/US2013/022806 WO2013112631A1 (en) | 2012-01-23 | 2013-01-23 | Multi-mode bypass driver amplifier with tunable load matching |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015510715A JP2015510715A (ja) | 2015-04-09 |
JP5739075B2 true JP5739075B2 (ja) | 2015-06-24 |
Family
ID=47684032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014553544A Expired - Fee Related JP5739075B2 (ja) | 2012-01-23 | 2013-01-23 | チューナブル負荷整合を用いたマルチモードバイパスドライバ増幅器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8666338B2 (ja) |
EP (1) | EP2807744B1 (ja) |
JP (1) | JP5739075B2 (ja) |
KR (1) | KR101547602B1 (ja) |
CN (1) | CN104067513B (ja) |
IN (1) | IN2014CN04462A (ja) |
WO (1) | WO2013112631A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9231536B2 (en) * | 2011-07-24 | 2016-01-05 | Ethertronics, Inc. | Multi-mode multi-band self-realigning power amplifier |
JP2014064148A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Sharp Corp | 無線回路および無線回路の制御方法 |
US9130535B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-09-08 | Qualcomm Incorporated | Driver amplifier with asymmetrical T-coil matching network |
WO2015123668A1 (en) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | University Of Southern California | Hybrid-based cancellation in presence of antenna mismatch |
US9425746B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-08-23 | Qualcomm Incorporated | Spurious signal mitigation for carrier aggregation amplifier |
US10171039B2 (en) | 2015-08-31 | 2019-01-01 | Infineon Technologies Ag | Devices and methods that facilitate power amplifier off state performance |
CN108352915B (zh) | 2015-10-12 | 2020-06-30 | Qorvo美国公司 | 基于混合耦合器的射频多路复用器 |
US11201595B2 (en) * | 2015-11-24 | 2021-12-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Cascode power amplifier with switchable output matching network |
US9954267B2 (en) * | 2015-12-28 | 2018-04-24 | Qualcomm Incorporated | Multiplexer design using a 2D passive on glass filter integrated with a 3D through glass via filter |
US10050591B2 (en) * | 2016-03-23 | 2018-08-14 | Cree, Inc. | LC network for a power amplifier with selectable impedance |
US10177723B2 (en) * | 2016-08-30 | 2019-01-08 | Qualcomm Incorporated | Reconfigurable power amplifier |
CN210201797U (zh) * | 2016-09-21 | 2020-03-27 | Qorvo美国公司 | 射频双工器和具有增强隔离的可调谐射频双工器 |
TWI652913B (zh) * | 2016-10-28 | 2019-03-01 | 絡達科技股份有限公司 | 多模多頻之收發器、射頻前端電路及應用其之射頻系統 |
JP2018181943A (ja) * | 2017-04-05 | 2018-11-15 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
CN106998193B (zh) * | 2017-04-06 | 2020-12-22 | 上海航天测控通信研究所 | S频段中继功放滤波器集成结构 |
US10772052B2 (en) * | 2017-06-16 | 2020-09-08 | Qualcomm Incorporated | Controlling coexistent radio systems in a wireless device |
US10411659B2 (en) * | 2018-01-25 | 2019-09-10 | Cree, Inc. | RF power amplifier with frequency selective impedance matching network |
EP3747124A4 (en) * | 2018-01-30 | 2021-01-27 | Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret Anonim Sirketi | POWER AMPLIFIER SYSTEM |
EP3716493B1 (en) * | 2019-03-29 | 2021-11-10 | Nokia Solutions and Networks Oy | Full duplex transmission arrangement |
JP2021044713A (ja) | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
KR102188036B1 (ko) * | 2020-05-11 | 2020-12-07 | 국방과학연구소 | 듀플렉서가 통합된 저잡음 증폭기 |
CN113242024B (zh) * | 2021-05-18 | 2023-06-20 | 深圳市时代速信科技有限公司 | 一种射频功率放大器 |
TWI796028B (zh) * | 2021-12-02 | 2023-03-11 | 立積電子股份有限公司 | 射頻裝置及其多頻匹配電路 |
US11689227B1 (en) * | 2021-12-03 | 2023-06-27 | Hangzhou Geo-Chip Technology Co., Ltd. | Broadband power amplifier device and transmitter |
US20230231586A1 (en) * | 2022-01-20 | 2023-07-20 | Qualcomm Incorporated | Constant-phase attenuator techniques in radio frequency front end (rffe) amplifiers |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5093728A (en) * | 1990-08-02 | 1992-03-03 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Beam scan velocity modulation apparatus |
KR100241780B1 (ko) | 1997-12-16 | 2000-02-01 | 윤종용 | 무선 통신 단말기의 전원 절약 장치 |
US6313698B1 (en) | 1999-09-24 | 2001-11-06 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for wireless phone transmit power amplification with reduced power consumption |
US6681101B1 (en) | 2000-01-11 | 2004-01-20 | Skyworks Solutions, Inc. | RF transmitter with extended efficient power control range |
JP2002217660A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 可変利得増幅回路 |
US6806768B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-10-19 | Qualcomm Incorporated | Balanced power amplifier with a bypass structure |
KR100651159B1 (ko) | 2002-06-01 | 2006-11-29 | 김송강 | 고효율 전력 증폭기 |
US7170349B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-01-30 | Scintera Networks, Inc. | Low voltage broadband gain cell |
US7385445B2 (en) | 2005-07-21 | 2008-06-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | High efficiency amplifier circuits having bypass paths |
US7630693B2 (en) | 2006-11-16 | 2009-12-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Transmitter with improved power efficiency |
US8170505B2 (en) | 2008-07-30 | 2012-05-01 | Qualcomm Incorporated | Driver amplifier having a programmable output impedance adjustment circuit |
US8253496B2 (en) | 2008-10-31 | 2012-08-28 | Micro Mobio Corporation | Linear RF power amplifier with frequency-selectable impedance matching |
US8666340B2 (en) | 2009-03-03 | 2014-03-04 | Broadcom Corporation | Method and system for on-chip impedance control to impedance match a configurable front end |
US8971830B2 (en) | 2009-05-12 | 2015-03-03 | Qualcomm Incorporated | Multi-mode multi-band power amplifier module |
US8432237B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-04-30 | Qualcomm, Incorporated | Output circuit with integrated impedance matching, power combining and filtering for power amplifiers and other circuits |
CN201476827U (zh) * | 2009-07-24 | 2010-05-19 | 周国隆 | 多相流测量装置 |
US8536950B2 (en) * | 2009-08-03 | 2013-09-17 | Qualcomm Incorporated | Multi-stage impedance matching |
US8779857B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-07-15 | Qualcomm Incorporated | Amplifier with variable matching circuit to improve linearity |
US8072272B2 (en) | 2009-08-19 | 2011-12-06 | Qualcomm, Incorporated | Digital tunable inter-stage matching circuit |
JP5442358B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-03-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8181140B2 (en) | 2009-11-09 | 2012-05-15 | Xilinx, Inc. | T-coil network design for improved bandwidth and electrostatic discharge immunity |
US8149050B2 (en) | 2009-11-13 | 2012-04-03 | Qualcomm, Incorporated | Cascaded amplifiers with transformer-based bypass mode |
US8244310B2 (en) | 2010-02-16 | 2012-08-14 | Research In Motion Limited | Mobile communication device employing power pack with multiple pairs of taps |
-
2012
- 2012-01-23 US US13/356,492 patent/US8666338B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-23 CN CN201380006463.2A patent/CN104067513B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-23 EP EP13703669.5A patent/EP2807744B1/en active Active
- 2013-01-23 WO PCT/US2013/022806 patent/WO2013112631A1/en active Application Filing
- 2013-01-23 JP JP2014553544A patent/JP5739075B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-23 IN IN4462CHN2014 patent/IN2014CN04462A/en unknown
- 2013-01-23 KR KR1020147023279A patent/KR101547602B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101547602B1 (ko) | 2015-08-26 |
EP2807744B1 (en) | 2020-03-18 |
US20130190036A1 (en) | 2013-07-25 |
KR20140116528A (ko) | 2014-10-02 |
CN104067513A (zh) | 2014-09-24 |
JP2015510715A (ja) | 2015-04-09 |
CN104067513B (zh) | 2016-11-02 |
US8666338B2 (en) | 2014-03-04 |
EP2807744A1 (en) | 2014-12-03 |
WO2013112631A1 (en) | 2013-08-01 |
IN2014CN04462A (ja) | 2015-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5739075B2 (ja) | チューナブル負荷整合を用いたマルチモードバイパスドライバ増幅器 | |
KR101365353B1 (ko) | 신호 증폭 장치, 신호 증폭 집적 회로 및 신호 증폭 방법 | |
KR101563481B1 (ko) | 증폭기에 대한 공급 전압을 위한 조정 가능한 바이패스 회로 | |
US8149050B2 (en) | Cascaded amplifiers with transformer-based bypass mode | |
US10965261B2 (en) | Power amplifier circuit | |
US8432237B2 (en) | Output circuit with integrated impedance matching, power combining and filtering for power amplifiers and other circuits | |
KR101650846B1 (ko) | 구성가능한 상호 커플링된 소스 디제너레이션 인덕터들을 갖는 증폭기들 | |
US8461921B2 (en) | Amplifier module with multiple operating modes | |
KR101672356B1 (ko) | 다수의 출력들 및 구성 가능한 디제너레이션 인덕터를 갖는 증폭기들 | |
JP5992648B2 (ja) | ブーストまたはデブーストされたソースディジェネレーションインダクタンスをもつ増幅器 | |
JP2015508621A (ja) | 電力増幅器のためのチューナブル・ノッチフィルタを備えたインピーダンス整合回路 | |
JP2015046913A (ja) | マルチモード動作のための切替型出力整合を備えた電力増幅器 | |
KR20140072907A (ko) | 상이한 특성들을 갖는 전력 증폭기들을 갖춘 멀티-안테나 무선 디바이스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150324 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5739075 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |