JP5750132B2 - 集積型光回路素子および集積型光回路素子の作製方法 - Google Patents
集積型光回路素子および集積型光回路素子の作製方法 Download PDFInfo
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Description
図6に、本発明の第1の実施形態に係る集積型光回路素子の構造を示す。図6に示すように、集積型光回路素子は、基板12と、基板12上の光導波路17(光導波路17は、下部クラッド14−1と、コア16と、上部クラッド14−2とから構成される)と、光導波路17端に設けられたミラー18と、光導波路17上の樹脂系接着剤部72と、樹脂系接着剤部72によって光導波路17上に貼り付けられるPD74と、光導波路17上で樹脂系接着剤部72およびPD74を被覆するSOG膜76と、PD74上の電極78とから構成される。
図7に、本発明の第2の実施形態に係る集積型光回路素子の構造を示す。図7に示すように、上部クラッド14−2が溝を備えていても良い。SOGは、溝に入り込んでSOG膜76を形成するので、第1の実施形態に係る集積型光回路素子よりも、PD74を強く封止することができるので、PDはより剥離しにくくなる。
図8を参照しながら、第1の実施形態および第2の実施形態で示した構造の作製方法を説明する。
最後に、PD74の上面(図8に示す例では、n+型層74−1の上面およびp型層74−4の上面)に電極78を形成する。(図8(g)を参照)。
14 クラッド
14−1 下部クラッド
14−2 上部クラッド
16 コア
17 光導波路
18 ミラー
22 PD
24 ワイヤ
26 電気増幅器
28 電気配線
72 樹脂系接着剤部
74 PD
74−1 n+型層
74−2 n型層
74−3 i型層
74−4 p型層
76 SOG膜
78 電極
80 エピタキシャル層
101 絶縁層
102 配線層
103 下地酸化膜
103a 凸部
106 SOG膜
201 半導体素子
202 壁上突起物
203 シリコン基板
204 シリコン酸化膜
205 基体
206 SOG膜
207,208 配線
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上の、クラッドおよびコアから構成された光導波路と、
前記光導波路を伝搬する光を反射するための、前記光導波路の端部に設けられたミラーと、
前記光導波路上の、前記ミラーで反射された光が結合するための、フォトダイオードと、
を備えた集積型光回路素子であって、
前記フォトダイオードは、樹脂系接着剤部を介して、前記光導波路に貼り付けられており、
前記樹脂系接着剤部の側面は、感光性または非感光性のスピンオングラスにより形成されるスピンオングラス膜によって被覆されていることを特徴とする集積型光回路素子。 - 前記光導波路は、下部クラッド、コア、および上部クラッドが順に積層されて構成され、
前記上部クラッドは、表面に溝を備え、
前記スピンオングラス膜を形成するスピンオングラスは、前記溝に入り込んでいることを特徴とする請求項1に記載の集積型光回路素子。 - 前記スピンオングラスの屈折率は、前記上部クラッドの屈折率と同等であることを特徴とする請求項2に記載の集積型光回路素子。
- 基板上に、下部クラッドと、コアと、上部クラッドとを順次成膜して、光導波路を作製するステップと、
前記上部クラッドに、樹脂系接着剤を塗布して樹脂系接着剤部を形成するステップと、
前記上部クラッドに、前記樹脂系接着剤部を介してエピタキシャル層を貼り付けるステップと、
前記エピタキシャル層を加工して、複数の半導体層から成るフォトダイオードを形成するステップと、
スピンオングラス塗布により、前記樹脂系接着剤部の側面をスピンオングラス膜で被覆するステップと
を含むことを特徴とする集積型光回路素子を作製する方法。 - 前記樹脂系接着剤部の側面をスピンオングラス膜で被覆するステップの前に、前記上部クラッドに溝を形成するステップをさらに備え、前記溝は、前記樹脂系接着剤部の側面をスピンオングラス膜で被覆するステップにおいて、前記スピンオングラス膜で被覆されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
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