JP5748019B1 - Pin terminals and terminal materials - Google Patents

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Abstract

【課題】低コストであり、かつ、優れた耐食性を有するピン端子及び該ピン端子を作製するための端子材料を提供する。【解決手段】ピン端子1は、10〜70質量%のFeを含有し、残部がCu及び不可避的不純物よりなる化学成分を有するCu−Fe系合金からなる芯材2を有している。また、ピン端子1は、芯材2上に存在するNiめっき膜3と、Niめっき膜3上に存在するCuめっき膜4と、Cuめっき膜4上に存在するCuSn合金層5と、CuSn合金層5上に存在するSnめっき膜6とを有している。【選択図】図2A pin terminal having low cost and excellent corrosion resistance and a terminal material for producing the pin terminal are provided. A pin terminal includes a core material made of a Cu-Fe alloy containing 10 to 70% by mass of Fe and the balance having a chemical component composed of Cu and inevitable impurities. The pin terminal 1 includes a Ni plating film 3 present on the core material 2, a Cu plating film 4 present on the Ni plating film 3, a CuSn alloy layer 5 present on the Cu plating film 4, and a CuSn alloy. And an Sn plating film 6 existing on the layer 5. [Selection] Figure 2

Description

本発明は、ピン端子及び端子材料に関する。   The present invention relates to a pin terminal and a terminal material.

自動車用PCB(Printed Circuit Board)コネクタ等の基板用コネクタには、例えば黄銅などの、銅に数質量%程度の金属を添加した銅合金を芯材とするピン端子が用いられている。   For a board connector such as a printed circuit board (PCB) connector for automobiles, a pin terminal having a core made of a copper alloy in which a metal of about several mass% is added to copper, such as brass, is used.

近年では、コネクタ全体の軽量化、小型化及び低コスト化のために、より高い剛性を有すると共に、材料コストを低減できるピン端子が望まれている。そこで、材料の強度が高く、材料コストの低い銅合金として、Cu(銅)にFe(鉄)を添加したCu−Fe系合金をピン端子の芯材として用いることが検討されている。   In recent years, in order to reduce the weight, size, and cost of the entire connector, a pin terminal that has higher rigidity and can reduce the material cost is desired. Thus, as a copper alloy having a high material strength and a low material cost, it has been studied to use a Cu—Fe-based alloy obtained by adding Fe (iron) to Cu (copper) as a core material of a pin terminal.

例えば特許文献1には、0.05〜5質量%の炭素が固溶した10〜70質量%のFeと、残部がCu及び不可避不純物との合金からなるばね部材の例が開示されている。かかる化学成分を有するCu−Fe系合金は、従来の銅合金よりも高い強度を有するものとなりやすい。また、Cu−Fe系合金は、Cuよりも地金代の安価なFeを含有しているため、Feの含有量を多くすることにより材料コストを容易に低減することができる。   For example, Patent Document 1 discloses an example of a spring member made of an alloy of 10 to 70% by mass of Fe in which 0.05 to 5% by mass of carbon is solid-dissolved, and the balance being Cu and inevitable impurities. A Cu—Fe-based alloy having such a chemical component tends to have a higher strength than conventional copper alloys. In addition, since the Cu—Fe-based alloy contains Fe, which is cheaper than metal, than Cu, the material cost can be easily reduced by increasing the Fe content.

このように、Cu−Fe系合金は、ピン端子の芯材として十分な強度と、材料コストとを両立する可能性を有する材料である。   As described above, the Cu—Fe-based alloy is a material having a possibility of satisfying both a sufficient strength as a core material of the pin terminal and a material cost.

一方、Feを10〜70質量%含有するCu−Fe系合金は、Cuを主成分とするCuリッチ相と、Feを主成分とするFeリッチ相とが混在した金属組織を有しており、芯材の表面にCuリッチ相及びFeリッチ相の両方が存在している。Feリッチ相は黄銅等の銅合金に比べて腐食しやすいため、このようなCu−Fe系合金よりなる芯材は、耐食性が低いという問題がある。   On the other hand, the Cu-Fe-based alloy containing 10 to 70% by mass of Fe has a metal structure in which a Cu-rich phase mainly composed of Cu and a Fe-rich phase mainly composed of Fe are mixed, Both the Cu rich phase and the Fe rich phase exist on the surface of the core material. Since the Fe-rich phase is more easily corroded than copper alloys such as brass, the core material made of such a Cu-Fe alloy has a problem that the corrosion resistance is low.

ピン端子の耐食性を高めるためには、耐食性の高い金属層により芯材の表面を覆い、腐食しやすいFeリッチ相の露出を抑制することが有効である。そこで、Cu−Fe系合金よりなる芯材の表面にSnめっき膜を設けた後、Snめっき膜を加熱してリフロー処理を施し、芯材とSnめっき膜との間に耐食性の高いCuSn合金層を形成する方法が検討されている。   In order to enhance the corrosion resistance of the pin terminal, it is effective to cover the surface of the core material with a metal layer having high corrosion resistance to suppress the exposure of the Fe-rich phase that is easily corroded. Therefore, after providing a Sn plating film on the surface of the core material made of a Cu-Fe-based alloy, the Sn plating film is heated to perform a reflow treatment, and a CuSn alloy layer having high corrosion resistance between the core material and the Sn plating film. The method of forming is being studied.

特開平5−125468号公報JP-A-5-125468

しかしながら、上記の方法では、Cuリッチ相とSnめっき膜とが接触している部分にはリフロー処理によりCuSn合金層が形成されるが、Feリッチ相とSnめっき膜とが接触している部分にはCuSn合金層が形成されない。それ故、何らかの原因によりSnめっき膜が消失した場合にFeリッチ相の露出を抑制することが困難であり、耐食性の向上には限界がある。   However, in the above method, the CuSn alloy layer is formed by reflow treatment in the portion where the Cu rich phase and the Sn plating film are in contact, but the portion where the Fe rich phase and the Sn plating film are in contact is formed. CuSn alloy layer is not formed. Therefore, when the Sn plating film disappears for some reason, it is difficult to suppress the exposure of the Fe-rich phase, and there is a limit to improving the corrosion resistance.

一方、従来の銅合金よりなるピン端子においては、芯材上にCuめっき膜及びSnめっき膜を積層させた状態でリフロー処理を行うことにより、Cuめっき膜とSnめっき膜との間にCuSn合金層を形成する技術が知られている。しかし、上記の技術をCu−Fe系合金よりなる芯材にそのまま適用するためには、以下の問題がある。即ち、Cu−Fe系合金よりなる芯材をCuめっき浴に浸漬すると、表面に露出したFeとめっき液中のCuイオンとの間で置換反応が起き、Cuが析出する。この置換反応により析出したCuは、電気めっきにより形成したCuに比べて芯材との密着性が低いため、ピン端子の表面に形成されるSnめっき膜がCuごと剥離しやすくなる。また、Snめっき膜が剥離すると芯材の表面が露出するため、CuSn合金層による耐食性向上の効果を十分に得ることが困難である。   On the other hand, in a pin terminal made of a conventional copper alloy, a CuSn alloy is formed between the Cu plating film and the Sn plating film by performing a reflow process in a state where the Cu plating film and the Sn plating film are laminated on the core material. Techniques for forming layers are known. However, in order to directly apply the above technique to a core material made of a Cu—Fe-based alloy, there are the following problems. That is, when a core material made of a Cu—Fe alloy is immersed in a Cu plating bath, a substitution reaction occurs between Fe exposed on the surface and Cu ions in the plating solution, and Cu is precipitated. Since Cu deposited by this substitution reaction has lower adhesion to the core material than Cu formed by electroplating, the Sn plating film formed on the surface of the pin terminal is easily peeled off together with Cu. Moreover, since the surface of the core material is exposed when the Sn plating film is peeled off, it is difficult to sufficiently obtain the effect of improving the corrosion resistance by the CuSn alloy layer.

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、低コストであり、かつ、優れた耐食性を有するピン端子及び該ピン端子を作製するための端子材料を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such a background, and intends to provide a pin terminal having low cost and excellent corrosion resistance and a terminal material for producing the pin terminal.

本発明の一態様は、10〜70質量%のFeを含有し、残部がCu及び不可避的不純物よりなる化学成分を有し、Feを主成分とするFeリッチ相がCuを主成分とするCuリッチ相の中に分布している金属組織を有すると共に表面に上記Feリッチ相及び上記Cuリッチ相の両方が存在しているCu−Fe系合金からなる芯材と、
該芯材上に存在するNiめっき膜と、
該Niめっき膜上に存在するCuめっき膜と、
該Cuめっき膜上に存在するCuSn合金層と、
該CuSn合金層上に存在するSnめっき膜とを有しており、
上記Niめっき膜の厚みは0.01〜0.3μmであることを特徴とするピン端子にある。
One aspect of the present invention contains 10 to 70 wt% of Fe, have a chemical composition that the balance of Cu and unavoidable impurities, Fe-rich phase mainly composed of Fe as a main component a Cu Cu A core material comprising a Cu-Fe-based alloy having a metal structure distributed in a rich phase and having both the Fe-rich phase and the Cu-rich phase on the surface;
A Ni plating film present on the core material;
A Cu plating film present on the Ni plating film;
A CuSn alloy layer present on the Cu plating film;
An Sn plating film present on the CuSn alloy layer ,
The Ni plating film has a thickness of 0.01 to 0.3 μm in the pin terminal.

本発明の他の態様は、上記の態様のピン端子を作製するための端子材料であって、
10〜70質量%のFeを含有し、残部がCu及び不可避的不純物よりなる化学成分を有し、Feを主成分とするFeリッチ相がCuを主成分とするCuリッチ相の中に分布している金属組織を有すると共に表面に上記Feリッチ相及び上記Cuリッチ相の両方が存在しているCu−Fe系合金からなる芯材と、
該芯材上に存在するNiめっき膜と、
該Niめっき膜上に存在するCuめっき膜と、
該Cuめっき膜上に存在するSnめっき膜とを有しており、
上記Niめっき膜の厚みは0.01〜0.3μmであることを特徴とする端子材料にある。
Another aspect of the present invention is a terminal material for producing the pin terminal of the above aspect,
Containing 10 to 70 wt% of Fe, have a chemical composition that the balance of Cu and unavoidable impurities, Fe-rich phase composed mainly of Fe is distributed in the Cu-rich phase mainly composed of Cu A core material made of a Cu-Fe-based alloy having a metallic structure and having both the Fe-rich phase and the Cu-rich phase on the surface;
A Ni plating film present on the core material;
A Cu plating film present on the Ni plating film;
And Sn plating film present on the Cu plating film ,
The thickness of the Ni plating film is 0.01 to 0.3 μm in the terminal material.

上記ピン端子は、上記特定の化学成分を有する芯材を用いて作製されている。そのため、上記ピン端子は、十分に高い強度と、低い材料コストとを容易に両立することができる。また、上記ピン端子は、上記芯材中に導電率の高いCuリッチ相が含まれているため、従来の銅合金と同等以上の導電率を容易に確保することができる。   The pin terminal is manufactured using a core material having the specific chemical component. Therefore, the pin terminal can easily achieve both a sufficiently high strength and a low material cost. Moreover, since the said pin terminal contains Cu rich phase with high electrical conductivity in the said core material, the electrical conductivity equivalent to the conventional copper alloy or more can be ensured easily.

また、上記ピン端子は、上記芯材と上記Cuめっき膜との間に上記Niめっき膜を有している。このように、上記芯材上に上記Niめっき膜を形成することにより、その後の上記Cuめっき膜を形成する工程においてCuめっき浴が上記芯材に直接接触することを抑制できる。その結果、置換反応によるCuの析出を抑制し、上記Cuめっき膜及び上記Snめっき膜と上記芯材との密着性を向上させることができる。   The pin terminal includes the Ni plating film between the core material and the Cu plating film. Thus, by forming the Ni plating film on the core material, it is possible to prevent the Cu plating bath from directly contacting the core material in the subsequent step of forming the Cu plating film. As a result, Cu precipitation due to substitution reaction can be suppressed, and adhesion between the Cu plating film and the Sn plating film and the core material can be improved.

また、上記ピン端子は、上記Cuめっき膜と上記Snめっき膜との間に上記CuSn合金層を有している。上記ピン端子は、上記CuSn合金層の存在により上記芯材の露出を抑制できるため、優れた耐食性を有する。   The pin terminal has the CuSn alloy layer between the Cu plating film and the Sn plating film. Since the pin terminal can suppress exposure of the core material due to the presence of the CuSn alloy layer, the pin terminal has excellent corrosion resistance.

以上のように、上記ピン端子は、低コストかつ優れた耐食性を有する。   As described above, the pin terminal has low cost and excellent corrosion resistance.

また、上記端子材料は、上記芯材上に上記特定の順序で積層されためっき膜を有している。そのため、上記端子材料を加熱してリフロー処理を施すことにより、CuとSnとを合金化させ、上記Cuめっき膜と上記Snめっき膜との間に緻密な上記CuSn合金層を形成することができる。このように、上記端子材料は、リフロー処理という単純な処理を施すことにより、上記ピン端子を容易に作製することができる。   Further, the terminal material has a plating film laminated on the core material in the specific order. Therefore, by heating the terminal material and performing a reflow treatment, Cu and Sn can be alloyed, and the dense CuSn alloy layer can be formed between the Cu plating film and the Sn plating film. . As described above, the terminal material can be easily manufactured by performing a simple process called a reflow process.

実施例における、ピン端子の斜視図。The perspective view of the pin terminal in an Example. 実施例における、ピン端子の表面近傍の一部断面図。The partial sectional view near the surface of a pin terminal in an example. 実施例における、ピン端子を組み込んだ基板コネクタの正面図。The front view of the board | substrate connector incorporating the pin terminal in an Example. 図3のIV−IV線矢視断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3. 実施例における、Snめっき膜を除去した状態のピン端子表面のSEM像。The SEM image of the pin terminal surface in the state which removed the Sn plating film in an Example. 比較例における、芯材上にSnめっき膜を形成した後にリフロー処理を行ったピン端子の一部断面図。The partial sectional view of the pin terminal which performed reflow processing after forming Sn plating film on the core material in a comparative example. 比較例における、塩化ナトリウム溶液を噴霧した後のピン端子表面のSEM像。The SEM image of the pin terminal surface after spraying the sodium chloride solution in a comparative example.

上記ピン端子において、上記CuSn合金層は、上述したように、上記端子材料にリフロー処理を行うことにより形成することができる。この場合には、上記CuSn合金層中にCu6Sn5金属間化合物が含まれていることが好ましい。該金属間化合物は、優れた耐食性を有するため、上記ピン端子全体の耐食性をより向上させることができる。また、上記金属間化合物は、比較的硬く、かつ、高い導電性を有するため、上記ピン端子を相手方端子に接続する際の接続信頼性を向上させることができ、接触抵抗及び端子挿入力が低い状態を長期間に亘って維持することができる。 In the pin terminal, the CuSn alloy layer can be formed by performing a reflow process on the terminal material as described above. In this case, it is preferable that a Cu 6 Sn 5 intermetallic compound is contained in the CuSn alloy layer. Since the intermetallic compound has excellent corrosion resistance, the corrosion resistance of the entire pin terminal can be further improved. Further, since the intermetallic compound is relatively hard and has high conductivity, the connection reliability when connecting the pin terminal to the counterpart terminal can be improved, and the contact resistance and the terminal insertion force are low. The state can be maintained for a long time.

また、上記CuSn合金層は、例えばCuSn合金のめっき処理等を行うことにより形成することも可能である。即ち、上記ピン端子は、例えば、Niめっき膜、Cuめっき膜、CuSnめっき膜及びSnめっき膜を上記芯材上に順次積層して作製することも可能である。この場合には、スペキュラム合金よりなるCuSnめっき膜をCuめっき膜上に形成することが好ましい。スペキュラム合金は、Cuの含有量が30〜50質量%と比較的多いため、耐食性の高いCu6Sn5金属間化合物を多く含んでいる。それ故、上述と同様に、上記ピン端子の耐食性及び接触信頼性をより向上させることができる。 The CuSn alloy layer can also be formed by performing, for example, a CuSn alloy plating process. That is, the pin terminal can be produced by sequentially laminating, for example, a Ni plating film, a Cu plating film, a CuSn plating film, and a Sn plating film on the core material. In this case, it is preferable to form a CuSn plating film made of a speculum alloy on the Cu plating film. Since the speculum alloy has a relatively high Cu content of 30 to 50% by mass, it contains a large amount of Cu 6 Sn 5 intermetallic compound with high corrosion resistance. Therefore, similarly to the above, the corrosion resistance and contact reliability of the pin terminal can be further improved.

上記CuSn合金層の厚みは0.2μm以上であることが好ましい。この場合には、上記CuSn合金層の存在により、芯材の露出をより効果的に抑制することができる。その結果、上記ピン端子の耐食性をより向上させることができる。上記CuSn合金層の厚みが0.2μm未満の場合には、CuSn合金層による耐食性向上の効果が不十分となるおそれがある。   The thickness of the CuSn alloy layer is preferably 0.2 μm or more. In this case, exposure of the core material can be more effectively suppressed due to the presence of the CuSn alloy layer. As a result, the corrosion resistance of the pin terminal can be further improved. When the thickness of the CuSn alloy layer is less than 0.2 μm, the effect of improving the corrosion resistance by the CuSn alloy layer may be insufficient.

上記ピン端子は、上記CuSn合金層が厚いほど優れた耐食性を有するが、CuSn合金層の厚みが1μmを超える場合には、生産性が低下する一方で耐食性を向上させる効果が飽和し始め、厚みに見合った効果を得ることが難しい。それ故、優れた耐食性と高い生産性とを両立させる観点からは、上記CuSn合金層の厚みは0.2〜1μmであることがより好ましい。   The pin terminal has a higher corrosion resistance as the CuSn alloy layer is thicker. However, when the thickness of the CuSn alloy layer exceeds 1 μm, the effect of improving the corrosion resistance is reduced while the productivity is lowered, and the thickness is increased. It is difficult to obtain an effect commensurate with Therefore, from the viewpoint of achieving both excellent corrosion resistance and high productivity, the thickness of the CuSn alloy layer is more preferably 0.2 to 1 μm.

上記Niめっき膜の厚みは0.01〜0.3μmである。上記Niめっき膜は、上述したように、Cuめっき膜を形成する工程においてCuめっき浴が上記芯材と直接接触することを抑制し、Cuめっき膜及びSnめっき膜と芯材との密着性を向上させる作用を有する。上記Niめっき膜の厚みを0.01μm以上にすることにより、上記の効果を十分に得ることができる。 The thickness of the Ni plating film is 0.01 to 0.3 [mu] m. As described above, the Ni plating film suppresses the direct contact of the Cu plating bath with the core material in the process of forming the Cu plating film, and improves the adhesion between the Cu plating film and the Sn plating film and the core material. Has the effect of improving. By making the thickness of the Ni plating film 0.01 μm or more, the above effects can be sufficiently obtained.

上記Niめっき膜の厚みが0.01μm未満の場合には、ピンホールやピット等の欠陥が上記Niめっき膜に過度に多く発生するため、Cuめっき浴と芯材とが接触しやすくなる。その結果、置換反応によるCuの析出が起こりやすくなり、Snめっき膜及びCuめっき膜と芯材との間の密着性が低下するおそれがある。   When the thickness of the Ni plating film is less than 0.01 μm, defects such as pinholes and pits are excessively generated in the Ni plating film, so that the Cu plating bath and the core material are likely to come into contact with each other. As a result, Cu is liable to precipitate due to the substitution reaction, and the adhesion between the Sn plating film and the Cu plating film and the core material may be reduced.

上記Niめっき膜は、欠陥を低減してSnめっき膜及びCuめっき膜と芯材との間の密着性を向上させる観点からは、膜厚を厚くすることが好ましい。しかし、Niめっき膜は、電気めっき処理における電流密度をCuめっきよりも高くすることが難しく、上記芯材上への製膜速度を速くすることには限界がある。それ故、Niめっき膜の膜厚を厚くしようとするとめっき処理に要する時間が長くなり、製造コストの増大を招くという問題がある。製造コストの増大を抑制しつつSnめっき膜等との優れた密着性及び耐食性を得るためには、上記Niめっき膜の膜厚を0.01〜0.5μmにすることが好ましく、0.01〜0.3μmにすることがより好ましい。   From the viewpoint of reducing defects and improving the adhesion between the Sn plating film and Cu plating film and the core material, the Ni plating film is preferably made thick. However, it is difficult for the Ni plating film to make the current density in the electroplating process higher than that of the Cu plating, and there is a limit to increasing the film forming speed on the core material. Therefore, when it is attempted to increase the thickness of the Ni plating film, there is a problem that the time required for the plating process becomes longer and the manufacturing cost is increased. In order to obtain excellent adhesion and corrosion resistance with an Sn plating film or the like while suppressing an increase in manufacturing cost, the thickness of the Ni plating film is preferably 0.01 to 0.5 μm, It is more preferable to set it to -0.3 micrometer.

上記Cuめっき膜の厚みは0.5〜1.5μmであることが好ましい。この場合には、Snめっき膜の密着性をより高めることができる。上記Cuめっき膜の厚みが0.5μm未満の場合には、Snめっき膜の密着性が不十分となり、芯材から剥離しやすくなるおそれがある。また、上記CuSn合金層をリフロー処理により形成する場合には、Snとの合金化反応に費やされるCu量が不足し、CuSn合金層の厚みが不十分となるおそれがある。従って、上記の効果を十分に得るために、Cuめっき膜の厚みを0.5μm以上とすることが好ましい。   The thickness of the Cu plating film is preferably 0.5 to 1.5 μm. In this case, the adhesion of the Sn plating film can be further improved. When the thickness of the Cu plating film is less than 0.5 μm, the adhesion of the Sn plating film becomes insufficient, and there is a possibility that the Cu plating film is easily peeled off from the core material. Moreover, when forming the said CuSn alloy layer by a reflow process, there exists a possibility that the amount of Cu spent on alloying reaction with Sn may be insufficient, and the thickness of a CuSn alloy layer may become inadequate. Therefore, in order to sufficiently obtain the above effect, the thickness of the Cu plating film is preferably 0.5 μm or more.

なお、上記Cuめっき膜の厚みの上限は特にないが、生産性及び材料コスト低減の観点からは1.5μm以下とすることが好ましく、1.0μm以下とすることがより好ましい。   In addition, although there is no upper limit in particular of the thickness of the said Cu plating film, it is preferable to set it as 1.5 micrometers or less from a viewpoint of productivity and material cost reduction, and it is more preferable to set it as 1.0 micrometer or less.

上記Snめっき膜の厚みは0.6〜5μmであることが好ましい。Snめっき膜は比較的軟らかいため、厚みを上記特定の範囲にすることにより、相手方端子との接触抵抗を十分に低くすることができ、優れた接続信頼性を得ることができる。   The thickness of the Sn plating film is preferably 0.6 to 5 μm. Since the Sn plating film is relatively soft, the contact resistance with the counterpart terminal can be sufficiently lowered by setting the thickness within the above specific range, and excellent connection reliability can be obtained.

上記Snめっき膜の厚みが0.6μm未満の場合には、Snめっき膜による接続信頼性向上の効果が不十分となり、接触抵抗の上昇等を招くおそれがある。一方、上記Snめっき膜の厚みが5μmを超える場合には、相手方端子との嵌合の際にSnめっき膜が相手方端子に掘り起こされる、あるいは相手方端子の表面に存在するSnめっき膜との凝着が生じる等の問題が発生しやすくなり、端子挿入力の上昇を招くおそれがある。従って、優れた接続信頼性と低い端子挿入力とを両立させる観点から、上記Snめっき膜の厚みは0.6〜5μmであることが好ましい。同じ観点から、上記Snめっき膜の厚みは0.6〜3μmがより好ましく、0.6〜2μmが更に好ましい。   When the thickness of the Sn plating film is less than 0.6 μm, the effect of improving the connection reliability by the Sn plating film is insufficient, and there is a risk of increasing the contact resistance. On the other hand, when the thickness of the Sn plating film exceeds 5 μm, the Sn plating film is dug up in the mating terminal at the time of fitting with the mating terminal, or is adhered to the Sn plating film existing on the surface of the mating terminal. This may cause problems such as the occurrence of a problem, and may increase the terminal insertion force. Therefore, from the viewpoint of achieving both excellent connection reliability and low terminal insertion force, the thickness of the Sn plating film is preferably 0.6 to 5 μm. From the same viewpoint, the thickness of the Sn plating film is more preferably 0.6 to 3 μm, and still more preferably 0.6 to 2 μm.

上記芯材を構成するCu−Fe系合金は、10〜70質量%以上のFeを含有し、残部がCu及び不可避不純物よりなる化学成分を有している。かかる化学成分を有するCu−Fe系合金は、Feを主成分とするFeリッチ相がCuを主成分とするCuリッチ相の中に分布している金属組織を有する。ここで、上述した「主成分」とは、最も含有量の多い元素であることを意味している。即ち、上記Cuリッチ相は主成分のCuの他に微量のFeあるいは不純物を含有する場合がある。また、Feリッチ相は主成分のFeの他に微量のCuあるいは不純物を含有する場合がある。 The Cu—Fe-based alloy constituting the core material contains 10 to 70% by mass or more of Fe, and the balance has chemical components composed of Cu and inevitable impurities. Cu-Fe-based alloy having such chemical composition has a metal structure Fe rich phase composed mainly of Fe are distributed in the Cu-rich phase mainly composed of Cu. Here, the above-mentioned “main component” means an element having the highest content. That is, the Cu-rich phase may contain a trace amount of Fe or impurities in addition to the main component Cu. The Fe-rich phase may contain a trace amount of Cu or impurities in addition to the main component Fe.

上記Cu−Fe系合金は、Feの含有量が多くなるほど強度が高くなる傾向がある。そのため、上記芯材は、Feの含有量を10質量%以上とすることにより、ピン端子に要求される強度を十分に満足することができる。また、上記芯材のFeの含有量を10質量%以上とすることにより、従来の銅合金よりも材料コストを低減することができる。それ故、強度をより高くし、材料コストをより低減する観点から、Feの含有量は10質量%以上とする。同じ観点から、Feの含有量は20質量%以上が好ましく、50質量%以上がより好ましい。   The Cu—Fe-based alloy tends to increase in strength as the Fe content increases. Therefore, the said core material can fully satisfy the intensity | strength requested | required of a pin terminal by content of Fe being 10 mass% or more. Moreover, material cost can be reduced rather than the conventional copper alloy by content of Fe of the said core material being 10 mass% or more. Therefore, from the viewpoint of increasing the strength and further reducing the material cost, the Fe content is set to 10% by mass or more. From the same viewpoint, the Fe content is preferably 20% by mass or more, and more preferably 50% by mass or more.

一方、Cu−Fe系合金は、Feの含有量が過度に多くなると、曲げ加工を施す際の加工性が悪化するため、ピン端子に曲げ加工を施す際に割れ等が生じ易くなる。また、芯材に含まれるFeリッチ相はCuリッチ相に比べて導電率が低いため、Feの含有量が過度に多い場合には、上記芯材の導電率が低くなりやすい。それ故、Feの含有量が過度に多い場合には、ピン端子に要求される導電率を満足することが困難となるおそれがある。これらの問題は、Feの含有量を70質量%以下に規制することにより回避することができる。同様の観点から、Feの含有量を60質量%以下に規制することが好ましい。   On the other hand, if the content of Fe in the Cu—Fe-based alloy is excessively increased, the workability at the time of bending is deteriorated, so that cracks and the like are likely to occur when the pin terminal is bent. Moreover, since the Fe-rich phase contained in the core material has a lower electrical conductivity than the Cu-rich phase, when the Fe content is excessively large, the electrical conductivity of the core material tends to be low. Therefore, if the Fe content is excessively large, it may be difficult to satisfy the electrical conductivity required for the pin terminal. These problems can be avoided by regulating the Fe content to 70% by mass or less. From the same viewpoint, the Fe content is preferably regulated to 60% by mass or less.

以上のように、上記芯材は、Feの含有量を10〜70質量%とすることにより、ピン端子に要求される強度、加工性、導電性等の諸特性を満足でき、かつ、従来よりも材料コストを低減できる。   As described above, the core material can satisfy various properties such as strength, workability, and conductivity required for the pin terminal by setting the Fe content to 10 to 70% by mass, and conventionally. Can also reduce material costs.

上記端子材料は、例えば、上記特定の範囲の化学成分を有するCu−Fe系合金の線材にめっき処理を施すことにより作製することができる。即ち、上記端子材料は、所望の断面形状を有する線材に、Niめっき処理、Cuめっき処理及びSnめっき処理を順次施すことにより作製できる。また、上記端子材料は、Cu−Fe系合金の板材に打ち抜き加工を施して得られる打ち抜き材に、上記のめっき処理を順次施して作製してもよい。上述のようにして得られた端子材料は、リフロー処理を行ってCuSn合金層を形成した後、プレス加工による成形及び端子の切り離しを経てピン端子となる。なお、上述した線材や板材は、Cu−Fe系合金の鋳塊に熱間加工、冷間加工及び熱処理等の公知の工程を適宜組み合わせることにより作製できる。   The terminal material can be produced, for example, by performing a plating process on a Cu-Fe-based alloy wire having the chemical component in the specific range. That is, the terminal material can be produced by sequentially performing Ni plating, Cu plating and Sn plating on a wire having a desired cross-sectional shape. The terminal material may be produced by sequentially performing the above-described plating treatment on a punched material obtained by punching a Cu-Fe-based alloy plate. The terminal material obtained as described above is subjected to reflow treatment to form a CuSn alloy layer, and then becomes a pin terminal through molding by pressing and separation of the terminal. Note that the above-described wire and plate can be produced by appropriately combining known processes such as hot working, cold working, and heat treatment with an ingot of a Cu—Fe alloy.

(実施例)
上記ピン端子の実施例について、図を用いて説明する。図1及び図2に示すように、ピン端子1は、10〜70質量%のFeを含有し、残部がCu及び不可避的不純物よりなる化学成分を有するCu−Fe系合金からなる芯材2を有している。また、ピン端子1は、芯材2上に存在するNiめっき膜3と、Niめっき膜3上に存在するCuめっき膜4と、Cuめっき膜4上に存在するCuSn合金層5と、CuSn合金層5上に存在するSnめっき膜6とを有している。
(Example)
Examples of the pin terminals will be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, the pin terminal 1 includes a core material 2 made of a Cu—Fe based alloy containing 10 to 70% by mass of Fe and the balance having chemical components composed of Cu and inevitable impurities. Have. The pin terminal 1 includes a Ni plating film 3 present on the core material 2, a Cu plating film 4 present on the Ni plating film 3, a CuSn alloy layer 5 present on the Cu plating film 4, and a CuSn alloy. And an Sn plating film 6 existing on the layer 5.

以下、ピン端子1のより詳細な構成を、作製方法の一例と共に説明する。本例においては、まず、一辺が0.64mmの正方形断面を有し、Feを50質量%含有するCu−Fe系合金からなる角線材を準備した。かかる組成を有するCu−Fe系合金は、Feの含有量が固溶限を超えているため、Cuリッチ相20中にFeリッチ相21が分布した金属組織(図2参照)を有している。   Hereinafter, a more detailed configuration of the pin terminal 1 will be described together with an example of a manufacturing method. In this example, first, a square wire made of a Cu—Fe alloy having a square cross section with a side of 0.64 mm and containing 50 mass% Fe was prepared. The Cu—Fe based alloy having such a composition has a metal structure (see FIG. 2) in which the Fe rich phase 21 is distributed in the Cu rich phase 20 because the Fe content exceeds the solid solubility limit. .

次に、上記角線材の表面に電気めっき処理を順次施すことにより、Niめっき膜3、Cuめっき膜4及びSnめっき膜6を積層させ、端子材料を作製した。電気めっき処理の条件は、従来公知の条件から適宜選択することができる。本例においては、Niめっき膜3の膜厚が0.3μm、Cuめっき膜4の膜厚が1.0μm、Snめっき膜6の膜厚が1.0μmとなるように電気めっき処理を行った。   Next, by sequentially performing electroplating treatment on the surface of the rectangular wire, the Ni plating film 3, the Cu plating film 4, and the Sn plating film 6 were laminated to produce a terminal material. The conditions for the electroplating treatment can be appropriately selected from conventionally known conditions. In this example, the electroplating process was performed so that the thickness of the Ni plating film 3 was 0.3 μm, the thickness of the Cu plating film 4 was 1.0 μm, and the thickness of the Sn plating film 6 was 1.0 μm. .

次いで、Niめっき膜3、Cuめっき膜4及びSnめっき膜6が形成された端子材料を加熱してリフロー処理を行い、Cuめっき膜4とSnめっき膜6との間にCuSn合金層5を形成した。リフロー処理における加熱温度は、Snの融点をTmとしたときに、Tm〜Tm+50℃の範囲内であることが好ましい。上記リフロー処理の加熱温度を上記特定の温度範囲とすることにより、SnとCuとを合金化させ、CuSn合金層5を確実に形成することができる。また、上記特定の温度範囲で上記リフロー処理を行う場合には、加熱時間を10〜120秒の範囲に制御することが好ましい。加熱温度及び加熱時間を上記の範囲内で設定することにより、緻密なCuSn合金層5を容易に形成することができる。 Next, the terminal material on which the Ni plating film 3, the Cu plating film 4 and the Sn plating film 6 are formed is heated to perform a reflow process, and a CuSn alloy layer 5 is formed between the Cu plating film 4 and the Sn plating film 6. did. The heating temperature in the reflow treatment is preferably in the range of T m to T m + 50 ° C. when the melting point of Sn is T m . By setting the heating temperature for the reflow treatment within the specific temperature range, Sn and Cu can be alloyed, and the CuSn alloy layer 5 can be reliably formed. Moreover, when performing the said reflow process in the said specific temperature range, it is preferable to control heating time in the range of 10 to 120 second. By setting the heating temperature and the heating time within the above ranges, the dense CuSn alloy layer 5 can be easily formed.

本例においては、リフロー処理における加熱温度を280℃とし、加熱時間を20秒とした。その結果、0.3μmの厚みを有し、Cu6Sn5金属間化合物が含まれているCuSn合金層5を形成することができた。また、図には示さないが、本例においては、上記のリフロー処理を行うことによりNiめっき膜3のNiと芯材2及びCuめっき膜4のCuとが合金化し、芯材2とNiめっき膜3との間及びNiめっき膜3とCuめっき膜4との間にCuNi合金層が形成された。 In this example, the heating temperature in the reflow process was 280 ° C., and the heating time was 20 seconds. As a result, a CuSn alloy layer 5 having a thickness of 0.3 μm and containing a Cu 6 Sn 5 intermetallic compound could be formed. Although not shown in the figure, in this example, Ni of the Ni plating film 3 and Cu of the core material 2 and Cu of the Cu plating film 4 are alloyed by performing the above reflow treatment, and the core material 2 and the Ni plating are formed. CuNi alloy layers were formed between the film 3 and between the Ni plating film 3 and the Cu plating film 4.

リフロー処理の後、端子材料にプレス加工を施し、所望の長さに切り離すと同時に切り離した端末部100をテーパ状に成形した。以上により、図1に示すピン端子1を得た。なお、本例のピン端子1は、プレス加工による切り離しの際に、切り離された端末部100に芯材2が不可避的に露出する。しかしながら、端末部100は相手方端子と直接接触せず通電経路とはならないこと、及び、CuSn合金層5により覆われた側周面101に比べて端末部100の面積比率が極めて小さいことから、端末部100における芯材2の露出がピン端子1全体の耐食性の低下を招くことはない。   After the reflow treatment, the terminal material was subjected to press working, and the terminal portion 100 that was cut off at the same time as the desired length was formed into a tapered shape. Thus, the pin terminal 1 shown in FIG. 1 was obtained. In addition, in the pin terminal 1 of this example, the core material 2 is inevitably exposed to the separated terminal portion 100 when being separated by press working. However, the terminal portion 100 is not in direct contact with the counterpart terminal and does not form a current-carrying path, and the terminal portion 100 has a very small area ratio compared to the side peripheral surface 101 covered with the CuSn alloy layer 5. The exposure of the core material 2 in the portion 100 does not cause a decrease in the corrosion resistance of the entire pin terminal 1.

本例のピン端子1は、例えば、図3及び図4に示すPCBコネクタ10等の基板用コネクタに組み込んで用いることができる。コネクタ10は、凹部71を備えたハウジング7と、ハウジング7を貫通して配置された複数のピン端子1とを有している。   The pin terminal 1 of this example can be used by being incorporated in a board connector such as the PCB connector 10 shown in FIGS. The connector 10 includes a housing 7 having a recess 71 and a plurality of pin terminals 1 disposed through the housing 7.

ハウジング7は、図3及び図4に示すように略直方体状を呈しており、ピン端子1が貫通する底壁部72と、底壁部72の外周縁部から立設された側壁部73とを有している。そして、底壁部72及び側壁部73により囲まれた空間が凹部71を構成している。   The housing 7 has a substantially rectangular parallelepiped shape as shown in FIGS. 3 and 4, and includes a bottom wall portion 72 through which the pin terminal 1 penetrates, and a side wall portion 73 erected from the outer peripheral edge portion of the bottom wall portion 72. have. A space surrounded by the bottom wall portion 72 and the side wall portion 73 constitutes the recess 71.

図4に示すように、ピン端子1は底壁部72を貫通して配置されており、凹部71内に相手方端子と直接接触する端子接続部102を有している。また、ピン端子1は、端子接続部102と反対側の端部にはんだ付け部103を有している。はんだ付け部103は、コネクタ10をPCB基板Pに実装する作業において、PCB基板Pのスルーホール(図示略)に挿入された状態ではんだ付けが施される。また、本例のピン端子1は、コネクタ10に配設された状態において、端子接続部102とはんだ付け部103とが互いに直角方向となるように屈曲されている。   As shown in FIG. 4, the pin terminal 1 is disposed through the bottom wall portion 72, and has a terminal connection portion 102 that directly contacts the counterpart terminal in the recess 71. Further, the pin terminal 1 has a soldering portion 103 at the end opposite to the terminal connection portion 102. The soldering portion 103 is soldered in a state of being inserted into a through hole (not shown) of the PCB board P in the operation of mounting the connector 10 on the PCB board P. In addition, the pin terminal 1 of this example is bent so that the terminal connection portion 102 and the soldering portion 103 are perpendicular to each other in a state where the pin terminal 1 is disposed in the connector 10.

次に、本例の作用効果を説明する。図5に、Snめっき膜6をエッチングにより除去し、CuSn合金層5を露出させた状態のピン端子1の表面のSEM(走査型電子顕微鏡)像を示す。図5より、上記の方法により作製したピン端子1は、ピットやピンホール等が少なく、CuSn合金の結晶50が緻密かつ均一に形成されたCuSn合金層5を有していることが理解できる。本例のピン端子1は、このようなCuSn合金層5を有していることにより、芯材2の露出を抑制でき、優れた耐食性を有すると考えられる。   Next, the function and effect of this example will be described. FIG. 5 shows an SEM (scanning electron microscope) image of the surface of the pin terminal 1 in a state where the Sn plating film 6 is removed by etching and the CuSn alloy layer 5 is exposed. From FIG. 5, it can be understood that the pin terminal 1 manufactured by the above method has the CuSn alloy layer 5 in which the pits and pinholes are few and the CuSn alloy crystal 50 is densely and uniformly formed. Since the pin terminal 1 of this example has such a CuSn alloy layer 5, it is considered that the core material 2 can be prevented from being exposed and has excellent corrosion resistance.

(比較例)
本例は、Cu−Fe系合金よりなる芯材2の表面に直接Snめっき膜6を形成し、リフロー処理を行ったピン端子8(図6参照)の例である。本例のピン端子8は、芯材2の表面に電気めっきにより膜厚1.5μmのSnめっき膜6を形成した後、温度280℃、20秒間の加熱条件でリフロー処理を行うことにより作製した。なお、図6及び図7において用いた符号のうち、実施例において用いた符号と同一のものは、特に説明のない限り実施例と同様の構成要素等を示す。
(Comparative example)
This example is an example of the pin terminal 8 (see FIG. 6) in which the Sn plating film 6 is directly formed on the surface of the core material 2 made of a Cu—Fe-based alloy and reflow treatment is performed. The pin terminal 8 of this example was manufactured by forming a Sn plating film 6 having a thickness of 1.5 μm on the surface of the core material 2 by electroplating and then performing a reflow process at a temperature of 280 ° C. for 20 seconds. . Of the reference numerals used in FIGS. 6 and 7, the same reference numerals as those used in the embodiments denote the same components as those in the embodiments unless otherwise specified.

本例においては、ピン端子8に中性の塩化ナトリウム溶液を連続的に噴霧して耐食性の評価を行った。なお、耐食性の評価は、JIS H 8502:1999に規定する中性塩水噴霧試験方法に準じた条件により行った。   In this example, a neutral sodium chloride solution was continuously sprayed on the pin terminal 8 to evaluate the corrosion resistance. In addition, evaluation of corrosion resistance was performed on the conditions according to the neutral salt spray test method prescribed | regulated to JISH8502: 1999.

図7に、塩化ナトリウム溶液の噴霧を96時間行った後のピン端子8の表面のSEM像を示す。図7に示すように、試験後のピン端子8の表面からは腐食によりSnめっき膜6が消失しており、粒状の微細な結晶が集まっている領域Aと、比較的平坦な領域Bとが混在していた。また、図7と同一の視野について元素マッピング像を取得したところ、領域Aに存在する粒状の微細な結晶はCuSn合金の結晶50であり、領域Bは表面に露出したFeリッチ相21であることが確認できた。   FIG. 7 shows an SEM image of the surface of the pin terminal 8 after spraying the sodium chloride solution for 96 hours. As shown in FIG. 7, the Sn plating film 6 has disappeared from the surface of the pin terminal 8 after the test due to corrosion, and a region A where granular fine crystals are gathered and a relatively flat region B are present. It was mixed. Further, when an element mapping image was obtained for the same field of view as in FIG. 7, the granular fine crystals present in the region A were CuSn alloy crystals 50, and the region B was the Fe-rich phase 21 exposed on the surface. Was confirmed.

以上の結果から、本例のように芯材2の表面に直接Snめっき膜6を形成した後にリフロー処理を行う場合、図6に示すように、Feリッチ相21とSnめっき膜6とが接触している部分にはCuSn合金層5が形成されないことが理解できる。本例のピン端子8は、Snめっき膜6が腐食等により消失した後は、表面に露出したFeリッチ相21から芯材2の深部に向けて腐食が進行するおそれがある。以上より、本例のピン端子8は実施例のピン端子1に比べて耐食性が低いことが理解できる。   From the above results, when reflow treatment is performed after the Sn plating film 6 is directly formed on the surface of the core material 2 as in this example, the Fe rich phase 21 and the Sn plating film 6 are in contact with each other as shown in FIG. It can be understood that the CuSn alloy layer 5 is not formed in the portion that is formed. In the pin terminal 8 of this example, after the Sn plating film 6 disappears due to corrosion or the like, corrosion may progress from the Fe-rich phase 21 exposed on the surface toward the deep part of the core material 2. From the above, it can be understood that the pin terminal 8 of this example has lower corrosion resistance than the pin terminal 1 of the example.

1 ピン端子
2 芯材
3 Niめっき膜
4 Cuめっき膜
5 CnSn合金層
6 Snめっき膜
1 Pin terminal 2 Core material 3 Ni plating film 4 Cu plating film 5 CnSn alloy layer 6 Sn plating film

Claims (6)

10〜70質量%のFeを含有し、残部がCu及び不可避的不純物よりなる化学成分を有し、Feを主成分とするFeリッチ相がCuを主成分とするCuリッチ相の中に分布している金属組織を有すると共に表面に上記Feリッチ相及び上記Cuリッチ相の両方が存在しているCu−Fe系合金からなる芯材と、
該芯材上に存在するNiめっき膜と、
該Niめっき膜上に存在するCuめっき膜と、
該Cuめっき膜上に存在するCuSn合金層と、
該CuSn合金層上に存在するSnめっき膜とを有しており、
上記Niめっき膜の厚みは0.01〜0.3μmであることを特徴とするピン端子。
Containing 10 to 70 wt% of Fe, have a chemical composition that the balance of Cu and unavoidable impurities, Fe-rich phase composed mainly of Fe is distributed in the Cu-rich phase mainly composed of Cu A core material made of a Cu-Fe-based alloy having a metallic structure and having both the Fe-rich phase and the Cu-rich phase on the surface;
A Ni plating film present on the core material;
A Cu plating film present on the Ni plating film;
A CuSn alloy layer present on the Cu plating film;
An Sn plating film present on the CuSn alloy layer ,
A pin terminal, wherein the Ni plating film has a thickness of 0.01 to 0.3 μm .
上記CuSn合金層の厚みは0.2μm以上であることを特徴とする請求項1に記載のピン端子。   The pin terminal according to claim 1, wherein the thickness of the CuSn alloy layer is 0.2 μm or more. 上記CuSn合金層にはCu6Sn5金属間化合物が含まれていることを特徴とする請求項1または2に記載のピン端子。 The pin terminal according to claim 1, wherein the CuSn alloy layer contains a Cu 6 Sn 5 intermetallic compound. 上記Cuめっき膜の厚みは0.5〜1.5μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のピン端子。The pin terminal according to any one of claims 1 to 3, wherein the Cu plating film has a thickness of 0.5 to 1.5 µm. 上記Snめっき膜の厚みは0.6〜5μmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のピン端子。The pin terminal according to any one of claims 1 to 4, wherein the Sn plating film has a thickness of 0.6 to 5 µm. 請求項1〜5のいずれか1項に記載のピン端子を作製するための端子材料であって、A terminal material for producing the pin terminal according to any one of claims 1 to 5,
10〜70質量%のFeを含有し、残部がCu及び不可避的不純物よりなる化学成分を有し、Feを主成分とするFeリッチ相がCuを主成分とするCuリッチ相の中に分布している金属組織を有すると共に表面に上記Feリッチ相及び上記Cuリッチ相の両方が存在しているCu−Fe系合金からなる芯材と、  Fe containing 10 to 70% by mass of Fe, with the balance being a chemical component consisting of Cu and inevitable impurities, Fe-rich phase containing Fe as the main component is distributed in the Cu-rich phase containing Cu as the main component A core material made of a Cu-Fe-based alloy having a metallic structure and having both the Fe-rich phase and the Cu-rich phase on the surface;
該芯材上に存在するNiめっき膜と、  A Ni plating film present on the core material;
該Niめっき膜上に存在するCuめっき膜と、  A Cu plating film present on the Ni plating film;
該Cuめっき膜上に存在するSnめっき膜とを有しており、  And Sn plating film present on the Cu plating film,
上記Niめっき膜の厚みは0.01〜0.3μmであることを特徴とする端子材料。  A terminal material, wherein the Ni plating film has a thickness of 0.01 to 0.3 μm.
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