JP5747334B2 - カーボンナノチューブ発光素子、光源及びフォトカプラ - Google Patents
カーボンナノチューブ発光素子、光源及びフォトカプラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5747334B2 JP5747334B2 JP2012512744A JP2012512744A JP5747334B2 JP 5747334 B2 JP5747334 B2 JP 5747334B2 JP 2012512744 A JP2012512744 A JP 2012512744A JP 2012512744 A JP2012512744 A JP 2012512744A JP 5747334 B2 JP5747334 B2 JP 5747334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- carbon nanotube
- carbon nanotubes
- substrate
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 127
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims description 127
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims description 125
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 claims description 22
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910021404 metallic carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000002011 CNT10 Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000000981 high-pressure carbon monoxide method Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000006250 one-dimensional material Substances 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K1/00—Details
- H01K1/02—Incandescent bodies
- H01K1/04—Incandescent bodies characterised by the material thereof
- H01K1/06—Carbon bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K1/00—Details
- H01K1/02—Incandescent bodies
- H01K1/04—Incandescent bodies characterised by the material thereof
- H01K1/10—Bodies of metal or carbon combined with other substance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K3/00—Apparatus or processes adapted to the manufacture, installing, removal, or maintenance of incandescent lamps or parts thereof
- H01K3/02—Manufacture of incandescent bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
- Y10S977/95—Electromagnetic energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、カーボンナノチューブ発光素子、光源及びフォトカプラに係り、特に、情報通信電気電子分野で用いるのに好適な、高速変調できる連続スペクトル光源を実現可能なカーボンナノチューブ発光素子、該カーボンナノチューブ発光素子を用いた光源及びフォトカプラに関する。
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、光励起によって発光を観測するフォトルミネッセンス測定により発光が観測されたことを皮切りに研究が精力的に進められているが、近年は電流注入による発光が観測されたことから発光素子としても期待されている。カーボンナノチューブを用いた発光素子は、非特許文献１〜８に報告されている。しかし、カーボンナノチューブ発光素子の高速変調性は、これまで全く研究・開発の報告がされておらず、未開拓であった。
カーボンナノチューブ発光素子の発光のメカニズムは、（ａ）電子・正孔の再結合による発光と、（ｂ）黒体放射による発光の２つに分けられる。
（ａ）電子・正孔の再結合による発光について
現在、精力的に研究が進められているのは、主にこの発光機構である。電子・正孔の再結合による発光は、半導体カーボンナノチューブ中に何らかの方法により電子と正孔を励起し、それらの再結合によって発光するものである。現在の固体半導体における発光ダイオード（ＬＥＤ）に対応する発光原理である。
現在、精力的に研究が進められているのは、主にこの発光機構である。電子・正孔の再結合による発光は、半導体カーボンナノチューブ中に何らかの方法により電子と正孔を励起し、それらの再結合によって発光するものである。現在の固体半導体における発光ダイオード（ＬＥＤ）に対応する発光原理である。
励起方法としては、（ｉ）電子・正孔注入励起、（ii）衝突励起、（iii）加熱励起が報告されている。（ｉ）は、カーボンナノチューブに形成した２つの電極から電子と正孔をそれぞれ反対方向より注入し、それらの再結合で発光するものである。（ii）は、電極から高い運動エネルギーをもつ正孔（または電子）を注入し、その運動エネルギーを失う際のエネルギーで電子・正孔ペア（励起子）を生成し、励起子の緩和により発光するものである。（iii）は、カーボンナノチューブに通電した際のジュール熱等による加熱による熱エネルギーで電子を励起し、電子が正孔と緩和する際に発光するものである。
（ｂ）黒体放射による発光について
あらゆる物質は、絶対零度を超える温度において熱による電磁波の放射（黒体放射）が見られる。この黒体放射では、その発光スペクトルはプランク則によって記述されるとともに、熱放射のエネルギーは温度Ｔの４乗に比例するステファン・ボルツマン則に従う。この黒体放射は、現在は例えば電球のタングステンフィラメントとして用いられていて、照明等に利用されている。
あらゆる物質は、絶対零度を超える温度において熱による電磁波の放射（黒体放射）が見られる。この黒体放射では、その発光スペクトルはプランク則によって記述されるとともに、熱放射のエネルギーは温度Ｔの４乗に比例するステファン・ボルツマン則に従う。この黒体放射は、現在は例えば電球のタングステンフィラメントとして用いられていて、照明等に利用されている。
カーボンナノチューブにおいても、カーボンナノチューブを束ねてフィラメント状にしたものを用いて、通電による加熱でフィラメントと同様に発光することが報告されている（非特許文献９）。しかし、フィラメント状の発光は、タングステンの電球と同様に高速でのオンオフ変調は不可能である。また、数μｍ程度の太い束状の多層カーボンナノチューブ（非特許文献１０）や直径１３ｎｍ程度の太い多層カーボンナノチューブを基板上に配置して（非特許文献１１）、通電による黒体放射を観測した例も報告されていて、プランク則に従うことが示されているが、太いカーボンナノチューブでは高速変調が難しく、高速変調は試みられていない。
また、黒体放射は、発光ダイオードやレーザーダイオードとは異なり、広い波長範囲において連続的なスペクトル（連続スペクトル光源）を得られる特徴がある。しかし、従来のフィラメント等による黒体放射では、高速の変調性は有していないため、現状では高速変調可能な連続スペクトル光源は存在しない。
また、これまで報告されている発光素子では、一本のカーボンナノチューブを用いたものと多数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ薄膜（カーボンナノチューブネットワーク）の２つに大別される。
一本のカーボンナノチューブ発光素子は、非特許文献１〜６によって報告されるとともに、非特許文献７、８では、数本のカーボンナノチューブが絡まって一束となったバンドル状と呼ばれるカーボンナノチューブを一束用いて、発光を観測している。一本または一束のカーボンナノチューブを用いた発光素子は、単一の発光を取り出しやすく、スペクトルの幅が狭いという特徴を有する。しかし、（１）カーボンナノチューブを成長した基板を顕微鏡により観察して一本のカーボンナノチューブを探し出す、または、（２）多くの作製した素子の中から、偶然一本に電極形成された素子を選び出す必要がある。そのため、素子の歩留まりは悪いのが一般的である。
一方、カーボンナノチューブ薄膜（またはネットワーク）を用いた発光素子は、出願人が特許文献１で提案しているが、歩留まり良く素子を作製することが出来る。ただし、発光スペクトルは、一本のものと比べてブロードになる特徴がある。また、非特許文献７、８においても薄膜状のカーボンナノチューブ素子からの発光が報告されている。
J. A. Misewich et al., Science 300, 783 (2003)
Freitag, M.; Chen, J.; Tersoff, J.; Tsang, J. C.; Fu, Q.; Liu, J.; Avouris, Ph. Phys. ReV. Lett. 2004, 93, 076803.
Freitag, M.; Perebeinos, V.; Chen, J.; Stein, A.; Tsang, J. C.; Misewich, J. A.; Martel, R.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2004, 4, 1063.
Chen, J.; Perebeinos, V.; Freitag, M.; Tsang, J. C.; Fu, Q.; Liu, J.;Avouris, Ph. Science 2005, 310, 1171.
Marcus Freitag, James C. Tsang, John Kirtley, Autumn Carlsen, Jia Chen, Aico Troeman, Hans Hilgenkamp, and Phaedon Avouris, Nano Letters 6, 1425 (2006)
DAVID MANN, Y. K. KATO, ANIKA KINKHABWALA, ERIC POP, JIEN CAO, XINRAN WANG, LI ZHANG, QIAN WANG, JING GUO AND HONGJIE DAI, Nature nanotechnology, 2, 33 (2007).
L. Marty, E. Adam, L. Albert, R. Doyon, D. Me´nard, and R. Martel, Phys. Rev. Lett. 96, 136803 (2006)
E. Adam, C. M. Aguirre, L. Marty, B. C. St-Antoine, F. Meunier, P. Desjardins, D. Me´nard, and R. Martel, Nano Letters, 8, 2351 (2008)
Jinquan Wei, Hongwei Zhu, Dehai Wu, Bingqing Wei, APPLIED PHYSICS LETTERS 84, 4869 (2004)
Peng Li, Kaili Jiang, Ming Liu, Qunqing Li, and Shoushan Fan, Jialin Sun, APPLIED PHYSICS LETTERS 82, 1763 (2003)
Yuwei Fan, S. B. Singer, Raymond Bergstrom, and B. C. Regan, PHYSICAL REVIEW LETTERS 102, 187402 (2009)
従来報告されているカーボンナノチューブ発光素子は、直流電圧または直流電流によって駆動する変調無しの発光素子である。光通信や光集積回路で使用する場合は、高速で変調してオンオフする必要があるため、従来のカーボンナノチューブ発光素子は光による情報通信には使用することが出来ない。大量の情報を光通信により伝送するためには、高速で変調する発光素子が必要である。
また、現在高速変調に利用されている発光ダイオードやレーザーダイオードは、特定のエネルギー間の緩和に伴う発光を利用しているため、広い波長範囲で連続的なスペクトル（連続スペクトル光源）を得ることが出来ない。一方、従来のフィラメントによる連続スペクトル光源は、高速の変調性を有していないため、現状では高速変調可能な連続スペクトル光源は存在しない。
本発明は、前記従来の問題点を解決するべくなされたもので、高速変調できる連続スペクトル光源を実現可能とすることを課題とする。
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、その構造（カイラリティー）に依存して、バンドギャップを有する半導体カーボンナノチューブとバンドギャップを有しない金属カーボンナノチューブが存在する。このうち半導体カーボンナノチューブを用いた場合、電極金属との接合付近において半導体と金属の接合に伴うショットキーバリアが発生する。これは、電極からカーボンナノチューブへのキャリア注入の妨げとなるため、半導体カーボンナノチューブでは黒体放射を得るための電圧が上昇する。一方、金属カーボンナノチューブでは、ショットキーバリアが発生しないことから、効率よくキャリアが注入される。一本の金属カーボンナノチューブと半導体カーボンナノチューブを比較した場合、図１に示すように、１Ｖの印加電圧では、金属カーボンナノチューブでは１０μＡ程度の電流が流れる（図１（ａ）参照）のに対して、半導体カーボンナノチューブでは数十ｎＡ程度の電流しか流れない（図１（ｂ）参照）。従って、金属カーボンナノチューブでは、半導体カーボンナノチューブよりも非常に低い電圧で黒体放射を実現できる。
一般に、カーボンナノチューブを生成させると、金属カーボンナノチューブと半導体カーボンナノチューブが混在する。複数のカーボンナノチューブを用いた場合、その中に一本でも金属カーボンナノチューブが存在すれば、金属カーボンナノチューブから発光する。また、最近になって、金属カーボンナノチューブを分離する技術として、電気泳動や遠心分離によって金属と半導体カーボンナノチューブを分離する技術が開発されているので、これによって金属カーボンナノチューブだけを用いて発光素子を作成することも可能である。
本発明は、このような知見に基づいてなされたもので、複数の電極と、該電極間に配設された、少なくとも一部に金属カーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブと、少なくとも前記金属カーボンナノチューブの表面を覆う絶縁体とを備え、前記電極への通電により金属カーボンナノチューブが発熱して発光する黒体放射によって、変調可能な発光を行うようにして、前記課題を解決したものである。
ここで、前記金属カーボンナノチューブ及び電極を基板上に配設して、放熱性を高めることができる。
本発明は、又、前記のカーボンナノチューブ発光素子を備えたことを特徴とする光源を提供するものである。
ここで、金属カーボンナノチューブを、光ファイバと直交するように、透明基板上に配設することができる。
又、金属カーボンナノチューブ及び電極を基板上に配設し、該基板の表面と平行な方向に発光するようにすることができる。
あるいは、金属カーボンナノチューブ及び電極を基板上に配設し、該基板の表面と垂直な方向に発光するようにすることができる。
本発明は、又、前記のカーボンナノチューブ発光素子と、受光素子を備えたことを特徴とするフォトカプラを提供するものである。
本発明によれば、金属カーボンナノチューブに電極を形成するだけで、高速変調可能な発光素子が得られる。この変調性は、光通信に応用した場合、最低でも１〜３Ｇｂｐｓ程度の超高速通信が期待される。また、Ｓｉ基板など様々な基板上に集積して作製することも容易である。そのため、光ファイバを用いた光通信や集積回路上への発光素子作製による光集積回路など、極めて多くの電子・情報通信分野に応用可能である。
また、本発明によれば、従来の発光ダイオードやレーザーダイオードでは不可能な広い波長範囲において連続的なスペクトル（連続スペクトル光源）を得られる特徴がある。従来のフィラメント等による黒体放射では、高速の変調性は有していないため、現状では高速変調可能な連続スペクトル光源は存在しないが、本発明により、高速変調可能な連続スペクトル光源が実現される。
本発明は、非常に高速に変調可能な発光素子について、（ａ）化合物半導体とは異なり、シリコン上に容易に集積化が可能、（ｂ）化合物半導体などに用いられる高価な半導体製造装置が不要なため、安価に製造可能、などの特徴を有している。そのため、光ファイバ通信だけではなく、シリコン基板上への光集積回路、チップ間やボード間の短距離情報伝送、フォトカプラなど、高速変調性を必要とする様々な応用が可能である。
以下図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
本発明の第１実施形態である発光素子は、図２に示す如く、一本（一束）の金属カーボンナノチューブまたは複数の金属カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）１０を含むカーボンナノチューブ薄膜に対してソース電極１２とドレイン電極１４を形成した素子構造を持つ。
基板２０としては、どのような基板を用いても良く、例えばＳｉ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯなどソース−ドレイン間が電気的に短絡しなければ、どのような基板を用いても良い。図において、２１は、基板２０上に設けられたＳｉＯ２膜である。
電極１２、１４の形状は、矩形などどのような形状でも良く、発光面積を増やすために櫛型電極にしても良い。また、電極材料は電流が流れる材料であれば、どのような材料でも良く、金属でも半導体でも良い。
図２に示したようにカーボンナノチューブ１０は、ソース−ドレイン電極間に配置される。電極間のカーボンナノチューブは、一本・一束のカーボンナノチューブでも複数のカーボンナノチューブでも良い。複数のカーボンナノチューブの場合は、歩留まりおよび発光強度が向上する。また、カーボンナノチューブであれば、化学気相成長法、アーク放電法、レーザーアブレーション法、ＨｉＰｃｏ法など、どのような成長法によるカーボンナノチューブを用いても良い。また、複数のカーボンナノチューブを用いる場合、複数のカーボンナノチューブの中に一本以上の金属カーボンナノチューブが含まれていれば、金属カーボンナノチューブから発光するため、半導体カーボンナノチューブと金属カーボンナノチューブが混在していてもよい。また、電気泳動や遠心分離により金属カーボンナノチューブのみを分離したものを用いてもよい。
第１実施形態の発光素子で用いるカーボンナノチューブ１０は、基板２０に横たわって接触しているものでも良く、カーボンナノチューブの両端のみが基板に支えられた架橋カーボンナノチューブでも良い。また、カーボンナノチューブは、ＳｉＯ２またはガラスやサファイアなどの絶縁体材料に覆われているカーボンナノチューブでも良い。カーボンナノチューブは大気中に露出していると、大気中の酸素と反応して損傷するが、カーボンナノチューブが絶縁体材料に覆われているか、真空中に保持されていれば、酸素との反応によるカーボンナノチューブの損傷を防ぐことが出来る。
第１実施形態の発光素子に電圧（４Ｖ）を印加した際の発光スペクトルの例を図３に示す。この発光素子は、基板２０に横たわって接触している多数のカーボンナノチューブ１０を用いた発光素子の例である。長波長側に見られる緩やかな発光は、通電によりカーボンナノチューブ１０が発熱することによる黒体放射による発光である。この長波長側の発光に対して、パルス電圧を印加した際の発光の時間分解測定の観測結果を図４に示す。また、図４には、印加されているパルス電圧（４Ｖ）から見積もられた発光強度の時間依存性も示されている。両者の結果より、印加したパルス電圧に追随した発光パルスが観測される。この発光の時間分解測定の立ち上がり時間・立ち下がり時間をフィッティングにより計算したところ、立ち上がり１ｎｓ、立ち下がり０．１ｎｓが見積もられ、パルス電圧印加による発光の高速変調が可能であることが確認された。この結果は、高速変調された電圧印加に伴い、高速での発光変調が可能であることを示しており、立ち上がり・立ち下がり時間から１Ｇｂｐｓ程度以上の高速光通信が可能であることを示している。また、図５（ａ）に示すような構成の測定装置で、一回の励起によって発生する全光子の時間軸上での強度分布が、一回の励起によって最初に発生する素子１個の時間軸上での発生確率と一致することを利用して、パルス電源６０から１ｎｓのパルス電圧（４Ｖ）を金属ＣＮＴ１０に印加した際にＡＰＤ６２で検出した発光の単一素子計数装置６４による時間分解測定の結果を図５（ｂ）に示す。ＣＮＴ黒体放射発光の応答速度が少なくとも１ＧＨｚ程度であることが確認できた。この時間分解測定は、カーボンナノチューブからの発光を光ファイバを通して測定しており、この発光素子が光ファイバを用いた高速光通信に用いることができることを示している。
この黒体放射による発光の高速変調は、（１）カーボンナノチューブが直径１ｎｍ程度の微小な一次元材料であることに起因して熱容量が非常に小さいこと、（２）カーボンナノチューブの熱伝導率が非常に高いことに起因している。これらに起因して、カーボンナノチューブに通電して発生する熱によって、速やかな昇温、降温が実現されることから、黒体放射にも関わらず高速に発光が変調される。このような黒体放射による発光の高速変調は、一本・一束のカーボンナノチューブ発光素子、および多数のカーボンナノチューブを用いた発光素子の両方で得られる。また、基板に横たわったカーボンナノチューブ発光素子、架橋したカーボンナノチューブ発光素子に関わらず高速変調が可能である。
ただし、この黒体放射の発光原理による高速変調では、少ない熱エネルギーでカーボンナノチューブの温度が速やかに変化することで高速変調が得られることから、高い放熱性を得ることができる基板に接触、または、材料で覆われたナノチューブを使用した場合に、立ち下がり時間の向上が見られる。
また、黒体放射に用いるカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ・二層カーボンナノチューブ・多層カーボンナノチューブなどいずれのカーボンナノチューブでも作製可能である。ただし、単層カーボンナノチューブは、多層カーボンナノチューブと比べて熱容量が小さくなることから、高速変調特性が向上する。また、多数のカーボンナノチューブを用いたカーボンナノチューブ薄膜を用いる場合、高速変調性を向上させるためには、熱容量が小さく、基板に速やかに熱を逃がした方が高速変調性が向上することから、多くのカーボンナノチューブが太い束になったカーボンナノチューブ薄膜ではなく、個々のカーボンナノチューブが孤立したカーボンナノチューブ薄膜を用いるほうが特性が向上する。
なお長時間の黒体放射を可能するためには、図６に示す本発明の第２実施形態である発光素子のように、絶縁膜１６を設けて、大気中の酸素との反応を防ぐことが望ましい。絶縁膜１６としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＨｆＯ2などの酸化物絶縁体や、ＰＭＭＡなどの高分子材料絶縁体など、絶縁性を有しており光が透過可能であれば、どのような材料の絶縁膜でも良い。
次に、光ファイバに対する入射光源として用いるのに好適な本発明の第３実施形態である連続スペクトル光源を説明する。
本実施形態は、図７に示す如く、第１実施形態と同様な発光素子に対し、光ファイバ３２のコア３４を押し当てて、ＰＭＭＡやエポキシ等の接着剤により接合するようにしたものである。
本実施形態によれば、光ファイバ３２のコア３４に効率良く光を入射することができる。
次に、基板と平行な方向に光を照射するようにした本発明の第４実施形態である連続スペクトル光源を説明する。
本実施形態は、図８に示す如く、Ｓｉ基板２０上に形成されたＳｉＯ2膜２１の上にカーボンナノチューブ１０及び電極１２、１４を配置すると共に、電極１２、１４間にコア３６を配置し、該コア３６の端面から発光するようにしたものである。図において３８は、前記コア３６を覆うクラッドである。
本実施形態によれば、基板２０と平行な方向に光を照射することができる。
黒体放射では連続スペクトルが得られるが、石英光ファイバなどを用いて更なる高速化を行うことを目指した場合、スペクトル幅を狭くすることが有用である。そこで、カーボンナノチューブ発光素子をミラーで挟んだ共振器構造を作製することにより、スペクトル幅の狭い発光素子とし、基板と垂直な方向に光を照射するようにした本発明の第５実施形態である光源を説明する。
本実施形態は、図９（Ａ）（斜視図）及び（Ｂ）（断面図）に示す如く、中心に光が通る孔２０Ａが形成されたＳｉ基板２０を用い、カーボンナノチューブ１０をＳｉＯ2等の誘電体薄膜４０で覆うとともに、該誘電体薄膜４０の上面及びＳｉＯ2膜２１の下面に、例えば金製の薄膜ミラー４２を配置したものである。
本実施形態によれば、スペクトル幅の狭い光を照射することができる。
次に、第５実施形態の上部のミラーを削除して上面から発光を取り出すようにした本発明の第６実施形態を図１０に示す。
本発明は、安価に高速変調光源が得られるため、フォトカプラへの応用が期待される。フォトカプラは、図１１に例示するように、発光素子１０と例えばフォトトランジスタチップのような受光素子５０を対として、電気信号を光に変換して伝達する素子である。フォトカプラでは、入力と出力が電気的に絶縁されており、基準電圧の異なる回路間の情報伝達やノイズ除去を目的として様々な機器で用いられている。現在実用化されているフォトカプラは、発光ダイオードを用いているために、超高速と呼ばれるものでも１０Ｍｂｐｓ程度であるが、本発明を用いることにより大幅な高速化が可能である。また、安価に作製可能であることや構造が単純であることから、比較的早期に実用化可能であると考えられる。
本発明に係る第７実施形態であるフォトカプラの基本構成を図１１（Ａ）に、内部構成を図１１（Ｂ）に示す。
図において、５２はリードフレーム、５４は、発光素子１０及び受光素子５０を覆う半透明エポキシ樹脂、５６は、該半透明エポキシ樹脂５４の周囲を覆う黒色エポキシ樹脂である。
本発明の特徴である、高速変調性、微小光源、シリコン上への集積可能を利用して、光集積回路（ＰＩＣ）や光・電子集積回路（ＯＥＩＣ）内のチップ内光配線・光回路用光源や、チップ間・ボード間光配線用光源として用いることが期待される。
１０…金属カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）
１２、１４…電極
２０…基板
２１…ＳｉＯ2膜
２２…透明基板
３２…光ファイバ
３４、３６…コア
３８…クラッド
４０…誘電体薄膜
４２…薄膜ミラー
５０…受光素子
１２、１４…電極
２０…基板
２１…ＳｉＯ2膜
２２…透明基板
３２…光ファイバ
３４、３６…コア
３８…クラッド
４０…誘電体薄膜
４２…薄膜ミラー
５０…受光素子
Claims (7)
- 複数の電極と、
該電極間に配設された、少なくとも一部に金属カーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブと、
少なくとも前記金属カーボンナノチューブの表面を覆う絶縁体とを備え、
前記電極への通電により金属カーボンナノチューブが発熱して発光する黒体放射によって、変調可能な発光を行うようにしたことを特徴とするカーボンナノチューブ発光素子。 - 前記金属カーボンナノチューブ及び電極が基板上に配設されていることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ発光素子。
- 請求項１又は２に記載のカーボンナノチューブ発光素子を備えたことを特徴とする光源。
- 金属カーボンナノチューブが、光ファイバと直交するように、透明基板上に配設されていることを特徴とする請求項３に記載の光源。
- 金属カーボンナノチューブ及び電極が基板上に配設され、該基板の表面と平行な方向に発光するようにされていることを特徴とする請求項３に記載の光源。
- 金属カーボンナノチューブ及び電極が基板上に配設され、該基板の表面と垂直な方向に発光するようにされていることを特徴とする請求項３に記載の光源。
- 請求項１又は２に記載のカーボンナノチューブ発光素子と、受光素子を備えたことを特徴とするフォトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012512744A JP5747334B2 (ja) | 2010-04-28 | 2011-04-01 | カーボンナノチューブ発光素子、光源及びフォトカプラ |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010104124 | 2010-04-28 | ||
| JP2010104124 | 2010-04-28 | ||
| JP2012512744A JP5747334B2 (ja) | 2010-04-28 | 2011-04-01 | カーボンナノチューブ発光素子、光源及びフォトカプラ |
| PCT/JP2011/058406 WO2011135978A1 (ja) | 2010-04-28 | 2011-04-01 | カーボンナノチューブ発光素子、光源及びフォトカプラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2011135978A1 JPWO2011135978A1 (ja) | 2013-07-18 |
| JP5747334B2 true JP5747334B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=44861296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012512744A Active JP5747334B2 (ja) | 2010-04-28 | 2011-04-01 | カーボンナノチューブ発光素子、光源及びフォトカプラ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8895997B2 (ja) |
| JP (1) | JP5747334B2 (ja) |
| KR (1) | KR20130071423A (ja) |
| WO (1) | WO2011135978A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2961320B1 (fr) * | 2010-06-15 | 2013-04-26 | Univ Paris Sud | Composant electro-optique a nanotubes, circuit integre hybride optronique ou a lien optique integrant ce composant, et procede de fabrication. |
| JP6155012B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2017-06-28 | 学校法人慶應義塾 | グラフェン、多層グラフェン又はグラファイトを用いた発光素子、光源及びフォトカプラ |
| JP2014067544A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Denso Corp | 光源 |
| US9459154B2 (en) | 2013-05-15 | 2016-10-04 | Raytheon Company | Multi-layer advanced carbon nanotube blackbody for compact, lightweight, and on-demand infrared calibration |
| TWI684002B (zh) * | 2014-11-19 | 2020-02-01 | 美商瑞西恩公司 | 用於產生黑體光譜的裝置、薄膜及方法 |
| JP6792217B2 (ja) * | 2015-05-20 | 2020-11-25 | 学校法人慶應義塾 | カーボンナノチューブ単一光子源 |
| US10139287B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-11-27 | Raytheon Company | In-situ thin film based temperature sensing for high temperature uniformity and high rate of temperature change thermal reference sources |
| TWI786062B (zh) * | 2016-09-05 | 2022-12-11 | 美商布魯爾科技公司 | 環境感測器與用於環境感測器的方法 |
| RU2645536C1 (ru) * | 2016-11-01 | 2018-02-21 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ) | Светопоглощающий материал |
| US10386241B1 (en) | 2017-02-10 | 2019-08-20 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Calibration system and method |
| US11656173B2 (en) | 2018-03-16 | 2023-05-23 | Keio University | Infrared analysis system, infrared analysis chip, and infrared imaging device |
| US10727431B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-07-28 | International Business Machines Corporation | Optoelectronic devices based on intrinsic plasmon-exciton polaritons |
| US11221184B1 (en) | 2018-12-05 | 2022-01-11 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Carbon nanotube heat pipe or thermosiphon |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003534645A (ja) * | 2000-02-29 | 2003-11-18 | ヒル−ロム サービシーズ，インコーポレイティド | 光学的絶縁の装置及び方法 |
| JP2008523254A (ja) * | 2004-11-09 | 2008-07-03 | ボード オブ リージェンツ， ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム | ナノファイバーのリボンおよびシートならびにナノファイバーの撚り糸および無撚り糸の製造および適用 |
| WO2008139763A1 (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Fujikura Ltd. | 光通信モジュールとその製造方法及び光送受信装置 |
| JP2009161393A (ja) * | 2008-01-05 | 2009-07-23 | Kyushu Univ | 単層カーボンナノチューブのカイラリティ選択的可溶化方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346189B1 (en) * | 1998-08-14 | 2002-02-12 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Carbon nanotube structures made using catalyst islands |
| JP4338948B2 (ja) * | 2002-08-01 | 2009-10-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法 |
| WO2006121461A2 (en) * | 2004-09-16 | 2006-11-16 | Nantero, Inc. | Light emitters using nanotubes and methods of making same |
| CN101409961B (zh) * | 2007-10-10 | 2010-06-16 | 清华大学 | 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法 |
| CN101450798A (zh) * | 2007-11-29 | 2009-06-10 | 索尼株式会社 | 处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件 |
| JP5408588B2 (ja) | 2007-12-10 | 2014-02-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | カーボンナノチューブの簡便な分離法 |
| JP2009283303A (ja) | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Keio Gijuku | カーボンナノチューブ発光素子、及び、その製造方法 |
| US8847476B2 (en) * | 2008-12-04 | 2014-09-30 | The Regents Of The University Of California | Electron injection nanostructured semiconductor material anode electroluminescence method and device |
| CN101847345B (zh) * | 2009-03-27 | 2012-07-18 | 清华大学 | 白炽光源显示装置及其制备方法 |
-
2011
- 2011-04-01 KR KR1020127027466A patent/KR20130071423A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-04-01 US US13/643,857 patent/US8895997B2/en active Active
- 2011-04-01 WO PCT/JP2011/058406 patent/WO2011135978A1/ja active Application Filing
- 2011-04-01 JP JP2012512744A patent/JP5747334B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003534645A (ja) * | 2000-02-29 | 2003-11-18 | ヒル−ロム サービシーズ，インコーポレイティド | 光学的絶縁の装置及び方法 |
| JP2008523254A (ja) * | 2004-11-09 | 2008-07-03 | ボード オブ リージェンツ， ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム | ナノファイバーのリボンおよびシートならびにナノファイバーの撚り糸および無撚り糸の製造および適用 |
| WO2008139763A1 (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Fujikura Ltd. | 光通信モジュールとその製造方法及び光送受信装置 |
| JP2009161393A (ja) * | 2008-01-05 | 2009-07-23 | Kyushu Univ | 単層カーボンナノチューブのカイラリティ選択的可溶化方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN6011021613; Ｐｅｎｇ Ｌｉ， ｅｔ ａｌ．: 'Ｐｏｌａｒｉｚｅｄ ｏｎｃａｎｄｅｓｃｅｎｔ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｆｒｏｍ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ' Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｖｏｌ． ８２， Ｎｏ． １１, 20030317, １７６３-１７６５, Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8895997B2 (en) | 2014-11-25 |
| KR20130071423A (ko) | 2013-06-28 |
| US20130087758A1 (en) | 2013-04-11 |
| WO2011135978A1 (ja) | 2011-11-03 |
| JPWO2011135978A1 (ja) | 2013-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5747334B2 (ja) | カーボンナノチューブ発光素子、光源及びフォトカプラ | |
| Kang et al. | High-speed colour-converting photodetector with all-inorganic CsPbBr3 perovskite nanocrystals for ultraviolet light communication | |
| JP6155012B2 (ja) | グラフェン、多層グラフェン又はグラファイトを用いた発光素子、光源及びフォトカプラ | |
| Xu | Silicon MOS optoelectronic micro‐nano structure based on reverse‐biased PN junction | |
| Walters et al. | Field-effect electroluminescence in silicon nanocrystals | |
| US8471238B2 (en) | Light emitters using nanotubes and methods of making same | |
| Mori et al. | An electrically driven, ultrahigh-speed, on-chip light emitter based on carbon nanotubes | |
| US8008102B2 (en) | Method of forming light emitting devices comprising semiconducting single walled carbon nanotubes | |
| Song et al. | Deep-ultraviolet electroluminescence and photocurrent generation in graphene/hBN/graphene heterostructures | |
| US10288804B2 (en) | Method to fabricate chip-scale electronic photonic (plasmonic)-integrated circuits | |
| WO2016105481A2 (en) | Light emission from electrically biased graphene | |
| US20060054922A1 (en) | Optically controlled electrical switching device based on wide bandgap semiconductors | |
| Fujiwara et al. | Electrically driven, narrow-linewidth blackbody emission from carbon nanotube microcavity devices | |
| US10727431B2 (en) | Optoelectronic devices based on intrinsic plasmon-exciton polaritons | |
| US10717926B2 (en) | Carbon nanotube single-photon source | |
| CN106165123B (zh) | 用于声子的电场控制元件 | |
| JP2009283303A (ja) | カーボンナノチューブ発光素子、及び、その製造方法 | |
| Matano et al. | Electrical generation of polarized broadband radiation from an on-chip aligned carbon nanotube film | |
| WO2010052967A1 (ja) | シリコン発光素子 | |
| Kaloyeros et al. | Polarization-dependent photoluminescence properties of fab-compatible nanowire-based nanophotonic structures | |
| US20220013686A1 (en) | Single-photon source and method of outputting single photon | |
| US11769859B2 (en) | Mid-infrared light emitting diode with graphene and black phosphorous layers and manufacturing method thereof, silicon photonic circuit including the mid-infrared light emitting diode and manufacturing method thereof | |
| US20110024650A1 (en) | Terahertz emitter with high power and temperature operation | |
| Del Pozo Zamudio | Optics of atomically thin films and van der Waals heterostructures made from two-dimensional semiconductors | |
| Pernice et al. | Integrated Quantum Photonic Circuits with Electrically Driven Light Sources |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141203 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150331 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150421 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5747334 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |